半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠使半導體芯片不產(chǎn)生損傷和/或破損而僅將合格芯片高效率地從粘合片剝離的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置。根據(jù)本發(fā)明，將粘貼了粘合片的半導體晶片切斷為單獨的半導體芯片。然后，在未達到期望的電氣特性的不合格芯片的背面從粘合片的上方標記不合格記號。然后，通過紫外線照射使得粘合片的粘合層與合格芯片的粘接力降低。然后，使粘合片側(cè)為下側(cè)將半導體芯片載置于臺的形成了溝槽的面。然后，將粘合片以及溝槽所包圍的空間減壓，從粘合片剝離合格芯片。接著，利用夾頭拾取合格芯片。其后，從臺將粘貼有不合格芯片的粘合片卸下回收。
【專利說明】半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極型晶體管)由于高性能化以及低成本化等的需要，推進了半導體晶片的薄型化。因此，例如有需要使半導體晶片的厚度減薄為50μπι?100 μ m左右，或其以下的厚度。
[0003]作為晶片厚度很薄的半導體裝置(以下，稱作薄型半導體裝置)的制造方法，提出有以下方法。首先，在半導體晶片的正面形成元件結(jié)構(gòu)之后，研磨半導體晶片的背面直至達到預定的厚度。并且，按照每個元件結(jié)構(gòu)切割半導體晶片，切斷為單獨的半導體芯片。
[0004]另外，作為薄型半導體裝置的另一種制造方法，提出有以下方法。首先，在半導體晶片的正面形成元件結(jié)構(gòu)之后，在半導體晶片的正面，例如沿著切割線形成比完成后的半導體裝置的厚度深的溝槽。并且，通過研磨半導體晶片的背面直至達到預定的厚度，從而形成按照每個元件結(jié)構(gòu)切斷的單獨的半導體芯片。
[0005]更進一步，作為薄型半導體裝置的另一種制造方法，提出有以下方法。首先，在半導體晶片的正面形成元件結(jié)構(gòu)之后，形成凸緣結(jié)構(gòu)晶片。即，從半導體晶片背面研磨半導體晶片的中央部使其變薄，將半導體晶片的外周部按照預定的寬度予以保留使其較厚，將保留的外周部作為增強部。并且，以保留了半導體晶片的增強部的狀態(tài)，或者去除增強部之后，按照每個元件結(jié)構(gòu)切割半導體晶片，切斷為單獨的半導體芯片。
[0006]上述的薄型半導體裝置的制造方法中，為了使因切割而被切斷的半導體芯片不分散，在切割半導體晶片之前，將切割片等的粘合片粘貼于半導體晶片。并且，切割半導體晶片將其切斷為單獨的半導體芯片之后，保持將半導體芯片固定于粘合片的狀態(tài)，進入從粘合片拾取半導體芯片的工序(拾取工序)。
[0007]作為將粘合片粘貼于凸緣結(jié)構(gòu)晶片的方法，提出有以下方法。針對在背面的中央部形成了比外周部薄的凹部的凸緣構(gòu)造晶片，僅將其正面?zhèn)鹊耐庵懿客ㄟ^晶片支撐臺進行支撐。使片粘貼裝置內(nèi)的第I密閉空間成為真空狀態(tài)之后，在第I密閉空間內(nèi)，向凸緣結(jié)構(gòu)晶片和晶片支撐臺之間形成的第2密閉空間通過加壓裝置導入壓力。與此同時，在凸緣結(jié)構(gòu)晶片的上方使隔著粘合膠帶以能夠升降的狀態(tài)設置的粘貼構(gòu)件下降，將粘合片壓入凸緣結(jié)構(gòu)晶片的背面的凹部進行粘貼(例如，參照以下專利文獻I)。
[0008]作為凸緣結(jié)構(gòu)晶片的切割方法，提出有以下方法。配合設置于切割臺的晶片的背面?zhèn)鹊男螤?，在外周端部比中央部厚的基礎部設置環(huán)狀的第一臺和圓柱狀的比第一臺高度高的第二臺。在由該第一臺和第二臺形成的凸部，以凸緣結(jié)構(gòu)晶片的背面?zhèn)鹊陌疾颗c其重疊的方式進行設置。并且，從凸緣結(jié)構(gòu)晶片的正面?zhèn)龋雇咕壊坎槐磺械舳鴮⑼咕壗Y(jié)構(gòu)晶片的整面切斷實現(xiàn)芯片化(例如，參照以下專利文獻2 )。
