專利名稱：通過(guò)原子層沉積形成的塑料基材阻擋層膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含塑料或玻璃基材以及通過(guò)原子層沉積形成的環(huán)境氣體滲透阻擋層的制品。該制品可以是諸如有機(jī)發(fā)光二極管的電力或電子器件的部件。該制品也可用于氣體滲透很重要的應(yīng)用中的容器。
背景技術(shù)：
Featherby和Dehaven (W0 2001067504)公開(kāi)了一種密封涂層器件。這種器件的形成包括提供集成半導(dǎo)體電路型板、施加包封該電路型板的含有無(wú)機(jī)材料的第一層，以及施加包封該電路型板的第二層步驟。Aintila(WO 9715070A2)公開(kāi)了在基材表面的金屬接觸盤區(qū)域上形成接觸隆起塊，包括用原子層外延生長(zhǎng)在基材上形成氧化物層，該層在后續(xù)加工步驟中要求的點(diǎn)處有開(kāi)口。Aftergut和Ackerman(US 5641984)公開(kāi)了包含水分阻擋層的密封福照成像器。在原子層外延生長(zhǎng)技術(shù)中沉積了介電材料層作為該密封結(jié)構(gòu)的一部分。Aftergut和Ackerman(US 5707880)公開(kāi)了包含水分阻擋層的密封福照成像器，該阻擋層包含通過(guò)原子層外延生長(zhǎng)沉積的介電材料層。以上文獻(xiàn)都沒(méi)有公開(kāi)包含聚合物或玻璃基材的滲透阻擋層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了一種制品，該制品包含:a)由選自塑料和玻璃的材料制成的基材，和b)通過(guò)原子層沉積法沉積在所述基材上的膜。本發(fā)明還是一種制品，該制品包含:a)由選自塑料和玻璃的材料制成的基材；b)涂覆的粘合層；和c)通過(guò)原子層沉積法沉積的氣體滲透阻擋層。本發(fā)明的另一種實(shí)施方案是一種制品，該制品包含:a)由選自塑料和玻璃的材料制成的基材；b)有機(jī)半導(dǎo)體，和c)通過(guò)原子層沉積法沉積的氣體滲透阻擋層。本發(fā)明的又一種實(shí)施方案是一種制品，該制品包含:a)選自塑料和玻璃 的材料制成的基材；
b)液晶聚合物，和c)通過(guò)原子層沉積法沉積的氣體滲透阻擋層。本發(fā)明還描述了作為封閉容器的實(shí)施方案。本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案是電力或電子器件。本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方案是發(fā)光聚合物器件。本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方案是液晶聚合物器件。本發(fā)明還描述了有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案是晶體管。本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施方案是包含發(fā)光聚合物器件的電路。又一種器件是有機(jī)光電池。本發(fā)明提出的第二種器件包含許多層，每層都包含一個(gè)上述制品，其中這些制品互相接觸。在這樣的一種實(shí)施方案中，這種上述制品的第二種制品通過(guò)層疊手段相互接觸。


圖1表示具有阻擋層基材和阻擋層外涂層的發(fā)光聚合物器件。圖2表示具有阻擋層基材和阻擋層封口層的發(fā)光聚合物器件。圖3表示具有阻擋層基材和阻擋層封口層的有機(jī)晶體管。圖4表示具有阻擋層基材和阻擋層封口層的有機(jī)晶體管。圖5表示通過(guò)涂有25nm的Al2O3阻擋層膜的0.002英寸厚聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)測(cè)量的光透射。詳細(xì)描沭O2和H2O蒸汽很容易透過(guò)聚合物膜。為了降低封裝應(yīng)用中的滲透率，往往在聚合物上涂覆薄層無(wú)機(jī)膜。常用鋁涂層聚酯。通過(guò)物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)形成的光學(xué)透明阻擋層，主要是Si0x*A10y，也可用于封裝。