半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。半導(dǎo)體封裝件包括上基板、下基板、封裝體、走線及保護(hù)層。上基板具有外側(cè)面。下基板具有上表面及外側(cè)面，下基板的上表面與上基板相對(duì)且下基板的外側(cè)面突出超過上基板的外側(cè)面。封裝體形成于上基板與下基板之間，且具有外側(cè)面，封裝體的外側(cè)面從上基板往下基板的方向是外擴(kuò)地傾斜。走線形成于封裝體的外側(cè)面且電性連接上基板與下基板。保護(hù)層覆蓋封裝體的外側(cè)面及走線。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有側(cè)面走線的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)堆迭式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通常以焊球作為直接連接上、下基板的電性連結(jié)元件。然而，焊球的尺寸通常較大，當(dāng)相鄰二焊球的間距縮小時(shí)，特別容易因?yàn)樯?、下基板的變形?dǎo)致相鄰二焊球橋接(bridge)而電性短路。礙于焊球的尺寸限制，如此反而導(dǎo)致相鄰二焊球的間距難以符合細(xì)間距(fine pitch)規(guī)格。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，半導(dǎo)體封裝件符合細(xì)間距規(guī)格。
[0004]根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一上基板、一下基板、一第一封裝體、一第一走線及一保護(hù)層。上基板具有一外側(cè)面。下基板具有一上表面及一外側(cè)面，下基板的上表面與上基板相對(duì)且下基板的外側(cè)面突出超過上基板的外側(cè)面。第一封裝體形成于上基板與下基板之間，且具有一外側(cè)面，第一封裝體的外側(cè)面從上基板往下基板的方向外擴(kuò)地傾斜。第一走線形成于第一封裝體的外側(cè)面且電性連接上基板與下基板。保護(hù)層覆蓋第一封裝體的外側(cè)面及第一走線。
[0005]根據(jù)本發(fā)明，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一上基板；提供一下基板；形成一封裝體于上基板與下基板之間；形成一第一切割道經(jīng)過上基板、第一封裝體與下基板，使封裝體形成一外側(cè)面，其中封裝體的外側(cè)面從上基板往下基板的方向外擴(kuò)地傾斜；形成一走線于封裝體的外側(cè)面上，其中走線電性連接上基板與下基板；形成一保護(hù)層覆蓋走線及封裝體的外側(cè)面；形成一第二切割道至少經(jīng)過保護(hù)層。
[0006]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下:
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀圖。
[0008]圖1B繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖視圖。
[0009]圖1C繪示圖1B的俯視圖。
[0010]圖2，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0011]圖3繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0012]圖4繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0013]圖5繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0014]圖6繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0015]圖7，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0016]圖8A至8F繪示圖1B的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
[0017]圖9A至9C繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
[0018]圖1OA至1E繪示圖4的半導(dǎo)體封裝件40的制造過程圖。
[0019]圖11繪示圖5的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
[0020]圖12A至12C繪示圖6的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
[0021]圖13A至13D繪示圖7的半導(dǎo)體封裝件的制造過程圖。
[0022]主要元件符號(hào)說明:
[0023]100、200、300、400、500、600、700:半導(dǎo)體封裝件
[0024]110:上基板
[0025]111:上電性元件
[0026]1111、1211:線路層
[0027]1113、1213:導(dǎo)電墊
[0028]1112、1212:電性凸塊
[0029]IlOb:下表面
[0030]110s、111 Is、1112s、1113s、120s、1211s、1212s、1213s、130s、140s、150s、630s、730s:外側(cè)面