[0009]作為半導體芯片的拾取方法，已知有從粘合片側(cè)將半導體芯片利用針向上方頂起，從而使得半導體芯片和粘合片的接觸面積減少之后，由夾頭吸引而從粘合片拾取半導體芯片，移送至芯片基板等的晶片托盤的方法。但是，利用針頂起存在使半導體芯片的背面產(chǎn)生傷痕，或者使半導體芯片破損的擔憂。
[0010]作為不進行利用針頂起的操作的半導體芯片的拾取方法，提出有以下方法。固定夾具由在一個面上具有多個突起物和側(cè)壁的夾具基座，以及層疊在夾具基座的具有突起物的面上、在側(cè)壁的上表面接合的粘接層構(gòu)成。在夾具基座的具有突起物的面由粘接層、突起物、以及側(cè)壁形成劃分空間，通過通孔連接于真空源。通過通孔吸引劃分空間內(nèi)的空氣使粘接層變形，并且吸附夾頭從芯片的上表面?zhèn)任酒?，將芯片從粘接層拾?例如，參照以下專利文獻3)。
[0011]專利文獻1:日本特開2012-084563號公報
[0012]專利文獻2:日本特開2009-206417號公報
[0013]專利文獻3:日本特開2008-103493號公報
[0014]但是，上述專利文獻3公開的技術中，由于固定于夾具基座的全部的半導體芯片與粘合片的粘接面積降低，因而不僅降低了達到期望的電氣特性的半導體芯片(合格芯片)與粘合片的粘接力，也降低了未達到期望的電氣特性的的半導體芯片(不合格芯片)與粘合片的粘接力。因此，從粘合片拾取不合格芯片以外的半導體芯片的情況下，在粘合片上殘留的不合格芯片成為幾乎從粘合片被剝離的狀態(tài)。
[0015]在不合格芯片成為從粘合片幾乎被剝離的狀態(tài)的情況下，從夾具基座拆卸粘合片時，另外，搬運回收從夾具基座拆卸了的粘合片時，存在不合格芯片從粘合片被剝離，掉落于拾取裝置內(nèi)，對拾取裝置產(chǎn)生不良影響的隱患。這樣的問題可以通過將包括不合格芯片的全部半導體芯片從粘合片拾取的方法來解決。但是，在將全部的半導體芯片從粘合片拾取的情況下，產(chǎn)生了生產(chǎn)率降低的新問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明的目的在于提供一種為了解決由上述現(xiàn)有技術帶來的問題，能夠使半導體芯片不產(chǎn)生損傷和/或破損而將半導體芯片從粘合片剝離的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置。另外，本發(fā)明的目的在于提供一種為了解決由上述現(xiàn)有技術帶來的問題，在粘貼于粘合片的全部的半導體芯片中，能夠?qū)⑻匦圆缓细竦陌雽w芯片以外的半導體芯片高效率地從粘合片剝離的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置。
[0017]為了解決上述問題，實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法具有以下特征。首先，進行粘貼工序，在半導體晶片的背面粘貼粘合片。然后，進行切斷工序，將處于粘貼于上述粘合片的狀態(tài)的上述半導體晶片切斷為單獨的半導體芯片。然后，進行記號形成工序，在預定的上述半導體芯片的背面從上述粘合片的上方形成預定的記號，預定的上述半導體芯片是基于針對上述半導體芯片的電氣特性的檢查結(jié)果而確定的。然后，進行粘接力降低工序，使形成了上述記號的部分以外的上述粘合片與上述半導體芯片的粘接力降低。然后，進行拾取工序，從上述粘合片拾取通過上述粘接力降低工序而降低了與上述粘合片的粘接力的上述半導體芯片。
[0018]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述拾取工序中，首先進行載置工序，在設置了多個溝槽的臺的設有上述溝槽的面，使粘貼了上述粘合片的面位于上述臺側(cè)而載置上述半導體芯片。然后，進行剝離工序，將由上述溝槽以及上述粘合片所包圍的空間減壓，從上述半導體芯片剝離形成了上述記號的部分以外的上述粘合片。然后進行吸引工序，吸引并取出剝離了上述粘合片的上述半導體芯片。
[0019]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述記號形成工序中，形成寬度比上述溝槽的配置間隔寬的上述記號。
