發(fā)光裝置和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、以及電子設(shè)備。提供一種色差少、且高亮度的、顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。作為發(fā)光裝置的有機EL裝置（1）具有：配置在基板（10）的第一面（10A）上，并具有第一像素電極（17R）的第一發(fā)光元件（15R）；具有第二像素電極（17G）的第二發(fā)光元件（15G）；以及設(shè)置有使第一像素電極（17R）露出的第一開口（31）和使第二像素電極（17G）露出的第二開口（32）的絕緣層（29），第一開口（31）通過絕緣層（29）覆蓋第一像素電極（17R）的周邊部（40R）中50％以上而構(gòu)成，第二開口（32）通過絕緣層（29）覆蓋第二像素電極（17G）的周邊部40G中小于50％而構(gòu)成。
【專利說明】發(fā)光裝置和電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及發(fā)光裝置和具備該發(fā)光裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]公知有下述有源矩陣型的EL器件:包含在陰極與陽極之間夾持有機電致發(fā)光層的EL元件、以及用于控制EL元件的驅(qū)動的晶體管和電容器。在這種EL器件中，為了使相鄰的陽極彼此電絕緣而設(shè)置有在陽極上具有開口，且其底端在陽極上延伸的鈍化層(專利文獻I)。
[0003]另外還提出了在具備EL元件和作為驅(qū)動EL元件的開關(guān)元件的薄膜晶體管的有機EL顯示裝置中，使分別設(shè)置在配列成矩陣狀的各色(紅、綠、藍)的顯示像素中的EL元件的發(fā)光面積不同。由此，提供一種對由于發(fā)光層的發(fā)光效率按每個顏色而不同所導(dǎo)致的白平衡的破壞進行控制，且長壽命的顯示裝置。作為使顯示像素的發(fā)光面積不同的方法，列舉出
(i)改變陽極的面積，(ii)使覆蓋陽極的端部的平坦化絕緣膜的開口部的大小不同的方法(專利文獻2)。
[0004]專利文獻1:日本特開平8 - 241048號公報
[0005]專利文獻2:日本特開2008 - 300367號公報
[0006]然而，如專利文獻1、2那樣，在鈍化層、平坦化絕緣層這樣的所謂絕緣層覆蓋陽極的端部的情況下，對提高開口率有限制。另一方面，如專利文獻2那樣，在成為絕緣層未覆蓋陽極的端部的構(gòu)成的情況下，在陽極的端部附近包含發(fā)光層的功能層容易變薄。若在功能層具有膜厚薄的部分，則會因電流集中流過該部分而導(dǎo)致發(fā)光元件的劣化。若特定顏色的發(fā)光元件劣化，則可再現(xiàn)的顏色范圍發(fā)生變化因而顯示品質(zhì)降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是為了解決上述的課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例來實現(xiàn)。
[0008]應(yīng)用例I
[0009]本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置的特征在于具有:基板；第一發(fā)光元件，，其被配置在上述基板的第一面上，并具有第一像素電極、對置電極、以及在上述第一像素電極與上述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層；該第一發(fā)光元件應(yīng)釋放出第一光；第二發(fā)光元件，其被配置在上述第一面上，并具有第二像素電極、對置電極、以及在上述第二像素電極與上述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，該第二發(fā)光元件應(yīng)釋放出第二光；以及絕緣層，其經(jīng)由上述第一像素電極以及上述第二像素電極配置在上述第一面與上述功能層之間，并設(shè)置有使上述第一像素電極露出的第一開口、和使上述第二像素電極露出的第二開口，上述第一開口通過上述絕緣層覆蓋上述第一像素電極的周邊部中50%以上而構(gòu)成，上述第二開口通過上述絕緣層覆蓋上述第二像素電極的周邊部中小于50 %而構(gòu)成。
[0010]根據(jù)本應(yīng)用例，對于第一發(fā)光兀件和第二發(fā)光兀件中的、例如在第一像素電極的周邊部附近功能層的膜厚容易變薄的第一發(fā)光元件，使得絕緣層覆蓋第一像素電極的周邊部的50%以上。由此，電流難以流向在第一像素電極被絕緣層覆蓋的區(qū)域上形成的功能層，從而能夠減少電流集中在功能層的膜厚較薄的部分中流動。因此，能夠抑制特定的顏色的發(fā)光元件的劣化。另外，對于第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件中的、在第二像素電極的端部附近功能層的膜厚很難變薄的第二發(fā)光元件，使得絕緣層覆蓋周邊部的小于50%。由此，與以絕緣層覆蓋第二像素電極的周邊部全部的構(gòu)成的情況相比，能夠增大第二像素電極和功能層的接觸面積。換句話說，與現(xiàn)有的發(fā)光裝置相比較，能夠提高開口率。此外，在本說明書中，所謂開口率是指在一個像素或者一個子像素中所占的發(fā)光面積的比例，所謂發(fā)光面積為像素電極和功能層的接觸面積。由此，能夠作為開口率高、且色差少、顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0011]應(yīng)用例2
[0012]在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第一像素電極以及上述第二像素電極為平面形狀，該平面形狀在第二方向上的長度比與第一方向上的長度短，上述第二方向與上述第一方向交叉，上述第一開口通過上述絕緣層覆蓋上述第一像素電極的周邊部中至少沿著上述第一方向的端部而構(gòu)成，上述第二開口通過上述絕緣層覆蓋上述第二像素電極的周邊部中沿著上述第二方向的端部的至少一部分而構(gòu)成。
[0013]由此，能夠高效地有助于特定的顏色的發(fā)光元件的劣化的抑制、和開口率的提高。因此，能夠作為顯示品質(zhì)更為優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0014]應(yīng)用例3
[0015]在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選具有:第一像素電路，其被配置在上述第一面與上述第一像素電極之間，并控制上述第一發(fā)光元件的驅(qū)動；第一連接部，其將上述第一像素電極和上述第一像素電路連接起來；第二像素電路，其被配置在上述第一面和上述第二像素電極之間，并控制上述第二發(fā)光元件的驅(qū)動；以及第二連接部，其將上述第二像素電極和上述第二像素電路連接起來，上述絕緣層從上述第一方向觀察以與上述第一連接部以及上述第二連接部重疊的方式形成。
[0016]將像素電極和像素電路連接起來的連接部與其周圍相比容易產(chǎn)生凹凸、且功能層的膜厚容易變薄。
[0017]在本應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，絕緣層以與第一以及第二連接部重疊的方式形成，因而能夠減少電流集中流過該部分的功能層的情況。由此，能夠作為色差少、且顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0018]應(yīng)用例4
[0019]在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第一連接部被配置在上述第一像素電極的周邊部中沿著上述第二方向的端部側(cè)，上述第二連接部被配置在上述第二像素電極的周邊部中沿著上述第二方向的端部側(cè)。