[0031]110s2:第二外側(cè)面
[0032]120:下基板
[0033]120r:凹槽
[0034]120u、1212u:上表面
[0035]121:下電性元件
[0036]125:芯片
[0037]1251:電性接點(diǎn)
[0038]126:黏合層
[0039]130>630:第一封裝體
[0040]130sl:橫向面
[0041]130s2:直向面
[0042]140,640:第一走線
[0043]150:保護(hù)層
[0044]630r:第一溝槽
[0045]730:第二封裝體
[0046]730r:第二溝槽
[0047]740:第二走線
[0048]Dl:直向進(jìn)刀
[0049]D2:橫向進(jìn)刀
[0050]Pl:第一切割道
[0051]P2:第二切割道
[0052]P3:第三切割道
[0053]P4:第四切割道
【具體實(shí)施方式】
[0054]請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的外觀圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100具有側(cè)面走線，側(cè)面走線具有細(xì)線寬及細(xì)間距的特征，故可縮小半導(dǎo)體封裝件100的尺寸，或可提升半導(dǎo)體封裝件100的線路布局彈性。此外，半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)面提供一大的線路布局面積，可增加側(cè)向走線的數(shù)量及線路布局彈性，且可解決利用焊料或錫球作為上下基板的電性連接元件時(shí)，所產(chǎn)生橋接的問題。
[0055]半導(dǎo)體封裝件100包括上基板110、下基板120、芯片125 (圖1B)、黏合層126 (圖1B)、第一封裝體130、數(shù)條第一走線140及保護(hù)層150 (為更清楚表示第一走線140，保護(hù)層150以虛線繪制)。
[0056]請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖視圖。
[0057]上基板110例如是單層基板或多層基板。本例中，上基板110本身為非主動(dòng)元件，gp，上基板110不包含任何主動(dòng)元件(如主動(dòng)芯片或主動(dòng)線路),例如一印刷電路板(PrintedCircuit Board)。另一例中，上基板110可包含主動(dòng)線路或主動(dòng)芯片而成為主動(dòng)元件。上基板110具有下表面IlOb及外側(cè)面110s。
[0058]上基板110包括至少一上電性元件111,其中上電性元件111包括至少一線路層1111及至少一電性凸塊1112。上電性元件111透過第一走線140電性連接于下基板120。此外，線路層1111及電性凸塊1112分別具有外側(cè)面Illls與1112s，由于外側(cè)面Illls與1112s是于同一切割工藝中形成，故外側(cè)面Illls與1112s大致上對(duì)齊，如齊平。電性凸塊1112可包括導(dǎo)電柱、焊料或其他導(dǎo)電的凸塊。本例中，電性凸塊為焊料切割后形成，經(jīng)由電性凸塊1112的設(shè)計(jì)可增加上基板110與第一走線140的接觸面積，可提升電性上的可靠度或訊號(hào)傳輸速度。
[0059]下基板120例如是單層基板或多層基板。本例中，下基板120本身為非主動(dòng)元件，即，下基板120不包含任何主動(dòng)元件(如主動(dòng)芯片或主動(dòng)線路)，例如一印刷電路板(PrintedCircuit Board)。另一例中，下基板120可包含主動(dòng)線路或主動(dòng)芯片而成為主動(dòng)元件。
[0060]下基板120包括至少一下電性元件121，其中下電性元件121包括至少一線路層1211及至少一電性凸塊1212。下電性元件121透過第一走線140電性連接于上基板110的上電性元件111。此外，電性凸塊1212具有上表面1212u，本實(shí)施例的上表面1212u是平面。第一走線140覆蓋電性凸塊1212的上表面1212u，以電性連接電性凸塊1212。電性凸塊1212可包括導(dǎo)電柱、焊料或其他導(dǎo)電的凸塊。本例中，電性凸塊1212為焊料切割后形成，電性凸塊1212形成時(shí)可切到電性凸塊1212的表面或切至電性凸塊1212的內(nèi)部，由于電性凸塊1212具有一厚度，因此可增加切割時(shí)的容忍度，提高下基板制作上的良率。
[0061]下基板120具有上表面120u及外側(cè)面120s。下基板120的上表面120u與上基板110的下表面IlOb相對(duì)。下基板120的外側(cè)面120s突出超過上基板110的外側(cè)面110s。本例中，下基板120的整個(gè)外側(cè)面120s突出超過上基板110的整個(gè)外側(cè)面110s，使下基板120的橫向面積大于上基板IlOs的橫向面積。另一實(shí)施例中，下基板120的其中一外側(cè)面120s突出超過上基板110的對(duì)應(yīng)外側(cè)面110s，而另一外側(cè)面120s可不突出超過上基板110的對(duì)應(yīng)外側(cè)面110s。
[0062]芯片125設(shè)于上基板110與下基板120之間。本實(shí)施例中，芯片125設(shè)于下基板120上。芯片125例如是以其主動(dòng)面朝下方位設(shè)于下基板120上且透過至少一電性接點(diǎn)1251電性連接于下基板120。另一實(shí)施例中，芯片125可設(shè)于上基板110上。
