輸入輸出構(gòu)件以及電子部件收納用封裝件以及電子裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種輸入輸出構(gòu)件以及電子部件收納用封裝件以及電子裝置。在電子部件收納用封裝件的輸入輸出構(gòu)件中，需要降低高頻信號損耗?；诒緦?shí)用新型的一實(shí)施方式的輸入輸出構(gòu)件(9)具備第1絕緣構(gòu)件(11)、與第1絕緣構(gòu)件(11)的上表面相接合的第2絕緣構(gòu)件(12)、和中央部被第1絕緣構(gòu)件(11)與第2絕緣構(gòu)件(12)夾著的布線導(dǎo)體(13)。然后，布線導(dǎo)體(13)在從第2絕緣構(gòu)件(12)露出的部分的與第2絕緣構(gòu)件(12)的邊界部，具有與其他部位相比線寬更寬的阻抗匹配部。
【專利說明】輸入輸出構(gòu)件以及電子部件收納用封裝件以及電子裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及用于收納半導(dǎo)體元件那樣的電子部件的電子部件收納用封裝件等的輸入輸出構(gòu)件以及使用了該輸入輸出構(gòu)件的電子部件收納用封裝件、電子裝置。這樣的電子裝置能夠在各種電子設(shè)備中使用。

【背景技術(shù)】
[0002]作為收納電子部件的電子部件收納用封裝件(以下，也簡稱為封裝件)，已知有例如在特開平9-64223號公報(bào)中記載的電子部件用封裝件。該封裝件具備用于將收納于內(nèi)部的電子部件與外部的電氣電路電連接的輸入輸出用導(dǎo)體圖案。此外，具備被設(shè)置為將輸入輸出用導(dǎo)體圖案夾在中間的第2接地用導(dǎo)體圖案，通過輸入輸出用導(dǎo)體圖案和第2接地用導(dǎo)體圖案來形成了共面布線。
[0003]在該封裝件中，將第2接地用導(dǎo)體圖案之間的除了輸入輸出用導(dǎo)體圖案部分以外的距離設(shè)為被第3絕緣體層覆蓋的部分與未被第3絕緣體層覆蓋的部分相比較長。由此，進(jìn)行了被第3絕緣體層覆蓋的部分與未被覆蓋的部分之間的特性阻抗的匹配。
[0004]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)I JP特開平9-64223號公報(bào)實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]實(shí)用新型要解決的課題
[0008]但是，即使被絕緣體層覆蓋的部分與未被覆蓋的部分的特性阻抗能夠分別進(jìn)行匹配，這些連續(xù)的高頻線路的高頻特性也還不夠充分。
[0009]此外，在使高頻信號成為高輸出的情況下，也需要考慮高頻信號線路的耐壓性。本實(shí)用新型鑒于上述課題而作，目的在于提供一種能夠進(jìn)行良好的阻抗匹配的輸入輸出構(gòu)件以及使用了該輸入輸出構(gòu)件的電子部件收納用封裝件以及電子裝置。
[0010]解決課題的手段
[0011]基于本實(shí)用新型的I個(gè)方式的輸入輸出構(gòu)件具備:第I絕緣構(gòu)件?’第2絕緣構(gòu)件，其與該第I絕緣構(gòu)件的上表面相接合；和布線導(dǎo)體，其中央部被所述第I絕緣構(gòu)件與所述第2絕緣構(gòu)件夾著。該布線導(dǎo)體在從所述第2絕緣構(gòu)件露出的部分的與所述第2絕緣構(gòu)件的邊界部，具有與其他部位相比線寬更寬的阻抗匹配部。
[0012]實(shí)用新型效果
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所涉及的輸入輸出構(gòu)件，布線導(dǎo)體在從第2絕緣構(gòu)件露出的部分的與第2絕緣構(gòu)件的邊界部，具有與其他部位相比線寬更寬的阻抗匹配部，因而通過線寬較寬的阻抗匹配部對在邊界部所產(chǎn)生的阻抗不匹配進(jìn)行匹配，能夠改善被第2絕緣構(gòu)件覆蓋的部分與未被覆蓋的部分連續(xù)的布線導(dǎo)體的高頻特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是第I實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件以及具備該封裝件的電子裝置的分解立體圖。