[0020]在本應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，第一連接部和第二連接部被配置在第一像素電極和第二像素電極的相同側(cè)。由此，即使以覆蓋第一連接部以及第二連接部的方式設(shè)置絕緣層也能夠避免大幅度地降低開口率。
[0021]應(yīng)用例5
[0022]在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第二像素電極的厚度比上述第一像素電極的厚度薄。
[0023]像素電極的厚度越厚的發(fā)光元件，其在像素電極的端部附近功能層的膜厚越容易變薄。因此，若電流集中流過在膜厚較薄的部分，則發(fā)光元件的功能層容易劣化。
[0024]根據(jù)本應(yīng)用例，由于具有未被絕緣層覆蓋的部分的第二像素電極的厚度比第一像素電極的厚度薄，所以在第二像素電極的端部附近功能層的膜厚很難變薄，與第一發(fā)光元件相比，第二發(fā)光元件很難劣化。因此，即便使第二像素電極的周邊部中以絕緣層覆蓋的比例小于50%，也能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)優(yōu)異并且高亮度的發(fā)光裝置。
[0025]應(yīng)用例6
[0026]上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置優(yōu)選具備第三發(fā)光元件，其被配置在上述第一面上，并具有第三像素電極、與上述第三像素電極對置地配置的對置電極、以及配置在上述第三像素電極與上述對置電極之間且包含發(fā)光層的功能層，上述第三發(fā)光元件應(yīng)釋放出第三光，上述第二發(fā)光元件和上述第三發(fā)光元件在第二方向上相鄰地被配置，上述第二開口在與上述第二方向交叉的第一方向上跨越上述第二像素電極和上述第三像素電極，并通過覆蓋上述第二像素電極以及第三像素電極的周邊部中的小于50%而構(gòu)成。
[0027]在本應(yīng)用的發(fā)光裝置中，能夠以發(fā)光波長不同的3個發(fā)光元件構(gòu)成一個單位像素，因而與以2個發(fā)光元件構(gòu)成一個單位像素的情況相比較，能夠作為顏色再現(xiàn)性更為優(yōu)異的發(fā)光裝置。在這樣的發(fā)光裝置中，對于第一至第三發(fā)光元件中的、在像素電極的周邊部附近功能層的膜厚容易變薄的第一發(fā)光元件，使得絕緣層覆蓋第一像素電極的周邊部的50%以上，從而能夠抑制第一發(fā)光元件劣化。另外，在像素電極的周邊部附近功能層的膜厚變薄的可能性較低的第二發(fā)光元件的第二像素電極以及第三發(fā)光元件的第三像素電極的周邊部以絕緣層覆蓋其小于50%的方式構(gòu)成。由此，與第二像素電極以及第三像素電極的周邊部全部被絕緣層覆蓋的構(gòu)成相比較，能夠增大發(fā)光面積，并能夠提高開口率。由此，能夠作為開口率高、且顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0028]應(yīng)用例7
[0029]上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置優(yōu)選具有反射層，該反射層配置在上述第一面與上述第一像素電極、上述第二像素電極以及上述第三像素電極之間，上述對置電極是使從上述功能層釋放出的光的一部分透過、一部分反射的半透過反射層，在上述第一發(fā)光元件、上述第二發(fā)光元件、上述第三發(fā)光元件的每一個發(fā)光元件中，在上述反射層與上述半透過反射層之間形成有共振器結(jié)構(gòu)。
[0030]在如本應(yīng)用例那樣，在具有共振器結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置中，能夠增強想要取出的波長的光，因此能夠提高從發(fā)光裝置射出的光的顏色純度。因此，能夠作為顯示品質(zhì)更為優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0031]應(yīng)用例8
[0032]上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置優(yōu)選具有:第三像素電路，其被配置在上述第一面與上述第三像素電極之間，并控制上述第三發(fā)光元件的驅(qū)動；和第三連接部，其將上述第三像素電極和上述第三像素電路連接起來，上述絕緣層與上述第三連接部重疊。
[0033]由此，能夠作為色差少、且顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0034]應(yīng)用例9
[0035]在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第三像素電極的厚度比上述第一像素電極的厚度薄。
[0036]由此，能夠作為色差少、且顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0037]應(yīng)用例10
[0038]上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置優(yōu)選具備第四發(fā)光元件，其被配置在上述第一面上，并具有第四像素電極、對置電極、以及在上述第四像素電極與上述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，上述第四發(fā)光兀件應(yīng)釋放出上述第一光，上述第一發(fā)光兀件和上述第二發(fā)光兀件在第二方向上相鄰配置，上述第一發(fā)光兀件和上述第四發(fā)光兀件在與上述第二方向交叉的第一方向上相鄰配置，上述第一開口在上述第二方向上跨越上述第一像素電極和上述第四像素電極，并通過上述絕緣層覆蓋上述第一像素電極以及上述第四像素電極的周邊部中50%以上而構(gòu)成。
[0039]在本應(yīng)用例的發(fā)光裝置中，線對稱地配置有釋放出第一光的第一發(fā)光元件和第四發(fā)光元件。而且能夠一并形成使第一像素電極和第四像素電極露出的第一開口，因此能夠使制造方法更加簡便。另外，無需在第一像素電極和第四像素電極之間配置用于劃分它們的絕緣層，所以能夠使第一發(fā)光元件和第四發(fā)光元件的間隔變窄，能夠作為高精細(xì)的發(fā)光裝置。
[0040]另外，即使第一發(fā)光元件以及第四發(fā)光元件是在各自的像素電極的端部附近功能層的膜厚容易變薄的發(fā)光元件，也由于被絕緣層覆蓋第一像素電極和第四像素電極的周邊部的50%以上，所以與像素電極的 周邊部未被絕緣層覆蓋的構(gòu)成相比較，抑制第一發(fā)光元件以及第四發(fā)光元件的劣化。另外，第一像素電極和第四像素電極的周邊部的一部分未被絕緣層覆蓋，所以與周邊部全部被絕緣層覆蓋的構(gòu)成相比較，能夠增大開口率。因此，能夠作為亮度高、高精細(xì)、且顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置。
[0041]應(yīng)用例11
[0042]上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置，優(yōu)選上述第一像素電極以及上述第四像素電極為平面形狀，該平面形狀在上述第二方向上的長度比上述第一方向上的長度短，上述第一開口被構(gòu)成為:上述絕緣層覆蓋上述第一像素電極和上述第四像素電極的周邊部中沿著上述第一方向的端部，而未覆蓋沿著上述第二方向的端部中在上述第一方向上相鄰的端部。
[0043]由此，能夠高效地有助于特定的顏色的發(fā)光元件的劣化的抑制、和開口率的提高。
