有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件、顯示裝置及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件、顯示裝置及其制作方法，所述有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件包括襯底基板和形成于所述襯底基板上的多個像素單元，所述像素單元包括驅(qū)動區(qū)域和發(fā)光區(qū)域，所述驅(qū)動區(qū)域布置有至少兩個薄膜晶體管；所述發(fā)光區(qū)域布置有通過所述薄膜晶體管驅(qū)動的有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述薄膜晶體管為頂柵極結(jié)構(gòu)，包括：形成于所述襯底基板上的有源層；形成于所述有源層的遠離所述襯底基板一側(cè)的源、漏極；形成于所述源、漏極的遠離所述有源層一側(cè)，并覆蓋整個所述驅(qū)動區(qū)域和所述發(fā)光區(qū)域的鈍化層；形成于所述鈍化層的遠離所述源、漏極一側(cè)的柵極。本發(fā)明有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件提高薄膜晶體管導(dǎo)電性能，減少工藝制程。
【專利說明】有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件、顯示裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件、顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前電子顯示技術(shù)正顯現(xiàn)蓬勃的發(fā)展態(tài)勢，先進的液晶顯示器(TFT-1XD)基本全面取代了傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)，并正向第三代顯示技術(shù)一有機電致發(fā)光器件(OLED)過渡。有機電致發(fā)光器件(OLED)作為新一代顯示器件，因其具有薄而輕(0LED器件封裝后厚度約為2_)、高對比度、快速響應(yīng)、寬視角、高亮度、全彩色、耐低溫、可以實現(xiàn)柔性顯示、堅固等優(yōu)點，在手機、個人電子助理、數(shù)碼相機、車載顯示、筆記本電腦、壁掛電視、電子紙以及軍事領(lǐng)域的應(yīng)用前景十分廣闊。
[0003]有機電致發(fā)光顯示器件按驅(qū)動方式可以分為無源驅(qū)動OLED (Passive MatrixDriving，PM-0LED)和有源驅(qū)動0LED(Active Matrix Driving，AM-OLED)兩種。其中PM-OLED結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低廉，多用于信息量低的一般簡單顯示中；而AM-OLED —般采用多晶硅P-Si或者氧化物半導(dǎo)體(如研究和應(yīng)用較為普遍的IGZ0)TFT作為開關(guān)元器件，實際上相當(dāng)于在TFT-LCD的基礎(chǔ)上形成有機電致發(fā)光層作為像素區(qū)，能夠集合大量的顯示信息并具備良好的發(fā)光和顯示效果，因而在顯示領(lǐng)域有取代TFT-1XD的可能。特別地，有機電致發(fā)光如果在形成在柔性基板上，還能實現(xiàn)柔性顯示效果，將會極大改變?nèi)藗儗︼@示終端的認識，對顯示領(lǐng)域產(chǎn)生深遠影響。
[0004]AM-OLED雖然具有美好的前景，但相比當(dāng)前普遍應(yīng)用到的TFT-1XD，其制備過程更復(fù)雜，對制作工藝要求更高。TFT-LCD是電場型器件，每個像素只需一個用作尋址開關(guān)的TFT即可；而AM-OLED是電流驅(qū)動的顯示器件，其亮度與流有機發(fā)光層的電流成正比，因而除尋址開關(guān)外，還需要恒流驅(qū)動控制開關(guān)。所以，AM-OLED—般采用兩個及兩個以上的TFT器件構(gòu)成像素電路，兩個及兩個以上TFT器件分別起開關(guān)和驅(qū)動作用。如圖1所示即為有源矩陣有機電致發(fā)光器件的一種由兩個TFT器件構(gòu)成的像素電路的等效示意圖。兩個TFT器件中一個開關(guān)薄膜晶體管和一個驅(qū)動薄膜晶體管，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接電源電壓線，漏極連接有機發(fā)光二極管的第一電極。
[0005]圖2所示為傳統(tǒng)的AM-OLED的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，傳統(tǒng)的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件形成于襯底基板10上，并于襯底基板10上順序形成柵極20、柵極保護層30、半導(dǎo)體有源層40、源極/漏極50、保護層60、平坦層70、陽極81、有機功能層82以及陰極83。其中，柵極經(jīng)第一次構(gòu)圖工藝形成于襯底基板上，然后制作柵極保護層覆蓋柵極和襯底基板的表面，接著，經(jīng)第二次構(gòu)圖工藝在柵極保護層上形成有源層，之后，經(jīng)第三次構(gòu)圖工藝在有源層的兩側(cè)形成源極和漏極。上述制作的柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、柵極和漏極即構(gòu)成薄膜晶體管；在制成薄膜晶體管之后，順序制作保護層和平坦層覆蓋于薄膜晶體管上，并經(jīng)第四次構(gòu)圖工藝在保護層和平坦層上形成過孔。接著，經(jīng)第五次構(gòu)圖工藝在平坦層上制作陽極，陽極經(jīng)過過孔與薄膜晶體管得源極/漏極其中一端電性連接，在陽極制作完成后，在陽極表面制作有機功能層和陰極，這樣即完成有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題主要有:
[0007]AM-OLED中TFT的源、漏極和柵極分別位于有源層的兩側(cè)，由于有源層在靠近柵極的一側(cè)表面形成電流通道，因此源、漏極需要經(jīng)過半導(dǎo)體厚度這一低導(dǎo)電性區(qū)域而與電流通道相連，TFT導(dǎo)電性能受到影響；
[0008]TFT的源、漏極和柵極分別位于有源層的兩側(cè)，而AM-OLED中每一像素單元有至少兩個TFT，且其中一個TFT的柵極與另一個TFT的源、漏極需要通過鈍化層上的過孔進行連接，因而AM-OLED制作過程中有源層和源、漏極需要分別經(jīng)過兩次構(gòu)圖工藝形成，不能采用半色調(diào)掩膜(Half-tone Mask)工藝一次形成，導(dǎo)致AM-OLED的工藝制程增加；此外，有機致電發(fā)光層需要在完成TFT制程后再經(jīng)過多次工藝形成，增加了工藝制程復(fù)雜性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的是提供一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其能夠很大程度上減少工藝制程，提高TFT導(dǎo)電性能。
[0010]本發(fā)明所提供的技術(shù)方案如下:
[0011]一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，包括襯底基板和形成于所述襯底基板上的多個像素單元，所述像素單元包括驅(qū)動區(qū)域和發(fā)光區(qū)域，其中所述驅(qū)動區(qū)域布置有至少兩個薄膜晶體管；所述發(fā)光區(qū)域布置有通過所述薄膜晶體管驅(qū)動的有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述薄膜晶體管為頂柵極結(jié)構(gòu)，其包括:
[0012]形成于所述襯底基板上的有源層；
[0013]形成于所述有源層的遠離所述襯底基板一側(cè)的源、漏極；
[0014]形成于所述源、漏極的遠離所述有源層一側(cè)，并覆蓋整個所述驅(qū)動區(qū)域和所述發(fā)光區(qū)域的鈍化層；以及，
[0015]形成于所述鈍化層的遠離所述源、漏極一側(cè)的柵極。
[0016]進一步的，在所述柵極的遠離所述襯底基板的一側(cè)還覆蓋有像素隔離層。
[0017]進一步的，所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)為頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括:
[0018]形成于所述鈍化層的遠離所述襯底基板一側(cè)，并設(shè)置于與所述發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)位置的陰極，所述陰極與所述源、漏極電性連接；
[0019]形成于所述陰極的遠離所述襯底基板一側(cè)的有機功能層；
[0020]以及，形成于所述有機功能層的遠離所述陰極一側(cè)的陽極。
[0021 ] 進一步的，所述陰極與所述柵極處于同一層。
[0022]進一步的，至少兩個薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述鈍化層在與所述第一薄膜晶體管的源、漏極對應(yīng)的位置形成有第一過孔；其中所述第一薄膜晶體管的源、漏極通過所述第一過孔與所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接。
[0023]進一步的，所述鈍化層在與所述第二薄膜晶體管的源、漏極對應(yīng)的位置形成有第二過孔；所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的陰極通過所述第二過孔與所述第二薄膜晶體管的源、漏極電性連接。[0024]進一步的，所述有機功能層包括:
[0025]形成于所述陰極的遠離所述鈍化層一側(cè)的電子傳輸層；
[0026]形成于所述電子傳輸層的遠離所述陰極一側(cè)的有機發(fā)光層；
[0027]以及，形成于所述有機發(fā)光層的遠離所述電子傳輸層一側(cè)的空穴傳輸層。
[0028]進一步的，所述有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件還包括與所述源、漏極連接的數(shù)據(jù)信號線和電源線，其中所述數(shù)據(jù)信號線和所述電源線與所述源、漏極處于同一層。
[0029]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括如上所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件。
[0030]本發(fā)明還提供了一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，所述方法包括:
[0031]在襯底基板上形成有源層及位于所述有源層兩側(cè)的源、漏極；
[0032]在所述源、漏極上形成鈍化層；
[0033]在所述鈍化層上形成柵極。
[0034]進一步的,所述方法具體包括:
[0035]在襯底基板上依次沉積半導(dǎo)體層和第一金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝形成有源層和位于所述有源層兩側(cè)的源、漏極；
[0036]在所述源漏、極上覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層，并通過第二次構(gòu)圖工藝形成鈍化層；
[0037]在所述鈍化層上沉積第二金屬層，并通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵極。
[0038]進一步的，所述第一次構(gòu)圖工藝采用半色調(diào)掩膜工藝，具體包括:
[0039]在所述襯底基板上依次沉積半導(dǎo)體層和第一金屬層；
[0040]在所述第一金屬層上，沉積光刻膠；
[0041]通過半色調(diào)或灰色掩膜板對所述光刻膠進行曝光，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，其中，在所述像素單元中所述光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)所述第一金屬層上的預(yù)設(shè)的布線區(qū)域，所述布線區(qū)域包括源極和漏極預(yù)設(shè)位置，所述光刻膠半保留區(qū)對應(yīng)所述源極和漏極之間的第一區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)除所述布線區(qū)域和第一區(qū)域之外的其他區(qū)域；
[0042]利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的第一金屬層和半導(dǎo)體層；
[0043]利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠；
[0044]利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)所對應(yīng)的第一金屬層，形成所述有源層和所述源、漏極。
[0045]進一步的，所述布線區(qū)域還包括數(shù)據(jù)信號線和電源線的預(yù)設(shè)位置，所述數(shù)據(jù)信號線和所述電源線通過第一次構(gòu)圖工藝與所述源、漏極同時形成。
[0046]進一步的，所述第二次構(gòu)圖工藝采用掩模工藝，具體包括:
[0047]在所述源、漏極上并覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層，并通過所述掩膜工藝處理得到鈍化層，其中所述鈍化層包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔分別位于所述第一薄膜晶體管的和所述第二晶體管的源、漏極的上方。
[0048]進一步的，所述第三次構(gòu)圖工藝采用掩模工藝，具體包括:
[0049]在所述鈍化層上沉積第二金屬層，并通過所述掩膜工藝處理得到柵極和陰極，且所述柵極通過所述第一過孔與所述源、漏極電性連接，所述陰極通過所述第二過孔與所述源、漏極電性連接。
[0050]進一步的，所述方法還包括:在所述柵極上沉積第二絕緣層，通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素隔離層，具體為:
[0051]在形成所述柵極后，在所述柵極上沉積第二絕緣層，并通過掩膜工藝刻蝕定義出發(fā)光區(qū)域，形成像素絕緣層；
[0052]在所述像素絕緣層上與所述發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置沉積有機功能層，并通過掩膜曝光定義出像素圖形；
[0053]在所述有機功能層上沉積有機電致發(fā)光的透明陽極層，并通過掩膜工藝定義出像素圖形。
[0054]本發(fā)明的有益效果如下:
[0055]以上方案，通過將有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的薄膜晶體管采用頂柵極結(jié)構(gòu)，使得源、漏極和柵極位于有源層的同側(cè)，從而源、漏極可以無需經(jīng)過半導(dǎo)體厚度這一低導(dǎo)電性區(qū)域，而直接與電流通道相連，從而提高薄膜晶體管導(dǎo)電性能；并且由于將源、漏極和柵極位于有源層的同側(cè)，可以采用一次構(gòu)圖工藝形成有源層和源、漏極，能夠很大程度上減少工藝制程。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0056]圖1為有源矩陣有機電致發(fā)光器件的一種由兩個TFT器件構(gòu)成的像素電路的等效示意圖；
[0057]圖2為傳統(tǒng)的有源矩陣有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖3為本發(fā)明所提供的有源矩陣有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0059]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0060]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件工藝制程復(fù)雜，TFT導(dǎo)電性能不良的問題，本發(fā)明提供了一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，能夠減少工藝制程，提高TFT導(dǎo)電性能。