[0063]黏合層126黏合上基板110與芯片125，以穩(wěn)固上基板110與芯片125之間的相對(duì)位置。另一實(shí)施例中，芯片125設(shè)于上基板110上，而黏合層126黏合下基板120與芯片125，以穩(wěn)固下基板120與芯片125之間的相對(duì)位置。另一實(shí)施例中，亦可省略黏合層126，在此設(shè)計(jì)下，第一封裝體130可填充于芯片115與上基板110之間的空間。
[0064]第一封裝體130可包括酹醒基樹脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹脂(epoxy-based resin)、娃基樹脂(silicone-based resin)或其他適當(dāng)?shù)陌矂?。第一封裝體130亦可包括適當(dāng)?shù)奶畛鋭缡欠蹱畹亩趸??？衫脭?shù)種封裝技術(shù)形成第一封裝體 130,例如是壓縮成型(compress1n molding)、液態(tài)封裝型(liquid encapsulat1n)、注射成型(inject1n molding)或轉(zhuǎn)注成型(transfer molding)。
[0065]第一封裝體130形成于上基板110與下基板120之間，并包覆芯片125。第一封裝體130具有一從上基板110往下基板120的方向是外擴(kuò)地傾斜的外側(cè)面130s。外側(cè)面130s是由刀具或激光切割形成。本實(shí)施例中，外側(cè)面130s是一階梯外側(cè)面，其包括數(shù)個(gè)橫向面130sl及直向面130s2，相接的橫向面130sl與直向面130s2構(gòu)成一容置空間，可承接及容納第一走線140的材料。
[0066]第一走線140例如是導(dǎo)電膠以涂布技術(shù)形成于第一封裝體130的外側(cè)面130s。在第一走線140涂布于第一封裝體130的外側(cè)面130s的過程中，橫向面130sl可承接導(dǎo)電膠，使導(dǎo)電膠經(jīng)由橫向面130sl的緩沖而避免過快地往下基板120的方向流動(dòng)。如此，可避免第一走線140斷線。另一實(shí)施例中，若導(dǎo)電膠無斷線問題(例如，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)第一封裝體130的外側(cè)面130s的斜度或是改變第一走線130的形成方式，例如以電鍍方式形成第一走線130)，則第一封裝體130的外側(cè)面130s可設(shè)計(jì)成曲面或平面。
[0067]第一走線140沿第一封裝體130的外側(cè)面130s電性連接上基板110與下基板120。相較于其它種類的電性連結(jié)元件(如導(dǎo)電柱及焊料球)，本實(shí)施例經(jīng)由具有細(xì)線寬且細(xì)間距特征的第一走線140來電性連結(jié)上基板110與下基板120，故可縮小半導(dǎo)體封裝件100的尺寸、提升半導(dǎo)體封裝件100的線路布局彈性以及使半導(dǎo)體封裝件100符合細(xì)間距規(guī)格，此夕卜，可免去上下電性連接元件于接合時(shí)的對(duì)位問題。一實(shí)施例中，第一走線140的寬度可小至25微米或甚至更小，相鄰二第一走線140的間距可小至50微米或甚至更小。
[0068]保護(hù)層150覆蓋第一封裝體130的外側(cè)面130s及第一走線140，以避免第一封裝體130的外側(cè)面130s及第一走線140受到環(huán)境的過度損害。此外，保護(hù)層150、第一走線140、線路層1211與電性凸塊1212分別具有外側(cè)面150s、140s、1211s與1212s。由于外側(cè)面150s、140s、1211s與1212s是于同一切割工藝中形成，故外側(cè)面150s、140s、1211s與1212s大致上對(duì)齊，如齊平。
[0069]保護(hù)層150與第一封裝體130可為相同材料或不同材料。保護(hù)層150與第一封裝體130可包含填充劑(filler)，一實(shí)施例中，保護(hù)層150的填充劑的平均粒徑(填充劑包含數(shù)個(gè)填充粒子)小于第一封裝體130的填充物的平均粒徑，因此保護(hù)層150可填入第一封裝體130的外側(cè)面130s與第一走線140之間的空隙以及橫向面130sl與直向面130s2之間的轉(zhuǎn)角處，以均勻地覆蓋第一封裝體130的外側(cè)面130s及第一走線140，可減少封裝結(jié)構(gòu)中氣泡的產(chǎn)生。
[0070]請(qǐng)參照?qǐng)D1C，其繪示圖1B的俯視圖。由圖可知，上基板110的數(shù)個(gè)電性凸塊1112分布于上基板110的邊緣區(qū)域，而不位于上基板110的中間區(qū)域，然此非用以限制本發(fā)明實(shí)施例。相似地，下基板120的數(shù)個(gè)電性凸塊1212分布于下基板120的邊緣區(qū)域，而不位于下基板120的中間區(qū)域，然此非用以限制本發(fā)明實(shí)施例。
