圖形化光刻膠層的形成方法、晶圓級(jí)芯片封裝方法
【專利摘要】一種圖形化光刻膠層的形成方法、晶圓級(jí)芯片封裝方法，該封裝方法在制作用來(lái)形成再布線的圖形化光刻膠層中，先在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠層，所述第一粘度小于100cp，使得第一光刻膠層為低粘度光刻膠層，再在第一光刻膠層上涂敷第二粘度的第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度，然后再對(duì)第一光刻膠層和第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，由于低粘度光刻膠層的黏附性比高粘度光刻膠層的黏附性弱，因此，本發(fā)明中的圖形化光刻膠層比現(xiàn)有圖形化光刻膠層更容易被去除，使得位于通孔內(nèi)的圖形化光刻膠層不會(huì)有殘留。
【專利說(shuō)明】圖形化光刻膠層的形成方法、晶圓級(jí)芯片封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種圖形化光刻膠層的形成方法，以及一種基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]娃通孔(Through Silicon Via,簡(jiǎn)稱TSV)技術(shù)是一種實(shí)現(xiàn)芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間、或者晶圓和芯片之間線路導(dǎo)通的互連技術(shù)。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點(diǎn)的疊加技術(shù)不同，硅通孔技術(shù)能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、外形尺寸最小。
[0003]現(xiàn)有一種基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法包括:
[0004]如圖1所示，提供晶圓1，晶圓I具有正面SI和背面S2，其中，晶圓I的正面SI形成有電路結(jié)構(gòu)，在晶圓I的背面S2形成深寬比較大的通孔2 ;
[0005]如圖2所示，在晶圓I的背面S2、以及通孔2的底部和側(cè)壁上形成再布線材料層3a，然后，形成覆蓋再布線材料層3a、并填充通孔2的圖形化光刻膠層4，圖形化光刻膠層4具有露出再布線材料層3a的開口(未標(biāo)識(shí))，所述開口位于通孔2外；
[0006]如圖3所示，以圖形化光刻膠層4為掩模，對(duì)再布線材料層3a (如圖2所示)進(jìn)行刻蝕，形成多個(gè)間隔的再布線3;
[0007]如圖4所示，形成再布線3之后，利用濕法刻蝕方法去除圖形化光刻膠層4 (如圖3所示)。
[0008]但是，通孔2內(nèi)的圖形化光刻膠層4 (如圖3所示)很難去除干凈，造成通孔2內(nèi)仍有光刻膠4a殘留。
[0009]為了解決該問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)提供了一種解決方案，如圖5所示，它用由真空貼膜機(jī)形成的干膜5來(lái)替代圖2中的圖形化光刻膠層4，且干膜5覆蓋在再布線材料層3a上方、并未填充通孔2。以干膜5為掩模對(duì)再布線材料層3a進(jìn)行刻蝕，以形成再布線之后，能夠?qū)⒏赡?干凈地去除。
[0010]但是，干膜的價(jià)格非常貴，且干膜的形成工藝非常復(fù)雜，因此，不利于降低制造成本、簡(jiǎn)化制造工藝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明要解決的問(wèn)題是:現(xiàn)有基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法中，位于通孔內(nèi)的圖形化光刻膠層很難去除干凈。
[0012]本發(fā)明要解決的另一問(wèn)題是:現(xiàn)有基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法中，用來(lái)形成再布線的干膜的價(jià)格非常貴，且干膜的形成工藝非常復(fù)雜，不利于降低制造成本、簡(jiǎn)化制造工藝。
[0013]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法，包括:
[0014]提供基底，所述基底具有正面和背面；
[0015]在所述基底的背面形成通孔；
[0016]形成覆蓋在基底背面、以及通孔的底部和側(cè)壁上的再布線材料層；
[0017]形成圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層覆蓋在所述再布線材料層上方、填充在所述通孔內(nèi)，所述圖形化光刻膠層具有露出所述再布線材料層、并位于所述通孔外的第一開口，所述圖形化光刻膠層的形成方法包括:在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠層，所述第一粘度小于10cp ;在所述第一光刻膠層上涂敷第二粘度的第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度；對(duì)所述第二光刻膠層和第一光刻膠層進(jìn)行曝光；曝光之后進(jìn)行顯影，以形成圖形化光刻膠層；
[0018]以所述圖形化光刻膠層為掩模，對(duì)所述再布線材料層進(jìn)行刻蝕，以形成多個(gè)間隔的再布線。
[0019]可選的，所述第一粘度為10至50cp。
[0020]可選的，所述涂敷第一粘度的第一光刻膠層的工藝參數(shù)包括:所述基底的轉(zhuǎn)速為1000至4000rpm，所述第一光刻膠層的厚度為0.3至5微米。