[0061]如圖3所示，本發(fā)明提供的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件包括襯底基板100和形成于所述襯底基板100上的多個像素單元，所述像素單元包括驅(qū)動區(qū)域和發(fā)光區(qū)域，其中所述驅(qū)動區(qū)域布置有至少兩個薄膜晶體管；所述發(fā)光區(qū)域布置有通過所述薄膜晶體管驅(qū)動的有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述薄膜晶體管為頂柵極結(jié)構(gòu)，其包括:
[0062]形成于所述襯底基板100上的有源層200 ；
[0063]形成于所述有源層200的遠離所述襯底基板100 —側(cè)的源、漏極300 ；
[0064]形成于所述源、漏極300的遠離所述有源層200 —側(cè)，并覆蓋整個所述驅(qū)動區(qū)域和所述發(fā)光區(qū)域的鈍化層400 ;以及，
[0065]形成于所述鈍化層400的遠離所述源、漏極300 —側(cè)的柵極500。
[0066]上述方案中，有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的薄膜晶體管采用頂柵極結(jié)構(gòu)，使得源、漏極300和柵極500均位于有源層200的同一側(cè)，這樣，有源層200和源、漏極300就可以通過構(gòu)圖工藝一次形成，減少工藝制程，并且，通過將有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的薄膜晶體管采用頂柵極結(jié)構(gòu)，使得源、漏極300和柵極500位于有源層200的同側(cè)，從而源、漏極300可以無需經(jīng)過半導(dǎo)體厚度這一低導(dǎo)電性區(qū)域，而直接與電流通道相連，從而提高薄膜晶體管導(dǎo)電性能，并且不同于TFT-LCD，由于沒有背光單元，該結(jié)構(gòu)也不會出現(xiàn)有源層200受光照影響的問題。
[0067]本發(fā)明中，所述有源層200和所述源、漏極300由依次沉積于所述襯底基板100上的半導(dǎo)體層和第一金屬層通過第一次構(gòu)圖工藝形成；所述鈍化層400由沉積于所述源、漏極300的遠離所述有源層200 —側(cè)的第一絕緣層通過第二次構(gòu)圖工藝形成；所述柵極500由沉積于所述鈍化層400的遠離所述源、漏極300 —側(cè)的第二金屬層通過第三次構(gòu)圖工藝形成。由此可見，本發(fā)明所提供的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件可以通過三次構(gòu)圖工藝形成薄膜晶體管，而現(xiàn)有技術(shù)中需要經(jīng)過四次構(gòu)圖工藝形成薄膜晶體管，顯然本發(fā)明所提供的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件可以很大程度減少工藝制程。
[0068]優(yōu)選的,所述第一次構(gòu)圖工藝可以采用半色調(diào)掩膜(Half-tone Mask)工藝；所述第二次構(gòu)圖工藝可以采用掩膜工藝；第三次構(gòu)圖工藝可以采用掩膜工藝。
[0069]此外，本發(fā)明中，如圖3所示，所述有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件還可以包括在所述柵極500的遠離所述襯底基板100的一側(cè)覆蓋的像素隔離層600，所述像素隔離層600由沉積于所述柵極500的遠離所述襯底基板100的一側(cè)的第二絕緣層通過第四次構(gòu)圖工藝形成。
[0070]此外，本實施例中，所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)優(yōu)選為頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)，如圖3所示，所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)包括:
[0071]形成于所述鈍化層400的遠離所述襯底基板100 —側(cè)，并設(shè)置于與所述發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)位置的陰極700，所述陰極700與所述源、漏極300電性連接；
[0072]形成于所述陰極700的遠離所述襯底基板100 —側(cè)的有機功能層800 ；
[0073]以及，形成于所述有機功能層800的遠離所述陰極700 —側(cè)的陽極900。
[0074]采用上述方案,有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)采用頂部發(fā)光(Top-Emission)結(jié)構(gòu),相比現(xiàn)有技術(shù)中的底部發(fā)光(Bottom-Emission)結(jié)構(gòu)(如圖2所示現(xiàn)有技術(shù)中AM-OLED的有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)采用底部發(fā)光結(jié)構(gòu))，這種頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)使得光線不需要穿過TFT層，透光率和色彩還原性能夠大幅提高。