[0015]圖2是圖1所示的第I實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件的立體圖。
[0016]圖3是圖2所示的電子部件收納用封裝件的X-X剖面的剖面圖。
[0017]圖4是用于圖1、圖2所示的電子部件收納用封裝件的輸入輸出構(gòu)件的分解立體圖。
[0018]圖5是圖4所示的輸入輸出構(gòu)件的俯視圖。
[0019]圖6是第2實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件中的輸入輸出構(gòu)件的俯視圖。
[0020]圖7是第3實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件中的輸入輸出構(gòu)件的俯視圖。
[0021]圖8是第4實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件中的輸入輸出構(gòu)件的俯視圖。
[0022]圖9是第5實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件中的輸入輸出構(gòu)件的俯視圖。
[0023]圖10是表示第4實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件中的輸入輸出構(gòu)件的高頻反射損耗的模擬結(jié)果的線圖。
[0024]圖11是表示第4實(shí)施方式的電子部件收納用封裝件中的輸入輸出構(gòu)件的高頻插入損耗的模擬結(jié)果的線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]以下，關(guān)于本實(shí)用新型的各實(shí)施方式的輸入輸出構(gòu)件以及具備該輸入輸出構(gòu)件的電子部件收納用封裝件、電子裝置，使用附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，以下所參照的各圖簡略地示出主要的構(gòu)成。本實(shí)用新型所涉及的輸入輸出構(gòu)件、封裝件以及電子裝置可具備未在本說明書所參照的各圖中示出的任意的構(gòu)成構(gòu)件、詳細(xì)構(gòu)成。此外，各圖的縮尺與實(shí)際的縮尺不同。
[0026]圖1、圖2、圖3表示本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的封裝件I以及電子裝置101。封裝件I具備:基板5，其在上表面具有載置電子部件3的載置區(qū)域；和框體7，其包圍載置區(qū)域地設(shè)置于基板5的上表面?？蝮w7具有在內(nèi)周面和外周面具有開口并貫通框體7的貫通孔7a。在貫通孔7a中，固定用于在框體7所包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)與外側(cè)之間進(jìn)行信號的輸入輸出的輸入輸出構(gòu)件9。
[0027]圖4表不本實(shí)施方式中的輸入輸出構(gòu)件9的分解立體圖。輸入輸出構(gòu)件9具備第I絕緣構(gòu)件11、和與第I絕緣構(gòu)件11的上表面相接合的第2絕緣構(gòu)件12。在第I絕緣構(gòu)件11的上表面形成布線導(dǎo)體13。布線導(dǎo)體13被第2絕緣構(gòu)件12夾住一個(gè)端部而形成。第2絕緣構(gòu)件12的布線導(dǎo)體13的線路方向的寬度與第I絕緣構(gòu)件11相比較窄，因此布線導(dǎo)體13的一端被露出來。另外，也可以在沿布線導(dǎo)體13的線路方向的兩側(cè)，隔開一定間隔地設(shè)置接地導(dǎo)體14。布線導(dǎo)體13以及接地導(dǎo)體14形成共面線路。
[0028]布線導(dǎo)體13具有--第I部位13a，其被第I絕緣構(gòu)件11以及第2絕緣構(gòu)件12夾??；第2部位13b，其與第I部位13a相鄰并位于從第2絕緣構(gòu)件12露出的邊界部；以及第3部位13c，其從第2絕緣構(gòu)件12露出，并與第2部位13b相鄰。第2部位13b是被第2絕緣構(gòu)件12夾著的第I部位13a與布線導(dǎo)體13從第2絕緣構(gòu)件12露出的部分的邊界部，位于從第2絕緣構(gòu)件12露出的一側(cè)。然后，第2部位13b形成為與第I部位13a以及第3部位13c相比線寬W2更寬。