[0044]應(yīng)用例12
[0045]本應(yīng)用例所涉及的電子設(shè)備的特征在于具備上述應(yīng)用例中的任意一項所記載的發(fā)光裝置。
[0046]根據(jù)本應(yīng)用例，由于具備上述應(yīng)用例中的任意一項所記載的發(fā)光裝置，所以能夠提供一種發(fā)光亮度高、且顯示品質(zhì)優(yōu)異的電子設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0047]圖1是表示實施方式I所涉及的發(fā)光裝置的基本構(gòu)成的示意俯視圖。
[0048]圖2是表示實施方式I所涉及的發(fā)光裝置中的電構(gòu)成的等效電路圖。
[0049]圖3是實施方式I所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖以及剖視圖。
[0050]圖4是實施方式I所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的剖視圖。
[0051]圖5是實施方式2所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖。[0052]圖6是變形例所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖。
[0053]圖7是現(xiàn)有的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖。
[0054]圖8是現(xiàn)有的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的局部剖視圖。
[0055]圖9是表示作為電子設(shè)備的頭戴顯示器的示意立體圖。
【具體實施方式】
[0056]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。其中，在以下的各圖中，使各層、各部件成為可視覺識別的程度的大小，因此各層、各部件的尺度與實際不同。
[0057]實施方式I
[0058]發(fā)光裝置
[0059]圖1是表示實施方式I所涉及的發(fā)光裝置的基本構(gòu)成的示意俯視圖。
[0060]首先，對作為實施方式I所涉及的發(fā)光裝置的有機電致發(fā)光(EL)裝置I的示意構(gòu)成進行說明。
[0061]如圖1所示，作為本實施方式的發(fā)光裝置的有機EL裝置I具有基板10、基板10的第一面上的顯示區(qū)域11、以及設(shè)置在顯示區(qū)域11的外側(cè)(顯示區(qū)域11與基板10的周邊部之間的區(qū)域)的非顯示區(qū)域12。在顯示區(qū)域11中矩陣狀地配置有多個像素13，在非顯示區(qū)域12中設(shè)置有用于使像素13發(fā)光的外圍電路。作為外圍電路的例子，列舉出掃描線驅(qū)動電路80、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路90、檢查電路等。
[0062]多個像素13的每一個構(gòu)成為包含射出不同波長的光的多個子像素14，例如紅色(R)的子像素14R、綠色(G)的子像素14G以及藍色(B)的子像素14B。
[0063]圖2是表示實施方式I所涉及的發(fā)光裝置中的電構(gòu)成的等效電路圖。
[0064]如圖2所示，作為本實施方式的發(fā)光裝置的有機EL裝置I具有多條掃描線20、在與掃描線20交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線21、以及與數(shù)據(jù)線21平行延伸的多條電源線
22。與掃描線20和數(shù)據(jù)線21的交叉對應(yīng)地設(shè)置有子像素14 (14R、14G、14B)。多個子像素14的每一個包含發(fā)光兀件15、和用于控制發(fā)光兀件15的驅(qū)動的像素電路16 (16R、16G、16B)。
[0065]在本實施方式中，發(fā)光元件15是包含像素電極17、對置電極18、以及包含配置在像素電極17與對置電極18之間的有機發(fā)光層的功能層19的有機電致發(fā)光(EL)元件。掃描線20被連接于掃描線驅(qū)動電路80，數(shù)據(jù)線21被連接于數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路90。在本實施方式中，電源線22是用于向作為陽極的像素電極17賦予電位的陽極用電源線。
[0066]像素電路16 (16R、16G、16B)包含開關(guān)晶體管23、驅(qū)動晶體管24、以及連接于驅(qū)動晶體管24的柵電極的保持電容25，并控制發(fā)光元件15的驅(qū)動。這里所謂發(fā)光元件15的驅(qū)動控制是指，基于在寫入期間經(jīng)由數(shù)據(jù)線21供給的數(shù)據(jù)信號使發(fā)光元件15在發(fā)光期間發(fā)光。經(jīng)由掃描線20向開關(guān)晶體管23的柵電極供給掃描信號，在該開關(guān)晶體管23處于導(dǎo)通的狀態(tài)時，從數(shù)據(jù)線21供給的數(shù)據(jù)信號被保持于電容25。
[0067]在驅(qū)動晶體管24處于導(dǎo)通的狀態(tài)時，像素電極17和電源線22經(jīng)由驅(qū)動晶體管24電連接，并向發(fā)光元件15供給與保持于保持電容25的數(shù)據(jù)信號的電位對應(yīng)量的電流。發(fā)光元件15以與被供給的電流量對應(yīng)的亮度發(fā)光。
[0068]圖3是實施方式I所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖以及剖視圖，圖4是實施方式I所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的剖視圖。詳細(xì)而言，圖3 (a)是表示配置在有機EL裝置I的顯示區(qū)域11中的子像素14的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的A —A’處的剖視圖。圖4 (a)是圖3 (a)的B— B’處的發(fā)光元件15R的剖視圖，圖4 (b)是圖
3Ca)的C 一 C’處的發(fā)光元件15G的剖視圖。
[0069]如圖3 (a)所示，在本實施方式中，構(gòu)成像素13的子像素14的每一個子像素形成為相對于沿著基板10的第一面IOA的第一方向(圖3 Ca)中的B — B’方向)的長度，沿著第一面IOA并且在與第一方向交叉的第二方向(圖3 Ca)中的A — A’方向)上的長度短的形狀(例如矩形)。
[0070]而且，紅色的子像素14R、綠色的子像素14G、藍色的子像素14B沿著第二方向而配置，在紅色的子像素14R中配置有作為第一發(fā)光元件的發(fā)光元件15R。在綠色的子像素14G中配置有作為第二發(fā)光元件的發(fā)光元件15G。在藍色的子像素14B中配置有作為第三發(fā)光元件的發(fā)光元件15B。
[0071]如圖3 (b)以及圖4 (a)、(b)所示，本實施方式中的有機EL裝置I構(gòu)成為包括:基板10 ;形成在基板10的第一面IOA上的像素電路16 (16R、16G、16B);形成在像素電路16 (16RU6GU6B)上的平坦化層26 ;配置在平坦化層26上的反射層27 ;經(jīng)由層間絕緣層28而配置在反射層27上的像素電極17 ;覆蓋層間絕緣層28和像素電極17的一部分而形成的絕緣層29 ;包含形成在像素電極17(171?、176、178)上的有機發(fā)光層的功能層19 ;以及形成在功能層19上的對置電極18。