[0020]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述拾取工序之后，進行拆卸工序，從上述臺卸下上述粘合片。在上述拆卸工序中，將上述粘合片連同粘貼于上述粘合片的形成了上述記號的部分的上述半導體芯片一起卸下。
[0021]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述粘貼工序中，使用具有與其他構(gòu)件的粘接力在紫外線照射下會降低的粘合層的上述粘合片。并且，在上述粘接力降低工序中，從上述半導體芯片的背面?zhèn)认蛏鲜稣澈掀丈渥贤饩€，使與形成了上述記號的部分以外的上述粘合片接觸的上述粘合層固化。
[0022]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，還包括檢查工序，在上述切斷工序之后，上述記號形成工序之前，檢查上述半導體芯片是否達到期望的電氣特性。而且，在上述記號形成工序中，在由上述檢查工序而得到的上述檢查結(jié)果為未達到期望的電氣特性的上述半導體芯片的背面，從上述粘合片的上方形成上述記號。
[0023]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述記號形成工序中，基于在上述半導體芯片的正面預先形成的、根據(jù)上述檢查結(jié)果得到的記號，在上述半導體芯片的背面形成上述記號。
[0024]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述粘貼工序之前，首先，進行元件結(jié)構(gòu)形成工序，在上述半導體晶片的正面形成元件結(jié)構(gòu)。然后，進行薄型化工序，研磨上述半導體晶片的背面的中央部，使上述半導體晶片的中央部的厚度比外周部的厚度薄。而且，在上述粘貼工序中，以沿著上述半導體晶片的背面的中央部和外周部的階差的方式粘貼上述粘合片。
[0025]另外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，在上述發(fā)明中，其特征在于，在上述切斷工序中，以保留了上述半導體晶片的比中央部的厚度厚的外周部的狀態(tài)，將上述半導體晶片載置于切割用臺，在上述切割用臺上切斷上述半導體晶片。
[0026]另外，為了解決上述問題，實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導體制造裝置具備粘貼裝置、切斷裝置、檢查裝置、記號形成裝置、粘接力降低裝置、以及拾取裝置。上述粘貼裝置，其在半導體晶片的背面粘貼粘合片。上述切斷裝置，其將處于粘貼在上述粘合片的狀態(tài)的上述半導體晶片切斷為單獨的半導體芯片。上述檢查裝置，其檢查上述半導體芯片的電氣特性。上述記號形成裝置，其基于上述檢查裝置的檢查結(jié)果，在預定的上述半導體芯片的背面從上述粘合片的上方形成預定的記號。上述粘接力降低裝置，其使形成了上述記號的部分以外的上述粘合片與上述半導體芯片的粘接力降低。上述拾取裝置的特征在于，其將與上述粘合片的粘接力降低了的上述半導體芯片從上述粘合片取出。
[0027]根據(jù)上述發(fā)明，粘貼在紫外線固化型的粘合片的多個半導體芯片中，被檢測出特性不合格的半導體芯片的背面的粘合片上標記不合格記號，從而為使粘合片與半導體芯片的粘接力降低而向粘合片照射紫外線時，紫外線在粘合片的形成了不合格記號的部分被不合格記號遮蔽。據(jù)此，能夠不使粘合片和不合格芯片的粘接力降低，而使粘合片和合格芯片的粘接力降低。因此，不由針等頂起合格芯片，僅通過夾頭的吸引力就能夠拾取合格芯片。[0028]另外，能夠在不降低與粘合片的粘接力的情況下將不合格芯片殘留在粘合片上，因此卸下回收粘合片時，能夠防止不合格芯片從粘合片剝離而飛散、掉落。另外，能夠在粘貼了不合格芯片的狀態(tài)下卸下回收粘合片，因此能夠比拾取粘合片上的全部的半導體芯片的情況提聞生廣率。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置，取得能夠使半導體芯片不產(chǎn)生損傷和/或破損而將半導體芯片從粘合片剝離的效果。