熱電裝置和熱電冷卻模塊的制造方法以及使用該熱電冷卻模塊的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提供了一種熱電裝置的制造方法，所述方法包括：由所述主要原材料形成底基板，所述主要原材料由Bi2(SeXTe1-X)3構(gòu)成；研磨所述底基板；改變所述底基板中選自Bi、Se和Te的任意一種材料的組合成分；將選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的一種或多種材料與所述底基板混合并使其研磨所述底基板，并且對(duì)它們進(jìn)行研磨；以及通過(guò)燒結(jié)所述研磨的材料來(lái)形成熱電半導(dǎo)體裝置。
【專利說(shuō)明】熱電裝置和熱電冷卻模塊的制造方法以及使用該熱電冷卻模塊的設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種能在室溫下實(shí)現(xiàn)高熱電效率的熱電裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，熱電裝置包括熱電轉(zhuǎn)換元件，該熱電轉(zhuǎn)換元件被配置為使得P型熱電材料和N型熱電材料接合在金屬電極之間以形成PN結(jié)對(duì)。當(dāng)在PN結(jié)對(duì)之間施加溫度差時(shí)，通過(guò)塞貝克效應(yīng)(Seeback effect)產(chǎn)生電力，從而使熱電裝置能用作發(fā)電設(shè)備。另外，由于帕爾貼效應(yīng)(Peltier effect), PN結(jié)對(duì)的一部分冷卻并且其另一部分發(fā)出熱量，熱電裝置用作溫度控制設(shè)備。
[0003]這里，如圖1所示，帕爾貼效應(yīng)指的是當(dāng)在PN結(jié)對(duì)上施加外部直流電壓時(shí)P型材料空穴和N型材料電子移動(dòng)而在該材料的兩端分別產(chǎn)熱和吸熱。如圖2所示，塞貝克效應(yīng)指的是當(dāng)接收外部熱量時(shí)，空穴和電子移動(dòng)以產(chǎn)生流過(guò)材料的電流，從而產(chǎn)生電力。
[0004]通過(guò)使用熱電材料進(jìn)行主動(dòng)冷卻提高了設(shè)備的熱穩(wěn)定性，并且還被認(rèn)為是環(huán)保的方法，因?yàn)樵肼暫驼駝?dòng)很經(jīng)微，此外不使用單獨(dú)的冷凝器和制冷劑，因此占用很小的空間。使用熱電材料的主動(dòng)冷卻的應(yīng)用領(lǐng)域指的是無(wú)制冷劑冰箱、空調(diào)、各種微型冷卻系統(tǒng)等。特別是當(dāng)熱電裝置附接到各種存儲(chǔ)設(shè)備上時(shí)，這些熱電裝置使存儲(chǔ)設(shè)備保持在規(guī)則且穩(wěn)定的溫度下，同時(shí)減小存儲(chǔ)設(shè)備的體積，從而提高設(shè)備的性能。
[0005]用于測(cè)量熱電材料的性能因子指的是由以下數(shù)學(xué)公式I定義的無(wú)量綱性能指標(biāo)ZT(以下稱為“品質(zhì)因數(shù)”)。
[0006]【公式I】
S2OT
[0007]ZT 一-
k
[0008]這里，S是塞貝克系數(shù)，σ是電導(dǎo)率，T是絕對(duì)溫度，k是導(dǎo)熱率。
[0009]從各種角度來(lái)看，最近提出了用于提高熱電效率的方法。
[0010]然而，熱電裝置一般在100°C至150°C具有很高的熱電效率。因此，當(dāng)這種熱電裝置用于在室溫下工作的家用電器時(shí)，會(huì)由于效率的問(wèn)題而限制熱電裝置的應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]技術(shù)問(wèn)題
[0012]本發(fā)明考慮到上述發(fā)生在相關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】中的問(wèn)題。本發(fā)明一方面提供了一種熱電裝置的制造方法，以及使用該熱電裝置的熱電模塊，通過(guò)在向Bi2(SexTei_x)3增加金屬材料的同時(shí)改變Bi2 (SexTe1J3的主要元素B1、Se、Te的一種或多種元素的比率來(lái)制造所述熱電裝置，使得該熱電裝置可以在25°C至50°C的室溫區(qū)域下表現(xiàn)出很高的熱電性能，從而使熱電裝置能用于家用情況。