[0021]可選的，所述第一軟烘的工藝參數(shù)包括:溫度為80至150°C，時(shí)間為30至90s。
[0022]可選的，所述第二粘度為50至lOOOcp。
[0023]可選的，所述涂敷第二粘度的第二光刻膠層的工藝參數(shù)包括:所述基底的轉(zhuǎn)速為500至3000rpm，所述第二光刻膠層的厚度為I至100微米。
[0024]可選的，所述第二軟烘的工藝參數(shù)包括:溫度為80至150°C，時(shí)間為60至240s。
[0025]可選的，所述通孔的深寬比大于等于5。
[0026]可選的，形成所述再布線材料層之前，還包括:形成覆蓋所述基底背面及通孔側(cè)壁的絕緣層。
[0027]可選的，還包括:
[0028]去除所述圖形化光刻膠層之后，形成覆蓋所述再布線、填充滿所述通孔及相鄰兩個(gè)再布線之間間隙的絕緣層；
[0029]對(duì)所述絕緣層進(jìn)行圖形化，以在所述絕緣層內(nèi)形成露出所述再布線的第二開口 ；
[0030]在所述第二開口下方的再布線上形成焊球。
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0032]本技術(shù)方案中的圖形化光刻膠層是由粘度不同的第一光刻膠層、第二光刻膠層共同制成，且位于第二光刻膠層下方的第一光刻膠層為低粘度光刻膠層。而現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層是由粘度相同、且為高粘度的光刻膠層制成，由于低粘度光刻膠層的黏附性比高粘度光刻膠層的黏附性弱，故本發(fā)明中圖形化光刻膠層的黏附性比現(xiàn)有技術(shù)中圖形化光刻膠層的黏附性弱一些，因而本發(fā)明中的圖形化光刻膠層比現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層更容易被去除，使得通孔內(nèi)不會(huì)有圖形化光刻膠層殘留。
[0033]另外，圖形化光刻膠層比干膜的成本低、圖形化光刻膠層的形成工藝比干膜的形成工藝簡(jiǎn)單，因而有利于降低制造成本、簡(jiǎn)化制造工藝。
[0034]另外，本發(fā)明還提供了一種圖形化光刻膠層的形成方法，包括:
[0035]在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠層，所述第一粘度小于10cp ；
[0036]在所述第一光刻膠層上涂敷第二粘度的第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度；
[0037]對(duì)所述第二光刻膠層和第一光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0038]曝光之后進(jìn)行顯影，以形成圖形化光刻膠層。
[0039]可選的，在涂敷所述第一光刻膠層之后、涂敷所述第二光刻膠層之前，還包括:對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行第一軟烘。
[0040]可選的，在涂敷所述第二光刻膠層之后、進(jìn)行所述曝光之前，還包括:對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行第二軟烘。
[0041]可選的，所述第一粘度為10至50cp。
[0042]可選的，所述第二粘度為50至lOOOcp。
[0043]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0044]本技術(shù)方案中的圖形化光刻膠層是由粘度不同的第一光刻膠層、第二光刻膠層共同制成，且位于第二光刻膠層下方的第一光刻膠層為低粘度光刻膠層。而現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層是由粘度相同、且為高粘度的光刻膠層制成，由于低粘度光刻膠層的黏附性比高粘度光刻膠層的黏附性弱，故本發(fā)明中圖形化光刻膠層的黏附性比現(xiàn)有技術(shù)中圖形化光刻膠層的黏附性弱一些，因而本發(fā)明中的圖形化光刻膠層比現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層更容易被去除，使得基底上不會(huì)有圖形化光刻膠層殘留。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0045]圖1至圖4現(xiàn)有一種基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法中，封裝結(jié)構(gòu)在各個(gè)制作階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖5是現(xiàn)有另一種基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法中，封裝結(jié)構(gòu)在其中一個(gè)制作階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖6至圖13是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中封裝結(jié)構(gòu)在各個(gè)制作階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048]經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，造成現(xiàn)有基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法中，位于通孔內(nèi)的圖形化光刻膠層很難去除干凈的原因?yàn)?