后一種膜可商購(gòu)，在工業(yè)上稱為“玻璃涂層”阻擋層膜。它們使環(huán)境氣體滲透改善了約10倍，使通過(guò)聚酯膜的透過(guò)率降低到約 1.0cc 02/m2/ 天和 1.0ml H20/m2/ 天(M.1zu, B.Dotter,和 S.R.0vshinsky, J.PhotopolymerScience and Technology, Vol.8,1995,ppl95_204)。盡管這種適度改進(jìn)是許多大體積封裝應(yīng)用中性能與造價(jià)之間合理的折中，但該性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電子領(lǐng)域的封裝要求。電子封裝通常要求其期望壽命比例如飲料封裝要長(zhǎng)至少一個(gè)數(shù)量級(jí)。作為實(shí)例，在柔性聚酯基材上構(gòu)建的基于有機(jī)發(fā)光聚合物(OLED)的柔性顯示器對(duì)于隔離環(huán)境氣體所需要的阻擋層改善估計(jì)要達(dá)到IO5-1O6倍，因?yàn)闅怏w既會(huì)使發(fā)光聚合物，也會(huì)使通常為Ca或Ba的水敏感性金屬陰極嚴(yán)重降解。由于聚合物的固有自由體積分?jǐn)?shù)，其內(nèi)在滲透率通常高IO4-1O6倍，不能實(shí)現(xiàn)諸如柔性O(shè)LED顯示器的電子應(yīng)用中所需的保護(hù)水平。只有基本上為零滲透率的無(wú)機(jī)材料才能提供適當(dāng)?shù)淖钃鯇颖Ｗo(hù)。理論上，無(wú)缺陷的連續(xù)薄膜無(wú)機(jī)涂層對(duì)環(huán)境氣體應(yīng)該是不滲透的。然而，實(shí)際情況是不管從涂覆方法，還是從損害阻擋層性能的基材缺陷看，薄膜都存在諸如針孔的缺陷。甚至膜中的顆粒邊界都會(huì)存在容易滲透的路徑。為了實(shí)現(xiàn)最好的阻擋層性能，膜應(yīng)該在潔凈環(huán)境中沉積在清潔、無(wú)缺陷的基材上。膜的結(jié)構(gòu)應(yīng)該是非結(jié)晶的。沉積方法應(yīng)該是非定向的(即CVD優(yōu)于PVD)，且實(shí)現(xiàn)沒(méi)有特征的微結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)機(jī)理理想的是一層接一層的，以避免具有粒狀微觀結(jié)構(gòu)的柱狀生長(zhǎng)。原子層沉積(ALD)是一種滿足低滲透的許多準(zhǔn)則的膜生長(zhǎng)方法。原子層沉積方法的描述可在“Atomic Layer Epitaxy”，Tuomo Suntola, Thin Solid Films, Vol.216 (1992),pp.84-89中找到。正如其名稱所暗示的，通過(guò)ALD的膜生長(zhǎng)通過(guò)一層接一層的方法形成。通常情況下，膜前體蒸汽在真空室中被吸收在基材上。然后從真空室抽出該蒸汽，在基材上留下通常主要是單層的被吸收前體的薄層。然后在加熱條件下將反應(yīng)劑引入真空室中，以促進(jìn)與所吸收前體的反應(yīng)，形成期望的材料層。從真空室中抽出反應(yīng)產(chǎn)物。通過(guò)再次將基材暴露在前體蒸汽下，并重復(fù)該沉積方法，可形成后續(xù)的材料層。ALD在生長(zhǎng)方面與常規(guī)CVD和PVD方法相反的是，CVD和PVD的生長(zhǎng)是在基材表面上有限數(shù)量的成核位置處開(kāi)始和進(jìn)行。后一種技術(shù)會(huì)導(dǎo)致形成其中圓柱體之間具有邊界的圓柱形微結(jié)構(gòu)，氣體很容易沿這些邊界滲透。ALD能制備非常薄的膜，這種膜具有極其低的透氣率，使得這種膜作為阻擋層用于封裝布置在塑料基材上的敏感性電子器件和元件極具吸引力。 本發(fā)明描述了通過(guò)ALD在塑料基材上形成的阻擋層，該阻擋層可用于避免環(huán)境氣體穿越。本發(fā)明的基材包括常用類型的聚合物材料，例如Christopher Hall的PolymerMaterials, (Wiley,紐約，1989)或 J.Comyn 的 Polymer Permeability, (Elsevier,倫敦,1985)中所描述的 聚合物，但并不限于這些。