[0029]這樣，通過使第2部位13b的線寬W2比第I部位13a的線寬Wl以及第3部位13c的線寬W3更寬，從而與第I部位13a以及第3部位13c相比在第2部位13b高頻阻抗降低。因此，能夠緩和在邊界部產(chǎn)生的高阻抗從而緩和阻抗的不連續(xù)。這樣，第2部位13b作為阻抗匹配部而發(fā)揮作用，能夠進(jìn)行在第I部位13a與第3部位13c之間的阻抗匹配。
[0030]本實(shí)施方式中的基板5具有平板形狀的主體部以及從該主體部的四角分別向側(cè)方引出的緊固螺絲部。平板部在上表面具有載置電子部件3的載置區(qū)域。在緊固螺絲部，分別形成有緊固螺絲孔5b。通過該緊固螺絲孔5b，能夠?qū)⒎庋b件I打上螺絲固定于安裝基板(未圖不)。
[0031]另外，在本實(shí)施方式中所謂的載置區(qū)域意味著在俯視基板5的情況下與電子部件3互相重疊的區(qū)域。作為基板5的大小,例如，主體部是一邊為5mm?50mm的長方形。此夕卜，基板5的厚度例如是0.3mm?3mm。
[0032]在本實(shí)施方式中，載置區(qū)域形成于基板5的上表面的中央部，但并不限于該方式。作為將載置電子部件3的區(qū)域稱為載置區(qū)域，例如，也可以在基板5的上表面的端部形成載置區(qū)域。此外，也可以基板5具有多個(gè)載置區(qū)域，并在每一個(gè)載置區(qū)域載置電子部件3。
[0033]電子部件3被載置于基板5的上表面的載置區(qū)域。作為電子部件3的示例，能夠列舉出光半導(dǎo)體元件、IC元件以及電容器之類的電子部件3。作為光半導(dǎo)體元件的示例，例如，可以列舉出LD(Laser D1de)元件所代表的射出光的發(fā)光元件、或者TO(Photc)Detector)元件所代表的接受光的受光元件。
[0034]電子部件3的電極經(jīng)由焊線(未圖示)等而與輸入輸出構(gòu)件9的布線導(dǎo)體13電連接。電子部件3能夠經(jīng)由該焊線以及布線導(dǎo)體13等在與外部的布線電路(未圖示)之間進(jìn)行信號的輸入輸出。作為基板5，存在對設(shè)置電子部件3的部分要求高絕緣性的情況。
[0035]具有高絕緣性的基板5由絕緣性構(gòu)件來制作成。作為絕緣性構(gòu)件，例如，能夠使用氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、莫來石質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體以及氮化硅質(zhì)燒結(jié)體之類的陶瓷材料。此外，也可以取代這些陶瓷材料而使用玻璃陶瓷材料。
[0036]通過將含有這些玻璃粉末以及陶瓷粉末的原料粉末、有機(jī)溶劑以及粘合劑攪拌在一起，來制作混合構(gòu)件。通過將該混合構(gòu)件成型為片狀來制作多個(gè)陶瓷生片。通過將制作成的多個(gè)陶瓷生片層疊來制作多個(gè)層疊體。通過將多個(gè)層疊體分別以約1600°C的溫度進(jìn)行一體燒制而制作成基板5。
[0037]另外，作為基板5，并不限于層疊有多個(gè)絕緣性構(gòu)件的構(gòu)成。也可以通過I個(gè)絕緣性構(gòu)件來構(gòu)成基板5。此外，作為基板5，例如，也可以設(shè)為在金屬構(gòu)件上載置了絕緣性構(gòu)件的構(gòu)成。尤其是在對基板5要求高散熱性的情況下，優(yōu)選基板5是包含金屬構(gòu)件的構(gòu)成。這是因?yàn)榻饘贅?gòu)件具有高散熱性。通過設(shè)為在金屬構(gòu)件上載置了絕緣性構(gòu)件的構(gòu)成，能夠提高基板5的散熱性。
[0038]例如，也可以像本實(shí)施方式中的基板5那樣，具備絕緣性的載置基板27。在本實(shí)施方式的封裝件I中，基板5由金屬構(gòu)件構(gòu)成，在該基板5的載置區(qū)域上載置有載置基板27。然后，在該載置基板27上載置電子部件3。
[0039]作為金屬構(gòu)件，能夠使用鐵、銅、鎳、鉻、鈷以及鎢之類的金屬材料、或者由這些金屬構(gòu)成的合金或?qū)⑦@些金屬復(fù)合而成的金屬構(gòu)件。能夠通過對這樣的金屬材料的鑄錠施行軋制加工法、沖壓加工法、切削加工法那樣的金屬加工法，來制作構(gòu)成基板5的金屬構(gòu)件。