[0071]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件200包括上基板110、下基板120、芯片125、黏合層126、第一封裝體130、數(shù)條第一走線140及保護(hù)層150。與圖1A不同的是，本實(shí)施例的保護(hù)層150覆蓋下基板120的整個(gè)外側(cè)面。具體而言，保護(hù)層150覆蓋第一走線140的外側(cè)面140s、線路層1211的外側(cè)面1211s與電性凸塊1212的外側(cè)面1212s，其中外側(cè)面140s、1211s與1212s大致上對(duì)齊，如齊平。由于第一走線140的外側(cè)面140s、線路層的外側(cè)面1211s及電性凸塊的外側(cè)面1212s受到保護(hù)層150所覆蓋，并非外露而與外界接觸，因此可提供更佳的產(chǎn)品信賴度。
[0072]請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件300包括上基板110、下基板120、芯片125、黏合層126、第一封裝體130、數(shù)條第一走線140及保護(hù)層150。本實(shí)施例中，第一走線140的外側(cè)面140s、線路層1211的外側(cè)面1211s與電性凸塊1212的外側(cè)面1212s大致上對(duì)齊，如齊平。線路層1211的外側(cè)面1211s與電性凸塊1212的外側(cè)面1212s構(gòu)成下基板120的第一外側(cè)面120sl。下基板120另具有一第二外側(cè)面120s2，與保護(hù)層150的外側(cè)面150s大致上對(duì)齊，由于第一外側(cè)面120sl與第二外側(cè)面120s2于不同二切割工藝中形成，故下基板120的第一外側(cè)面120sl與第二外側(cè)面120s2之間具有一橫向段差，例如，下基板120的第一外側(cè)面120sl相對(duì)第二外側(cè)面120s2內(nèi)縮。由于第一走線140的外側(cè)面140s、線路層的外側(cè)面1211s及電性凸塊的外側(cè)面1212s受到保護(hù)層150所覆蓋，并非外露而與外界接觸，因此可提供更佳的產(chǎn)品信賴度。
[0073]請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件400包括上基板110、下基板120、芯片125、黏合層126、第一封裝體130、數(shù)條第一走線140及保護(hù)層150。與圖1A不同的是，下基板120的電性凸塊1212露出的上表面1212u及部分側(cè)面1212s接受到第一走線140的覆蓋，且未從保護(hù)層150的外側(cè)面150s露出，由于第一走線140與下基板120的電性凸塊1212的接觸面積包含下基板120的電性凸塊1212的上表面1212u及側(cè)面1212s，因此接觸面積增加，可提升電性上的可靠度或訊號(hào)傳輸速度。
[0074]請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件500包括上基板110、下基板120、芯片125、黏合層126、第一封裝體130、數(shù)條第一走線140及保護(hù)層150。與圖1A不同的是，上基板110的上電性元件111包括至少一導(dǎo)電墊1113。線路層1111與導(dǎo)電墊1113分別具有外側(cè)面Illls與1113s，由于外側(cè)面Illls與1113s是于同一切割工藝中形成，故外側(cè)面Illls與1113s大致上對(duì)齊，如齊平。
[0075]下基板120的下電性元件121包括至少一導(dǎo)電墊1213。線路層1211、導(dǎo)電墊1113、走線140與保護(hù)層150分別具有外側(cè)面1211s、1213s、140s與150s，由于外側(cè)面1211s、1213s、140s與150s是于同一切割工藝中形成，故外側(cè)面1211s、1213s、140s與150s大致上對(duì)齊，如齊平。此外，為了露出導(dǎo)電墊1213，第一封裝體130的外側(cè)面130s延伸至下基板120內(nèi)部，而于基板110形成一露出導(dǎo)電墊1213的凹槽120r，如此第一走線140可透過凹槽120r延伸至接墊1213。由于導(dǎo)電墊1213的面積一般可小于電性凸塊的面積，因此容易實(shí)現(xiàn)高走線密度的設(shè)計(jì)。
[0076]另一實(shí)施例中，圖5的半導(dǎo)體封裝建500亦可省略導(dǎo)電墊1113及/或1213。當(dāng)省略導(dǎo)電墊1213時(shí)，第一走線140直接形成于線路層1211上，在此設(shè)計(jì)下，線路層1211可形成有表面處理層(surface finishing)。
[0077]請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件600包括上基板110、下基板120、芯片125、黏合層126、第一封裝體630、數(shù)條第一走線640及保護(hù)層150。
[0078]本實(shí)施例中，第一封裝體630具有外側(cè)面630s，其中外側(cè)面630s例如是平面或曲面。第一封裝體630由激光活化介電材料(laser-activated dielectric material)制成，其經(jīng)由激光形成至少一第一溝槽630r。激光可活化第一溝槽630r的槽壁去形成一種子層(未繪不)，使第一溝槽630r可導(dǎo)電。由于第一溝槽630r可導(dǎo)電,故可米用電鍍方式形成第一走線640于第一溝槽630r內(nèi)；也就是說，第一走線640是電鍍線。相較于其它種類的電性連結(jié)元件(如導(dǎo)電柱及焊料球)，本實(shí)施例的第一走線640具有線寬細(xì)且間距細(xì)的特征，故可縮小半導(dǎo)體封裝件600的尺寸、提升半導(dǎo)體封裝件600的線路布局彈性，且使半導(dǎo)體封裝件600符合細(xì)間距的規(guī)格，此外，可免去上下電性連接元件于接合時(shí)的對(duì)位問題。