常用實(shí)例包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，它們可以成卷購(gòu)買用作膜基。通過(guò)ALD形成的適合用作阻擋層的材料包括元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物和氮化物以及它們的結(jié)合。其中特別感興趣的是Si02、Al203和Si3N4。這些族元素的氧化物的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其透光性，這一點(diǎn)對(duì)于可見(jiàn)光必須離開(kāi)或進(jìn)入器件的電子顯示器和光電池特別有吸引力。Si和Al的氮化物在可見(jiàn)光譜范圍也是透明的。在ALD方法中用于形成這些阻擋層材料的前體可選自本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的，在諸如 M.Leskela 和 M.Ritala 的“ALD precursor chemistry:Evolution and futurechallenges”，Journal de Physique IV, Vol.9, pp837-852 (1999)以及該文引用的參考文獻(xiàn)的公開(kāi)出版物中列舉的前體。通過(guò)ALD合成這些阻擋層涂層的基材溫度范圍優(yōu)選50_250°C。溫度太高(>2500C )就與溫度敏感性塑料基材的加工不相容，這或者是因?yàn)樗芰匣牡幕瘜W(xué)降解，或者是由于基材較大的尺寸變化會(huì)損壞ALD涂層。阻擋層膜的優(yōu)選厚度范圍是2-100nm。更優(yōu)選2_50nm。層厚越薄，就越能承受彎曲而不導(dǎo)致膜撕裂。這一點(diǎn)對(duì)于視柔韌性為理想性能的聚合物基材極其重要。膜的撕裂會(huì)損害阻擋層的性能。薄的阻擋層膜在光的輸入或輸出很重要的電子器件的情況下還能提高透明度。存在一個(gè)與連續(xù)膜覆蓋對(duì)應(yīng)的最小厚度，此時(shí)基材的所有缺陷都被阻擋層膜覆蓋。對(duì)于幾乎無(wú)缺陷的基材，對(duì)于良好阻擋層性能的臨界厚度估計(jì)至少為2nm，但可達(dá)IOnm厚。通過(guò)ALD涂覆的某些氧化物和氮化物阻擋層可要求一個(gè)“起始層”或“粘合層”，以促進(jìn)與塑料基材或需要保護(hù)的制品間的粘合。粘合層的優(yōu)選厚度為l-100nm。粘合層材料的選擇可來(lái)自與阻擋層材料相同的族。氧化鋁和氧化硅是優(yōu)選的粘合層，它們也可通過(guò)ALD沉積，但諸如化學(xué)和物理氣相沉積或本領(lǐng)域公知的其它沉積方法也是合適的。阻擋層結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元是:(A)通過(guò)ALD涂覆在塑料或玻璃基材上的帶有或不帶有粘合層的單個(gè)阻擋層，或(B)通過(guò)ALD涂覆在塑料基材每一面上的帶有或不帶有粘合層的阻擋層。然后可按任何數(shù)量將這種基本結(jié)構(gòu)組合，方法是通過(guò)將這種結(jié)構(gòu)單元與其本身層疊，形成多個(gè)獨(dú)立的阻擋層。阻擋層涂層領(lǐng)域公知的是，物理上分開(kāi)的多個(gè)層對(duì)總體阻擋層性能的改善程度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于與層數(shù)對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單的倍增因子倍數(shù)。這一點(diǎn)在例如Y.G.Tropsha 和 N.G.Harvey 的 J.Phys.Chem.B 1997，Vol.101，pp2259_2266，“Activatedrate theory treatment of oxygen and water transport through silicon oxide/poly (ethylene terephthalate) composite barrier structures (通過(guò)氧化娃 / 聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯復(fù)合阻擋層結(jié)構(gòu)輸送氧和水的活化率理論處理)”中有說(shuō)明。