有機(jī)發(fā)光裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)的制作方法
有機(jī)發(fā)光裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種有機(jī)發(fā)光裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)。此有機(jī)發(fā)光裝置包括一基板；以及一有機(jī)發(fā)光像素陣列配置于該基板上。該有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素，每一像素包含一第一次像素，及一第二次像素。每一次像素包含：一第一電極、一有機(jī)發(fā)光單兀配置、一第二電極；以及一光學(xué)路徑調(diào)整層配置于該第一電極與該有機(jī)發(fā)光單元之間或該第二電極與該有機(jī)發(fā)光單元之間。其中該第一次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光裝置，更特別是涉及具有高出光效率的有機(jī)發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，隨著電子產(chǎn)品發(fā)展技術(shù)的進(jìn)步及其日益廣泛的應(yīng)用，像是移動電話、PDA 及筆記型電腦的問市，使得與傳統(tǒng)顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器 的需求與日俱增，成為目前最重要的電子應(yīng)用產(chǎn)品之一。在平面顯示器當(dāng)中，由于有機(jī)發(fā)光 件具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高反應(yīng)速度及制作工藝容易等特性，使得有機(jī)發(fā)光件無疑 的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。
[0003] 有機(jī)發(fā)光件為使用有機(jī)層作為主動發(fā)光的二極管，近年來已漸漸使用于平面面板 顯示器（flat panel display)上。開發(fā)出具有高發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光元件是目前平面顯 示技術(shù)的主要趨勢之一。
[0004] 而以目前制作全彩0LED的制作工藝技術(shù)而言，不外乎以下列三種制作工藝方式 (a) RGB 像素并置法（RGB side by side Method)、（b)色轉(zhuǎn)換法（CCM Method)以及（c)白 光 OLED 加彩色濾光片法（white OLED+Color Filter Method)。
[0005] 其中白光OLED加彩色濾光片法是利用紅色、藍(lán)色、綠色光的混合成白光在加上彩 色濾光片來達(dá)到顯示器全彩化的效果，所以該像素結(jié)構(gòu)需具有紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層及 藍(lán)色發(fā)光層，以同時產(chǎn)生三色光。然而，利用三色發(fā)光層法所形成的全彩化有機(jī)發(fā)光元件， 其紅色、藍(lán)色及綠色有機(jī)發(fā)光二極管材料層是通過個別的掩模沉積而成，如此的制作工藝 方式不但步驟復(fù)雜外，對于掩模的對位要求也需十分的精準(zhǔn)，且易引起遮蔽效應(yīng)造成像素 的大小不均。此外，由于紅色、藍(lán)色及綠色有機(jī)發(fā)光二極管材料的老化速率（aging rate) 各不相同，因此該主動式全彩化有機(jī)發(fā)光元件在使用一段時間后，極易有色彩劣化（color deterioration)的現(xiàn)象發(fā)生。
[0006] 因此，發(fā)展出具有高發(fā)光效率及較低制作工藝復(fù)雜度的全彩化有機(jī)發(fā)光裝置，以 改善上述缺點(diǎn)，是目前發(fā)光裝置制作工藝技術(shù)上亟需研究的重點(diǎn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 為解決上述問題，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，包含：一基板；以及， 一有機(jī)發(fā)光像素陣列配置于該基板上，其中該有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素，該每一像 素包含一第一次像素，及一第二次像素。其中，該第一次像素，及該第二次像素分別包含：一 第一電極，配置于該基板上；一有機(jī)發(fā)光單兀配置于該第一電極上，其中該有機(jī)發(fā)光單兀包 含一第一光色發(fā)光層及一第二光色發(fā)光層；一第二電極配置于該有機(jī)發(fā)光單兀；以及一光 學(xué)路徑調(diào)整層配置于該第一電極與該有機(jī)發(fā)光單元之間或該第二電極與該有機(jī)發(fā)光單元 之間。其中該第一次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度實(shí) 質(zhì)上相同。
[0008] 本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種影像顯示系統(tǒng)，包含一電子裝置，其中該電子裝置包 含：一顯示裝置及一輸入單元。其中，而該顯示裝置包含權(quán)利要求第1項所述的有機(jī)發(fā)光 裝置。該輸入單元與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元傳輸一信號至該顯示裝置以產(chǎn)生影 像。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009] 在不同的特征中所對應(yīng)的數(shù)字和符號，除非另有注記，一般而言視為對應(yīng)部分。所 繪示的特征清楚地標(biāo)明了【具體實(shí)施方式】的相關(guān)態(tài)樣，且其并不一定依比例繪制。
[0010] 圖1、圖2、圖3A、圖4、圖5A、圖6A、圖7A、及圖8為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù) 本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素及次像素結(jié)構(gòu)；
[0011] 圖3B、圖5B、圖6B、及圖7B分別為圖3A、圖5A、圖6A、及圖7A所述裝置的次像素 駐波示意圖；
[0012] 圖9為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素 及次像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包含一透明封裝基板配置于第二電極之上；
[0013] 圖10為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像 素及次像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包含一濾光片配置于透明封裝基板及第二電極間；
[0014] 圖11為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像 素及次像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包含一濾光片配置于基板及第一電極間；
[0015] 圖12是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的影像顯示系統(tǒng)的方塊示意圖。
[0016] 符號說明
[0017] 1第一次像素
[0018] 2第二次像素
[0019] 10有機(jī)發(fā)光裝置
[0020] 12 基板
[0021] 14第一電極
[0022] 15第一光色發(fā)光層
[0023] 16第二電極
[0024] 17第二光色發(fā)光層
[0025] 18有機(jī)發(fā)光單元
[0026] 20光學(xué)路徑調(diào)整層
[0027] 25封裝基板
[0028] 30藍(lán)光發(fā)光層
[0029] 40紅光發(fā)光層
[0030] 50綠光發(fā)光層
[0031] 52透明導(dǎo)電層
[0032] 54空穴注入層
[0033] 56電子傳輸層
[0034] 58 電荷產(chǎn)生層
[0035] 60空穴注入層
[0036] 62電子傳輸層
[0037] 64透明導(dǎo)電層
[0038] 66空穴注入層
[0039] 100 顯示裝置
[0040] 150 輸入單元
[0041] 200電子裝置
[0042] D1、D2、D3光學(xué)路徑長度
[0043] B藍(lán)光次像素
[0044] BF藍(lán)光濾光片
[0045] G綠光次像素
[0046] GF綠光濾光片
[0047] P 像素
[0048] R紅光次像素
[0049] RF紅光濾光片
【具體實(shí)施方式】
[0050] 以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著【專利附圖】
【附圖說明】的范例，做為本發(fā)明的參考依據(jù)。且 在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的 部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具 有通常知識者所知的形式，此外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用 以限定本發(fā)明。
[0051] 本發(fā)明一實(shí)施例公開一有機(jī)發(fā)光裝置10,請參照圖1，包含一基板12 ;以及一有機(jī) 發(fā)光像素陣列（未圖示），其中有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素 P，每一像素 P至少包含一 第一次像素1，及一第二次像素2 (根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，像素 P也可包含三個次像素或三個以 上次像素）。其中第一次像素1，及第二次像素2可分別包含：一第一電極14,配置于基板 12上；一有機(jī)發(fā)光單元18配置于第一電極14上，其中有機(jī)發(fā)光單元18包含一第一光色發(fā) 光層15及一第二光色發(fā)光層17 ;-第二電極16配置于有機(jī)發(fā)光單兀18上；以及，一光學(xué) 路徑調(diào)整層20配置于第二電極16與有機(jī)發(fā)光單元18之間。值得注意的是，在第一次像素 1中，第一光色發(fā)光層15所發(fā)出的一第一光色在第一次像素1內(nèi)會形成一第一駐波（未圖 示），且第一次像素1的第一光色發(fā)光層15位于第一駐波的反節(jié)點(diǎn)位置上。此外，在第二次 像素2中，第二光色發(fā)光層17所發(fā)出的一第二光色在第二次像素2內(nèi)形成一第二駐波，且 第二次像素2的第二光色發(fā)光層17位于第二駐波的反節(jié)點(diǎn)位置上。再者，第一光色及第 二光色不相同，且第一光色發(fā)光層15及第二光色發(fā)光層17也不相同。舉例來說，第一光色 可為藍(lán)光、及第二光色為紅光，且第一光色發(fā)光層15為藍(lán)色發(fā)光層，而第二光色發(fā)光層17 為紅色發(fā)光層。