[0079]請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件700包括上基板110、下基板120、芯片125、黏合層126、第一封裝體630、數(shù)條第一走線640、保護(hù)層150、第二封裝體730、數(shù)條第二走線740。與圖6的半導(dǎo)體封裝件700不同的是，半導(dǎo)體封裝件700包括多層走線層，可增加半導(dǎo)體封裝件700的走線數(shù)量，以及提升線路布局彈性。
[0080]第二封裝體730覆蓋第一走線640及第一封裝體630的外側(cè)面630s。第二封裝體730由激光活化介電材料制成，其經(jīng)由激光形成至少一第二溝槽730r，且激光活化第二溝槽730r的槽壁形成一種子層(未繪示)，使第二溝槽730r可導(dǎo)電。由于第二溝槽730rr可導(dǎo)電，故可電鍍第二走線740于第二溝槽730r內(nèi)；也就是說，第二走線740是電鍍線。相較于其它種類的電性連結(jié)元件(如導(dǎo)電柱及焊料球)，本實(shí)施例的第二走線740具有線寬細(xì)且間距細(xì)的特征，故可縮小半導(dǎo)體封裝件700的尺寸、提升半導(dǎo)體封裝件700的線路布局彈性，且使半導(dǎo)體封裝件700符合細(xì)間距的規(guī)格，此外，可免去上下電性連接元件于接合時(shí)的對(duì)位問題。
[0081]此外，保護(hù)層150覆蓋第二封裝體730的外側(cè)面730s與第二走線740。
[0082]請(qǐng)參照?qǐng)D8A至8F，其繪示圖1B的半導(dǎo)體封裝件100的制造過程圖。
[0083]如圖8A所示，提供上基板110。上基板110包括至少一上電性元件1111，上電性元件111包括多條線路層1111及多個(gè)電性凸塊1112。本實(shí)施例中，上基板810是長條基板，其定義多個(gè)封裝單元區(qū)，單個(gè)封裝單元區(qū)對(duì)應(yīng)最終半導(dǎo)體封裝件100。此大面積的上基板810可同時(shí)與多個(gè)芯片125完成封裝工藝。
[0084]如圖8A所示，提供下基板120。下基板120包括至少一下電性元件1211，下電性元件1211包括多條線路層1211及多個(gè)電性凸塊1212。本實(shí)施例中，下基板820是長條基板，其定義多個(gè)封裝單元區(qū)，單個(gè)封裝單元區(qū)對(duì)應(yīng)最終半導(dǎo)體封裝件100。，此大面積的下基板820可同時(shí)與多個(gè)芯片125完成封裝工藝。
[0085]如圖8A所示，設(shè)置至少一芯片125于下基板820上。芯片125透過黏合層126與上基板810黏合。
[0086]如圖8B所示，可采用例如是壓縮成型、液態(tài)封裝型、注射成型或轉(zhuǎn)注成型，形成第一封裝體130于上基板810與下基板820之間，其中第一封裝體130包覆芯片125、上基板810的電性凸塊1112與下基板820的電性凸塊1212。
[0087]如圖8C所示，可采用刀具或激光，形成至少一第一切割道Pl經(jīng)過上基板810、第一封裝體130與下基板120，使上基板810形成多個(gè)單一化的上基板110，且使第一封裝體130形成外側(cè)面130s，其中外側(cè)面130s從上基板110往下基板120的方向是外擴(kuò)地傾斜。
[0088]在切割過程中，可改變切割工具的進(jìn)刀方向，形成具有階梯結(jié)構(gòu)的外側(cè)面130s。例如，可用同一把刀具以直向進(jìn)刀Dl搭配橫向進(jìn)刀D2的方式，形成階梯外側(cè)面130s。外側(cè)面130s包括數(shù)個(gè)橫向面130sl及直向面130s2，相接的橫向面130sl與直向面130s2構(gòu)成一容置空間，可承接及容納后續(xù)第一走線140的材料。
[0089]切割后，線路層1111與電性凸塊1112分別形成外側(cè)面Illls與1112s，其中外側(cè)面Illls與1112s大致上對(duì)齊，如齊平。此外，第一切割道Pl止于下基板120的電性凸塊1212，并于電性凸塊1212形成上表面1212u，其中上表面1212u例如是平面。然而，視切割刀具的輪廓而定，上表面1212u也可以是對(duì)應(yīng)的曲面或斜面。
[0090]如圖8D所示，可采用例如是涂布技術(shù)，形成至少一第一走線140于第一封裝體130的外側(cè)面130s上，其中第一走線140沿第一封裝體130的外側(cè)面130s電性連接上基板110的電性凸塊1112與下基板120的電性凸塊1212。本實(shí)施例中，第一走線140是導(dǎo)電膠。此夕卜，二第一走線140可共用同一電性凸塊1212，在后續(xù)切割工藝中，此同一電性凸塊1212可被切割成二隔離部分。
[0091]如圖SE所示，可采用例如是涂布技術(shù)或填膠技術(shù)，形成保護(hù)層150覆蓋第一走線140及第一封裝體130的外側(cè)面130s。
[0092]如圖8F所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第二切割道P2至少經(jīng)過保護(hù)層150、下基板820，包括下基板820的線路層1211與下基板820的電性凸塊1212，使下基板820形成多個(gè)單一化的下基板120，以形成至少一如圖1B所示的半導(dǎo)體封裝件100。切割后，保護(hù)層150、下基板120的線路層1211與下基板120的電性凸塊1212分別形成外側(cè)面150s、1211s與1212s，其中外側(cè)面150s、1211s與1212s大致上對(duì)齊，如共面。