這是由于氣體分子的擴(kuò)散路徑通過(guò)分開(kāi)的多個(gè)阻擋層迂回。有效的擴(kuò)散路徑遠(yuǎn)大于單個(gè)層厚度之和。另一種阻擋層結(jié)構(gòu)涉及直接涂覆需要保護(hù)的電子或電光學(xué)器件。在這方面ALD特別有吸引力，因?yàn)樗纬闪烁叨缺Ｐ蔚耐繉?。從而使具有?fù)雜形狀的器件能完全涂覆和保護(hù)。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1圖1表示發(fā)光聚合物器件的示意圖。為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，將該發(fā)光聚合物器件表示成夾在兩個(gè)電極之間的發(fā)光聚合物(LEP)。在實(shí)踐中，可將空穴傳導(dǎo)和/或電子傳導(dǎo)層插入合適電極與LEP層之間，以提高器件效率。陽(yáng)極是銦-錫氧化物層，而陰極是Ca/Al層復(fù)合材料。通過(guò)在電極間施加電壓，注入陽(yáng)極的空穴與注入陰極的電子結(jié)合形成放射性衰變的激發(fā)子，從LEP發(fā)射光。LEP通常是諸如聚苯乙烯(PPV)或其衍生物的光敏聚合物。陽(yáng)極往往是Ba或Ca，它們對(duì)環(huán)境氣體，特 別是水蒸汽具有相當(dāng)?shù)幕钚浴Ｓ捎谶@些敏感材料的使用，器件封裝就必須排斥環(huán)境氣體，以便實(shí)現(xiàn)合理的器件壽命。在圖1中，封裝由阻擋層-基材和外涂阻擋層膜構(gòu)成，基材可以是沉積了 LEP器件的塑料或玻璃?；挠?.004英寸厚的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)的聚酯膜組成。PEN膜的每一面上都涂有50nm厚的Al2O3膜，該膜通過(guò)原子層沉積法沉積，用三甲基鋁作為鋁的前體和臭氧(O3)作為氧化劑。沉積期間的基材溫度為150°C。在ALD方法中，將PEN基材置于裝有機(jī)械泵的真空室中。抽空真空室。將三甲基鋁前體注入500毫托壓力的室中約2秒。然后用氬氣清洗真空室約2秒。然后將氧化劑臭氧注入500毫托壓力的室中約2秒。最后用氬氣清洗氧化劑約2秒。重復(fù)該沉積方法50次，獲得約IOOnm厚的涂層。Al2O3層對(duì)可見(jiàn)光光學(xué)透明。該涂覆基材可彎曲而不損壞涂層。其中一個(gè)Al2O3阻擋層通過(guò)射頻磁控管濺射由10% (重量)錫攙雜的銦氧化物鈀涂覆銦-錫氧化物透明導(dǎo)體。該ITO膜的厚度為150nm。將LEP旋涂在ITO電極上，然后分別由Ca和Al金屬源熱蒸鍍帶有約I μπι Al的5nm Ca的陽(yáng)極。然后再用三甲基鋁作鋁的前體和臭氧(O3)作氧化劑，通過(guò)原子層沉積法在該LEP器件上涂覆50nm厚的Al2O3外阻擋層膜。所得結(jié)構(gòu)現(xiàn)在不透過(guò)環(huán)境氣體。實(shí)施例2另一種式樣的封裝示意圖如圖2。外涂阻擋層被沒(méi)有上述實(shí)施例1中所述ITO電極的相同基材阻擋層結(jié)構(gòu)(A1203/PEN/A1203)代替。該覆蓋阻擋層結(jié)構(gòu)用一層環(huán)氧樹(shù)脂密封基材阻擋層。實(shí)施例3圖3說(shuō)明一種帶有ALD阻擋層涂層的有機(jī)晶體管的保護(hù)對(duì)策。所示晶體管是用有機(jī)半導(dǎo)體作為最終層或外層的底柵結(jié)構(gòu)。因?yàn)榇蟛糠钟袡C(jī)半導(dǎo)體是對(duì)空氣敏感的，長(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣中會(huì)破壞它們的性能，因此需要保護(hù)對(duì)策。圖3中的封裝包括阻擋層-基材，在該阻擋層-基材上沉積晶體管，然后密封成相同的封蓋阻擋層結(jié)構(gòu)。該基材由0.004英寸厚的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)聚酯膜組成。PEN膜的每一面上都涂有50nm厚的Al2O3膜，該膜通過(guò)原子層沉積方法，用三甲基鋁作為鋁的前體，用臭氧(O3)作為氧化劑沉積形成。