[0049]如圖2所示，圖形化光刻膠層4是利用粘度相同、且為高粘度的光刻膠經(jīng)一次光刻工藝制成，該光刻工藝包括:一次涂膠步驟、涂膠之后的一次軟烘步驟、軟烘之后的一次曝光步驟，由于圖形化光刻膠層4的粘度高，會(huì)帶來(lái)以下影響:1)圖形化光刻膠層4的粘滯性與圖形化光刻膠層4的粘度成正比，造成圖形化光刻膠層4的厚度不均勻，特別是填充在通孔2底部的圖形化光刻膠層4較厚；2)圖形化光刻膠層4的黏附性較強(qiáng)；3)圖形化光刻膠層4較難溶于濕法刻蝕劑中，上述三點(diǎn)影響均會(huì)導(dǎo)致深寬比較大的通孔2內(nèi)的圖形化光刻膠層4很難去除干凈。
[0050]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方法，該方法在制作用來(lái)形成再布線的圖形化光刻膠層中，先在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠層，所述第一粘度小于10cp,使得第一光刻膠層為低粘度光刻膠層,再在第一光刻膠層上涂敷第二粘度的第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度，然后再對(duì)第一光刻膠層和第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，由于低粘度光刻膠層的黏附性比高粘度光刻膠層的黏附性弱，因此，本發(fā)明中的圖形化光刻膠層比現(xiàn)有圖形化光刻膠層更容易被去除，使得位于通孔內(nèi)的圖形化光刻膠層不會(huì)有殘留。
[0051]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0052]如圖6所示，提供基底100，基底100具有正面SI和背面S2。
[0053]在本實(shí)施例中，基底100為晶圓，晶圓上形成有電路結(jié)構(gòu)(未圖不)。定義基底100形成有電路結(jié)構(gòu)的面為正面SI，背離正面SI的面為背面S2。在具體實(shí)施例中，所述晶圓為娃晶圓。
[0054]在本實(shí)施例中，基底100的正面SI形成有焊盤P，焊盤P的作用是將晶圓上的電路結(jié)構(gòu)與外部電路電連接起來(lái)。
[0055]繼續(xù)參照?qǐng)D6所示，在基底100的背面S2形成通孔110。
[0056]在本實(shí)施例中，通孔110的形成方法包括:在基底100的背面S2上形成圖形化光刻膠層(未圖示)，所述圖形化光刻膠層定義通孔110的位置；以所述圖形化光刻膠層為掩模，對(duì)基底100進(jìn)行刻蝕，以在基底100內(nèi)形成通孔110。
[0057]在具體實(shí)施例中，所述對(duì)基底100進(jìn)行刻蝕的方法為深層反應(yīng)離子刻蝕(DeepReactive 1n Etch,簡(jiǎn)稱 DRIE)。
[0058]在本實(shí)施例中，通孔110露出焊盤P，通孔110的深寬比大于等于5。
[0059]繼續(xù)參照?qǐng)D6所示，形成覆蓋在基底100的背面S2、以及通孔110的側(cè)壁上的絕緣層 120。
[0060]在本實(shí)施例中，絕緣層120的形成方法包括:在基底100的背面S2、以及通孔110的底部和側(cè)壁上形成絕緣層，該絕緣層的形成方法可以為化學(xué)氣相沉積、熱氧化等方法；對(duì)所述絕緣層進(jìn)行圖形化，以去除覆蓋在通孔110底部的絕緣層。
[0061]如圖7所示，形成覆蓋在絕緣層120上、并填充在通孔110內(nèi)的再布線材料層130ao
[0062]由于再布線材料層130a覆蓋在通孔110的底部，因此，再布線材料層130a會(huì)與焊盤P電連接。
[0063]在本實(shí)施例中，再布線材料層130a的材料為鋁銅合金，再布線材料層130a的形成方法為電鍍、物理氣相沉積等。
[0064]形成覆蓋在再布線材料層上、并填充在通孔內(nèi)的圖形化光刻膠層，圖形化光刻膠層具有露出再布線材料層、并位于通孔外的第一開口。圖形化光刻膠層的形成方法包括:
[0065]如圖8所示，在基底100上涂敷第一粘度的第一光刻膠層141，所述第一粘度小于10cp,使得第一光刻膠層141為低粘度光刻膠層；對(duì)第一光刻膠層141進(jìn)行第一軟烘(所述軟烘也稱為前烘)；進(jìn)行所述第一軟烘之后，在第一光刻膠層141上涂敷第二粘度的第二光刻膠層142，所述第二粘度大于第一粘度；對(duì)第二光刻膠層142進(jìn)行第二軟烘；進(jìn)行所述第二軟烘之后，對(duì)第一光刻膠層141及第二光刻膠層142進(jìn)行曝光；曝光之后，對(duì)第一光刻膠層141及第二光刻膠層142進(jìn)行顯影，如圖9所示，以形成覆蓋在再布線材料層130a上、并填充在通孔110內(nèi)的圖形化光刻膠層140。