[0072]由像素電極17R、功能層19、以及對置電極18構(gòu)成發(fā)光元件15R，由像素電極17G、功能層19、以及對置電極18構(gòu)成發(fā)光元件15G。同樣，由像素電極17B、功能層19、以及對置電極18構(gòu)成發(fā)光兀件15B。
[0073]在本實施方式中有機EL裝置`I采用從對置電極18側(cè)取出光的頂部發(fā)光方式。因此，基板10可以是由如樹脂材料、石英玻璃、鈉玻璃這樣的材料構(gòu)成的透明基板，也可以是由以陶瓷材料構(gòu)成的基板或由金屬材料構(gòu)成的不透明基板。
[0074]構(gòu)成像素電路16的要素亦即開關(guān)晶體管23和驅(qū)動晶體管24包含形成有源極區(qū)域、漏極區(qū)域及溝道區(qū)域的半導(dǎo)體區(qū)域、以及與溝道區(qū)域?qū)χ玫匦纬傻臇烹姌O。另外，構(gòu)成像素電路16的這些晶體管可以是薄膜晶體管，也可以是形成于體硅襯底等半導(dǎo)體基板的場效應(yīng)晶體管(M0S晶體管)。
[0075]在顯示區(qū)域11內(nèi)的第一面IOA與發(fā)光元件15之間的層中，還配置有向開關(guān)晶體管23的柵電極供給掃描信號的掃描線20、供給被保持于保持電容25的數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線
21、以及供給向發(fā)光元件15供給的電流的電源線22等。此外，在圖3 (b)、圖4 (a)以及圖
4(b)中僅示出構(gòu)成像素電路16的要素的一部分。
[0076]在像素電路16上經(jīng)由平坦化層26配置有反射層27，該平坦化層26由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等具有絕緣性的材料構(gòu)成。反射層27將從后述的有機發(fā)光層向反射層27側(cè)釋釋放出的光反射至有機發(fā)光層側(cè)。另外，在反射層27與后述的對置電極18之間形成有共振器結(jié)構(gòu)。作為反射層27所使用的材料，列舉出Al及其合金、Ag及其合金等。
[0077]在本實施方式中，反射層27按每個子像素14R、14G、14B獨立地設(shè)置，但并不限于此，也可以跨越多個子像素14R、14G、14B而形成。那樣的情況下需要將反射層27與各像素電路16R、16G、16B電絕緣。在與反射層27的接觸孔30重疊的區(qū)域設(shè)置開口，并經(jīng)過該開口將子像素14R、14G、14B與像素電路16R、16G、16B分別連接即可。
[0078]在反射層27上經(jīng)由層間絕緣層28而配置有像素電極17，該層間絕緣層28由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等構(gòu)成。在層間絕緣層28上設(shè)置有用于使像素電極17與像素電路16連接的連接部。在本實施方式中，像素電極17作為陽極發(fā)揮作用，并且是由ITO (IndiumTin Oxide:氧化銦錫)、IZO (Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)等構(gòu)成的透明電極。連接部包含接觸孔30。接觸孔30優(yōu)選設(shè)置在與像素電極17的像素電路16連接的部分成為像素電極17的角部那樣的位置處。另外在本實施方式中，如圖3 (a)所示那樣，接觸孔30設(shè)置在子像素14R、14G、14B的相同側(cè)。
[0079]如圖3 (a)以及圖3 (b)所示，跨越各子像素14R、14G、14B地配置有絕緣層29，該絕緣層29設(shè)置有使各像素電極17R、17G、17B的大部分露出的開口。絕緣層29由氧化硅、氮化娃、氮氧化娃等絕緣性的材料構(gòu)成，以5nm?IOOnm左右的膜厚形成。俯視時在絕緣層29與像素電極17重疊的區(qū)域中，在像素電極17與功能層19之間與這些層接觸地設(shè)置有絕緣層29，因此在該重疊區(qū)域中電流難以流動，從而抑制來自功能層19的光的釋放出。各像素電極17R、17G、17B與功能層19相接的區(qū)域是意圖作為各發(fā)光元件15R、15G、15B的發(fā)光區(qū)域的區(qū)域。
[0080]在本實施方式中，在絕緣層29設(shè)置有第一開口 31和第二開口 32。第一開口 31在形成功能層19之前的階段使發(fā)光元件15R的像素電極17R露出，在形成功能層19之后的階段，像素電極17R與功能層19通過第一開口 31相接。像素電極17R的周邊部40R全部被絕緣層29覆蓋。
[0081]第二開口 32在形成功能層19之前的階段使發(fā)光元件15G的像素電極17G和發(fā)光元件15B的像素電極17B露出，在形成了功能層19之后的階段，像素電極17G、17B通過第二開口 32分別與功能層19相接。也就是說，第二開口 32跨越發(fā)光元件15G和發(fā)光元件15B而被共用地設(shè)置，在第二方向上配列的子像素14G和子像素14B之間的至少一部分未配置絕緣層29。
[0082]各像素電極17R、17G、17B的周邊部40 (40R、40G、40B)由沿著第一方向的端部、和
沿著第二方向的端部構(gòu)成。在本實施方式中，沿著第一方向的端部的長度比沿著第二方向的端部的長度長。以下，將像素電極17R的沿著第一方向的端部設(shè)為第一端部41,將沿著第二方向的端部設(shè)為第二端部42。同樣，將像素電極17G的沿著第一方向的端部設(shè)為第三端部43，將沿著第二方向的端部設(shè)為第四端部44，將像素電極17B的沿著第一方向的端部設(shè)為第五端部45,將沿著第二方向的端部設(shè)為第六端部46。
[0083]在本實施方式中像素電極17為矩形，因而像素電極17R具有2個第一端部，將距離接觸孔30遠的第一端部設(shè)為41A，將距離接觸孔30近的第一端部設(shè)為41B。另外，將2個第二端部中距離接觸孔30遠的第二端部設(shè)為42A，距離接觸孔30近的第二端部設(shè)為42B。也就是說，與像素電極17R的像素電路16R連接的部分距離像素電極17R的4個角部中第一端部41B與第二端部42B交叉的角部最近。第三端部43、第四端部44、第五端部45、第六端部46也同樣地、將距離接觸孔30遠的端部設(shè)為43A、44A、45A、46A，將距離接觸孔30近的端部設(shè)為 43B、44B、45B、46B。
[0084]像素電極17G的大部分(50%以上)和像素電極17B的大部分(50%以上)未被絕緣層29覆蓋。詳細(xì)而言，在本實施方式中，第三端部43 (43A、43B)的大部分、第五端部45(45A、45B)的大部分、第四端部44A、以及第六端部46A未被絕緣層29覆蓋。換句話說，像素電極17R的第二端部42 (42A、42B)、像素電極17G的第四端部44B、像素電極17B的第六端部46B分別被絕緣層29覆蓋(參照圖4 Ca)以及圖4 (b))。在本實施方式中，像素電極17GU7B的周邊部40G、40B中被絕緣層29覆蓋的部分是將第二開口 32設(shè)為大致矩形而在以絕緣層29覆蓋接觸孔30時與絕緣層29重疊的部分。
[0085]在絕緣層29上利用蒸鍍法等形成有包含有機發(fā)光層的功能層19。在本實施方式中，功能層19包含空穴注入層、空穴輸送層、有機發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層，但除了這些層以外還可以設(shè)置其他層，也可以不設(shè)置空穴注入層、空穴輸送層、電子輸送層、電子注入層中的任意一層。另外，也可以將這些層中多個層形成為一體。在本實施方式中，功能層19包括當(dāng)電流在像素電極17和對置電極18之間流動時，釋放出紅色光的紅色發(fā)光層、釋放出綠色光的綠色發(fā)光層、和釋放出藍色光的藍色發(fā)光層。因此從功能層19釋放出光，該光包含有紅色的波長的光、綠色的波長的光以及藍色的波長的光，從而釋放出整體被視覺識別為白色的光。功能層19被共用地形成在多個發(fā)光元件15R、15G、15B，并設(shè)計為IOOnm?200nm左右的膜厚。