沉積期間的基材溫度為150°C。在ALD方法中，將PEN基材置于裝有機(jī)械泵的真空室中。將真空室抽空。將三甲基鋁前體注入500毫托壓力真空室約2秒。然后用氬氣清洗真空室約2秒。然后將氧化劑臭氧注入500毫托壓力真空室約2秒。最后用氬氣清洗氧化劑約2秒。重復(fù)該沉積方法約50次，獲得約IOOnm厚的涂層。將IOOnm厚的Pd金屬柵電極通過(guò)遮光板用離子束濺射到Al2O3阻擋層膜上。然后通過(guò)等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積方法沉積250nmSi3N4的柵電介質(zhì)，同樣通過(guò)遮光板使其與金屬柵接觸。隨后制成IOOnm厚Pd源和漏電極的布線圖，離子束濺射到柵電介質(zhì)上。最后通過(guò)允許與源-漏電極接觸的遮光板熱蒸發(fā)外層有機(jī)半導(dǎo)體，例如并五苯。整個(gè)晶體管用A1203/PEN/A1203阻擋層結(jié)構(gòu)覆蓋，用環(huán)氧密封膠封裝到基材阻擋層上。實(shí)施例4在圖4中，實(shí)施例3的封裝阻擋層可用三甲基鋁作鋁的前體、臭氧(O3)作氧化劑的原子層沉積方法沉積形成的單層50nm厚Al2O3代替。有機(jī)晶體管器件的兩種封裝結(jié)構(gòu)對(duì)環(huán)境氣體都不滲透。帶有阻擋層涂層的塑料基材也可用不滲透的玻璃基材代替。阻擋層封裝層由通過(guò)等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積方法在室溫下沉積的氮化硅的起始粘合劑層，和實(shí)施例3中所述通過(guò)原子層沉積法沉積的50nm厚Al2O3阻擋層構(gòu)成。實(shí)施例5通過(guò)原子層沉積法在120°C下涂覆0.002英寸厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PEN)基材膜，在該P(yáng)EN基材的一面上涂有約25nm厚的Al2O315在評(píng)價(jià)其透氣性性能前，將該帶涂層PEN基材至少一次彎曲到至少1.5英寸半徑，從剛性硅載體晶片上除去涂覆Al2O3-涂覆PEN基材，該基材在ALD沉積期間用Κ ψ οη 膠帶粘附在晶片上。用商用儀器(M0C0NOx-Tran 2/20)測(cè)量50 %相對(duì)濕度下通過(guò)帶有ALD法沉積的Al2O3的膜的氧輸送率。測(cè)量80小時(shí)厚，在測(cè)量靈敏度(0.005cc-02/m2/天)范圍內(nèi)，盡管嚴(yán)重地預(yù)先彎曲，都沒(méi)有檢測(cè)到有氧輸送通過(guò)阻擋層膜(< 0.005cc/m2/天)。為了比較，我們測(cè)量出氧通過(guò)未涂覆的PEN基材的輸送為約10cc-02/m2/天。圖5表示該涂有Al2O3的PEN阻擋層和未涂覆的PEN的光透射相同(400nm以上的透射率> 80% )，證明了薄Al2O3阻擋層涂層的透明性。
權(quán)利要求
1.一種制品，包含: a)具有表面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)鹊娜嵝跃酆衔锘?，? b)在所述基材的所述表面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)戎换騼烧呱贤ㄟ^(guò)原子層沉積法沉積的厚度為2-100納米的氣體滲透阻擋層，其中用于所述氣體滲透阻擋層的材料選自元素周期表中IVB, VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它們的結(jié)合，且所述氣體滲透阻擋層的結(jié)構(gòu)是非結(jié)晶的和沒(méi)有特征的。
2.一種制品，包含: a)具有表面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)鹊娜嵝跃酆衔锘模? b)涂覆的粘合層，和 c)在所述基材的所述表面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)戎换騼烧呱贤ㄟ^(guò)原子層沉積法沉積的厚度為2-100納米的氣體滲透阻擋層，其中用于所述氣體滲透阻擋層的材料選自元素周期表中IVB, VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它們的結(jié)合，且所述氣體滲透阻擋層的結(jié)構(gòu)是非結(jié)晶的和沒(méi)有特征的。