[0052] 此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，第一次像素1及第二次像素2的所有膜層（包含第一電 極14、一有機(jī)發(fā)光單元18、第二電極16、以及光學(xué)路徑調(diào)整層20)經(jīng)相同的制作工藝及以相 同的材料同時形成，因此第一次像素1及第二次像素2的所有膜層的材質(zhì)及厚度皆相同或 實(shí)質(zhì)上相同。再者，根據(jù)本發(fā)明一發(fā)明目的，在第一次像素1的第一光色發(fā)光層15位于第 一駐波的反節(jié)點(diǎn)位置上以及第二次像素2的第二光色發(fā)光層17位于第二駐波的反節(jié)點(diǎn)位 置上的前提下，第一次像素1的光學(xué)路徑調(diào)整層20與第二次像素1的光學(xué)路徑調(diào)整層20 具有相同組成及相同的厚度或?qū)嵸|(zhì)上相同的厚度。在此"實(shí)質(zhì)上相同"一詞指，第一次像素 的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度與第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度的差值在兩者（第一次 像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度與第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度）總和的±5%范圍 內(nèi)（即可以下述公式表示：（T1_T2V(T1+T2)xl00% = ±5%，其中T1 :第一次像素的光學(xué)路 徑調(diào)整層的厚度；T2第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度），而造成該厚度差的原因為：第 一次像素及第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層，在制作工藝時雖然以相同的材料并在相同的步 驟（即制作工藝參數(shù)相同）中形成，以令其材質(zhì)及厚度相同。但是，在實(shí)際制作工藝時會因 制作工藝上的偏差使得第一次像素1及第二次像素2的光學(xué)路徑調(diào)整層的實(shí)際厚度可能會 略有差異。因此，第一次像素1與第二次像素2共用相同材料厚度，達(dá)到減少制作工藝數(shù)目 的優(yōu)點(diǎn)，且同時利用微共振腔效應(yīng)，增加發(fā)光層的發(fā)光效率。
[0053] 仍請參照圖1，為達(dá)上述目的，第一次像素1的光學(xué)路徑調(diào)整層20與第二電極16 接觸，而第二次像素2的光學(xué)路徑調(diào)整層20同樣與第二電極16接觸。在此實(shí)施例中，第一 次像素1的第一光色發(fā)光層15 (例如為藍(lán)色發(fā)光層）至第二電極16對第一光色（例如為 藍(lán)光）的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl (在圖1中，D1指第一光 色由第二電極16至第一光色發(fā)光層15的光學(xué)路徑長度的最短距離）可介于194至351nm 之間；而第二次像素2的第二光色發(fā)光層17 (例如為紅色發(fā)光層）至第二電極16的對第二 光色（例如為紅光）的最短光學(xué)路徑長度D2(在圖1中，D2指第二光色由第二電極16至 第二光色發(fā)光層17的光學(xué)路徑長度的最短距離）介于327至505nm之間。上述的光學(xué)路 徑長度（optical path length)的定義如下：光學(xué)路徑長度等于發(fā)光層至對應(yīng)電極（在此 實(shí)施例為第二電極）之間的實(shí)際厚度乘以對應(yīng)各層材料的折射率：
[0054] n D=nl*dl+n2*d2......nm*dm)，（D=dl+d2+......+dm)
[0055] n D :光學(xué)路徑長度，D :實(shí)際總厚度，n :平均折射率，n i :第i層材料的折射率， di :第i層材料的厚度，i=l, 2,…!!!。
[0056] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，第一次像素1及第二次像素2的光學(xué)路徑調(diào)整層20也 可配置于第一電極14與有機(jī)發(fā)光單元18之間，請參照圖2。換言之光學(xué)路徑調(diào)整層20直 接形成于第一電極14之上并與其接觸。此外，第一次像素1的第一光色發(fā)光層15 (例如 為藍(lán)色發(fā)光層）至第一電極14對第一光色（例如為藍(lán)光）的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl (在圖2中，D1指第一光色由第一電極14至第一光色發(fā)光層15 的光學(xué)路徑長度的最短距離）同樣可介于194至351nm之間；而第二次像素2的第二光色 發(fā)光層17 (例如為紅色發(fā)光層）至第一電極14的對第二光色（例如為紅光）的最短光學(xué) 路徑長度D2(在圖2中，D2指第二光色由第一電極14至第二光色發(fā)光層17的光學(xué)路徑長 度的最短距離）同樣可介于327至505nm之間。
[0057] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，基板12可為石英、玻璃、硅、金屬、塑膠、陶瓷材料、或 是一具有主動單元的基板，例如為一薄膜晶體管基板。有機(jī)發(fā)光裝置10可為一上發(fā)光 (top-emission)有機(jī)發(fā)光裝置、或為一下發(fā)光（bottom-emission)有機(jī)發(fā)光裝置、或為一 穿透式（transparent)有機(jī)發(fā)光裝置。若有機(jī)發(fā)光裝置10為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，第一 電極14為一反射電極、而第二電極16則為透明電極或半反半穿透電極。另一方面，若有機(jī) 發(fā)光裝置10為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，第一電極14為一透明電極或半反半穿透電極、而第 二電極16則為一反射電極。反射電極的材質(zhì)可例如為鋁（A1)、銅（Cu)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、 鉬（Pt)、銥（Ir)、鎳（Ni)、鉻（Cr)、銀（Ag)、金（Au)、鶴（W)、鈕（Pd)、或以上述元素作為主 成分與其他金屬構(gòu)筑的合金。透明電極的材質(zhì)可例如為銦錫氧化物（indium tin oxide、 IT0)、銦鋅氧化物（indium zinc oxide、IZ0)、或是其它金屬氧化物所形成的透明導(dǎo)電層。 半反半穿透電極可為單層或多層半透明金屬層（例如鋁（A1)、銅（Cu)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鉬 (Pt)、銥（Ir)、鎳（Ni)、鉻（Cr)、銀（Ag)、金（Au)、鎢（W)、鎂（Mg)、或其合金所形成的半透明 膜層、或是金屬與透明導(dǎo)電層所形成的半透明復(fù)合電極。
[0058] 有機(jī)發(fā)光單元18可至少包含兩層發(fā)光層（例如第一光色發(fā)光層15及第二光色 發(fā)光層17)。此外，根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光單兀18可包含三層或以上的發(fā)光層。 再者，除了發(fā)光層外，有機(jī)發(fā)光單元18更可以包含其他已知的膜層（例如：空穴傳輸層、空 穴注入層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產(chǎn)生層（charge generation layer)、或是載流 子阻擋層）。有機(jī)發(fā)光單元18的各膜層可分別為小分子有機(jī)發(fā)光材料或高分子有機(jī)發(fā)光 材料，若為小分子有機(jī)發(fā)光二極管材料，可利用真空蒸鍍方式形成有機(jī)發(fā)光二極管材料層； 若為高分子有機(jī)發(fā)光二極管材料，則可使用旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨或網(wǎng)版印刷等方式形成有機(jī)發(fā) 光二極管材料層。此外，有機(jī)發(fā)光單兀18的每一發(fā)光層可包含一有機(jī)發(fā)光材料及一摻雜 物（dopant)，熟悉本技術(shù)者可視所使用的有機(jī)發(fā)光材料及所需的元件特性而改變所搭配 的摻雜物的摻雜量。摻雜物可為能量傳移（energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集 (carrier trapping)型摻雜材料。有機(jī)發(fā)光材料可為突光（fluorescence)發(fā)光材料。而 在本發(fā)明的某些較佳實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光材料也可為磷光（phosphorescence)發(fā)光材料。 熟悉本技術(shù)者可視所使用的有機(jī)發(fā)光材料及所需的元件特性而改變有機(jī)發(fā)光單元，因此， 有機(jī)發(fā)光單元的膜層組成、材質(zhì)、及厚度非關(guān)本發(fā)明的特征，非為限制本發(fā)明范圍的依據(jù)。
[0059] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，光學(xué)路徑調(diào)整層20的材質(zhì)可例如為空穴注入或傳輸材 料、電子注入或傳輸材料、透明導(dǎo)電層、或其組合。舉例來說，光學(xué)路徑調(diào)整層20可為透明 導(dǎo)電層、空穴注入材料、電子傳輸材料、或其組合。光學(xué)路徑調(diào)整層20形成的目的在于調(diào)整 各次像素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光單元18的對應(yīng)的發(fā)光層位置，使得發(fā)光層能位于次像素內(nèi)駐波的 反節(jié)點(diǎn)上。根據(jù)電磁學(xué)理論，當(dāng)將發(fā)光層設(shè)置于駐波反節(jié)點(diǎn)附近的位置時，可強(qiáng)化微共振腔 效應(yīng)（microcavity effect)，以增強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度。舉例來說，可通過調(diào)整藍(lán)光次像素的光學(xué)路 徑調(diào)整層、綠光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層、以及紅光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層，分別使得藍(lán) 光次像素內(nèi)的藍(lán)光發(fā)光層、綠光次像素內(nèi)的綠光發(fā)光層、以及紅光次像素內(nèi)的紅光發(fā)光層 同時位于其各自對應(yīng)駐波的反節(jié)點(diǎn)上。根據(jù)本發(fā)明一發(fā)明目的，即在維持藍(lán)光次像素的藍(lán) 光發(fā)光層及紅光次像素的紅光發(fā)光層位于反節(jié)點(diǎn)附近位置的前提下，統(tǒng)一藍(lán)光次像素及紅 光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層（使其具有相同厚度），因此可減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制 作工藝步驟（藍(lán)光次像素及紅光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層已在同一步驟完成），達(dá)到降低 制作工藝復(fù)雜度的目的。
[0060] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，像素可更包含一第三次像素。請參照圖3A，為本發(fā)明一實(shí) 施例所述的上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置10,其具有藍(lán)光次像素 B、綠光次像素 G、以及紅光次像素 R〇
[0061] 仍請參照圖3A，每一次像素 B、G、以及R各自包含一第一電極14(為一反射電極）、 一光學(xué)路徑調(diào)整層20形成于第一電極14上、一有機(jī)發(fā)光單元18形成于光學(xué)路徑調(diào)整層20 上、一第二電極（半反半穿透電極）16形成于有機(jī)發(fā)光單元18上。其中，有機(jī)發(fā)光單元18 依序包含藍(lán)光發(fā)光層30、電子傳輸層56、電荷產(chǎn)生層58、空穴注入層60、紅光發(fā)光層40、綠 光發(fā)光層50、以及電子傳輸層62 ;而光學(xué)路徑調(diào)整層20包含透明導(dǎo)電層52、以及空穴注入 層54。
[0062] 值得注意的是次像素 B與R所有膜層（包含光學(xué)路徑調(diào)整層20)的組成及厚度皆 相同（由相同步驟經(jīng)相同制作工藝所得）。此外，次像素 B與R、以及像素 G，除了光學(xué)路徑 調(diào)整層20厚度不同外，其他的膜層的組成及厚度皆相同（由相同步驟經(jīng)相同制作工藝所 得）。