[0040]此外，作為載置基板27，優(yōu)選使用與絕緣性構(gòu)件同樣絕緣性良好的構(gòu)件，例如，能夠使用氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、莫來石質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體以及氮化硅質(zhì)燒結(jié)體之類的陶瓷材料。此外，也可以取代這些陶瓷材料而使用玻璃陶瓷材料。
[0041]本實(shí)施方式的封裝件I具備包圍載置區(qū)域地固定于基板5的上表面的框體7。對于框體7，俯視情況下的內(nèi)周面以及外周面分別為四角形的筒形狀，并由4個(gè)側(cè)壁部分構(gòu)成?？蝮w7經(jīng)由銀焊料等的接合構(gòu)件(未圖示)而與基板5相接合。
[0042]俯視情況下的框體7的外周，例如,橫豎的一邊為5mm以上且50mm以下。此外,夕卜周與內(nèi)周之間的寬度即框體7的厚度，例如為0.5mm以上且2mm以下。此外，框體7的高度，例如為3mm以上且30mm以下。
[0043]作為框體7，例如，可以與基板5同樣地使用絕緣性良好的構(gòu)件或者金屬構(gòu)件。作為絕緣性良好的構(gòu)件，例如，可以使用氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、莫來石質(zhì)燒結(jié)體、碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體以及氮化硅質(zhì)燒結(jié)體之類的陶瓷材料。此外，作為金屬構(gòu)件，例如，可以使用鐵、銅、鎳、鉻、鈷以及鎢之類的金屬材料、或者由這些金屬材料構(gòu)成的合金或?qū)⑦@些金屬復(fù)合而成的金屬構(gòu)件。
[0044]框體7具有貫通孔7a，該貫通孔7a將內(nèi)周面與外周面之間貫通，并在內(nèi)周面以及外周面具有開口。本實(shí)施方式中的貫通孔具有在內(nèi)周面、外周面以及下表面開口的形狀。換言之，設(shè)為將框體7的下表面?zhèn)鹊囊徊糠智腥ザ傻男螤?。這樣，貫通孔7a也可以是切去框體7的下表面而成的形狀或切去上表面而成的形狀。此外框體7也可以具有多個(gè)這樣的貫通孔7a。
[0045]在貫通孔7a中，插入并固定輸入輸出構(gòu)件9。輸入輸出構(gòu)件9是將框體7的內(nèi)外電連接的構(gòu)件。另外，在圖1、圖2、圖4、圖5中，為了便于視覺上的理解，對布線導(dǎo)體13以及接地導(dǎo)體14使用了陰影線。
[0046]在本實(shí)施方式的封裝件I中，從圖1、圖3可知，基板5在位于貫通孔7a的下方的部分具有切口部5a，在該切口部5a，與第I絕緣構(gòu)件11的側(cè)面相接地固定輸入輸出構(gòu)件9。此外，在第I絕緣構(gòu)件11中，形成有從上表面直到下表面進(jìn)行貫通的貫通孔，在該貫通孔中，形成有貫通導(dǎo)體29。貫通導(dǎo)體29與布線導(dǎo)體13的端部電連接。通過貫通導(dǎo)體29，布線導(dǎo)體13被連接到封裝件I的下表面?zhèn)?。然后，在第I絕緣構(gòu)件11的下表面，配置有引線端子31。引線端子31與貫通導(dǎo)體29的下端電連接。引線端子31是用于將外部的布線電路與貫通導(dǎo)體29電連接的構(gòu)件。另外，在引線端子31的兩側(cè)，表示有與接地導(dǎo)體14相連接的接地端子31a。
[0047]第I絕緣構(gòu)件11是四角板形狀。作為第I絕緣構(gòu)件11的例示的大小，俯視情況下的與布線導(dǎo)體13的線路方向平行的一邊為I?1mm程度，俯視情況下的與布線導(dǎo)體13的線路方向相交的一邊為5?50mm程度，厚度為0.5?2mm程度。
[0048]第2絕緣構(gòu)件12與第I絕緣構(gòu)件11同樣為四角板形狀。作為第2絕緣構(gòu)件12的例示的大小，俯視情況下的與布線導(dǎo)體13的線路方向平行的一邊為0.5?5mm程度，俯視情況下的與布線導(dǎo)體13的線路方向正交的一邊為5?50mm程度,厚度為0.5?2mm程度。