[0066]在本發(fā)明中，結(jié)合圖8和圖9所示，圖形化光刻膠層140是由粘度不同的第一光刻膠層141、第二光刻膠層142共同制成,且位于第二光刻膠層142下方的第一光刻膠層141為低粘度光刻膠層。而現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層是由粘度相同、且為高粘度的光刻膠層制成，由于低粘度光刻膠層的黏附性比高粘度光刻膠層的黏附性弱，故本發(fā)明中圖形化光刻膠層140的黏附性比現(xiàn)有技術(shù)中圖形化光刻膠層的黏附性弱一些，因而本發(fā)明中的圖形化光刻膠層140比現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層更容易被去除，使得通孔110內(nèi)不會(huì)有圖形化光刻膠層140殘留。
[0067]在本實(shí)施例中，第一光刻膠層141的第一粘度為10至50cp (厘泊);涂敷第一光刻膠層141的工藝參數(shù)包括:基底100的轉(zhuǎn)速為1000至4000rpm，第一光刻膠層141的厚度為0.3至5微米；所述第一軟烘的工藝參數(shù)包括:溫度為80至150°C，時(shí)間為30至90s。
[0068]如前所述，第一光刻膠層141的粘度與后續(xù)工藝中圖形化光刻膠層140是否能干凈去除有緊密關(guān)聯(lián)。經(jīng)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，當(dāng)?shù)谝还饪棠z層141的粘度設(shè)置為10至50cp時(shí)，后續(xù)工藝中圖形化光刻膠層140的去除能力較佳。
[0069]另外，第一光刻膠層141的厚度也與后續(xù)工藝中圖形化光刻膠層140是否能干凈去除有緊密關(guān)聯(lián)。經(jīng)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，當(dāng)?shù)谝还饪棠z層141的厚度設(shè)置為0.3至5微米時(shí)，后續(xù)工藝中圖形化光刻膠層140的去除能力較佳。
[0070]在具體實(shí)施例中，第一光刻膠層141的第一粘度為20cp，涂敷第一光刻膠層141時(shí)，基底100的轉(zhuǎn)速為4000rpm，第一光刻膠層141的厚度為I微米，進(jìn)行所述第一軟烘時(shí)，溫度為120°C，時(shí)間為90s。
[0071]在本實(shí)施例中，第二光刻膠層142的第二粘度為50至100cp (厘泊);涂敷第二光刻膠層142的工藝參數(shù)包括:基底100的轉(zhuǎn)速為500至3000rpm，第二光刻膠層142的厚度為I至100微米；所述第二軟烘的工藝參數(shù)包括:溫度為80至150°C，時(shí)間為60至240s。
[0072]經(jīng)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，當(dāng)?shù)诙饪棠z層142的粘度設(shè)置為50至lOOOcp時(shí)，不僅使得第二光刻膠層142具有較好的黏附性，以附著在第一光刻膠層141上，而且使得第二光刻膠層142的厚度不至于過(guò)小，使得后續(xù)形成再布線過(guò)程中第二光刻膠層142能夠保護(hù)圖形化光刻膠層下方的再布線材料層不會(huì)被刻蝕。
[0073]在具體實(shí)施例中，第二光刻膠層142的第二粘度為500cp，涂敷第二光刻膠層142時(shí)，基底100的轉(zhuǎn)速為1500rpm，第二光刻膠層142的厚度為10微米，進(jìn)行所述第二軟烘時(shí)，溫度為90°C，時(shí)間為180s。
[0074]在具體實(shí)施中，第一光刻膠層141和第二光刻膠層142的厚度之和為5至50微米，使得在后續(xù)圖形化再布線材料層130a時(shí)，圖形化光刻膠層140可以保護(hù)再布線材料層130ao
[0075]所述軟烘步驟能夠帶來(lái)以下優(yōu)點(diǎn):去除光刻膠中的溶劑；增強(qiáng)光刻膠的粘附性以便在顯影時(shí)光刻膠可以很好的粘附，緩和在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中光刻膠內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力；防止光刻膠沾到設(shè)備上；提高光刻膠的粘附性、光刻膠的均勻性。