[0075]需要說明的是，在實際應(yīng)用中，有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)也可以采用底部發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0076]此外，本實施例中，為了進一步縮短工藝制程，所述陰極700與所述柵極500處于同一層，且所述陰極700與所述柵極500由所述第二金屬層通過所述第三次構(gòu)圖工藝一次形成。采用上述方案，由于TFT采用頂柵極結(jié)構(gòu)，有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)采用頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)，在制作柵極500層時，可以直接將柵極500和有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的陰極700同層同材質(zhì)制作，縮短制程。
[0077]此外，如圖3所示，本實施例中，優(yōu)選的，至少兩個薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述鈍化層400通過所述第二構(gòu)圖工藝在與所述第一薄膜晶體管得源、漏極300對應(yīng)的位置形成有第一過孔，并且所述第一薄膜晶體管的源、漏極300通過所述第一過孔與所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接；所述鈍化層400通過所述第二構(gòu)圖工藝在與所述第二薄膜晶體管得源、漏極300對應(yīng)的位置形成有第二過孔；且所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的陰極700通過所述第二過孔與所述第二薄膜晶體管得源、漏極300電性連接。
[0078]當(dāng)然可以理解的是，在實際應(yīng)用中，有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)也可以包括多個TFT，且由多個TFT構(gòu)成的像素電路可以根據(jù)實際需要進行調(diào)整。
[0079]此外，本實施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，所述有機功能層800包括:
[0080]形成于所述陰極700的遠離所述鈍化層400 —側(cè)的電子傳輸層801 ；
[0081]形成于所述電子傳輸層801的遠離所述陰極700 —側(cè)的有機發(fā)光層802 ；
[0082]以及，形成于所述有機發(fā)光層802的遠離所述電子傳輸層801 —側(cè)的空穴傳輸層803。
[0083]當(dāng)然可以理解的是，在實際應(yīng)用中，有機功能層800可以根據(jù)實際需要進行調(diào)整。
[0084]此外，在本實施例中，所述有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件還包括與所述源、漏極300連接的數(shù)據(jù)信號線和電源線，其中優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)信號線和所述電源線與所述源、漏極300處于同一層，且所述數(shù)據(jù)信號線和所述電源線與所述源、漏極300通過所述第一次構(gòu)圖工藝形成。
[0085]本發(fā)明的另一個目的是提供一種顯示裝置，其包括本發(fā)明所提供的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件。顯然本發(fā)明所提供的顯示裝置也具有本發(fā)明所提供的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件所帶來的有益效果。
[0086]此外，本發(fā)明的還提供了一種本發(fā)明所提供的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，所述方法包括:
[0087]在襯底基板上形成有源層及位于所述有源層兩側(cè)的源、漏極；
[0088]在所述源、漏極上形成鈍化層；
[0089]在所述鈍化層上形成柵極。
[0090]具體地,所述方法包括:
[0091]在襯底基板100上依次沉積半導(dǎo)體層和第一金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝形成有源層200和位于所述有源層200兩側(cè)的源、漏極300 ；
[0092]在所述源、漏極300上并覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層，并通過第二次構(gòu)圖工藝形成鈍化層400 ；
[0093]在所述鈍化層400上沉積第二金屬層，并通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵極500。
[0094]優(yōu)選的，所述第一次構(gòu)圖工藝采用半色調(diào)掩膜工藝。
[0095]具體地，針對本發(fā)明所提供的優(yōu)選實施例中的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，首先可以采用3次構(gòu)圖工藝在基板上形成源、漏極300和柵極500在有源層200同側(cè)的TFT結(jié)構(gòu)，具體實施步驟如下:
[0096]在所述襯底基板100上依次沉積半導(dǎo)體層和第一金屬層；
[0097]在所述第一金屬層上，沉積光刻膠；