[0049]作為第I絕緣構(gòu)件11以及第2絕緣構(gòu)件12，優(yōu)選為使用絕緣性良好的電介質(zhì)構(gòu)件。例如，相對介電常數(shù)為9.4程度的氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體、相對介電常數(shù)為7.5程度的莫來石質(zhì)燒結(jié)體、相對介電常數(shù)為40程度的碳化硅質(zhì)燒結(jié)體、相對介電常數(shù)為8.5程度的氮化鋁質(zhì)燒結(jié)體以及相對介電常數(shù)為9.6程度的氮化硅質(zhì)燒結(jié)體之類的陶瓷材料或玻璃陶瓷材料，可以被用作第I絕緣構(gòu)件11以及第2絕緣構(gòu)件12。為了在布線導(dǎo)體13中良好地傳輸信號，優(yōu)選第I絕緣構(gòu)件11以及第2絕緣構(gòu)件12由上述構(gòu)件那樣的相對介電常數(shù)為4?50程度的電介質(zhì)來構(gòu)成。
[0050]優(yōu)選第I絕緣構(gòu)件11的下表面位于比基板5的下表面更靠近上方。這是因?yàn)楫?dāng)引線端子31與第I絕緣構(gòu)件11的下表面相接合時(shí)，能夠使得引線端子31不會(huì)比基板5的下表面更向下方突出。因此，在將基板5固定于安裝基板時(shí)，能夠使得基板5緊貼于安裝基板，從而不妨礙散熱。
[0051]布線導(dǎo)體13的第I部位13a的線寬Wl，例如為0.05?0.5mm程度，第2部位13b的線寬W2，例如為0.15?1.5mm程度，第3部位13c的線寬W3，例如為0.1?Imm程度。第I部位13a、第2部位13b以及第3部位13c的各線寬基于布線導(dǎo)體13中所需要的傳輸特性，根據(jù)第I絕緣構(gòu)件11以及第2絕緣構(gòu)件12的介電常數(shù)來適當(dāng)?shù)貨Q定。
[0052]另外，上述線寬對布線導(dǎo)體13形成了共面線路的情況進(jìn)行了假定。在布線導(dǎo)體13例如是在兩側(cè)沒有接地導(dǎo)體14的微帶線路的情況下，一般設(shè)為比上述粗的線寬。
[0053]對于第I部位13a的線寬Wl，周圍被第I部位13a以及第2絕緣構(gòu)件12包圍。因此，被定為成為在電介質(zhì)中具有例如50Ω的特性阻抗那樣的高頻線路寬度那樣的線寬W1。
[0054]對于第3部位13c，布線導(dǎo)體13的下方為電介質(zhì)而上方配置于相對介電常數(shù)大致為I的空氣中。因此，第3部位13c的線寬W3被定為成為在這樣的條件下具有例如50 Ω的特性阻抗那樣的高頻線路寬度。
[0055]由于第3部位13c的布線導(dǎo)體13的周圍的有效介電常數(shù)如上所述比第I部位13a的介電常數(shù)小，因而第3部位13c的線寬W3和第I部位13a的線寬W1，在夾著作為阻抗匹配部的第2部位13b的前后線寬不同。一般而言，第I部位13a的線寬Wl與第3部位13c的線寬W3相比形成得較細(xì)。
[0056]第2部位13b，決定成為具有能夠取消由于邊界部的電感成分等而產(chǎn)生的高阻抗值的電容成分等的形狀的線寬。這些也能夠通過模擬來求得。
[0057]另外，在布線導(dǎo)體13為共面線路的情況下，在布線導(dǎo)體13與接地導(dǎo)體14之間設(shè)置0.05mm?Imm的間隙。此外,在配置多個(gè)布線導(dǎo)體13的情況下,布線導(dǎo)體13按照0.3?2_程度的間隔來配置。
[0058]在本實(shí)施方式的封裝件I中，第2部位13b的線寬W2與第I部位13a以及第3部位13c的線寬W1、W3相比較大，布線導(dǎo)體13的寬度不固定。此時(shí)，優(yōu)選將接地導(dǎo)體14與第2部位13b之間的間隙的寬度、以及接地導(dǎo)體14與第3部位13c之間的間隙的寬度這兩者都設(shè)為最小寬度。即，優(yōu)選與布線導(dǎo)體13相對置的接地導(dǎo)體14的邊緣并非直線形狀，而是成為根據(jù)布線導(dǎo)體13的寬度的變化而具有固定寬度的間隙的形狀。由此，能夠提高共面線路的信號的傳輸效率。
[0059]另外，在本實(shí)施方式中所謂“接地”意味著與作為所謂的地電位的外部的基準(zhǔn)電位(未圖示)電連接。因此，作為基準(zhǔn)電位的接地不需要電位一定是0V。