[0076]在其他實(shí)施例中，在形成圖形化光刻膠層的步驟中也可以不進(jìn)行所述第一軟烘及第二軟烘。
[0077]在所述顯影之后，還可以進(jìn)行堅(jiān)膜烘焙的步驟。所述堅(jiān)膜烘焙的作用是揮發(fā)掉光刻膠中殘留的溶劑，提高光刻膠的粘附性。
[0078]第一光刻膠層141的材料與第二光刻膠層142的材料可以相同，在這種情況下，第一光刻膠層141、第二光刻膠層142中溶劑的濃度不相同。第一光刻膠層141的材料與第二光刻膠層142的材料也可以不相同。
[0079]如圖10所示，以圖形化光刻膠層140為掩模，對(duì)再布線材料層130a (如圖9所示)進(jìn)行刻蝕，以形成多個(gè)間隔的再布線130。
[0080]如圖11所示，去除圖形化光刻膠層140 (如圖10所示)。
[0081]在本實(shí)施例中，利用濕法刻蝕方法去除圖形化光刻膠層140。
[0082]如圖12所示，形成覆蓋在再布線130上方、并填充滿通孔110及相鄰兩個(gè)再布線130之間間隙的絕緣層150。
[0083]在本實(shí)施例中，絕緣層150的材料為二氧化硅等介電材料。
[0084]繼續(xù)參照?qǐng)D12所示，對(duì)絕緣層150進(jìn)行圖形化，以在絕緣層150內(nèi)形成露出再布線130的第二開口(未標(biāo)識(shí))。
[0085]如圖13所示，在所述第二開口下方的再布線130上形成凸點(diǎn)底部金屬層(UnderBump Metallizat1n,簡(jiǎn)稱UBM) 160,凸點(diǎn)底部金屬層160與再布線130接觸。
[0086]繼續(xù)參照?qǐng)D13所示，在凸點(diǎn)底部金屬層160上形成焊球170。
[0087]在其他實(shí)施例中，焊球170與再布線130之間也可以沒有凸點(diǎn)底部金屬層160，在這種情況下，焊球170與再布線130直接接觸。
[0088]在半導(dǎo)體工藝中，常常存在這樣一種制程:基底表面覆蓋有待圖形化材料層，為了對(duì)待圖形化材料層進(jìn)行圖形化，先在待圖形化材料層上形成圖形化光刻膠層，然后以該圖形化光刻膠層為掩模對(duì)待圖形化材料層進(jìn)行刻蝕，將待圖形化材料圖形化之后，去除圖形化光刻膠層。
[0089]但是，在去除圖形化光刻膠層步驟中，很難將圖形化光刻膠層去除干凈，尤其是當(dāng)基底表面設(shè)置有開口、且圖形化光刻膠層填充在開口內(nèi)時(shí)，開口內(nèi)往往會(huì)有光刻膠殘留。
[0090]為了解決該問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種圖形化光刻膠層的形成方法，該方法包括:
[0091]在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠層,所述第一粘度小于10cp,使得第一光刻膠層為低粘度光刻膠層；
[0092]在所述第一光刻膠層上涂敷第二粘度的第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度；
[0093]對(duì)所述第二光刻膠層和第一光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0094]曝光之后進(jìn)行顯影，以形成圖形化光刻膠層。
[0095]所述圖形化光刻膠層是由粘度不同的第一光刻膠層和第二光刻膠層共同制成，且位于第二光刻膠層下方的第一光刻膠層為低粘度光刻膠層。而現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層是由粘度相同、且為高粘度的光刻膠層制成，由于低粘度光刻膠層的黏附性比高粘度光刻膠層的黏附性弱，故本發(fā)明中圖形化光刻膠層的黏附性比現(xiàn)有技術(shù)中圖形化光刻膠層的黏附性弱一些，因而本發(fā)明中的圖形化光刻膠層比現(xiàn)有技術(shù)中的圖形化光刻膠層更容易被去除，不會(huì)有光刻膠。
[0096]在本實(shí)施例中，在涂敷所述第一光刻膠層之后、涂敷所述第二光刻膠層之前，還包括:對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行第一軟烘。
[0097]在本實(shí)施例中，在涂敷所述第二光刻膠層之后、進(jìn)行所述曝光之前，還包括:對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行第二軟烘。
[0098]在具體實(shí)施例中，所述第一粘度為10至50cp。
[0099]在具體實(shí)施例中，所述第二粘度為50至lOOOcp。