[0063] 詳細(xì)的說，在此實(shí)施例中，次像素 B、G、與R其光學(xué)路徑調(diào)整層20的空穴注入層54 厚度是固定的，主要是通過調(diào)整光學(xué)路徑調(diào)整層20內(nèi)的透明導(dǎo)電層52的厚度，使得藍(lán)光 次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光 層50分別位各自像素駐波內(nèi)的反節(jié)點(diǎn)上。在此實(shí)施例中，是利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程 式計算出藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光色發(fā)光層30至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl(針對藍(lán)光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第一電極 14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D3(針對綠光波長）、以及紅光 次像素 R的紅光色發(fā)光層40至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D2 (針對紅光波長），以使得次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同） 的光學(xué)路徑調(diào)整層20(即次像素 B與次像素 R的透明導(dǎo)電層52厚度相同）。如此一來，可 減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0064] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于229至343nm之間（例如286nm)、 最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于328至484nm之間（例如406nm)、而最短光學(xué)路徑長度 D3的范圍介于280至410nm之間（例345nm)。請參照圖3B，此時，以第一電極14為基準(zhǔn) 面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠 光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二電極16(半反半穿透電極）為 基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，而紅光次像素 R的紅 光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上。
[0065] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，也可固定 光學(xué)路徑調(diào)整層20的透明導(dǎo)電層52,改通過調(diào)整空穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20 的厚度，請參照圖4。
[0066] 圖4所述的實(shí)施例與圖3A所述實(shí)施例的差別在于，圖4所述的實(shí)施例改以調(diào)整空 穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20的厚度。在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1、最短 光學(xué)路徑長度D2、及最短光學(xué)路徑長度D3的范圍與圖3A所述實(shí)施例相同。此時，以第一電 極14 (反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層 40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二電極 16 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波 的第一反節(jié)點(diǎn)上（與圖3A所示實(shí)施例相同）。
[0067] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，光學(xué)路徑 調(diào)整層20可為一電子傳輸層，請參照圖5A。在圖5A所述的實(shí)施例中，光學(xué)路徑調(diào)整層20 位于第二電極16與有機(jī)發(fā)光單元18之間。因此，有機(jī)發(fā)光單元18由第一電極14至第二 電極的方向，依序包含：透明導(dǎo)電層64、空穴注入層66、紅光發(fā)光層40、綠光發(fā)光層50、電子 傳輸層56、電荷產(chǎn)生層58、空穴注入層60、以及藍(lán)光發(fā)光層30。在此實(shí)施例中，通過調(diào)整光 學(xué)路徑調(diào)整層20 (由電子傳輸層構(gòu)成）的厚度，使得藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次 像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50分別位各自像素駐波內(nèi)的反節(jié) 點(diǎn)上。
[0068] 在此實(shí)施例中，利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程式計算出藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光色發(fā) 光層30至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl(針對藍(lán) 光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D3(針對綠光波長）、以及紅光次像素 R的紅光色發(fā)光層40至第二 電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D2(針對紅光波長），以使得 次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同）的光學(xué)路徑調(diào)整層20。如此一來，可 減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0069] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于202至316nm之間（例如259nm)、 最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于344至500nm之間（例如422nm)、而最短光學(xué)路徑長度 D3的范圍介于233至363nm之間（例298nm)。此時，請參照圖5B，以第一電極14(反射電 極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上； 以及，以第二電極16 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次 像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上。
[0070] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，請參照圖 6A。第一電極14為一半反半穿透電極，而第二電極16為一反射電極。
[0071] 在圖6A所述的實(shí)施例中，光學(xué)路徑調(diào)整層20為一電子傳輸層，且光學(xué)路徑調(diào)整 層20位于第二電極16與有機(jī)發(fā)光單元18之間。在此實(shí)施例中，通過調(diào)整光學(xué)路徑調(diào)整層 20 (由電子傳輸層構(gòu)成）的厚度，使得藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光 發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50分別位各自像素駐波內(nèi)的反節(jié)點(diǎn)上。
[0072] 在此實(shí)施例中，利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程式計算出藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光色發(fā) 光層30至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl(針對藍(lán) 光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D3 (針對綠光波長）、以及紅光次像素 R的紅光色發(fā)光層40至第二 電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D2(針對紅光波長），以使得 次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同）的光學(xué)路徑調(diào)整層20。如此一來，可 減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0073] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于194至308nm之間（例如 251nm)、最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于327至483nm之間（例如405nm)、而最短光學(xué)路徑 長度D3的范圍介于279至409nm之間（例344nm)。此時，請參照圖6B，以第一電極14(半 反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，而 紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第一 反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二電極16(反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅 光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反 節(jié)點(diǎn)上。
[0074] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，且光學(xué)路 徑調(diào)整層20設(shè)置于第一電極14與有機(jī)發(fā)光單元18之間，請參照圖7A。
[0075] 在圖7A所述的實(shí)施例中，每一次像素 B、G、以及R各自包含一第一電極14(為一 半反半穿透電極）、一光學(xué)路徑調(diào)整層20形成于第一電極14上、一有機(jī)發(fā)光單元18形成于 光學(xué)路徑調(diào)整層20上、一第二電極16(反射電極）形成于有機(jī)發(fā)光單元18上。其中，有機(jī) 發(fā)光單兀18依序包含藍(lán)光發(fā)光層30、電子傳輸層56、電荷產(chǎn)生層58、空穴注入層60、綠光 發(fā)光層50、紅光發(fā)光層40、以及電子傳輸層62 ;而光學(xué)路徑調(diào)整層20包含透明導(dǎo)電層52、 以及空穴注入層54。