[0086]在功能層19上形成有對置電極18。在本實施方式中，對置電極18作為陰極發(fā)揮作用，并且也是在與上述的反射層27之間形成共振器結(jié)構(gòu)的半透過反射層。對置電極18跨越多個發(fā)光元件15 (15RU5GU5B)而形成，使從有機發(fā)光層釋放出的光的一部分透過、一部分反射至反射層27側(cè)。這樣的對置電極18可以通過薄薄地蒸鍍由Ag、Al以及它們的合金構(gòu)成的金屬而形成，也可以層疊由不同的材料構(gòu)成的層。
[0087]另外，在反射層27與半透過反射層之間形成共振器結(jié)構(gòu)，因而從有機發(fā)光層釋放出的光在反射層27與半透過反射層之間往復(fù)，并從半透過反射層側(cè)只取出共振波長的光。此時，通過調(diào)整反射層27與半透過反射層之間的光學(xué)距離，能夠只取出所希望的波長的光。在本實施方式中，以在作為第一發(fā)光元件的發(fā)光元件15R中增強紅色的光、在作為第二發(fā)光元件的發(fā)光元件15G中增強綠色的光，在作為第三發(fā)光元件的發(fā)光元件15B中增強藍色的光的方式來設(shè)計各發(fā)光兀件15R、15G、15B的共振器結(jié)構(gòu)中的光學(xué)距離。在本實施方式中，通過使像素電極17R、17G、17B的厚度相互不同來調(diào)整光學(xué)距離，但例如也可以通過使像素電極17與反射層27之間的層間絕緣層28的膜厚在各發(fā)光元件15R、15G、15B中不同來進行調(diào)整。
[0088]此外，在本說明書中，所謂的紅色的光是指600nm?700nm波長的光，所謂的綠色的光是指500nm?600nm波長的光，所謂的藍色的波長的光是指400nm?500nm波長的光。
[0089]將本實施方式中的絕緣層29的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)進行比較來說明。圖7 (a)、圖7 (b)是現(xiàn)有的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖。圖8是現(xiàn)有的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的局部剖視圖。
[0090]如圖7 (a)所示，在現(xiàn)有的發(fā)光裝置401中，在各個構(gòu)成一個像素413的多個子像素414 (414R、414G、414B)中，利用絕緣層429覆蓋像素電極417 (417R、417G、417B)的周邊部440的全部。而且，按每個子像素414為單位使像素電極417的大部分露出的開口 431被設(shè)置于絕緣層429，通過該開口 431使像素電極417與功能層相接觸。
[0091]在這樣的構(gòu)成中，由絕緣層429覆蓋像素電極417的面積中一定部分，因此在提高開口率上有限制。此外，在本說明書中，所謂開口率是指一個像素中的發(fā)光面積所占的比例，所謂發(fā)光面積與從第三方向(配置了有機EL元件的基板的法線方向)觀察幾乎與像素電極417和功能層相接觸的區(qū)域的面積相等。
[0092]圖7 (b)是在多個子像素414’(414，R、414’G、414’B)的每一個子像素中未設(shè)置覆蓋像素電極417’(417’ R、417’ G、417’ B)的周邊部440’的絕緣層的類型的現(xiàn)有發(fā)光裝置401’。圖8是紅色的子像素414’R的接觸孔430’的剖視圖。
[0093]在圖7 (b)所示的現(xiàn)有的發(fā)光裝置401’中，發(fā)光區(qū)域與像素電極417’的面積相等、且與圖7 (a)所示的發(fā)光裝置401進行比較能夠增大開口率。然而，如圖8所示，在發(fā)光裝置401’中，在設(shè)置有像素電極417’ R的周邊部440’、接觸孔430’的部分產(chǎn)生階梯差。因此，在俯視時在接近像素電極417’ R的周邊部440’的區(qū)域中形成的功能層19的膜厚dl以及在與接觸孔430’重疊的部分上形成的功能層19的膜厚d3與在像素電極417’ R的中央部上形成的功能層19的膜厚d2相比較容易變薄。其原因被認(rèn)為在于在使功能層19成膜時，在像素電極417’ R的周邊部440’中，層間絕緣層428’與像素電極417’ R之間的凹凸(階梯差)成為障礙，功能層19的材料難以到達該部分。
[0094]若在功能層19存在膜厚較薄的部分，則電流集中流過該部分而導(dǎo)致發(fā)光元件的劣化。若特定的顏色的發(fā)光元件劣化，則由于能夠再現(xiàn)的顏色范圍發(fā)生變化而降低顯示品質(zhì)。在本實施方式中，能夠抑制由于這樣的發(fā)光兀件(例如紅色的發(fā)光兀件15R)的像素電極17的周邊部40被絕緣層29覆蓋而產(chǎn)生這樣的不良情況。并且通過設(shè)置絕緣層29來緩和周邊部40中的凹凸，因此也能夠消除功能層19的覆蓋能力的劣化。在想要抑制電流流向在與接觸孔30重疊的區(qū)域形成的功能層19的情況下，以絕緣層29進行覆蓋即可。
[0095]在發(fā)光元件15的截面中，只要絕緣層29稍微覆蓋像素電極17的周邊部40就能夠得到如上所述的效果。為了更加可靠地取得效果，使第一開口 31的周邊部與像素電極17R的周邊部相比靠近內(nèi)側(cè)0.1 μπι以上，更為優(yōu)選的是靠近內(nèi)側(cè)(像素電極的中央側(cè))0.25μπι以上即可。也就是說，以絕緣層29覆蓋像素電極17R的周邊部40R與第一開口 31之間的距離為0.1 μ m?0.25 μ m的范圍即可。由此，即使在制造時產(chǎn)生了誤差也能夠準(zhǔn)確地覆蓋周邊部40R。但是，在以還覆蓋接觸孔30的方式形成絕緣層29的情況下，第二端部42B與第一開口 31的周邊部之間的距離更大。
[0096]本發(fā)明對具備共振器結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置特別有效，尤其對以像素電極的厚度來調(diào)整各子像素中的共振器的光學(xué)距離那樣的發(fā)光裝置有效。
[0097]在具有共振器結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置中能夠增強想要取出的波長的光，因而能夠提高從發(fā)光裝置射出的光的顏色純度。因此，使用具有共振器結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置能夠作為顯示品質(zhì)更為優(yōu)異的發(fā)光裝置。另一方面很難將像素電極的端部的膜厚、像素電極的端部附近的功能層的膜厚以與像素電極的中央部的膜厚、在像素電極的中央部上形成的功能層的膜厚相同的厚度形成。因此在具有共振結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置中，有可能從像素電極的端部周邊的區(qū)域增強并釋放出與本來想要的波長不同的波長的光。若這樣的異常發(fā)光混在從發(fā)光元件釋放出的光中，則在子像素的周邊部40產(chǎn)生顏色偏差，導(dǎo)致顯示品質(zhì)的降低。
[0098]特別是如本實施方式那樣在紅色的發(fā)光元件15R、綠色的發(fā)光元件15G、以及藍色的發(fā)光元件15B中使像素電極17的厚度不同的情況下，公知有最厚的像素電極17R是通過層疊多個導(dǎo)電膜而形成。很難在平面上無誤差地層疊多個導(dǎo)電膜，因而不能夠在像素電極17R的周邊部附近以均勻的膜厚形成像素電極17R。因此，在那樣的區(qū)域中反射層27與半透過反射層之間的光學(xué)距離產(chǎn)生偏差，因而與本來想要的波長不同的波長的光被增強。若這樣的異常發(fā)光混入從發(fā)光元件釋放出的光中，則成為色差的原因，會導(dǎo)致顯示品質(zhì)的降低。