[0060]作為布線導(dǎo)體13以及接地導(dǎo)體14，優(yōu)選使用導(dǎo)電性良好的構(gòu)件。例如，能夠?qū)㈡u、鑰、鎳、銅、銀以及金之類的金屬材料作為布線導(dǎo)體13來使用。可以單一地使用上述的金屬材料，或者，也可以作為合金來使用。
[0061]作為輸入輸出構(gòu)件9的制造方法，例如若是在第I絕緣構(gòu)件11以及第2絕緣構(gòu)件12由氧化鋁(Al2O3)質(zhì)陶瓷構(gòu)成的情況下，則可以按照下面的方式來制作。在氧化鋁(Al2O3)、氧化娃(S12)、氧化鎂(MgO)、氧化I丐(CaO)等的原料粉末中添加混合適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)粘合劑、有機(jī)溶劑、可塑劑、分散劑等而形成為漿料狀，將其通過現(xiàn)有眾所周知的刮刀法而形成為片狀，由此得到多枚陶瓷生片。
[0062]接著，準(zhǔn)備多枚成為第I絕緣構(gòu)件11的陶瓷生片，施行適當(dāng)?shù)臎_壓加工，并且在成為上層的陶瓷生片，將在W、Mo、錳(Mn)等的金屬粉末中混合適當(dāng)?shù)恼澈蟿?、溶劑而成的?dǎo)體糊劑通過絲網(wǎng)印刷法、凹版印刷法等而印刷涂敷成布線導(dǎo)體13的規(guī)定圖案。在布線導(dǎo)體13為共面線路的情況下，接地導(dǎo)體14也同時(shí)地印刷涂敷成規(guī)定圖案。此外，在輸入輸出構(gòu)件9的與外面的基板5以及框體7相接合的部位，上述導(dǎo)體糊劑被涂敷形成以供釬焊使用。
[0063]接著，準(zhǔn)備多枚成為第2絕緣構(gòu)件12的陶瓷生片，并在成為上層的陶瓷生片的與框體7相接合的面，將在釬焊用的W、Mo、Mn等的金屬粉末中混合適當(dāng)?shù)恼澈蟿?、溶劑而成的?dǎo)體糊劑通過絲網(wǎng)印刷法、凹版印刷法等而印刷涂敷成規(guī)定圖案。
[0064]接著，在成為第I絕緣構(gòu)件11的層疊體上層疊壓接成為第2絕緣構(gòu)件12的層疊體，得到側(cè)面為凸型狀的成為輸入輸出構(gòu)件9的層疊體。印刷涂敷成為所得到的層疊體的側(cè)面的與框體7相接合的金屬層的導(dǎo)體糊劑等，最后在1500°C?1600°C程度的溫度下進(jìn)行燒制，由此制作成輸入輸出構(gòu)件9。
[0065]最后，在輸入輸出構(gòu)件9的布線導(dǎo)體13等的導(dǎo)體層的表面，為了防止氧化腐蝕、為了提高引線接合等的接合性、為了減少電氣電阻、或者為了提高焊接性，通過鍍覆法將厚度0.5?9μπι的Ni(鎳)層或厚度0.5?5μπι的Au(金)層等的金屬層覆蓋于表面。
[0066]接著，使用附圖對布線導(dǎo)體13的其他實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在本實(shí)施方式所涉及的各構(gòu)成中，對于具有與第I實(shí)施方式相同功能的構(gòu)成，標(biāo)注相同的參照符號，省略其詳細(xì)說明。此外，在圖6、圖7、圖8、圖9中，為了便于視覺上的理解而對布線導(dǎo)體13以及接地導(dǎo)體14使用了陰影線。
[0067]圖6所示的實(shí)施方式中的布線導(dǎo)體13的第2部位13b的形狀與圖5所示的實(shí)施方式的布線導(dǎo)體13的第2部位13b的形狀不同。對于圖5所示的第I實(shí)施方式中的布線導(dǎo)體13，第2部位13b的線寬W2固定，俯視情況下的形狀為大致長方形的形狀。另一方面，對于第2實(shí)施方式中的布線導(dǎo)體13，如圖6所示的俯視圖那樣，第2部位13b的線寬W2朝向第I部位13a呈直線地逐漸擴(kuò)大。即，俯視情況下的第2部位13b的形狀成為梯形的形狀。
[0068]另外，在如本實(shí)施方式的布線導(dǎo)體13那樣，第2部位13b的線寬W2不固定的情況下，只要將第2部位13b的線寬的平均值設(shè)為W2即可。
[0069]在上述制造方法中說明的那樣，在布線導(dǎo)體13的表面鍍覆N1、Au等的金屬。此時(shí)，若如圖5所示第2部位13b為長方形狀，則存在電荷集中于長方形的角部從而鍍覆從角向外側(cè)生長成胡須狀的情況。該生長成胡須狀的鍍覆層使得與接地導(dǎo)體14之間的間隙變窄，容易在布線導(dǎo)體13與接地導(dǎo)體14之間發(fā)生短路。通過將布線導(dǎo)體13設(shè)為圖6所示的形狀，第2部位13b的銳角即角部消失，所以能夠使得難以產(chǎn)生該鍍覆層異常生長成胡須狀的現(xiàn)象。