[0098]通過半色調(diào)或灰色掩膜板對所述光刻膠進行曝光，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，其中，在所述像素單元中所述光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)所述第一金屬層上的預(yù)設(shè)的布線區(qū)域，所述布線區(qū)域包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)信號線和電源線的預(yù)設(shè)位置，所述光刻膠半保留區(qū)對應(yīng)所述源極和漏極之間的第一區(qū)域，，所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)除所述布線區(qū)域和第一區(qū)域之外的其他區(qū)域；[0099]利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的第一金屬層和半導(dǎo)體層；
[0100]利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠；
[0101]利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)所對應(yīng)的第一金屬層，形成所述有源層200、所述源、漏極300、數(shù)據(jù)信號新以及電源線；
[0102]在所述源、漏極300上并覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層，并通過掩膜工藝處理得到鈍化層400，其中所述鈍化層400包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔位于所述源、漏極300的上方；
[0103]在所述鈍化層400上沉積第二金屬層，并通過掩膜工藝在柵極500和陰極700，且所述柵極500通過所述第一過孔與所述源、漏極300電性連接，所述陰極700通過所述第二過孔與所述源、漏極300電性連接。
[0104]之后，在上述形成的TFT結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上進行有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的制程，具體步驟為:
[0105]在所述柵極500上沉積第二絕緣層，并通過掩膜工藝刻蝕定義出發(fā)光區(qū)域，形成像素絕緣層；
[0106]在所述像素絕緣層上與所述發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置沉積有機功能層800，所述有機功能層800包括依次沉積的電子傳輸層(Electron Transfer Layer) 801、有機發(fā)光層(Emission Layer) 802和空穴傳輸層(Hole Transfer layer) 803,并通過掩膜曝光定義出像素圖形；
[0107]在所述有機功能層800上沉積有機電致發(fā)光的透明陽極900層，并通過掩膜工藝定義出像素圖形。
[0108]上述步驟完成后，通過與彩膜片的結(jié)合以及驅(qū)動電路組件的組裝，即可形成完整的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件。
[0109]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，包括襯底基板和形成于所述襯底基板上的多個像素單元，所述像素單元包括驅(qū)動區(qū)域和發(fā)光區(qū)域，其中所述驅(qū)動區(qū)域布置有至少兩個薄膜晶體管；所述發(fā)光區(qū)域布置有通過所述薄膜晶體管驅(qū)動的有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵極結(jié)構(gòu)，其包括: 形成于所述襯底基板上的有源層； 形成于所述有源層的遠離所述襯底基板一側(cè)的源、漏極； 形成于所述源、漏極的遠離所述有源層一側(cè)，并覆蓋整個所述驅(qū)動區(qū)域和所述發(fā)光區(qū)域的鈍化層；以及， 形成于所述鈍化層的遠離所述源、漏極一側(cè)的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，在所述柵極的遠離所述襯底基板的一側(cè)還覆蓋有像素隔離層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)為頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括: 形成于所述鈍化層的遠離所述襯底基板一側(cè)，并設(shè)置于與所述發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)位置的陰極，所述陰極與所述源、漏極電性連接； 形成于所述陰極的遠離所述襯底基板一側(cè)的有機功能層； 以及，形成于所述有機功能層的遠離所述陰極一側(cè)的陽極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述陰極與所述柵極處于同一層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，至少兩個薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述鈍化層在與所述第一薄膜晶體管的源、漏極對應(yīng)的位置形成有第一過孔；其中所述第一薄膜晶體管的源、漏極通過所述第一過孔與所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述鈍化層在與所述第二薄膜晶體管的源、漏極對應(yīng)的位置形成有第二過孔；所述有機電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的陰極通過所述第二過孔與所述第二薄膜晶體管的源、漏極電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述有機功能層包括: 形成于所述陰極的遠離所述鈍化層一側(cè)的電子傳輸層； 形成于所述電子傳輸層的遠離所述陰極一側(cè)的有機發(fā)光層； 以及，形成于所述有機發(fā)光層的遠離所述電子傳輸層一側(cè)的空穴傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件還包括與所述源、漏極連接的數(shù)據(jù)信號線和電源線，其中所述數(shù)據(jù)信號線和所述電源線與所述源、漏極處于同一層。