[0099]與此相對，在本實施方式中如圖3 (a)所示，由于紅色的發(fā)光元件15R的像素電極17R的周邊部全部被絕緣層29覆蓋，所以抑制了向形成在像素電極17R的周邊部上的功能層19的載流子的注入。因此抑制來自該部分的功能層19的光的釋放，并能夠減少從發(fā)光元件15R釋放出的光所包含的異常發(fā)光的比例，能夠作為顏色再現(xiàn)性優(yōu)異的有機EL裝置I。
[0100]在綠色的發(fā)光元件15G和藍色的發(fā)光元件15B中，構(gòu)成為不以絕緣層29覆蓋周邊部40G的50%以上、和周邊部40B的50%以上，詳細(xì)而言，覆蓋第三端部43的大部分、第五端部45的大部分、第四端部44A、和第六端部46A，因而與由絕緣層29覆蓋像素電極17G、17B的周邊部40G、40B的全部的構(gòu)成相比較，能夠增大像素電極17G、17B與功能層19的接觸面積。因此能夠作為開口率高、高亮度的有機EL裝置I。
[0101]在本實施方式中，綠色的發(fā)光元件15G如上所述那樣，像素電極17G的周邊部40G中大部分未被絕緣層29覆蓋。眾所周知一般綠色的光容易被人眼視覺識別，假設(shè)即使在周邊部40G上產(chǎn)生異常發(fā)光也很難感覺出從發(fā)光元件15G釋放出的光中產(chǎn)生了色差。在這樣的情況下即使是未以絕緣層29覆蓋像素電極17G的周邊部40G的大部分的構(gòu)成也不會使有機EL裝置I的顯示品質(zhì)顯著降低。
[0102]另外，在本實施方式中對藍色的發(fā)光元件15B的像素電極17B也未以絕緣層29覆蓋第五端部45的大部分和第六端部46A。在本實施方式中，像素電極17B的膜厚與像素電極17R相比較薄，因而能夠在像素電極17B的周邊部40B中比較均勻地使功能層19成膜。該情況下，反射層27與半透過反射層之間的光學(xué)距離的偏差很小，因此從像素電極17B的周邊部40B上的功能層19釋放出的光也很難異常發(fā)光。由此，即使是未以絕緣層29覆蓋像素電極17B的周邊部的大部分的構(gòu)成也不會使有機EL裝置I的顯示品質(zhì)顯著降低。
[0103]本發(fā)明對像素尺寸小的發(fā)光裝置特別有效。在像素電極17的面積比較大的情況下，例如在像素電極17的長邊為100 μ m左右的情況下，即使在像素電極17的周邊部40產(chǎn)生了異常發(fā)光，其在從發(fā)光元件15整體釋放出的光整體中所占的比例也較小，很難視覺識別異常發(fā)光。但是若像素電極17的面積變小，例如若像素電極17的長邊減小到ΙΟμπι左右，則在從發(fā)光元件15釋放出的光中所占的異常發(fā)光的比例相對增大，得以顯著地識別出子像素的周邊部40中的色差。本發(fā)明對像素電極17的長邊為ΙΟμπι以下的發(fā)光裝置特別有效，對像素電極17的長邊為5μπι以下的發(fā)光裝置更為有效。
[0104]如以上所述，根據(jù)本實施方式，能夠提供作為色差較少、發(fā)光亮度高、顯示品質(zhì)優(yōu)異的發(fā)光裝置的有機EL裝置I。
[0105]實施方式2
[0106]圖5是實施方式2所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖。參照圖5對本實施方式所涉及的發(fā)光裝置進行說明。應(yīng)予說明，對于與實施方式I相同的構(gòu)成部位使用相同的附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。
[0107]在作為本實施方式所涉及的發(fā)光裝置的有機EL裝置101中，在第一方向(同色的子像素配列的方向)上以線對稱的方式配置有構(gòu)成第一像素113的第一紅色子像素114R、第一綠色子像素114G、第一藍色子像素114Β、和構(gòu)成第二像素113’的第二紅色子像素114’ R、第二綠色子像素114’ G、第二藍色子像素114’ B。在子像素114、114’中，分別配置有對應(yīng)的發(fā)光元件115、115’，發(fā)光元件115、115’包含像素電極117或者像素電極117’、功能層19、以及對置電極18。
[0108]在第一紅色子像素114R配置的第一紅色的發(fā)光元件115R的像素電極117R具有沿著第一方向的第一端部141AU41B、和沿著第二方向的第二端部142AU42B。在第二紅色子像素114’ R配置的第二紅色的發(fā)光元件115’ R的像素電極117’ R具有沿著第一方向的第七端部147AU47B、和沿著第二方向的第八端部148AU48B。與上述實施方式I相同，對距離接觸孔130、130’遠的端部標(biāo)記符號A，對距離接觸孔130、130’近的端部標(biāo)記符號B。
[0109]絕緣層129覆蓋紅色的發(fā)光元件115R、115’ R的像素電極117R、117’ R的周邊部140R、140’R的50%以上。更為詳細(xì)而言，絕緣層129覆蓋第一端部141 (141A、141B)、第二端部142B、第七端部147 (147AU47B)、和第八端部148B。
[0110]設(shè)置于絕緣層129的第一開口 131跨越在第一紅色子像素114R和第二紅色子像素114’R配置的紅色的發(fā)光元件115R、115’R的像素電極117R的一部分和像素電極117’R的一部分而形成，像素電極117R、117’R通過第一開口 131與功能層19相接。也就是說，第二端部142A的一部分和第八端部148A的一部分未被絕緣層129覆蓋，在第一紅色子像素114R與第二紅色子像素114’ R之間的至少一部分未配置絕緣層129。
[0111]第二紅色子像素114’R的發(fā)光元件115’R相當(dāng)于本發(fā)明的第四發(fā)光元件。因此，像素電極117’ R相當(dāng)于本發(fā)明的第四像素電極。
[0112]絕緣層129未覆蓋綠色的發(fā)光元件115G、115’ G的像素電極117G、117’ G的周邊部140G、140’ G的大部分(50%以上)。例如，絕緣層129未覆蓋像素電極117G的第三端部143 (143A、143B)的大部分和第四端部144A。同樣地，絕緣層129未覆蓋像素電極117B的第五端部145 (145AU45B)的大部分和第六端部146A。
[0113]設(shè)置于絕緣層129的第二開口 132跨越在第一綠色子像素114G配置的第一綠色的發(fā)光元件115G的像素電極117G的至少一部分、在第二綠色子像素114’ G配置的第二綠色的發(fā)光元件115’ G的像素電極117’ G的至少一部分、在第一藍色子像素114B配置的第一藍色的發(fā)光元件115B的像素電極117B的至少一部分、和在第二藍色子像素114’ B配置的第二藍色的發(fā)光元件115’ B的像素電極117’ B的至少一部分而形成。
[0114]像素電極117G、117’G、117B、117’B在第二開口 132處與功能層19相接。在本實施方式中，在與第一方向相鄰地配列的第一綠色子像素114G和第二綠色子像素114’G之間的至少一部分未配置有絕緣層129。同樣在與第一方向相鄰地配列的第一藍色子像素114B和第二藍色子像素114’ B之間的至少一部分未配置有絕緣層129。另外，在與第二方向相鄰地排列的第一綠色子像素114G和第一藍色子像素114B之間的至少一部分、第二綠色子像素114’ G和第二藍色子像素114’ B之間的至少一部分也同樣未配置有絕緣層129。
[0115]在與接觸孔130、130’重疊的區(qū)域中在發(fā)光元件115、115’中產(chǎn)生不良情況時，與第一實施方式相同，以絕緣層129覆蓋接觸孔130、130’即可。