另外，根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置，取得能夠在粘貼于粘合片的全部的半導體芯片中，高效地將特性不合格的半導體芯片以外的半導體芯片從粘合片剝離的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是表示由實施方式的半導體制造裝置處理的半導體晶片的正面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0031]圖2是表示圖1的半導體晶片的背面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)的立體圖。
[0032]圖3是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的俯視圖。
[0033]圖4是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0034]圖5是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0035]圖6是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的俯視圖。
[0036]圖7是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0037]圖8是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0038]圖9是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0039]圖10是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0040]圖11是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0041]圖12是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0042]圖13是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。
[0043]符號說明:
[0044]I半導體晶片
[0045]2芯片區(qū)域
[0046]2a切割線
[0047]3a半導體晶片的中央部
[0048]3b半導體晶片的增強部
[0049]4粘合片
[0050]4a粘合片的基材
[0051]4b粘合片的粘合層
[0052]5切割架
[0053]6切割用臺
[0054]6a切割用臺的凸部
[0055]6b切割用臺的凸部以外的面
[0056]7半導體芯片
[0057]7a不合格芯片[0058]7b合格芯片
[0059]8不合格記號
[0060]10紫外線產(chǎn)生燈
[0061]11紫外線
[0062]12夾頭
[0063]20拾取裝置
[0064]21臺
[0065]22臺的溝槽
[0066]23臺的突起部
[0067]24臺的通氣孔[0068]25密閉空間
[0069]t溝槽的配置間隔
[0070]w不合格記號的寬度
【具體實施方式】
[0071]以下，參照附圖來詳細說明本發(fā)明的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置的優(yōu)選的實施方式。另外，在以下的實施方式的說明以及附圖中，同樣的結(jié)構(gòu)用同一符號表示，并省略重復的說明。
[0072](實施方式)
[0073]首先說明由實施方式的半導體裝置的制造方法處理之前的半導體晶片。圖1是表示由實施方式的半導體制造裝置處理的半導體晶片的正面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是表示圖1的半導體晶片的背面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)的立體圖。如圖1、2所示，在半導體晶片I的正面?zhèn)?，在對應于形成半導體芯片的區(qū)域(以下稱作芯片區(qū)域)2的部分，按照每個芯片區(qū)域2形成裝置的表面結(jié)構(gòu)(未圖示)。芯片區(qū)域2，例如被等間隔地設置成矩陣狀。