9.一種顯示裝置，其特征在于，其包括如權(quán)利要求1至8任一項所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件。
10.一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板上形成有源層及位于所述有源層兩側(cè)的源、漏極； 在所述源、漏極上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成柵極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述方法具體包括: 在襯底基板上依次沉積半導(dǎo)體層和第一金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝形成有源層和位于所述有源層兩側(cè)的源、漏極； 在所述源漏、極上覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層，并通過第二次構(gòu)圖工藝形成鈍化層； 在所述鈍化層上沉積第二金屬層，并通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述第一次構(gòu)圖工藝采用半色調(diào)掩膜工藝，具體包括: 在所述襯底基板上依次沉積半導(dǎo)體層和第一金屬層； 在所述第一金屬層上，沉積光刻膠； 通過半色調(diào)或灰色掩膜板對所述光刻膠進行曝光，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，其中，在所述像素單元中所述光刻膠完全保留區(qū)對應(yīng)所述第一金屬層上的預(yù)設(shè)的布線區(qū)域，所述布線區(qū)域包括源極和漏極預(yù)設(shè)位置，所述光刻膠半保留區(qū)對應(yīng)所述源極和漏極之間的第一區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)除所述布線區(qū)域和第一區(qū)域之外的其他區(qū)域； 利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的第一金屬層和半導(dǎo)體層； 利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)所對應(yīng)的第一金屬層，形成所述有源層和所述源、漏極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述布線區(qū)域還包括數(shù)據(jù)信號線和電源線的預(yù)設(shè)位置，所述數(shù)據(jù)信號線和所述電源線通過第一次構(gòu)圖工藝與所述源、漏極同時形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述第二次構(gòu)圖工藝采用掩模工藝，具體包括: 在所述源、漏極上并覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層，并通過所述掩膜工藝處理得到鈍化層，其中所述鈍化層包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔分別位于所述第一薄膜晶體管的和所述第二晶體管的源、漏極的上方。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述第三次構(gòu)圖工藝采用掩模工藝，具體包括: 在所述鈍化層上沉積第二金屬層，并通過所述掩膜工藝處理得到柵極和陰極，且所述柵極通過所述第一過孔與所述源、漏極電性連接，所述陰極通過所述第二過孔與所述源、漏極電性連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述柵極上沉積第二絕緣層，通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素隔離層，具體為: 在形成所述柵極后，在所述柵極上沉積第二絕緣層，并通過掩膜工藝刻蝕定義出發(fā)光區(qū)域，形成像素絕緣層；在所述像素絕緣層上與所述發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置沉積有機功能層，并通過掩膜曝光定義出像素圖形； 在所述有機功能層上沉積有機電致發(fā)光的透明陽極層，并通過掩膜工藝定義出像素圖形。`
【文檔編號】H01L29/423GK103489894SQ201310468481
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】周伯柱, 黃寅虎, 陳程 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司