[0076] 在此實(shí)施例中，次像素 B、G、與R其光學(xué)路徑調(diào)整層20的空穴注入層54厚度是固 定的，主要是通過調(diào)整光學(xué)路徑調(diào)整層20內(nèi)的透明導(dǎo)電層52的厚度，使得藍(lán)光次像素 B的 藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50分別位 各自像素駐波內(nèi)的反節(jié)點(diǎn)上。在此實(shí)施例中，是利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程式計算出藍(lán) 光次像素 B的藍(lán)光色發(fā)光層30至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D1 (針對藍(lán)光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第一電極14的最短光學(xué) 路徑長度（minimum optical path length) D3(針對綠光波長）、以及紅光次像素 R的紅光 色發(fā)光層40至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)D2(針 對紅光波長），以使得次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同）的光學(xué)路徑調(diào)整 層20 (即次像素 B與次像素 R的透明導(dǎo)電層52厚度相同）。如此一來，可減少一道光學(xué)路 徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0077] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于237至351nm之間（例如 294nm)、最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于349至505nm之間（例如427nm)、而最短光學(xué) 路徑長度D3的范圍介于270至400nm之間（例335nm)。此時，請參照圖7B，以第一電極 14 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光 層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二 電極16 (反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波 的第一反節(jié)點(diǎn)上。
[0078] 根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，對于下發(fā)光有機(jī)發(fā)光置，也可固定光學(xué)路徑調(diào)整層20的 透明導(dǎo)電層52,改通過調(diào)整空穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20的厚度，請參照圖8。
[0079] 圖8所述的實(shí)施例與圖7A所述實(shí)施例的差別在于，圖8所述的實(shí)施例改以調(diào)整空 穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20的厚度。在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1、最短 光學(xué)路徑長度D2、及最短光學(xué)路徑長度D3的范圍與圖7A所述實(shí)施例相同。此時，以第一電 極14 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā) 光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第 二電極16 (反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波 的第一反節(jié)點(diǎn)上（與圖7A所示實(shí)施例相同）。
[0080] 根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置10可更包含一透明封裝基板25配 置于第二電極16之上，請參照圖9。上述有機(jī)發(fā)光裝置10可為一灰階顯示型照明裝置，或 是影像顯示系統(tǒng)。此外，根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，藍(lán)光濾光片BF、綠光濾光片GF、以及紅光 濾光片RF可進(jìn)一步配置于透明封裝基板25的上表面，并分別對應(yīng)藍(lán)光次像素 B、綠光次像 素 G、以及紅光次像素 R，使得有機(jī)發(fā)光裝置10具有全彩顯示的功能，請參照圖10。另外，若 有機(jī)發(fā)光裝置10為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置10,則在第一電極14與基板12之間可配置藍(lán)光 濾光片BF、綠光濾光片GF、以及紅光濾光片RF (分別對應(yīng)藍(lán)光次像素 B、綠光次像素 G、以及 紅光次像素 R)，使得有機(jī)發(fā)光裝置10具有全彩顯示的功能，請參照圖11。
[0081] 圖12是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的影像顯示系統(tǒng)方塊示意圖，其可實(shí)施于 顯示裝置100或電子裝置200,例如筆記型電腦、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、個人數(shù)字助理、桌上型電 腦、電視機(jī)、車用顯示器、或攜帶型播放器。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置10可設(shè)置于顯示裝 置100,而顯示裝置100可為全彩有機(jī)發(fā)光顯示器。在其他實(shí)施例中，顯示裝置100可設(shè)置 于電子裝置200中。如圖12所示，電子裝置200包括：顯示裝置100及輸入單元150。輸入 單元150耦接至平面顯示器裝置100,用以提供輸入信號(例如，影像信號）至顯示裝置100 以產(chǎn)生影像。
[0082] 前述已公開了本發(fā)明數(shù)個【具體實(shí)施方式】的特征，使此領(lǐng)域中具有通常技術(shù)者得更 加了解本發(fā)明細(xì)節(jié)的描述。此領(lǐng)域中具有通常技術(shù)者應(yīng)能完全明白且能使用所公開的技術(shù) 特征，做為設(shè)計或改良其他制作工藝和結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實(shí)現(xiàn)和達(dá)成在此所介紹實(shí)施態(tài)樣的 相同的目的和優(yōu)點(diǎn)。此領(lǐng)域中具有通常技術(shù)者應(yīng)也能了解這些對應(yīng)的說明，并沒有偏離本 發(fā)明所公開的精神和范圍，且可在不偏離本發(fā)明所公開的精神和范圍下進(jìn)行各種改變、替 換及修改。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包含： 基板；以及 有機(jī)發(fā)光像素陣列，其中該有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素，該每一像素包含一第一 次像素，及一第二次像素，其中該第一次像素，及該第二次像素分別包含： 第一電極，配置于該基板上； 有機(jī)發(fā)光單兀，配置于該第一電極上，其中該有機(jī)發(fā)光單兀包含一第一光色發(fā)光層及 一第二光色發(fā)光層，且該第一光色發(fā)光層發(fā)出一第一光色，該第二光色發(fā)光層發(fā)出一第二 光色； 第二電極，配置于該有機(jī)發(fā)光單元上；以及 光學(xué)路徑調(diào)整層，配置于該第一電極與該第二電極之間，其中該第一次像素的該光學(xué) 路徑調(diào)整層與該第二次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第一次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第 一電極或該第二電極接觸，且該第一次像素的該第一光色發(fā)光層至與該光學(xué)路徑調(diào)整層接 觸的電極的該第一光色的最短光學(xué)路徑長度介于194至351nm之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第二次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第 一電極或該第二電極接觸，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層至與該光學(xué)路徑調(diào)整層接 觸的電極的該第二光色的最短光學(xué)路徑長度介于327至505nm之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該有機(jī)發(fā)光裝置為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝 置，其中該第一電極為反射電極，且該第二電極為透明電極或半反半穿透電極，其中在該第 一次像素中，該第一光色在該第一次像素內(nèi)形成一第一駐波，且該第一次像素的該第一光 色發(fā)光層位于該第一駐波的反節(jié)點(diǎn)上，其中在該第二次像素中，該第二光色在該第二次像 素內(nèi)形成一第二駐波，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第二駐波的反節(jié)點(diǎn)上。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層位于該第一電極與該有 機(jī)發(fā)光單元之間，并與該第一電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，該第一次像素的該第一 光色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第 二駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上。
6. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第二電極與該有機(jī) 發(fā)光單元之間，并與該第二電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，該第一次像素的該第一光 色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第 二駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該有機(jī)發(fā)光裝置為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝 置，其中該第一電極為透明電極或半反半穿透電極，且該第二電極為反射電極，其中在該第 一次像素中，該第一光色在該第一次像素內(nèi)形成一第一駐波，且該第一次像素的該第一光 色發(fā)光層位于該第一駐波的反節(jié)點(diǎn)上，其中在該第二次像素中，該第二光色在該第二次像 素內(nèi)形成一第二駐波，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第二駐波的反節(jié)點(diǎn)上。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層位于該第二電極與該有 機(jī)發(fā)光單元之間，并與該第二電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，其中該第一次像素的該 第一光色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位 于該第二駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上。
9. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層位于該第一電極與該有 機(jī)發(fā)光單元之間，并與該第一電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，其中該第一次像素的該 第一光色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位 于該第二駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上。
10. -種影像顯示系統(tǒng)，包含電子裝置，該電子裝置包含： 顯示裝置，該顯示裝置包含權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置；以及 輸入單元，與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元傳輸一信號至該顯示裝置以產(chǎn)生影像。
【文檔編號】H01L51/50GK104218169SQ201310208507
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周政旭, 林金住, 盧英瑞, 林彥廷, 許名宏 申請人:群創(chuàng)光電股份有限公司