[0074]相鄰的芯片區(qū)域2之間形成切割線或者芯片分割線(以下稱作切割線2a)等的記號。在半導體晶片I的背面形成使半導體晶片I的中央部3a的厚度變薄，半導體晶片I的外周部按照預定的寬度保留較厚的部分而形成的增強部3b。增強部3b位于最外側(cè)的芯片區(qū)域2的外側(cè)。即，全部的芯片區(qū)域2配置于比半導體晶片I的外周部厚度薄的半導體晶片I的中央部3a。
[0075]然后，說明實施方式的半導體裝置的制造方法。圖3、6是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的俯視圖。圖4、5、7~13是表示實施方式的半導體裝置的制造過程中的狀態(tài)的截面圖。圖3、4表示在圖1的半導體晶片I粘貼粘合片4的狀態(tài)。圖4是沿圖3的剖線A-A'的截面圖。圖6表示圖1的半導體晶片I的切割后的狀態(tài)。首先，如圖1所示，在半導體晶片I的正面?zhèn)柔槍γ總€芯片區(qū)域2形成裝置的表面結(jié)構(gòu)(未圖示)。
[0076]接下來，研磨半導體晶片I的背面，使半導體晶片I的厚度減薄至預定的厚度。這時，半導體晶片I可以是背面為平坦的晶片，也可以是如圖2所示使背面?zhèn)鹊闹醒氩?a變薄，將外周部按照預定的寬度保留較厚而形成增強部3b的凸緣結(jié)構(gòu)晶片。以下，以半導體晶片I成為凸緣結(jié)構(gòu)晶片為例進行說明。接下來，如圖3、4所示，在被薄型化了的半導體晶片I的背面粘貼粘合片(切割片)4。粘合片4，例如用于防止由于切割而分離了的半導體芯片飛散。
[0077]作為在半導體晶片I的背面粘貼粘合片4的方法的一例，例如，使半導體晶片I的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)犬a(chǎn)生氣壓差，由于該氣壓差，可以將半導體晶片按壓在配置于半導體晶片I的背面?zhèn)鹊恼澈掀?上。據(jù)此，能夠在由半導體晶片I的背面的中央部3a和增強部3b構(gòu)成的凹部(以下，僅稱作凹部)不產(chǎn)生氣泡地粘貼粘合片4。粘合片4由在基材4a設置紫外線固化型的粘合層4b而制成，基材4a作為支撐構(gòu)件發(fā)揮功能。對于粘合片4，粘合層4b側(cè)被粘接。
[0078]接下來，在粘合片4的半導體晶片I側(cè)的面粘貼切割架5，將半導體晶片I固定于切割架5。然后，如圖5所示，以半導體晶片I的背面的凹部與切割用臺6的凸部6a重疊的方式，將處于固定在切割架5的狀態(tài)的半導體晶片I載置于切割用臺6。據(jù)此，半導體晶片I的中央部3a被切割用臺6的凸部6a支撐。半導體晶片I的增強部3b被切割用臺6的凸部6a外側(cè)的凸部6a以外的面6b支撐。切割用臺6的凸部6a具有，例如能夠與半導體晶片I的背面的凹部幾乎沒有間隙地嵌合的直徑以及高度。
[0079]然后，如圖6所示，從半導體晶片I的正面?zhèn)?，沿著切割線2a切割半導體晶片1，將其切斷為單獨的半導體芯片7。這時，由切割導致的切痕，最好不貫通粘合片4。其理由是因為由于粘合片4沒有被分斷，因此易于將粘合片4從臺拆卸，也易于將拆卸了的粘合片4搬運回收。另外，由切割導致的切痕，最好不要到達半導體晶片I的側(cè)面。其理由是因為能夠?qū)⒊蔀槲葱纬稍Y(jié)構(gòu)的半導體晶片I的殘留部的外周部保留為圓周狀，易于與粘合片4 一起回收。
[0080]然后，保持固定于粘合片4的狀態(tài)，利用通常的方法，檢查各半導體芯片7的電氣特性。然后，固定于粘合片4的多個半導體芯片7中，在未達到期望的電氣特性的半導體芯片(以下，稱作不合格芯片)7a的背面的中心從粘合片4的上方標記不合格記號8。另外，不合格記號8的標記也可以是在半導體晶片I的背面粘貼粘合片4之前，用通常的方法檢測出半導體晶片I的正面的各芯片區(qū)域2預先標記了的不合格記號，對應于半導體晶片I的正面的不合格記號，在作為相反側(cè)的半導體晶片I的背面形成不合格記號8。
