專利名稱：一種全光纖超熒光光源的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及激光通信技術領域，尤其涉及一種全光纖超熒光光源。
背景技術：
超熒光是介于激光與熒光之間的一種過渡狀態(tài)，是放大的自發(fā)輻射。超熒光光源與傳統(tǒng)的超輻射發(fā)光二極管光源相比，超熒光光源具有輸出功率高、使用壽命長等優(yōu)點；此外超熒光光源與激光相比，超熒光光源具有無自脈沖、無馳豫振蕩、無模式競爭等突出優(yōu)點。中國光學學會報道了一篇《基于摻鐿雙包層光纖的百瓦級全光纖結構寬帶超熒光源》，實驗應用寬帶超熒光光源屬于放大的自發(fā)輻射，無自脈沖、無馳豫振蕩、無縱模跳躍，表現(xiàn)出了極高的時間穩(wěn)定性。但由于采用端面泵浦耦合器，需要在增益光纖的端面處截斷一部分光纖才能進行熔接，并加入隔離器等器件，致使增益光纖上有多個熔接點，而熔點反射易引起激光震蕩，從而破壞泵浦源或增益光纖，影響超熒光的輸出。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術問題本發(fā)明所要解決的技術問題是如何消除增益光纖的截斷熔接點，從而防止熔點反射引起的激光諧振而破壞泵浦源或增益光纖，進而獲得高功率超熒光。(二)技術方案為了解決上述的技術問題，本發(fā)明提供了一種全光纖超熒光光源，包括:增益光纖和泵浦源，所述泵浦源光纖與增益光纖側面連接；所述增益光纖是一根完整的。優(yōu)選地，所述泵浦源的光纖與增益光纖側面連接為熔接、膠體粘接或直接貼合。優(yōu)選地，所述泵浦源與增益光纖側面連接點為I個或多個。優(yōu)選地，所述增益光纖的纖芯為鉺、鐿、釹、銩和釹任一種或多種增益粒子摻雜而成。優(yōu)選地，所述增益光纖為角度切割、角度拋磨或折射率匹配液浸泡的端面減反饋處理。優(yōu)選地，所述增益光纖為一端輸出，其輸出端為低反射端，其反射率低于0.001%,另一端為高反射端，其反射率>1%。優(yōu)選地，所述增益光纖為兩端同時輸出，其兩端均為低反射端，其反射率低于0.001%。優(yōu)選地，所述增益光纖為雙包層光纖或多包層光纖。優(yōu)選地，所述增益光纖為單模光纖或多模光纖。優(yōu)選地，所述泵浦源為半導體激光器、固體激光器或光纖激光器。(三)有益效果本發(fā)明的技術方案具有如下的優(yōu)點:一、將泵浦源光纖與增益光纖側面連接，且由一根完整的增益光纖貫穿，消除了增益光纖的可截斷熔接點，防止熔點反射引起激光震蕩。二、在增益光纖端面進行減反饋處理，進一步降低其端面的反射率。三、采用多點側面連接，增加了泵浦點數(shù)和泵浦功率，提高整體輸出功率水平。本發(fā)明提供的一種全光纖超熒光光源結構新穎、特點突出，且可以獲得高功率超熒光。


圖1為本發(fā)明的單點側面連接、單端輸出的全光纖超熒光光源示意圖；圖2為本發(fā)明的單點側面連接、雙端輸出的全光纖超熒光光源示意圖；圖3為本發(fā)明的多點側面連接、單端輸出的全光纖超熒光光源示意圖；圖4為本發(fā)明的多點側面連接、雙端輸出的全光纖超熒光光源的示意圖。I一增益光纖,2—泵浦源，3一低反射端，4一聞反射端。
具體實施例方式下面結合說明書附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例僅用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。實施例一本實施例記載了一種全光纖超熒光光源，包括:增益光纖和泵浦源，所述泵浦源光纖與增益光纖側面連接；所述增益光纖是一根完整的。實施例二如圖1所示，本實施記載了一種單點側面連接、單端輸出的全光纖超熒光光源，包括:增益光纖I和泵浦源2，一根增益光纖I貫穿到底，所述泵浦源2光纖與增益光纖I側面連接，可為熔接，也可膠體粘接，還可直接貼合在一起，其連接點為I個，即泵浦源的個數(shù)為I個。增益光纖I的端面進行減反饋處理，如角度切割、角度拋磨或折射率匹配液浸泡等。其中一端為低反射端3,反射率低于0.001%,另一端為聞反射端4,反射率聞于1%。超突光從低反射端一端輸出。