【專利摘要】本發(fā)明公開一種有機(jī)發(fā)光裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)。此有機(jī)發(fā)光裝置包括一基板；以及一有機(jī)發(fā)光像素陣列配置于該基板上。該有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素，每一像素包含一第一次像素，及一第二次像素。每一次像素包含：一第一電極、一有機(jī)發(fā)光單兀配置、一第二電極；以及一光學(xué)路徑調(diào)整層配置于該第一電極與該有機(jī)發(fā)光單元之間或該第二電極與該有機(jī)發(fā)光單元之間。其中該第一次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光裝置以及包含其的影像顯示系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光裝置，更特別是涉及具有高出光效率的有機(jī)發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，隨著電子產(chǎn)品發(fā)展技術(shù)的進(jìn)步及其日益廣泛的應(yīng)用，像是移動電話、PDA 及筆記型電腦的問市，使得與傳統(tǒng)顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器 的需求與日俱增，成為目前最重要的電子應(yīng)用產(chǎn)品之一。在平面顯示器當(dāng)中，由于有機(jī)發(fā)光 件具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高反應(yīng)速度及制作工藝容易等特性，使得有機(jī)發(fā)光件無疑 的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。
[0003] 有機(jī)發(fā)光件為使用有機(jī)層作為主動發(fā)光的二極管，近年來已漸漸使用于平面面板 顯示器（flat panel display)上。開發(fā)出具有高發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光元件是目前平面顯 示技術(shù)的主要趨勢之一。
[0004] 而以目前制作全彩0LED的制作工藝技術(shù)而言，不外乎以下列三種制作工藝方式 (a) RGB 像素并置法（RGB side by side Method)、（b)色轉(zhuǎn)換法（CCM Method)以及（c)白 光 OLED 加彩色濾光片法（white OLED+Color Filter Method)。
[0005] 其中白光OLED加彩色濾光片法是利用紅色、藍(lán)色、綠色光的混合成白光在加上彩 色濾光片來達(dá)到顯示器全彩化的效果，所以該像素結(jié)構(gòu)需具有紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層及 藍(lán)色發(fā)光層，以同時產(chǎn)生三色光。然而，利用三色發(fā)光層法所形成的全彩化有機(jī)發(fā)光元件， 其紅色、藍(lán)色及綠色有機(jī)發(fā)光二極管材料層是通過個別的掩模沉積而成，如此的制作工藝 方式不但步驟復(fù)雜外，對于掩模的對位要求也需十分的精準(zhǔn)，且易引起遮蔽效應(yīng)造成像素 的大小不均。此外，由于紅色、藍(lán)色及綠色有機(jī)發(fā)光二極管材料的老化速率（aging rate) 各不相同，因此該主動式全彩化有機(jī)發(fā)光元件在使用一段時間后，極易有色彩劣化（color deterioration)的現(xiàn)象發(fā)生。
[0006] 因此，發(fā)展出具有高發(fā)光效率及較低制作工藝復(fù)雜度的全彩化有機(jī)發(fā)光裝置，以 改善上述缺點(diǎn)，是目前發(fā)光裝置制作工藝技術(shù)上亟需研究的重點(diǎn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 為解決上述問題，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，包含：一基板；以及， 一有機(jī)發(fā)光像素陣列配置于該基板上，其中該有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素，該每一像 素包含一第一次像素，及一第二次像素。其中，該第一次像素，及該第二次像素分別包含：一 第一電極，配置于該基板上；一有機(jī)發(fā)光單兀配置于該第一電極上，其中該有機(jī)發(fā)光單兀包 含一第一光色發(fā)光層及一第二光色發(fā)光層；一第二電極配置于該有機(jī)發(fā)光單兀；以及一光 學(xué)路徑調(diào)整層配置于該第一電極與該有機(jī)發(fā)光單元之間或該第二電極與該有機(jī)發(fā)光單元 之間。其中該第一次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度實(shí) 質(zhì)上相同。
[0008] 本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種影像顯示系統(tǒng)，包含一電子裝置，其中該電子裝置包 含：一顯示裝置及一輸入單元。其中，而該顯示裝置包含權(quán)利要求第1項所述的有機(jī)發(fā)光 裝置。該輸入單元與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元傳輸一信號至該顯示裝置以產(chǎn)生影 像。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009] 在不同的特征中所對應(yīng)的數(shù)字和符號，除非另有注記，一般而言視為對應(yīng)部分。所 繪示的特征清楚地標(biāo)明了【具體實(shí)施方式】的相關(guān)態(tài)樣，且其并不一定依比例繪制。
[0010] 圖1、圖2、圖3A、圖4、圖5A、圖6A、圖7A、及圖8為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù) 本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素及次像素結(jié)構(gòu)；
[0011] 圖3B、圖5B、圖6B、及圖7B分別為圖3A、圖5A、圖6A、及圖7A所述裝置的次像素 駐波示意圖；
[0012] 圖9為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素 及次像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包含一透明封裝基板配置于第二電極之上；
[0013] 圖10為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像 素及次像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包含一濾光片配置于透明封裝基板及第二電極間；
[0014] 圖11為剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像 素及次像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包含一濾光片配置于基板及第一電極間；
[0015] 圖12是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的影像顯示系統(tǒng)的方塊示意圖。
[0016] 符號說明
[0017] 1第一次像素
[0018] 2第二次像素
[0019] 10有機(jī)發(fā)光裝置
[0020] 12 基板
[0021] 14第一電極
[0022] 15第一光色發(fā)光層
[0023] 16第二電極
[0024] 17第二光色發(fā)光層
[0025] 18有機(jī)發(fā)光單元
[0026] 20光學(xué)路徑調(diào)整層
[0027] 25封裝基板
[0028] 30藍(lán)光發(fā)光層
[0029] 40紅光發(fā)光層
[0030] 50綠光發(fā)光層
[0031] 52透明導(dǎo)電層
[0032] 54空穴注入層
[0033] 56電子傳輸層
[0034] 58 電荷產(chǎn)生層
[0035] 60空穴注入層
[0036] 62電子傳輸層
[0037] 64透明導(dǎo)電層
[0038] 66空穴注入層
[0039] 100 顯示裝置
[0040] 150 輸入單元
[0041] 200電子裝置
[0042] D1、D2、D3光學(xué)路徑長度
[0043] B藍(lán)光次像素
[0044] BF藍(lán)光濾光片
[0045] G綠光次像素
[0046] GF綠光濾光片
[0047] P 像素
[0048] R紅光次像素
[0049] RF紅光濾光片
【具體實(shí)施方式】
[0050] 以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著【專利附圖】
【附圖說明】的范例，做為本發(fā)明的參考依據(jù)。且 在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的 部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具 有通常知識者所知的形式，此外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用 以限定本發(fā)明。
[0051] 本發(fā)明一實(shí)施例公開一有機(jī)發(fā)光裝置10,請參照圖1，包含一基板12 ;以及一有機(jī) 發(fā)光像素陣列（未圖示），其中有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素 P，每一像素 P至少包含一 第一次像素1，及一第二次像素2 (根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，像素 P也可包含三個次像素或三個以 上次像素）。其中第一次像素1，及第二次像素2可分別包含：一第一電極14,配置于基板 12上；一有機(jī)發(fā)光單元18配置于第一電極14上，其中有機(jī)發(fā)光單元18包含一第一光色發(fā) 光層15及一第二光色發(fā)光層17 ;-第二電極16配置于有機(jī)發(fā)光單兀18上；以及，一光學(xué) 路徑調(diào)整層20配置于第二電極16與有機(jī)發(fā)光單元18之間。值得注意的是，在第一次像素 1中，第一光色發(fā)光層15所發(fā)出的一第一光色在第一次像素1內(nèi)會形成一第一駐波（未圖 示），且第一次像素1的第一光色發(fā)光層15位于第一駐波的反節(jié)點(diǎn)位置上。此外，在第二次 像素2中，第二光色發(fā)光層17所發(fā)出的一第二光色在第二次像素2內(nèi)形成一第二駐波，且 第二次像素2的第二光色發(fā)光層17位于第二駐波的反節(jié)點(diǎn)位置上。再者，第一光色及第 二光色不相同，且第一光色發(fā)光層15及第二光色發(fā)光層17也不相同。舉例來說，第一光色 可為藍(lán)光、及第二光色為紅光，且第一光色發(fā)光層15為藍(lán)色發(fā)光層，而第二光色發(fā)光層17 為紅色發(fā)光層。