[0093]請(qǐng)參照?qǐng)D9A至9C，其繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件200的制造過程圖。
[0094]如圖9A所示，可采用例如是刀具或激光，形成至少一第二切割道P2經(jīng)過第一走線140與下基板120的整個(gè)厚度，以切斷下基板820。切割后，第一走線140、下基板120的電性凸塊1212與下基板120的線路層1211分別形成外側(cè)面140s、1212s與1211s，其中外側(cè)面140s、1212s與1211s大致上對(duì)齊，如齊平。
[0095]如圖9B所示，可采用例如是涂布技術(shù)或填膠技術(shù)，形成保護(hù)層150覆蓋第一走線140的外側(cè)面140s、第一封裝體130的外側(cè)面130s、下基板120的電性凸塊1212的外側(cè)面1212s與下基板120的線路層1211的外側(cè)面1211s。
[0096]如圖9C所示，可采用例如是刀具或激光，形成一第三切割道P3經(jīng)過保護(hù)層150的整個(gè)厚度，以形成至少一如圖2所示的半導(dǎo)體封裝件200。
[0097]圖3的半導(dǎo)體封裝件300的制造方法相似于半導(dǎo)體封裝件200，不同的處在于，第二切割道P2經(jīng)過下基板120的部分厚度；然后于保護(hù)層150形成后，形成至少一第三切割道P3經(jīng)過保護(hù)層150與下基板120的其余厚度，以形成至少一如圖3所示的半導(dǎo)體封裝件300。
[0098]請(qǐng)參照?qǐng)D1OA至10E，其繪示圖4的半導(dǎo)體封裝件400的制造過程圖。
[0099]如圖1OA所示，形成第一封裝體130于上基板810與下基板820之間，其中第一封裝體130包覆芯片125。本實(shí)施例中，下基板820中二芯片125之間的區(qū)域配置有二個(gè)或二排電性凸塊1212，使二芯片115各配置到單個(gè)或單排電性凸塊1212。
[0100]如圖1OB所示，可采用刀具或激光，形成至少一第一切割道Pl經(jīng)過上基板810、第一封裝體130與下基板820，使大面積的上基板810形成單一的上基板110，及第一封裝體130形成外側(cè)面130s，其中外側(cè)面130s從上基板110往下基板820的方向是外擴(kuò)地傾斜。
[0101]如圖1OC所示，可采用例如是涂布技術(shù)，形成至少一第一走線140于第一封裝體130的外側(cè)面130s上，其中第一走線140沿第一封裝體130的外側(cè)面130s電性連接上基板110的電性凸塊1112與下基板120的電性凸塊1212。本實(shí)施例中，二第一走線140分別與不同的二電性凸塊1212電性連接，在后續(xù)切割工藝中，可形成至少一切割道完全隔離二電性凸塊1212。
[0102]如圖1OD所示，可采用例如是涂布技術(shù)或填膠技術(shù)，形成保護(hù)層150覆蓋第一走線140及第一封裝體130的外側(cè)面130s。
[0103]如圖1OE所示，可采用例如是刀具或激光，形成一第二切割道P2至少經(jīng)過保護(hù)層150、第一走線141與下基板820的線路層1211，使下基板820形成多個(gè)單一化的下基板120，以形成至少一如圖4所示的半導(dǎo)體封裝件400。切割后，保護(hù)層150、第一走線140與下基板120的線路層1211分別形成外側(cè)面150s、140s與1211s，其中外側(cè)面150s、140s與1211s大致上對(duì)齊，如齊平。
[0104]本實(shí)施例中，第一切割道Pl不可經(jīng)過下基板120的電性凸塊1212。另一實(shí)施例中，第一切割道Pl可經(jīng)過下基板120的電性凸塊1212，使電性凸塊1212的外側(cè)面露出，以形成相似于圖1B的半導(dǎo)體封裝件100的結(jié)構(gòu)。
[0105]請(qǐng)參照?qǐng)D11，其繪示圖5的半導(dǎo)體封裝件500的制造過程圖?？刹捎美缡堑毒呋蚣す?，形成至少一第一切割道Pl經(jīng)過上基板810、第一封裝體130與下基板820，使上基板810形成多個(gè)單一化的上基板110，第一封裝體130形成外側(cè)面130s，其中外側(cè)面130s從上基板110往下基板820的方向是外擴(kuò)地傾斜。
[0106]本實(shí)施例中，上基板110的上電性元件111包括內(nèi)埋于上基板110內(nèi)的線路層1111及導(dǎo)電墊1113。第一切割道Pl經(jīng)過上基板110的整個(gè)厚度。此外，下基板820的下電性元件121包括內(nèi)埋于下基板820內(nèi)的線路層1211及導(dǎo)電墊1213。第一切割道Pl經(jīng)過下基板820的部分厚度，而形成一凹槽120r。凹槽120r露出內(nèi)埋的導(dǎo)電墊1213，使后續(xù)的第一走線140可經(jīng)由凹槽120r電性連接于導(dǎo)電墊1213。另一實(shí)施例中，亦可省略導(dǎo)電墊1213，使第一走線140經(jīng)由凹槽120r直接接觸線路層1111。