[0116]如本實施方式那樣在形成了第一開口 131和第二開口 132的情況下，無需在第一像素113和第二像素113’之間的至少一部分配置絕緣層129，因此能夠縮短像素間的距離，并能夠作為更高精細(xì)的有機EL裝置101。
[0117]另外，在本實施方式中，在紅色的發(fā)光元件115R、115’ R中，與第一方向相鄰的第二端部142A的至少一部分、和第八端部148A的至少一部未被絕緣層129覆蓋，因而與第二端部142A和第八端部148A全部被絕緣層129覆蓋的情況相比較，能夠增大像素電極117R、117’ R與功能層19的接觸面積，并能夠提高開口率。提高開口率會引起發(fā)光面積的增大，因此能夠作為更高亮度的有機EL裝置101。
[0118]并且在紅色的發(fā)光元件115R、115’R中，第一端部141以及第七端部147被絕緣層129覆蓋，因此在露出第一端部141的一部分、第七端部147的一部分的情況，與像素電極117R、117’ R的周邊部140R、140’ R全部未被絕緣層129覆蓋的情況相比較，能夠減少從紅色的發(fā)光元件115R、115’ R釋放出的光中的異常發(fā)光所占的比例。由此，能夠作為色差少、顯示品質(zhì)優(yōu)異的有機EL裝置101。
[0119]本發(fā)明并不限于上述的實施方式，能夠在不違反從權(quán)利要求書以及說明書整體讀取的發(fā)明的主旨或者思想的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡M行變更，伴隨那樣的變更的發(fā)光裝置還是包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)的裝置。也可以在上述實施方式以外考慮各種變形例。以下，列舉變形例進行說明。
[0120]圖6 Ca)是變形例I所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖，該圖6 (b)是變形例2所涉及的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的俯視圖。
[0121]變形例I
[0122]在上述實施方式1、2中，第四端部44A、144A以及第六端部46A、146A側(cè)為未被絕緣層29、129覆蓋的構(gòu)成，但并不限于此。例如，如圖6 (a)所示，在變形例的發(fā)光裝置201中為，構(gòu)成一個像素213的、沿著子像素214G中的像素電極217G的第二方向的第四端部244A、和沿著子像素214B中的像素電極217B的第二方向的第六端部246A被絕緣層229覆蓋的構(gòu)成。換句話說，若為像素電極217G、217B的長度方向的端部243、245的大部分未被絕緣層229覆蓋的構(gòu)成，則能夠提高子像素214G、214B的開口率。
[0123]變形例2
[0124]在上述實施方式I中，為紅色的發(fā)光元件15R的像素電極17R的周邊部全部被絕緣層29覆蓋的構(gòu)成，但并不限于此。例如，如圖6 (b)所示，在變形例的發(fā)光裝置301中，也可以構(gòu)成為在構(gòu)成一個像素313的、子像素314R中的像素電極317R的第二端部342A的至少一部分(未設(shè)置接觸孔30側(cè)的一部分)未被絕緣層329覆蓋。由此，與紅色的發(fā)光元件315R的像素電極317R的周邊部340R全部被絕緣層329覆蓋的構(gòu)成的情況相比較，能夠增大發(fā)光面積，并能夠作為高亮度的發(fā)光裝置301。
[0125]變形例3
[0126]在上述實施方式I中，為紅色的發(fā)光元件15R的像素電極17R的第一端部41和第二端部42被絕緣層29覆蓋的構(gòu)成，但并不限于該構(gòu)成。若在綠色的發(fā)光元件15G中能夠明顯地視覺識別異常發(fā)光，則也可以為以絕緣層29覆蓋發(fā)光元件15G的像素電極17G的周邊部40G、或者第三端部43和第四端部44的至少一部分的構(gòu)成。另外，若在藍色的發(fā)光元件15B中異常發(fā)光變得很明顯，則也可以為以絕緣層29覆蓋發(fā)光元件15B的像素電極17B的周邊部40B、或者第五端部45和第六端部46的至少一部分的構(gòu)成。即，也可以針對構(gòu)成像素13的多個子像素14中、例如明顯地視覺識別異常發(fā)光的兩種子像素14成為如上所述的構(gòu)成。對于上述實施方式2也同樣。
[0127]變形例4
[0128]另外，在上述實施方式I中，以紅色的子像素14R、綠色的子像素14G、藍色的子像素14B構(gòu)成一個像素13，但也可以由兩種子像素14構(gòu)成一個像素13。作為例子，列舉出以藍色的子像素14B和黃色(Y)的子像素14Y構(gòu)成一個像素13的情況。
[0129]變形例5
[0130]在上述實施方式1、2中為具有共振器結(jié)構(gòu)的方式，但共振器結(jié)構(gòu)不是必需的構(gòu)成。為了將本發(fā)明的發(fā)光裝置作為顯示圖像等的顯示裝置而利用，有時設(shè)置用于分離從發(fā)光元件釋放出的光的彩色濾光片來提高顏色純度。此時也未必采用共振結(jié)構(gòu)。然而由于彩色濾光片的特性有時不能完全吸收從像素電極的周邊部上的功能層釋放出的異常發(fā)光。若在那樣的情況下應(yīng)用本發(fā)明，能夠減少混在從發(fā)光元件釋放出的光中的異常發(fā)光的比例，因而能夠作為顯示品質(zhì)優(yōu)異的高亮度的發(fā)光裝置。
[0131]此外，彩色濾光片也可以貼合形成在其他的基板上的部件，且在陰極上設(shè)置用于阻止水分、氧到達發(fā)光元件的保護層，在保護層上直接形成彩色濾光片。
[0132]變形例6
[0133]在上述實施方式I中，像素電極17的形狀為矩形，但并不限于此。例如，也可以是像素電極17的角部帶有圓弧的大致矩形，也可以是多邊形、圓形、橢圓形。另外，也可以是如在矩形、橢圓的一部分設(shè)置凸部的結(jié)構(gòu)。而且也可以在該凸部設(shè)置與像素電路16連接的連接部。無論像素電極17的形狀是什么樣的形狀，在像素電極17的周邊部40中對于在發(fā)光時產(chǎn)生不良情況的發(fā)光元件15，絕緣層29覆蓋像素電極17的周邊部40的大部分(50%以上)的構(gòu)成即可。而且，在像素電極17的周邊部40中不產(chǎn)生發(fā)光的不良情況、或者其影響很小的發(fā)光元件15的像素電極17的周邊部40為絕緣層29未覆蓋其大部分(50%以上)的構(gòu)成即可。換句話說，在周邊部40中未產(chǎn)生發(fā)光的不良情況、或者其影響很小的發(fā)光元件15的像素電極17的周邊部以絕緣層29覆蓋其小于50%即可。由此，能夠作為顯示品質(zhì)優(yōu)異的高亮度的發(fā)光裝置。
[0134]另外，設(shè)置在絕緣層29的第一開口 31、第二開口 32的形狀也可以是任意的形狀。如圖3 (a)所示，可以為矩形，也可以為矩形的角部帶有圓弧。也可以是多邊形、圓形、橢圓形。也可以是如在矩形、橢圓的一部分上設(shè)置有凹部、凸部的形狀。
[0135]實施方式3
[0136]電子設(shè)備
[0137]接下來，參照圖9對本實施方式的電子設(shè)備進行說明。圖9是表示作為電子設(shè)備的頭戴顯示器的示意立體圖。
[0138]如圖9所示，作為本實施方式的電子設(shè)備的頭戴顯示器1000具有與左右眼對應(yīng)地設(shè)置的2個顯示部1001。觀察者通過將頭戴顯示器1000像眼鏡那樣地佩戴在頭部，能夠觀察在顯示部1001顯示的文字、圖像等。例如，若在左右的顯示部1001顯示考慮了視差的圖像，則還能夠欣賞立體的映像。
[0139]在顯示部1001安裝有上述的有機EL裝置I。因此，能夠作為色差少、顯示品質(zhì)優(yōu)異的頭戴顯示器1000。另外，由于開口率高，所以能夠作為單位面積的亮度高的頭戴顯示器1000。