[0052] 此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，第一次像素1及第二次像素2的所有膜層（包含第一電 極14、一有機(jī)發(fā)光單元18、第二電極16、以及光學(xué)路徑調(diào)整層20)經(jīng)相同的制作工藝及以相 同的材料同時形成，因此第一次像素1及第二次像素2的所有膜層的材質(zhì)及厚度皆相同或 實(shí)質(zhì)上相同。再者，根據(jù)本發(fā)明一發(fā)明目的，在第一次像素1的第一光色發(fā)光層15位于第 一駐波的反節(jié)點(diǎn)位置上以及第二次像素2的第二光色發(fā)光層17位于第二駐波的反節(jié)點(diǎn)位 置上的前提下，第一次像素1的光學(xué)路徑調(diào)整層20與第二次像素1的光學(xué)路徑調(diào)整層20 具有相同組成及相同的厚度或?qū)嵸|(zhì)上相同的厚度。在此"實(shí)質(zhì)上相同"一詞指，第一次像素 的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度與第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度的差值在兩者（第一次 像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度與第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度）總和的±5%范圍 內(nèi)（即可以下述公式表示：（T1_T2V(T1+T2)xl00% = ±5%，其中T1 :第一次像素的光學(xué)路 徑調(diào)整層的厚度；T2第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度），而造成該厚度差的原因為：第 一次像素及第二次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層，在制作工藝時雖然以相同的材料并在相同的步 驟（即制作工藝參數(shù)相同）中形成，以令其材質(zhì)及厚度相同。但是，在實(shí)際制作工藝時會因 制作工藝上的偏差使得第一次像素1及第二次像素2的光學(xué)路徑調(diào)整層的實(shí)際厚度可能會 略有差異。因此，第一次像素1與第二次像素2共用相同材料厚度，達(dá)到減少制作工藝數(shù)目 的優(yōu)點(diǎn)，且同時利用微共振腔效應(yīng)，增加發(fā)光層的發(fā)光效率。
[0053] 仍請參照圖1，為達(dá)上述目的，第一次像素1的光學(xué)路徑調(diào)整層20與第二電極16 接觸，而第二次像素2的光學(xué)路徑調(diào)整層20同樣與第二電極16接觸。在此實(shí)施例中，第一 次像素1的第一光色發(fā)光層15 (例如為藍(lán)色發(fā)光層）至第二電極16對第一光色（例如為 藍(lán)光）的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl (在圖1中，D1指第一光 色由第二電極16至第一光色發(fā)光層15的光學(xué)路徑長度的最短距離）可介于194至351nm 之間；而第二次像素2的第二光色發(fā)光層17 (例如為紅色發(fā)光層）至第二電極16的對第二 光色（例如為紅光）的最短光學(xué)路徑長度D2(在圖1中，D2指第二光色由第二電極16至 第二光色發(fā)光層17的光學(xué)路徑長度的最短距離）介于327至505nm之間。上述的光學(xué)路 徑長度（optical path length)的定義如下：光學(xué)路徑長度等于發(fā)光層至對應(yīng)電極（在此 實(shí)施例為第二電極）之間的實(shí)際厚度乘以對應(yīng)各層材料的折射率：
[0054] n D=nl*dl+n2*d2......nm*dm)，（D=dl+d2+......+dm)
[0055] n D :光學(xué)路徑長度，D :實(shí)際總厚度，n :平均折射率，n i :第i層材料的折射率， di :第i層材料的厚度，i=l, 2,…!!!。
[0056] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，第一次像素1及第二次像素2的光學(xué)路徑調(diào)整層20也 可配置于第一電極14與有機(jī)發(fā)光單元18之間，請參照圖2。換言之光學(xué)路徑調(diào)整層20直 接形成于第一電極14之上并與其接觸。此外，第一次像素1的第一光色發(fā)光層15 (例如 為藍(lán)色發(fā)光層）至第一電極14對第一光色（例如為藍(lán)光）的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl (在圖2中，D1指第一光色由第一電極14至第一光色發(fā)光層15 的光學(xué)路徑長度的最短距離）同樣可介于194至351nm之間；而第二次像素2的第二光色 發(fā)光層17 (例如為紅色發(fā)光層）至第一電極14的對第二光色（例如為紅光）的最短光學(xué) 路徑長度D2(在圖2中，D2指第二光色由第一電極14至第二光色發(fā)光層17的光學(xué)路徑長 度的最短距離）同樣可介于327至505nm之間。
[0057] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，基板12可為石英、玻璃、硅、金屬、塑膠、陶瓷材料、或 是一具有主動單元的基板，例如為一薄膜晶體管基板。有機(jī)發(fā)光裝置10可為一上發(fā)光 (top-emission)有機(jī)發(fā)光裝置、或為一下發(fā)光（bottom-emission)有機(jī)發(fā)光裝置、或為一 穿透式（transparent)有機(jī)發(fā)光裝置。若有機(jī)發(fā)光裝置10為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，第一 電極14為一反射電極、而第二電極16則為透明電極或半反半穿透電極。另一方面，若有機(jī) 發(fā)光裝置10為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，第一電極14為一透明電極或半反半穿透電極、而第 二電極16則為一反射電極。反射電極的材質(zhì)可例如為鋁（A1)、銅（Cu)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、 鉬（Pt)、銥（Ir)、鎳（Ni)、鉻（Cr)、銀（Ag)、金（Au)、鶴（W)、鈕（Pd)、或以上述元素作為主 成分與其他金屬構(gòu)筑的合金。透明電極的材質(zhì)可例如為銦錫氧化物（indium tin oxide、 IT0)、銦鋅氧化物（indium zinc oxide、IZ0)、或是其它金屬氧化物所形成的透明導(dǎo)電層。 半反半穿透電極可為單層或多層半透明金屬層（例如鋁（A1)、銅（Cu)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鉬 (Pt)、銥（Ir)、鎳（Ni)、鉻（Cr)、銀（Ag)、金（Au)、鎢（W)、鎂（Mg)、或其合金所形成的半透明 膜層、或是金屬與透明導(dǎo)電層所形成的半透明復(fù)合電極。
[0058] 有機(jī)發(fā)光單元18可至少包含兩層發(fā)光層（例如第一光色發(fā)光層15及第二光色 發(fā)光層17)。此外，根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光單兀18可包含三層或以上的發(fā)光層。 再者，除了發(fā)光層外，有機(jī)發(fā)光單元18更可以包含其他已知的膜層（例如：空穴傳輸層、空 穴注入層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產(chǎn)生層（charge generation layer)、或是載流 子阻擋層）。有機(jī)發(fā)光單元18的各膜層可分別為小分子有機(jī)發(fā)光材料或高分子有機(jī)發(fā)光 材料，若為小分子有機(jī)發(fā)光二極管材料，可利用真空蒸鍍方式形成有機(jī)發(fā)光二極管材料層； 若為高分子有機(jī)發(fā)光二極管材料，則可使用旋轉(zhuǎn)涂布、噴墨或網(wǎng)版印刷等方式形成有機(jī)發(fā) 光二極管材料層。此外，有機(jī)發(fā)光單兀18的每一發(fā)光層可包含一有機(jī)發(fā)光材料及一摻雜 物（dopant)，熟悉本技術(shù)者可視所使用的有機(jī)發(fā)光材料及所需的元件特性而改變所搭配 的摻雜物的摻雜量。摻雜物可為能量傳移（energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集 (carrier trapping)型摻雜材料。有機(jī)發(fā)光材料可為突光（fluorescence)發(fā)光材料。而 在本發(fā)明的某些較佳實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光材料也可為磷光（phosphorescence)發(fā)光材料。 熟悉本技術(shù)者可視所使用的有機(jī)發(fā)光材料及所需的元件特性而改變有機(jī)發(fā)光單元，因此， 有機(jī)發(fā)光單元的膜層組成、材質(zhì)、及厚度非關(guān)本發(fā)明的特征，非為限制本發(fā)明范圍的依據(jù)。
[0059] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，光學(xué)路徑調(diào)整層20的材質(zhì)可例如為空穴注入或傳輸材 料、電子注入或傳輸材料、透明導(dǎo)電層、或其組合。舉例來說，光學(xué)路徑調(diào)整層20可為透明 導(dǎo)電層、空穴注入材料、電子傳輸材料、或其組合。光學(xué)路徑調(diào)整層20形成的目的在于調(diào)整 各次像素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光單元18的對應(yīng)的發(fā)光層位置，使得發(fā)光層能位于次像素內(nèi)駐波的 反節(jié)點(diǎn)上。根據(jù)電磁學(xué)理論，當(dāng)將發(fā)光層設(shè)置于駐波反節(jié)點(diǎn)附近的位置時，可強(qiáng)化微共振腔 效應(yīng)（microcavity effect)，以增強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度。舉例來說，可通過調(diào)整藍(lán)光次像素的光學(xué)路 徑調(diào)整層、綠光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層、以及紅光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層，分別使得藍(lán) 光次像素內(nèi)的藍(lán)光發(fā)光層、綠光次像素內(nèi)的綠光發(fā)光層、以及紅光次像素內(nèi)的紅光發(fā)光層 同時位于其各自對應(yīng)駐波的反節(jié)點(diǎn)上。根據(jù)本發(fā)明一發(fā)明目的，即在維持藍(lán)光次像素的藍(lán) 光發(fā)光層及紅光次像素的紅光發(fā)光層位于反節(jié)點(diǎn)附近位置的前提下，統(tǒng)一藍(lán)光次像素及紅 光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層（使其具有相同厚度），因此可減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制 作工藝步驟（藍(lán)光次像素及紅光次像素的光學(xué)路徑調(diào)整層已在同一步驟完成），達(dá)到降低 制作工藝復(fù)雜度的目的。
[0060] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，像素可更包含一第三次像素。請參照圖3A，為本發(fā)明一實(shí) 施例所述的上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置10,其具有藍(lán)光次像素 B、綠光次像素 G、以及紅光次像素 R〇
[0061] 仍請參照圖3A，每一次像素 B、G、以及R各自包含一第一電極14(為一反射電極）、 一光學(xué)路徑調(diào)整層20形成于第一電極14上、一有機(jī)發(fā)光單元18形成于光學(xué)路徑調(diào)整層20 上、一第二電極（半反半穿透電極）16形成于有機(jī)發(fā)光單元18上。其中，有機(jī)發(fā)光單元18 依序包含藍(lán)光發(fā)光層30、電子傳輸層56、電荷產(chǎn)生層58、空穴注入層60、紅光發(fā)光層40、綠 光發(fā)光層50、以及電子傳輸層62 ;而光學(xué)路徑調(diào)整層20包含透明導(dǎo)電層52、以及空穴注入 層54。
[0062] 值得注意的是次像素 B與R所有膜層（包含光學(xué)路徑調(diào)整層20)的組成及厚度皆 相同（由相同步驟經(jīng)相同制作工藝所得）。此外，次像素 B與R、以及像素 G，除了光學(xué)路徑 調(diào)整層20厚度不同外，其他的膜層的組成及厚度皆相同（由相同步驟經(jīng)相同制作工藝所 得）。