[0081]不合格記號8的形狀可以做各種變形。例如，圖6表示了具有圓形的平面形狀的不合格記號8。后面敘述有關不合格記號8的寬度w (例如圓形的不合格記號8的情況下為直徑)的尺寸。不合格記號8的標記，也可以是例如使用對粘合片4、半導體晶片I具有強接合力的墨水的墨水標記。不合格記號8的顏色沒有特別的限定，優(yōu)選為黑色。其理由是因為在后面的向粘合片4的紫外線照射工序中，能夠使得形成了不合格記號8的部分針對照在粘合片4的紫外線的透過率降低，能夠更進一步提高本發(fā)明的效果。以下，固定于粘合片4的多個半導體芯片7中，將不合格芯片7a以外的達到期望的電氣特性的半導體芯片稱為合格芯片7b。
[0082]如此，在不合格芯片7a的背面標記了不合格記號8之后，如圖7所示，利用紫外線產(chǎn)生燈10，以充分固化粘合片4的粘合層4b的紫外線量，從半導體芯片7的背面對粘合片4照射紫外線11。在圖7中，圖示省略不合格記號8。這時，如作為圖7的局部放大圖的圖8所示，形成了不合格記號8的部分以外的粘合片4的粘合層4b-l，由于紫外線11照射而固化，與不合格芯片7a以外的全部的半導體芯片7 (合格芯片7b)的粘接力降低。另一方面，形成了不合格記號8的部分的粘合片4的粘合層4b-2，由于不合格記號8遮擋了紫外線11而沒有被固化，因此與半導體芯片7 (不合格芯片7a)的粘接力沒有降低。在圖8中刪除了粘合層4b的與半導體芯片7的粘接力降低了的部分的影線(圖9、11?13中也是如此)。
[0083]然后，如圖9、10所示，使粘合片4側(cè)為下側(cè)(臺21側(cè))將半導體芯片7載置于用于從粘合片4拾取半導體芯片7的拾取裝置20的臺21。圖9是圖10所示的拾取裝置20的局部放大圖，表示了即將半導體芯片7載置于臺21上之前的狀態(tài)。圖10中圖示省略不合格記號8、粘合層4b-l、4b-2。拾取裝置20的臺21具有能夠與半導體晶片I的背面的凹部幾乎無間隙地嵌合的直徑，或者夾持半導體晶片1，與全部的芯片區(qū)域2對置那樣的直徑。臺21中，在半導體芯片7被載置側(cè)的面(以下，稱作上表面)設置了以預定的配置間隔t配置的多個溝槽22和由相鄰溝槽22的側(cè)壁構(gòu)成的突起部23。
[0084]溝槽22例如被配置為網(wǎng)格形狀，突起部23被配置為矩陣形狀。另外，例如，溝槽22形成為V字形狀和/或矩形(圖9?12中表示V字狀的溝槽22)，突起部23成為棱錐體形狀、棱錐臺形狀或者棱柱形狀。因此，在半導體芯片7被載置于臺21上時，粘合片4以及不合格標記8成為與突起部23的頂點部點接觸(錐體形狀的情況)或者面接觸(棱錐臺形狀或者棱柱形狀的情況)的狀態(tài)。突起部23的底面的邊的長度與溝槽22的配置間隔t相等。不合格記號8的寬度w比溝槽22的配置間隔t大。因此，各不合格記號8在半導體芯片7被載置于臺21上時，從分別對置的溝槽22露出一部分。
[0085]優(yōu)選的是，不合格記號8的寬度w達到在臺21上載置半導體芯片7時能夠阻塞溝槽22的程度。從溝槽22露出的不合格記號8的寬度w越寬，越能保證與不合格芯片7a的粘接力高的粘合層4b-2介由基材4a與溝槽22對置，因此如后述那樣臺21的上表面?zhèn)鹊目諝獗晃龝r，能夠抑制粘接于不合格芯片7a的粘合片4被剝離。溝槽22經(jīng)由設置于臺21內(nèi)的通氣孔24與減壓裝置(未圖示)連接。通過由減壓裝置抽真空(實線箭頭)使得臺21的上表面?zhèn)鹊目諝獗晃?。?jù)此，粘合片4以及臺21的溝槽22所包圍的空間(以下，稱作密閉空間)25被減壓。
[0086]由于粘合片4的粘合層4b_l和合格芯片7b的粘接力降低，因此密閉空間25被減壓使得粘合片4和合格芯片7b的粘接面積減少，合格芯片7b成為從粘合片4幾乎被剝離的狀態(tài)。具體地，如圖11所示，施加于粘合片4的負壓導致粘合片4沿著溝槽22的側(cè)壁變形，粘合片4從合格芯片7b被剝離。另一方面，粘合片4的粘合層4b-2與不合格芯片7a的粘接力在紫外線11的照射前后無變化，因此即使在粘合片4施加了負壓，粘合片4與不合格芯片7a的粘接面積也幾乎無變化，維持不合格芯片7a的背面的幾乎整面與粘合片4粘接的狀態(tài)。