[0013]技術(shù)方案
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種熱電裝置的制造方法，所述方法包括:使用由Bi2(SexTe1J)3構(gòu)成的主要原材料形成的底基板(base substrate);研磨所述底基板；改變所述底基板中選自B1、Se和Te中任意一種材料的組合成分(combinat1n composit1n)；將選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的一種或多種材料與所述底基板混合并使其研磨所述底基板；以及通過(guò)燒結(jié)已研磨的材料來(lái)形成熱電半導(dǎo)體裝置。
[0015]有益效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在改變Bi2 (SexTe1J3的主要元素B1、Se、Te中一種或多種元素的比率的同時(shí)向Bi2 (SexTe1^x) 3增加金屬材料來(lái)制造熱電裝置，因此其優(yōu)點(diǎn)在于該熱電裝置可以在25°C至50°C的室溫區(qū)域下表現(xiàn)出很高的熱電性能。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖并入本說(shuō)明書并且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例并且與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0018]圖1和圖2是示出了常規(guī)的熱電模塊的結(jié)構(gòu)的概念視圖；
[0019]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的制造方法的步驟圖；
[0020]圖4和圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的效率的測(cè)試結(jié)果的表格和曲線圖；
[0021]圖6是根據(jù)示出了本發(fā)明的單元熱電模塊的結(jié)構(gòu)的概念圖；
[0022]圖7是根據(jù)本發(fā)明的包括多個(gè)單元熱電模塊的熱電冷卻模塊的配置的概念圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]以下將參照附圖更完整地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在參照附圖的說(shuō)明中，不論附圖的附圖標(biāo)記，在整個(gè)說(shuō)明書中類似的數(shù)字指代類似的元件，并且省略了對(duì)相同元件的重復(fù)說(shuō)明。例如第一項(xiàng)和第二項(xiàng)的術(shù)語(yǔ)可以用于說(shuō)明多個(gè)構(gòu)成元件，但是這些構(gòu)成元件應(yīng)當(dāng)不受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用于使一個(gè)構(gòu)成元件區(qū)別于另一個(gè)構(gòu)成元件的目的。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的制造過(guò)程包括:使用由Bi2 (SexTe1^x) 3構(gòu)成的主要原材料形成的底基板；研磨所述底基板；改變所述底基板中選自B1、Se和Te中任意一種材料的組合成分；將選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的一種或多種材料與所述底基板混合并使其研磨所述底基板；并且通過(guò)燒結(jié)已研磨的材料來(lái)形成熱電半導(dǎo)體裝置。
[0025]將參照?qǐng)D3詳細(xì)討論上述過(guò)程。
[0026]在根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的生產(chǎn)過(guò)程中，如步驟SI所示，首先通過(guò)使用由包括Sb、Se、B、Ga、Te、Bi和In的BiTe基材料構(gòu)成的主要原材料形成錠形(ingot shape)的底基板。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選示例性實(shí)施例，使用了通過(guò)對(duì)由Bi2(SexTei_x)3構(gòu)成的主要原材料進(jìn)行熱處理而獲得的錠形基礎(chǔ)材料。