[0063] 詳細(xì)的說，在此實(shí)施例中，次像素 B、G、與R其光學(xué)路徑調(diào)整層20的空穴注入層54 厚度是固定的，主要是通過調(diào)整光學(xué)路徑調(diào)整層20內(nèi)的透明導(dǎo)電層52的厚度，使得藍(lán)光 次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光 層50分別位各自像素駐波內(nèi)的反節(jié)點(diǎn)上。在此實(shí)施例中，是利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程 式計算出藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光色發(fā)光層30至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl(針對藍(lán)光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第一電極 14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D3(針對綠光波長）、以及紅光 次像素 R的紅光色發(fā)光層40至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D2 (針對紅光波長），以使得次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同） 的光學(xué)路徑調(diào)整層20(即次像素 B與次像素 R的透明導(dǎo)電層52厚度相同）。如此一來，可 減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0064] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于229至343nm之間（例如286nm)、 最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于328至484nm之間（例如406nm)、而最短光學(xué)路徑長度 D3的范圍介于280至410nm之間（例345nm)。請參照圖3B，此時，以第一電極14為基準(zhǔn) 面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠 光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二電極16(半反半穿透電極）為 基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，而紅光次像素 R的紅 光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上。
[0065] 根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，也可固定 光學(xué)路徑調(diào)整層20的透明導(dǎo)電層52,改通過調(diào)整空穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20 的厚度，請參照圖4。
[0066] 圖4所述的實(shí)施例與圖3A所述實(shí)施例的差別在于，圖4所述的實(shí)施例改以調(diào)整空 穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20的厚度。在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1、最短 光學(xué)路徑長度D2、及最短光學(xué)路徑長度D3的范圍與圖3A所述實(shí)施例相同。此時，以第一電 極14 (反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層 40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二電極 16 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波 的第一反節(jié)點(diǎn)上（與圖3A所示實(shí)施例相同）。
[0067] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，光學(xué)路徑 調(diào)整層20可為一電子傳輸層，請參照圖5A。在圖5A所述的實(shí)施例中，光學(xué)路徑調(diào)整層20 位于第二電極16與有機(jī)發(fā)光單元18之間。因此，有機(jī)發(fā)光單元18由第一電極14至第二 電極的方向，依序包含：透明導(dǎo)電層64、空穴注入層66、紅光發(fā)光層40、綠光發(fā)光層50、電子 傳輸層56、電荷產(chǎn)生層58、空穴注入層60、以及藍(lán)光發(fā)光層30。在此實(shí)施例中，通過調(diào)整光 學(xué)路徑調(diào)整層20 (由電子傳輸層構(gòu)成）的厚度，使得藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次 像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50分別位各自像素駐波內(nèi)的反節(jié) 點(diǎn)上。
[0068] 在此實(shí)施例中，利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程式計算出藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光色發(fā) 光層30至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl(針對藍(lán) 光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D3(針對綠光波長）、以及紅光次像素 R的紅光色發(fā)光層40至第二 電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D2(針對紅光波長），以使得 次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同）的光學(xué)路徑調(diào)整層20。如此一來，可 減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0069] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于202至316nm之間（例如259nm)、 最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于344至500nm之間（例如422nm)、而最短光學(xué)路徑長度 D3的范圍介于233至363nm之間（例298nm)。此時，請參照圖5B，以第一電極14(反射電 極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上； 以及，以第二電極16 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次 像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上。
[0070] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，請參照圖 6A。第一電極14為一半反半穿透電極，而第二電極16為一反射電極。
[0071] 在圖6A所述的實(shí)施例中，光學(xué)路徑調(diào)整層20為一電子傳輸層，且光學(xué)路徑調(diào)整 層20位于第二電極16與有機(jī)發(fā)光單元18之間。在此實(shí)施例中，通過調(diào)整光學(xué)路徑調(diào)整層 20 (由電子傳輸層構(gòu)成）的厚度，使得藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光 發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50分別位各自像素駐波內(nèi)的反節(jié)點(diǎn)上。
[0072] 在此實(shí)施例中，利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程式計算出藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光色發(fā) 光層30至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)Dl(針對藍(lán) 光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第二電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D3 (針對綠光波長）、以及紅光次像素 R的紅光色發(fā)光層40至第二 電極16的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D2(針對紅光波長），以使得 次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同）的光學(xué)路徑調(diào)整層20。如此一來，可 減少一道光學(xué)路徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0073] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于194至308nm之間（例如 251nm)、最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于327至483nm之間（例如405nm)、而最短光學(xué)路徑 長度D3的范圍介于279至409nm之間（例344nm)。此時，請參照圖6B，以第一電極14(半 反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，而 紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第一 反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二電極16(反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅 光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反 節(jié)點(diǎn)上。
[0074] 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置10可為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，且光學(xué)路 徑調(diào)整層20設(shè)置于第一電極14與有機(jī)發(fā)光單元18之間，請參照圖7A。
[0075] 在圖7A所述的實(shí)施例中，每一次像素 B、G、以及R各自包含一第一電極14(為一 半反半穿透電極）、一光學(xué)路徑調(diào)整層20形成于第一電極14上、一有機(jī)發(fā)光單元18形成于 光學(xué)路徑調(diào)整層20上、一第二電極16(反射電極）形成于有機(jī)發(fā)光單元18上。其中，有機(jī) 發(fā)光單兀18依序包含藍(lán)光發(fā)光層30、電子傳輸層56、電荷產(chǎn)生層58、空穴注入層60、綠光 發(fā)光層50、紅光發(fā)光層40、以及電子傳輸層62 ;而光學(xué)路徑調(diào)整層20包含透明導(dǎo)電層52、 以及空穴注入層54。
[0076] 在此實(shí)施例中，次像素 B、G、與R其光學(xué)路徑調(diào)整層20的空穴注入層54厚度是固 定的，主要是通過調(diào)整光學(xué)路徑調(diào)整層20內(nèi)的透明導(dǎo)電層52的厚度，使得藍(lán)光次像素 B的 藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50分別位 各自像素駐波內(nèi)的反節(jié)點(diǎn)上。在此實(shí)施例中，是利用共振分程式及反節(jié)點(diǎn)方程式計算出藍(lán) 光次像素 B的藍(lán)光色發(fā)光層30至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length) D1 (針對藍(lán)光波長）、綠光次像素 G的綠光色發(fā)光層50至第一電極14的最短光學(xué) 路徑長度（minimum optical path length) D3(針對綠光波長）、以及紅光次像素 R的紅光 色發(fā)光層40至第一電極14的最短光學(xué)路徑長度（minimum optical path length)D2(針 對紅光波長），以使得次像素 B與次像素 R具有相同厚度（或?qū)嵸|(zhì)上相同）的光學(xué)路徑調(diào)整 層20 (即次像素 B與次像素 R的透明導(dǎo)電層52厚度相同）。如此一來，可減少一道光學(xué)路 徑調(diào)整層的制作工藝步驟。