[0087]然后，如圖12所示，保持密閉空間25被減壓的狀態(tài)，利用配置于臺21的上方的夾頭12，吸引合格芯片7b，將其從粘合片4拾取。這時，例如可以是讀出存儲在存儲裝置的不合格記號8的位置信息，基于該位置信息拾取合格芯片7b，也可以基于由照相機等拍攝的圖像檢測出不合格記號8，基于該檢測結(jié)果拾取合格芯片7b。其后，拾取了的合格芯片7b例如通過搬運裝置向用于進行后續(xù)工序的例如臺等搬運。
[0088]拾取了全部的合格芯片7b之后，例如通過搬運裝置(未圖示)從臺21將粘合片4卸下回收。這時，如圖13所示，粘合片4的表面保留了未拾取的不合格芯片7a、未形成元件結(jié)構(gòu)的半導體晶片I的外周部(包括增強部3b)，卸下粘合片4時或者搬運卸下的粘合片4時，不合格芯片7a、增強部3b不會從粘合片4剝離掉落。
[0089]不合格芯片7a不會從粘合片4剝離掉落是因為如上所述通過形成不合格記號8，使得不合格芯片7a和粘合片4的粘接面積幾乎沒有被減少。增強部3b不會從粘合片4剝離掉落是因為切割時未將半導體晶片I的外周部切斷而保留為圓周狀，從而能夠使半導體晶片I的外周部和粘合片4的粘接面積較大。
[0090]具備上述的臺21、減壓裝置以及夾頭12等的拾取裝置20、搬運裝置、檢查半導體芯片7的電氣特性的檢查裝置、在不合格芯片7a標記不合格記號8的標記裝置、以及檢測不合格記號8的檢測裝置的控制，例如通過使用被存儲在拾取裝置20中的R0M、RAM、磁盤、光盤等的程序和/或數(shù)據(jù)，由CPU執(zhí)行預定的程序來進行。
[0091]如以上說明，根據(jù)實施方式，粘貼在紫外線固化型的粘合片的多個半導體芯片中，被檢測出特性不合格的半導體芯片的背面的粘合片上標記不合格記號，從而為使粘合片和半導體芯片的粘接力降低而向粘合片照射紫外線時，紫外線在粘合片的形成了不合格記號的部分被不合格記號遮蔽。據(jù)此，能夠不使粘合片和不合格芯片的粘接力降低，而使粘合片和合格芯片的粘接力降低。因此，不由針等頂起合格芯片，僅通過夾頭的吸引力就能夠拾取合格芯片，能夠防止合格芯片的損傷或破損。
[0092]另外，能夠在不降低與粘合片的粘接力的情況下將不合格芯片殘留在粘合片上，因此卸下回收粘合片時，能夠防止不合格芯片從粘合片剝離而飛散、掉落。另外，能夠在粘貼了不合格芯片的狀態(tài)下卸下回收粘合片，因此能夠比拾取粘合片上的全部的半導體芯片的情況提高生產(chǎn)率。據(jù)此，在粘貼于粘合片的全部的半導體芯片中，能夠高效地將不合格芯片以外的半導體芯片從粘合片剝離。
[0093]以上的本發(fā)明不限于如上所述的實施方式，只要不脫離本發(fā)明的精神的范圍，就可以進行各種各樣的變更。例如，雖然舉例說明了使用具有上述的實施方式的紫外線固化型的粘合層的粘合片的情況，只要在不合格芯片的背面的粘合片上形成的不合格記號使得不合格芯片和粘合片的粘接力不降低，構(gòu)成粘合片的材料和構(gòu)成不合格記號的材料的組合可以進行各種各樣的變更。另外，上述實施方式中，雖然舉例說明了在臺上網(wǎng)格狀地設置溝槽的結(jié)構(gòu)，也可以采用以沿著與溝槽排列方向垂直的方向延伸的條紋形狀設置溝槽的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明不限于應用于薄型化了的半導體晶片的情況，應用于未被薄型化的較厚的半導體晶片的情況下也能夠獲得同樣的效果，能夠?qū)⒑细裥酒踩叵蛳乱粋€工序搬運。
[0094]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0095]如上，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置用于將切割了的半導體芯片從粘合片拾取，分離成為單獨的半導體芯片的情況。
【權(quán)利要求】