[0100]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種圖形化光刻膠層的形成方法，其特征在于，包括: 在基底上涂敷第一粘度的第一光刻膠征層，所述第一粘度小于10cp ； 在所述第一光刻膠層上涂敷第二粘度的征第二光刻膠層，所述第二粘度大于第一粘度； 對(duì)所述第二光刻膠層和第一光刻膠層進(jìn)行曝光； 曝光之后進(jìn)行顯影，以形成圖形化光刻膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在涂敷所述第一光刻膠層之后、涂敷所述第二光刻膠層之前，還包括:對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行第一軟烘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在涂敷所述第二光刻膠層之后、進(jìn)行所述曝光之前，還包括:對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行第二軟烘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一粘度為10至50cp。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二粘度為50至lOOOcp。
6.一種基于硅通孔技術(shù)的晶圓級(jí)芯片封裝方征法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底具有正面和背面； 在所述基底的背面形成通孔； 形成覆蓋在基底背面、以及通孔的底部和側(cè)壁上的再布線材料層； 利用權(quán)利要求1所述的方法形成圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層覆蓋在所述再布線材料層上方、填充在所述通孔內(nèi)，所述圖形化光刻膠層具有露出所述再布線材料層、并位于所述通孔外的第一開口； 以所述圖形化光刻膠層為掩模，對(duì)所述再布線材料層進(jìn)行刻蝕，以形成多個(gè)間隔的再布線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述第一粘度為10至50cp。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述涂敷第一粘度的第一光刻膠層的工藝參數(shù)包括:所述基底的轉(zhuǎn)速為1000至4000rpm，所述第一光刻膠層的厚度為0.3至5微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述第一軟烘的工藝參數(shù)包括:溫度為80至150°C，時(shí)間為30至90s。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，所述第二粘度為50至lOOOcp。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝方法，其特征在于，所述涂敷第二粘度的第二光刻膠層的工藝參數(shù)包括:所述基底的轉(zhuǎn)速為500至3000rpm，所述第二光刻膠層的厚度為I至100微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝方法，其特征在于，所述第二軟烘的工藝參數(shù)包括:溫度為80至150°C，時(shí)間為60至240s。
13.根據(jù)權(quán)利要求6的封裝方法，其特征在于，所述通孔的深寬比大于等于5。
14.根據(jù)權(quán)利要求6的封裝方法，其特征在于，形成所述再布線材料層之前，還包括:形成覆蓋所述基底背面及通孔側(cè)壁的絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求6的封裝方法，其特征在于，還包括: 去除所述圖形化光刻膠層之后，形成覆蓋所述再布線、填充滿所述通孔及相鄰兩個(gè)再布線之間間隙的絕緣層；對(duì)所述絕緣層進(jìn)行圖形化，以在所述絕緣層內(nèi)形成露出所述再布線的第二開口 ；在所述第二開口下方的再布線上形成焊球。
【文檔編號(hào)】H01L21/3105GK104516194SQ201310463712
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】陳福成 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司