[0107]圖5的半導(dǎo)體封裝件500的制造方法的其余步驟相似于半導(dǎo)體封裝件100的制造方法的對(duì)應(yīng)步驟，容此不再贅述。
[0108]請(qǐng)參照?qǐng)D12A至12C，其繪示圖6的半導(dǎo)體封裝件600的制造過程圖。
[0109]如圖12A所示，可采用刀具或激光，形成至少一第一切割道Pl經(jīng)過上基板810、第一封裝體130與下基板820，使第一封裝體630形成外側(cè)面130s，其中外側(cè)面630s為平面，其從上基板110往下基板120的方向外擴(kuò)地傾斜。另一實(shí)施例中，外側(cè)面630s可以是曲面。本實(shí)施例中，第一封裝體630是激光活化介電材料，其可以激光活化出一導(dǎo)電的種子層。
[0110]如圖12B所示，以激光形成至少一第一溝槽630r，其中第一溝槽630r從外側(cè)面630s往第一封裝體630的內(nèi)部延伸，并連接上基板110的上電性元件111與下基板120的下電性元件121。第一溝槽630r的槽壁在激光活化下形成種子層。
[0111]如圖12C所示，可采用例如是電鍍方式，經(jīng)由導(dǎo)電的種子層，形成至少一第一走線640于第一溝槽630r內(nèi)。由于上電性元件111及下電性元件121可導(dǎo)電，故第一走線640亦形成于上電性元件111及下電性元件121上，以電性連接上電性元件111及下電性元件121。
[0112]圖6的半導(dǎo)體封裝件600的制造方法的其余步驟相似于半導(dǎo)體封裝件100的制造方法的對(duì)應(yīng)步驟，容此不再贅述。
[0113]請(qǐng)參照?qǐng)D13A至13D，其繪示圖7的半導(dǎo)體封裝件700的制造過程圖。
[0114]如圖13A所示，可采用例如是涂布技術(shù)，形成第二封裝體730覆蓋第一走線640及第一封裝體630的外側(cè)面630s。第二封裝體730例如是由激光活化介電材料制成。
[0115]如圖13B所示，可采用刀具，形成至少一第四切割道P4經(jīng)過上基板810的另一線路層1111’與第二封裝體730，直到露出另一電性凸塊1212’。切割后，上基板810形成多個(gè)單一化的上基板110，線路層1111’形成一露出的外側(cè)面1111s，而下基板820的電性凸塊1212’形成一上表面1212u。
[0116]如圖13C所示，以激光形成至少一第二溝槽730r，其中第二溝槽730r從外側(cè)面730s往第二封裝體730的內(nèi)部延伸，并連接上基板110的線路層1111’與下基板820的電性凸塊1212’。第二溝槽730r的槽壁在激光活化下形成種子層。
[0117]如圖13D所示，可采用例如是電鍍方式，經(jīng)由導(dǎo)電的種子層，形成至少一第二走線740于第二溝槽730r內(nèi)。由于上基板110的線路層1111’及下基板820的電性凸塊1212’可導(dǎo)電，故第二走線740亦形成于線路層1111’及電性凸塊1212’上，以電性連接線路層1111’及電性凸塊1212’。
[0118]綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 一上基板，具有一外側(cè)面； 一下基板，具有一上表面及一外側(cè)面，該下基板的該上表面與該上基板相對(duì)且該下基板的該外側(cè)面突出超過該上基板的該外側(cè)面； 一第一封裝體，形成于該上基板與該下基板之間，且具有一外側(cè)面，該第一封裝體的該外側(cè)面從該上基板往該下基板的方向外擴(kuò)地傾斜； 一第一走線，形成于該第一封裝體的該外側(cè)面且電性連接該上基板與該下基板；以及 一保護(hù)層，覆蓋該第一封裝體的該外側(cè)面及該第一走線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一封裝體的該外側(cè)面是一階梯外側(cè)面。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一走線是導(dǎo)電膠。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該階梯面包括數(shù)個(gè)橫向面，該些橫向面承載該第一走線。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一封裝體的該外側(cè)面是曲面或平面。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一封裝體是由激光活化介電材料制成。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一走線是電鍍線。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一封裝體包括: 一第一溝槽，從該第一封裝體的該外側(cè)面往該第一封裝體內(nèi)延伸； 其中，該第一走線填入該第一溝槽內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，更包括: 一第二封裝體，覆蓋該第一走線且具有一第二溝槽，該第二溝槽從該第二封裝體的外側(cè)面往該第二封裝體的內(nèi)部延伸，其中該第二封裝體是由激光活化介電材料制成；以及一第二走線，形成于該第二封裝體的該第二溝槽內(nèi)； 其中，該保護(hù)層更覆蓋該第二封裝體與該第二走線。