[0140]頭戴顯示器1000并不限定具有2個顯示部1001，也可以為具備與左右的任意一個對應(yīng)的一個顯示部1001的構(gòu)成。
[0141]此外，安裝有上述有機EL裝置I的電子設(shè)備并不限定于頭戴顯示器1000。例如，列舉出上升顯示器、個人計算機、便攜式信息終端、導(dǎo)航儀、瀏覽器等具有顯示部的電子設(shè)備。
[0142]附圖標(biāo)記的說明 [0143]I…作為發(fā)光裝置的有機EL裝置;10…基板;13…像素;14、14R、14G、14B…子像素;15、15R、15G、15B…發(fā)光元件;16、16R、16G、16B…像素電路;17、17R、17G、17B…像素電極；18…對置電極；19…功能層；27…反射層；28…層間絕緣層；29…絕緣層；30…接觸孔；31…第一開口 ；32…第二開口 ；40…周邊部；41…第一端部；42…第二端部；43…第三端部；44…第四端部；45…第五端部；46…第六端部；1000…作為電子設(shè)備的頭戴顯不器。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具有: 基板； 第一發(fā)光兀件，其被配置在所述基板的第一面上，并具有第一像素電極、對置電極、以及在所述第一像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，該第一發(fā)光元件應(yīng)釋放出第一光; 第二發(fā)光元件，其被配置在所述第一面上，并具有第二像素電極、對置電極、以及在所述第二像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，該第二發(fā)光元件應(yīng)釋放出第二光；以及 絕緣層，其經(jīng)由所述第一像素電極和所述第二像素電極而配置在所述第一面與所述功能層之間，并設(shè)置有使所述第一像素電極露出的第一開口、和使所述第二像素電極露出的第二開口， 所述第一開口通過所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極的周邊部中50%以上而構(gòu)成， 所述第二開口通過所述絕緣層覆蓋所述第二像素電極的周邊部中小于50%而構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一像素電極和所述第二像素電極為平面形狀，該平面形狀在第二方向上的長度比第一方向上的長度短，所述第二方向與所述第一方向交叉， 所述第一開口通過所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極的周邊部中至少沿著所述第一方向的端部而構(gòu)成， 所述第二開口通過所述絕緣層覆蓋所述第二像素電極的周邊部中沿著所述第二方向的端部的至少一部分而構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述`的發(fā)光裝置，其特征在于，具有: 第一像素電路，其被配置在所述第一面與所述第一像素電極之間，并控制所述第一發(fā)光元件的驅(qū)動； 第一連接部，其將所述第一像素電極和所述第一像素電路連接起來； 第二像素電路，其被配置在所述第一面與所述第二像素電極之間，并控制所述第二發(fā)光元件的驅(qū)動；以及 第二連接部，其將所述第二像素電極和所述第二像素電路連接起來， 所述絕緣層以與所述第一連接部以及所述第二連接部重疊的方式被形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一連接部被配置在所述第一像素電極的周邊部中沿著所述第二方向的端部側(cè)， 所述第二連接部被配置在所述第二像素電極的周邊部中沿著所述第二方向的端部側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二像素電極的厚度比所述第一像素電極的厚度薄。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 具備第三發(fā)光元件，該第三發(fā)光元件被配置在所述第一面上，并具有第三像素電極、對置電極、以及在所述第三像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，所述第三發(fā)光元件應(yīng)釋放出第三光， 所述第二發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件在第二方向上相鄰地被配置， 所述第二開口在與所述第二方向交叉的第一方向上跨越所述第二像素電極和所述第三像素電極，并通過覆蓋所述第二像素電極和第三像素電極的周邊部中小于50 %而構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 具有反射層，該反射層被配置在所述第一面與所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極之間，所述對置電極是使從所述功能層釋放出的光的一部分透過、一部分反射的半透過反射層， 在所述第一發(fā)光元件、所述第二發(fā)光元件、所述第三發(fā)光元件的每一發(fā)光元件中，在所述反射層與所述半透過反射層之間形成有共振器結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 具有: 第三像素電路，其被配置在所述第一面與所述第三像素電極之間，并控制所述第三發(fā)光元件的驅(qū)動；和 第三連接部，其將所述第三像素電極和所述第三像素電路連接起來， 所述絕緣層與所述第三連接部重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6~8中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第三像素電極的厚度比所述第一像素電極的厚度薄。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 具備第四發(fā)光元件，其被配置在所述第一面上，并具有第四像素電極、對置電極、以及在所述第四像素電極與所述對置電極之間包含發(fā)光層的功能層，所述第四發(fā)光元件應(yīng)釋放出所述第一光， 所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件在第二方向上相鄰地被配置， 所述第一發(fā)光元件和所述第四發(fā)光元件在與所述第二方向交叉的第一方向上相鄰地被配置， 所述第一開口在所述第二方向上跨越所述第一像素電極和所述第四像素電極，并通過所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極和所述第四像素電極的周邊部中50%以上而構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一像素電極和所述第四像素電極為平面形狀，該平面形狀在所述第二方向上的長度比所述第一方向上的長度短， 所述第一開口被構(gòu)成為:所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極和所述第四像素電極的周邊部中沿著所述第一方向的端部，而未覆蓋沿著所述第二方向的端部中在所述第一方向上相鄰的端部。
12.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1~11中任意一項所述的發(fā)光裝置。
【文檔編號】H01L27/32GK103579290SQ201310316715
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】巖崎正憲, 藤田伸 申請人:精工愛普生株式會社