[0070]接著，參照圖7對第3實(shí)施方式中的布線導(dǎo)體13的形狀進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在本實(shí)施方式的各構(gòu)成中，也對與第I實(shí)施方式具有相同功能的部分，標(biāo)注相同的參照符號，省略其詳細(xì)說明。
[0071]本實(shí)施方式的布線導(dǎo)體13如圖7所示，第2部位13b的形狀不同。S卩，第2部位13b的線寬W2具有朝向第I部位13a逐漸呈曲線地?cái)U(kuò)大的形狀。例如，第2部位13b的外周被設(shè)為形成圓弧的一部分的曲線形狀。
[0072]在本實(shí)施方式的布線導(dǎo)體13中，在第2部位13b也沒有形成成為銳角的角部，從而能夠使得難以產(chǎn)生鍍覆層異常生長成胡須狀的現(xiàn)象。進(jìn)而，能夠與第2實(shí)施方式中的第2部位13b相比使第2部位13b的面積取得更大。
[0073]進(jìn)而，對于圖8所示的第3實(shí)施方式中的布線導(dǎo)體13，第2部位13b在俯視下為圓形狀。因此，能夠與上述圖7所示的布線導(dǎo)體13同樣地使得難以產(chǎn)生鍍覆層異常生長成胡須狀的現(xiàn)象。進(jìn)而，能夠縮短第2部位13b的外周長的同時(shí)面積取得很大面積，能夠作為阻抗匹配部最大限度地提高第2部位13b的效果。
[0074]在圖10以及圖11中，示出第2部位13b是圓形狀的情況下的布線導(dǎo)體13的高頻特性的模擬結(jié)果。圖10示出使布線導(dǎo)體13傳播50GHz以下的高頻信號時(shí)的反射損耗。實(shí)線所示的是設(shè)置了圓形狀的第2部位13b的布線導(dǎo)體。此外，虛線所示的是未設(shè)置第2部位13b的現(xiàn)有的布線導(dǎo)體。
[0075]圖11示出使布線導(dǎo)體13傳播50GHz以下的高頻信號時(shí)的插入損耗。虛線表示未設(shè)置第2部位13b的直線狀的布線導(dǎo)體13的插入損耗。實(shí)線表示設(shè)置有圓形狀的第2部位13b的情況下的布線導(dǎo)體13的插入損耗。從圖10、圖11可知，通過設(shè)置圓形狀的第2部位13b,反射損耗或插入損耗減少。
[0076]在上述那樣的第2部位13b的線寬W2不固定的任意一種情況下，只要將第2部位13b的線寬的平均值設(shè)為W2即可。
[0077]而且，作為使得難以產(chǎn)生鍍覆層異常生長成胡須狀的現(xiàn)象的解決手段，也可以用絕緣體層15來覆蓋鍍覆層異常生長成胡須狀的部位。例如，圖9所示的布線導(dǎo)體13，通過在由第2絕緣構(gòu)件12覆蓋的邊界部形成陶瓷層而實(shí)現(xiàn)了絕緣體層15。該陶瓷層通過在將第2絕緣構(gòu)件12層疊在第I絕緣構(gòu)件11的上表面之前，預(yù)先在布線導(dǎo)體13的邊界部涂敷陶瓷漿料而形成。
[0078]陶瓷層的厚度例如為ΙΟμπι程度。只要是這種程度的厚度就不會(huì)對基于介電常數(shù)變化的高頻特性造成很大的影響。此外，這是為了防止鍍覆層異常生長的充分的厚度。
[0079]絕緣體層15也可以設(shè)置為除了覆蓋第2絕緣構(gòu)件12所覆蓋的邊界部以外，還覆蓋由于設(shè)置第2部位13b而產(chǎn)生的布線導(dǎo)體13的銳角部，從而能夠防止鍍覆層異常生長。另外，對在圖5的實(shí)施方式中設(shè)置絕緣體層15的示例進(jìn)行了表示，但除了能夠應(yīng)用于圖5的實(shí)施方式以外，也能夠應(yīng)用于圖6、圖7、圖8中的任意一個(gè)實(shí)施方式，優(yōu)選設(shè)置絕緣體層。
[0080]接著，使用了本實(shí)施方式的封裝件I的電子裝置101具備:電子部件3，其載置于基板5的載置區(qū)域并與布線導(dǎo)體13相連接；以及蓋體，其與框體7的上表面相接合。蓋體103設(shè)置為對電子部件3進(jìn)行密封。蓋體103與框體7的上表面相接合。然后，在基體、框體7以及蓋體103所圍成的空間中對電子部件3進(jìn)行了密封。通過這樣密封電子部件3，能夠抑制長期間的封裝件I的使用所引起的電子部件3的劣化。