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 粘貼工序，在半導體晶片的背面粘貼粘合片； 切斷工序，將處于粘貼在上述粘合片的狀態(tài)的上述半導體晶片切斷為單獨的半導體芯片; 記號形成工序，在預定的上述半導體芯片的背面從上述粘合片的上方形成預定的記號，預定的上述半導體芯片是基于針對上述半導體芯片的電氣特性的檢查結(jié)果而確定的；粘接力降低工序，使形成了上述記號的部分以外的上述粘合片與上述半導體芯片的粘接力降低； 拾取工序，從上述粘合片拾取由上述粘接力降低工序而降低了與上述粘合片的粘接力的上述半導體芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 上述拾取工序包括: 載置工序，在設置了多個溝槽的臺的設有上述溝槽的面，使粘貼了上述粘合片的面位于上述臺側(cè)而載置上述半導體芯片； 剝離工序，將由上述溝槽以及上述粘合片所包圍的空間減壓，從上述半導體芯片剝離形成了上述記號的部分以外的上述粘合片； 吸引工序，吸引并取出剝離了上述粘合片的上述半導體芯片。
3.如權(quán)利要求2所述的 半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在上述記號形成工序中，形成寬度比上述溝槽的配置間隔寬的上述記號。
4.如權(quán)利要求1~3任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括拆卸工序，在上述拾取工序之后，從上述臺卸下上述粘合片， 在上述拆卸工序中，將上述粘合片連同粘貼于上述粘合片的形成了上述記號的部分的上述半導體芯片一起卸下。
5.如權(quán)利要求1~4任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在上述粘貼工序中，所使用的上述粘合片具有與其他構(gòu)件的粘接力在紫外線照射下會降低的粘合層， 在上述粘接力降低工序中，從上述半導體芯片的背面?zhèn)认蛏鲜稣澈掀丈渥贤饩€，使與形成了上述記號的部分以外的上述粘合片接觸的上述粘合層固化。
6.如權(quán)利要求1~5任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 還包括檢查工序，在上述切斷工序之后，上述記號形成工序之前，檢查上述半導體芯片是否達到期望的電氣特性， 在上述記號形成工序中，在由上述檢查工序而得到的上述檢查結(jié)果為未達到期望的電氣特性的上述半導體芯片的背面，從上述粘合片的上方形成上述記號。
7.如權(quán)利要求1~5任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在上述記號形成工序中，基于在上述半導體芯片的正面預先形成的、根據(jù)上述檢查結(jié)果得到的記號，在上述半導體芯片的背面形成上述記號。
8.如權(quán)利要求1~7任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在上述粘貼工序之前，還包括: 元件結(jié)構(gòu)形成工序，在上述 半導體晶片的正面形成元件結(jié)構(gòu)；薄型化工序，研磨上述半導體晶片的背面的中央部，使上述半導體晶片的中央部的厚度比外周部的厚度??； 在上述粘貼工序中，以沿著上述半導體晶片的背面的中央部和外周部的階差的方式粘貼上述粘合片。
9.如權(quán)利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在上述切斷工序中，以保留了上述半導體晶片的比中央部的厚度厚的外周部的狀態(tài)，將上述半導體晶片載置于切割用臺，在上述切割用臺上切斷上述半導體晶片。
10.一種半導體制造裝置，其特征在于，具備: 粘貼裝置，其在半導體晶片的背面粘貼粘合片； 切斷裝置，其將處于粘貼在上述粘合片的狀態(tài)的上述半導體晶片切斷為單獨的半導體-H-* I I心片； 檢查裝置，其檢查上述半導體芯片的電氣特性， 記號形成裝置，其基于上述檢查裝置的檢查結(jié)果，在預定的上述半導體芯片的背面從上述粘合片的上方形成預定的記號； 粘接力降低裝置，其使形成了上述記號的部分以外的上述粘合片與上述半導體芯片的粘接力降低； 拾取裝置，其將與上述粘合片的粘接力降低了`的上述半導體芯片從上述粘合片取出。
【文檔編號】H01L21/301GK103871863SQ201310616809
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】田中陽子 申請人:富士電機株式會社