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該上基板包括一上電性元件，該上電性元件具有一外側(cè)面，該上電性元件的該外側(cè)面從該第一封裝體的該外側(cè)面露出，該第一走線沿該第一封裝體的該外側(cè)面經(jīng)由露出的該上電性元件延伸至該下基板。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該下基板包括一下電性元件，該下電性元件具有一上平面，該第一走線從該上基板沿該第一封裝體的該外側(cè)面延伸至覆蓋該下電性元件的該上平面。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該下基板包括一下電性元件，該下電性元件具有一外側(cè)面，該第一走線覆蓋該下電性元件的該外側(cè)面。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該下基板包括一下電性元件，該下電性元件內(nèi)埋于該下基板，該下基板具有一凹槽，該凹槽露出該下電性元件，該第一走線延伸至覆蓋露出的該下電性元件。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該下基板及該保護(hù)層各具有一外側(cè)面，該下基板的該外側(cè)面與該保護(hù)層的該外側(cè)面對(duì)齊。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該下基板具有一第一外側(cè)面及一第二外側(cè)面，該保護(hù)層具有一外側(cè)面，該下基板的該第一外側(cè)面相對(duì)該第二外側(cè)面內(nèi)縮，該下基板的該第二外側(cè)面該保護(hù)層的該外側(cè)面對(duì)齊。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該下基板具有一外側(cè)面，該保護(hù)層覆蓋該下基板的整個(gè)該外側(cè)面。
17.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括: 提供一上基板； 提供一下基板； 形成一封裝體于該上基板與該下基板之間； 形成一第一切割道經(jīng)過該上基板、該封裝體與該下基板，使該封裝體形成一外側(cè)面，其中該封裝體的該外側(cè)面從該上基板往該下基板的方向外擴(kuò)地傾斜； 形成一走線于該封裝體的該外側(cè)面上，其中該走線電性連接該上基板與該下基板； 形成一保護(hù)層覆蓋該走線及該封裝體的該外側(cè)面； 形成一第二切割道至少經(jīng)過該保護(hù)層。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，于形成該第一切割道經(jīng)過該到該上基板、該封裝體與該下基板的步驟包括: 以橫向進(jìn)刀且直向進(jìn)刀的方式切割該封裝體，使該封裝體形成一階梯外側(cè)面。
19.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該封裝體是由激光活化介電材料制成。
20.如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，更包括: 以激光于該封裝體形成一溝槽，該溝槽從該封裝體的該外側(cè)面往該封裝體內(nèi)延伸；以及 于形成該走線于該封裝體的該外側(cè)面的步驟包括: 電鍍?cè)撟呔€填入該溝槽內(nèi)。
21.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該走線是以涂布導(dǎo)電膠而形成。
22.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該上基板包括一上電性元件； 于形成該第一切割道的步驟中，該第一切割道經(jīng)過該上電性元件，使該上電性元件形成一外側(cè)面，且該上電性元件的該外側(cè)面從該封裝體的該外側(cè)面露出； 于形成該走線的步驟中，該走線從露出的該上電性元件沿該封裝體的該外側(cè)面延伸至該下基板。
23.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該下基板包括一下電性元件； 于形成該第一切割道的步驟中，該第一切割道經(jīng)過該下電性元件，使該下電性元件形成一上平面； 于形成該走線的步驟中，該走線從該上基板沿該封裝體的該外側(cè)面延伸至覆蓋該下電性元件的該上平面。
24.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該下基板包括一下電性元件； 于形成該第一切割道的步驟中，該第一切割道經(jīng)過該下電性元件，使該下電性元件形成一外側(cè)面； 于形成該走線的步驟中，該走線覆蓋該下電性元件的該外側(cè)面。
25.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，于形成該第二切割道經(jīng)過該保護(hù)層的步驟中，該第二切割道經(jīng)過該保護(hù)層及該下基板，使該下基板及該保護(hù)層各形成一外側(cè)面，其中該下基板的該外側(cè)面與該保護(hù)層的該外側(cè)面對(duì)齊。
【文檔編號(hào)】H01L23/498GK104347575SQ201310342762
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月7日
【發(fā)明者】田云翔 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司