增益光纖I為鉺、鐿、釹、銩和釹等在內(nèi)的各種增益粒子在光纖纖芯上摻雜而成增益光纖；可以是雙包層或者多包層光纖；包層形狀可以是圓形，也可以是六邊形，八邊形，D形，梅花形等；可以是單模纖芯，也可以是多模纖芯。泵浦源2可以是半導體激光器，固體激光器或光纖激光器等。實施例三如圖2所示，本實施記載了一種單點側面連接、雙端輸出的全光纖超熒光光源，其結構與實施例二的結構基本相似，區(qū)別僅在于:增益光纖的兩端面均處理成低反射端3，其反射率低于0.001%,超突光從增益光纖兩端同時輸出。實施例四如圖3所示，本實施記載了一種多點側面連接、單端輸出的全光纖超熒光光源，其結構與實施例二的結構基本相似，區(qū)別僅在于:側面連接點為4個，泵浦源的個數(shù)為4。多點耦合，增加了泵浦點數(shù)和泵浦功率，提高了整體輸出功率水平。實施例五如圖4所示，本實施記載了一種多點側面連接、雙端輸出的全光纖超熒光光源，其結構與實施例三的結構基本相似，區(qū)別僅在于:側面連接點為4個，泵浦源的個數(shù)為4。本發(fā)明提供的一種全光纖超熒光光源的工作原理如下:泵浦源的泵浦激光側面連接進入增益光纖的內(nèi)包層，增益光纖的纖芯吸收泵浦光，產(chǎn)生能級躍遷，形成自發(fā)輻射，并在傳輸過程中被不斷放大，形成放大自發(fā)福射(ASE, amplified spontaneous emission),而自發(fā)福射放大的超突光從增益光纖的一端輸出或兩端同時輸出。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種全光纖超熒光光源，包括:增益光纖和泵浦源，其特征在于， 所述泵浦源光纖與增益光纖側面連接； 所述增益光纖是一根完整的。
2.根據(jù)權利要求1所述的超熒光光源，其特征在于，所述泵浦源的光纖與增益光纖側面連接為熔接、膠體粘接或直接貼合。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的超熒光光源，其特征在于，所述泵浦源與增益光纖側面連接點為I個或多個。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的超熒光光源，其特征在于，所述增益光纖的纖芯為鉺、鐿、釹、錢和釹任一種或多種增益粒子摻雜而成。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的超熒光光源，其特征在于，所述增益光纖為角度切割、角度拋磨或折射率匹配液浸泡的端面減反饋處理。
6.根據(jù)權利要求5所述的超突光光源,其特征在于,所述增益光纖為一端輸出，其輸出端為低反射端，其反射率低于0.001%，另一端為高反射端，其反射率>1%。
7.根據(jù)權利要求5所述的超熒光光源，其特征在于，所述增益光纖為兩端同時輸出，其兩端均為低反射端，其反射率低于0.001%。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的超熒光光源，其特征在于，所述增益光纖為雙包層光纖或多包層光纖。
9.根據(jù)權利要求1或2所述的超熒光光源，其特征在于，所述增益光纖為單模光纖或多模光纖。
10.根據(jù)權利要求1或2所述的超熒光光源，其特征在于，所述泵浦源為半導體激光器、固體激光器或光纖激光器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種全光纖超熒光光源，包括增益光纖和泵浦源，所述泵浦源光纖與增益光纖側面連接，所述增益光纖是一根完整的。本發(fā)明采用側面連接和一根完整增益光纖，避免了增益光纖產(chǎn)生截斷熔接點，防止熔點反射引起激光震蕩，破壞泵浦源或增益光纖。本發(fā)明可以采用多點側面連接，從而提高整體輸出功率水平。本發(fā)明提供的一種全光纖超熒光光源結構新穎、特點突出，并且可以獲得高功率超熒光。
文檔編號H01S3/091GK103199424SQ20131010828
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月29日 優(yōu)先權日2013年3月29日
發(fā)明者鞏馬理, 閆平, 肖起榕, 張海濤 申請人:清華大學