3.一種制品 ，包含: a)柔性聚合物基材， b)有機(jī)半導(dǎo)體，和 c)通過(guò)原子層沉積法沉積的厚度為2-100納米的氣體滲透阻擋層，其中用于所述氣體滲透阻擋層的材料選自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它們的結(jié)合，且所述氣體滲透阻擋層的結(jié)構(gòu)是非結(jié)晶的和沒(méi)有特征的。
4.一種制品，包含: a)柔性聚合物基材， b)液晶聚合物，和 c)通過(guò)原子層沉積法沉積的厚度為2-100納米的氣體滲透阻擋層，其中用于所述氣體滲透阻擋層的材料選自元素周期表中IVB、VB、VIB、IIIA和IVA族的氧化物或氮化物以及它們的結(jié)合，且所述氣體滲透阻擋層的結(jié)構(gòu)是非結(jié)晶的和沒(méi)有特征的。
5.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的制品，其中氣體滲透阻擋層的厚度為2-50納米。
6.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的制品，其中所述柔性聚合物基材在>250°C出現(xiàn)化學(xué)降解和/或尺寸變化。
7.權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的制品，其中該制品是封閉容器。
8.權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的制品，其中該制品是電力或電子器件。
9.權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的制品，其中該制品是發(fā)光聚合物器件。
10.權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的制品，其中該制品是有機(jī)發(fā)光二極管、晶體管、有機(jī)光電池或液晶顯示器。
11.權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的制品，其中該制品是包含發(fā)光聚合物器件的電路。
12.權(quán)利要求1-6中任何一項(xiàng)的制品，其中該制品是包含晶體管的電路。
13.包含許多層的第二種制品，每層包含一個(gè)權(quán)利要求1-6任何一項(xiàng)中描述的制品，其中制品相互接觸。
14.權(quán)利要求13的第二種制品，其中所述制品通過(guò)層疊手段相互接觸。
15.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的制品，其中所述柔性聚合物基材是柔性聚酯基材。
16.權(quán)利要求15的制品，其中所述柔性聚酯基材是對(duì)苯二甲酸乙二醇酯基材或聚萘二甲酸乙二醇酯基材。
17.權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的制品，其中所述氣體滲透阻擋層的材料是Al2O315
18.權(quán)利要求17 的制品，其中所述原子層沉積法使用三甲基鋁作為鋁前體和臭氧作為氧化劑進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明涉及通過(guò)原子層沉積形成的塑料基材阻擋層膜。具體地說(shuō)，氣體滲透阻擋層可通過(guò)原子層沉積法(ALD)沉積在塑料或玻璃基材上。ALD涂層的使用可在低濃度的涂層缺陷下，以數(shù)十納米厚度降低許多量級(jí)的滲透率。這些薄涂層保護(hù)了塑料基材的柔韌性和透明性。這種制品可用于容器、電力和電子應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103215569SQ20131010150
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月16日
發(fā)明者P.F.卡西亞, R.S.麥克萊恩 申請(qǐng)人:納幕爾杜邦公司