[0081]作為蓋體103，例如，能夠使用鐵、銅、鎳、鉻、鈷以及鎢之類的金屬構(gòu)件、或者由這些金屬構(gòu)成的合金或?qū)⑦@些金屬復(fù)合而成的復(fù)合構(gòu)件。此外，框體7和蓋體103例如也可以使用金-錫焊料等來接合。
[0082]此外，框體7和蓋體103也可以通過縫焊等直接接合，但也可以例如，將在俯視情況下與框體7互相重疊那樣的環(huán)形狀的金屬構(gòu)件、即所謂的密封環(huán)夾在中間來進(jìn)行接合。
[0083]以上，對各實(shí)施方式的元件收納用封裝件以及具備該封裝件的電子裝置進(jìn)行了說明，但本實(shí)用新型并非限定于上述的實(shí)施方式。即，只要是在不脫離本實(shí)用新型的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更、實(shí)施方式的組合。
[0084]符號說明
[0085]I 電子部件收納用封裝件（封裝件）
[0086]3 電子部件
[0087]5 基板
[0088]5b緊固螺絲孔
[0089]7 框體
[0090]9 輸入輸出構(gòu)件
[0091]11第I絕緣構(gòu)件
[0092]12第2絕緣構(gòu)件
[0093]13布線導(dǎo)體
[0094]13a 第 I 部位
[0095]13b 第 2 部位
[0096]13c 第 3 部位
[0097]14接地導(dǎo)體
[0098]15絕緣體層
[0099]27載置基板
[0100]29貫通導(dǎo)體
[0101]31引線端子
[0102]101電子裝置
[0103]103 蓋體
【權(quán)利要求】
1.一種輸入輸出構(gòu)件，其特征在于，具備: 第I絕緣構(gòu)件； 第2絕緣構(gòu)件，其與該第I絕緣構(gòu)件的上表面相接合；和 布線導(dǎo)體，其中央部被所述第I絕緣構(gòu)件與所述第2絕緣構(gòu)件夾著， 該布線導(dǎo)體在從所述第2絕緣構(gòu)件露出的部分與所述第2絕緣構(gòu)件的邊界部，具有與其他部位相比線寬更寬的阻抗匹配部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入輸出構(gòu)件，其特征在于， 所述布線導(dǎo)體在所述阻抗匹配部的前后線寬不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入輸出構(gòu)件，其特征在于， 所述阻抗匹配部在俯視下具有曲線形狀且線寬擴(kuò)大。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輸入輸出構(gòu)件，其特征在于， 所述阻抗匹配部在俯視下具有圓弧形狀且線寬擴(kuò)大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輸入輸出構(gòu)件,其特征在于， 所述阻抗匹配部在俯視下為圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的輸入輸出構(gòu)件,其特征在于， 所述布線導(dǎo)體在所述邊界部被絕緣體層覆蓋。
7.一種電子部件收納用封裝件，其特征在于，具有: 基板，其在上表面具有載置電子部件的載置區(qū)域； 框體，其包圍所述載置區(qū)域地設(shè)置于所述基板的上表面，并具有在內(nèi)周面以及外周面開口的貫通孔；和 權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的輸入輸出構(gòu)件，其被固定成堵住所述貫通孔。
8.—種電子裝置,具備: 權(quán)利要求7所述的電子部件收納用封裝件；和 被載置于該電子部件收納用封裝件的所述載置區(qū)域并與所述布線導(dǎo)體相連接的電子部件。
【文檔編號】H01L23/04GK204144237SQ201290001069
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月27日
【發(fā)明者】辻野真廣, 高谷茂典 申請人:京瓷株式會(huì)社