[0077] 在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1的范圍介于237至351nm之間（例如 294nm)、最短光學(xué)路徑長度D2的范圍介于349至505nm之間（例如427nm)、而最短光學(xué) 路徑長度D3的范圍介于270至400nm之間（例335nm)。此時，請參照圖7B，以第一電極 14 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā)光 層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第二 電極16 (反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波 的第一反節(jié)點(diǎn)上。
[0078] 根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，對于下發(fā)光有機(jī)發(fā)光置，也可固定光學(xué)路徑調(diào)整層20的 透明導(dǎo)電層52,改通過調(diào)整空穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20的厚度，請參照圖8。
[0079] 圖8所述的實(shí)施例與圖7A所述實(shí)施例的差別在于，圖8所述的實(shí)施例改以調(diào)整空 穴注入層54來改變光學(xué)路徑調(diào)整層20的厚度。在此實(shí)施例中，最短光學(xué)路徑長度D1、最短 光學(xué)路徑長度D2、及最短光學(xué)路徑長度D3的范圍與圖7A所述實(shí)施例相同。此時，以第一電 極14 (半反半穿透電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30、紅光次像素 R的紅光發(fā) 光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上；以及，以第 二電極16 (反射電極）為基準(zhǔn)面，藍(lán)光次像素 B的藍(lán)光發(fā)光層30位于其駐波的第二反節(jié)點(diǎn) 上，而紅光次像素 R的紅光發(fā)光層40、以及綠光次像素 G的綠光發(fā)光層50皆位于各自駐波 的第一反節(jié)點(diǎn)上（與圖7A所示實(shí)施例相同）。
[0080] 根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例，上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置10可更包含一透明封裝基板25配 置于第二電極16之上，請參照圖9。上述有機(jī)發(fā)光裝置10可為一灰階顯示型照明裝置，或 是影像顯示系統(tǒng)。此外，根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例，藍(lán)光濾光片BF、綠光濾光片GF、以及紅光 濾光片RF可進(jìn)一步配置于透明封裝基板25的上表面，并分別對應(yīng)藍(lán)光次像素 B、綠光次像 素 G、以及紅光次像素 R，使得有機(jī)發(fā)光裝置10具有全彩顯示的功能，請參照圖10。另外，若 有機(jī)發(fā)光裝置10為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置10,則在第一電極14與基板12之間可配置藍(lán)光 濾光片BF、綠光濾光片GF、以及紅光濾光片RF (分別對應(yīng)藍(lán)光次像素 B、綠光次像素 G、以及 紅光次像素 R)，使得有機(jī)發(fā)光裝置10具有全彩顯示的功能，請參照圖11。
[0081] 圖12是繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的影像顯示系統(tǒng)方塊示意圖，其可實(shí)施于 顯示裝置100或電子裝置200,例如筆記型電腦、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、個人數(shù)字助理、桌上型電 腦、電視機(jī)、車用顯示器、或攜帶型播放器。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置10可設(shè)置于顯示裝 置100,而顯示裝置100可為全彩有機(jī)發(fā)光顯示器。在其他實(shí)施例中，顯示裝置100可設(shè)置 于電子裝置200中。如圖12所示，電子裝置200包括：顯示裝置100及輸入單元150。輸入 單元150耦接至平面顯示器裝置100,用以提供輸入信號(例如，影像信號）至顯示裝置100 以產(chǎn)生影像。
[0082] 前述已公開了本發(fā)明數(shù)個【具體實(shí)施方式】的特征，使此領(lǐng)域中具有通常技術(shù)者得更 加了解本發(fā)明細(xì)節(jié)的描述。此領(lǐng)域中具有通常技術(shù)者應(yīng)能完全明白且能使用所公開的技術(shù) 特征，做為設(shè)計或改良其他制作工藝和結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實(shí)現(xiàn)和達(dá)成在此所介紹實(shí)施態(tài)樣的 相同的目的和優(yōu)點(diǎn)。此領(lǐng)域中具有通常技術(shù)者應(yīng)也能了解這些對應(yīng)的說明，并沒有偏離本 發(fā)明所公開的精神和范圍，且可在不偏離本發(fā)明所公開的精神和范圍下進(jìn)行各種改變、替 換及修改。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包含： 基板；以及 有機(jī)發(fā)光像素陣列，其中該有機(jī)發(fā)光像素陣列包含多個像素，該每一像素包含一第一 次像素，及一第二次像素，其中該第一次像素，及該第二次像素分別包含： 第一電極，配置于該基板上； 有機(jī)發(fā)光單兀，配置于該第一電極上，其中該有機(jī)發(fā)光單兀包含一第一光色發(fā)光層及 一第二光色發(fā)光層，且該第一光色發(fā)光層發(fā)出一第一光色，該第二光色發(fā)光層發(fā)出一第二 光色； 第二電極，配置于該有機(jī)發(fā)光單元上；以及 光學(xué)路徑調(diào)整層，配置于該第一電極與該第二電極之間，其中該第一次像素的該光學(xué) 路徑調(diào)整層與該第二次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第一次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第 一電極或該第二電極接觸，且該第一次像素的該第一光色發(fā)光層至與該光學(xué)路徑調(diào)整層接 觸的電極的該第一光色的最短光學(xué)路徑長度介于194至351nm之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該第二次像素的該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第 一電極或該第二電極接觸，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層至與該光學(xué)路徑調(diào)整層接 觸的電極的該第二光色的最短光學(xué)路徑長度介于327至505nm之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該有機(jī)發(fā)光裝置為一上發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝 置，其中該第一電極為反射電極，且該第二電極為透明電極或半反半穿透電極，其中在該第 一次像素中，該第一光色在該第一次像素內(nèi)形成一第一駐波，且該第一次像素的該第一光 色發(fā)光層位于該第一駐波的反節(jié)點(diǎn)上，其中在該第二次像素中，該第二光色在該第二次像 素內(nèi)形成一第二駐波，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第二駐波的反節(jié)點(diǎn)上。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層位于該第一電極與該有 機(jī)發(fā)光單元之間，并與該第一電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，該第一次像素的該第一 光色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第 二駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上。
6. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層與該第二電極與該有機(jī) 發(fā)光單元之間，并與該第二電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，該第一次像素的該第一光 色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第 二駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該有機(jī)發(fā)光裝置為一下發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝 置，其中該第一電極為透明電極或半反半穿透電極，且該第二電極為反射電極，其中在該第 一次像素中，該第一光色在該第一次像素內(nèi)形成一第一駐波，且該第一次像素的該第一光 色發(fā)光層位于該第一駐波的反節(jié)點(diǎn)上，其中在該第二次像素中，該第二光色在該第二次像 素內(nèi)形成一第二駐波，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位于該第二駐波的反節(jié)點(diǎn)上。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層位于該第二電極與該有 機(jī)發(fā)光單元之間，并與該第二電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，其中該第一次像素的該 第一光色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位 于該第二駐波的第一反節(jié)點(diǎn)上。
9. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中該光學(xué)路徑調(diào)整層位于該第一電極與該有 機(jī)發(fā)光單元之間，并與該第一電極接觸，且以該第一電極為基準(zhǔn)面，其中該第一次像素的該 第一光色發(fā)光層位于該第一駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上，且該第二次像素的該第二光色發(fā)光層位 于該第二駐波的第二反節(jié)點(diǎn)上。
10. -種影像顯示系統(tǒng)，包含電子裝置，該電子裝置包含： 顯示裝置，該顯示裝置包含權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置；以及 輸入單元，與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元傳輸一信號至該顯示裝置以產(chǎn)生影像。
【文檔編號】H01L51/50GK104218169SQ201310208507
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周政旭, 林金住, 盧英瑞, 林彥廷, 許名宏 申請人:群創(chuàng)光電股份有限公司
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