[0027]然后，進(jìn)行將底基板研磨成錠形的過(guò)程。在這種情況下，在改變底基板中選自B1、Se和Te中的任意一種材料的組合成分之前，優(yōu)選的是進(jìn)行增加或去除B1、Se和Te中任意一種或任意兩種或更多種材料的過(guò)程，達(dá)到對(duì)應(yīng)于底基板的總重量的0.01￥1:%至1.0wt%的比率。
[0028]具體地講，在這種情況下，為了使由P型裝置或N型裝置形成的熱電半導(dǎo)體裝置的效率最大化而進(jìn)行以下過(guò)程:增加并研磨B1、Se和Te中任意一種或任意兩種或更多種元素,達(dá)到對(duì)應(yīng)于包括Bi2 (SexTeg)3的主要原材料的總重量的0.0lwt %至1.0wt %的比率，并且已增加的材料對(duì)作為混合物的單位元素(unit element)有影響，從而提高單位元素的效率。
[0029]在步驟S2的過(guò)程中，可以進(jìn)行以下過(guò)程:增加并研磨選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的一種或兩種或更多種金屬，達(dá)到對(duì)應(yīng)于底基板的總重量的0.0^^%至1.(^丨％的比率。增加金屬摻雜材料表現(xiàn)出以下效果:熱電裝置表現(xiàn)出最大性能值的溫度從100°C至150°C的范圍降低到20°C至50°C的范圍。
[0030]然后，在步驟S3中，進(jìn)行以下過(guò)程:使用包括大氣壓燒結(jié)法(atmosphericpressure sintering method)、壓力燒結(jié)法(press sintering method)、熱等靜壓(HIP)法、放電等離子燒結(jié)(SPS)法、微波燒結(jié)法、電氣輔助燒結(jié)法(electrically assistedsintering method)的燒結(jié)方法中的任意一種方法燒結(jié)已研磨的材料,然后切割已燒結(jié)的材料(S4),從而制造熱電半導(dǎo)體裝置(S5)。
[0031]將會(huì)參照?qǐng)D4和圖5討論按照上述方法制造的熱電裝置的效率變化。
[0032]參見(jiàn)圖4和圖5，圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明的上述過(guò)程期間熱電裝置的效率的測(cè)試結(jié)果。圖5是從測(cè)試結(jié)果獲得的曲線圖。
[0033]可以確認(rèn)的是，由包括Bi2(SexTeg)3的主要原材料形成的標(biāo)準(zhǔn)樣品的ZT水平一般在150°C表現(xiàn)出最大效率。除此之外，在進(jìn)行增加或去除B1、Se和Te中的任意一種、任意兩種或更多種材料的過(guò)程中，達(dá)到對(duì)應(yīng)于底基板總重量的0.0.1wt%至1.(^丨％的比率的情況下，即，在基本成分發(fā)生變化的測(cè)試組中，ZT水平表現(xiàn)出最大效率的溫度降低到100°C。然而,仍然存在難以將熱電裝置應(yīng)用于在100°c的室溫下使用的家用電器的問(wèn)題。
[0034]這里，如圖5所示，在共同執(zhí)行增加或去除B1、Se和Te中的任意一種、任意兩種或更多種材料的過(guò)程，以及增加選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的任意一種金屬或任意兩種或更多種金屬(即，增加摻雜物)從而達(dá)到對(duì)應(yīng)于底基板的總重量的0.01wt%至1.0wt%的比率的過(guò)程的情況下，可以確認(rèn)的是表現(xiàn)出最大效率的溫度區(qū)從約100°C降低到20°C至500C的范圍。因此，在增加上述金屬摻雜材料的情況下，在20°C至50°C的溫度區(qū)中，提高了熱電材料內(nèi)部的導(dǎo)電率。結(jié)果，在室溫的低溫度區(qū)域中，實(shí)現(xiàn)了很高的熱電性能。
[0035]在增加選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al的任意一種金屬或任意兩種或更多種金屬(增加摻雜物)達(dá)到對(duì)應(yīng)于底基板的總重量的0.0lwt%至1.0wt %的比率的過(guò)程中，增加的金屬摻雜材料的比率是底基板總重量的0.01被％至1.0wt%。
[0036]例如，在選擇兩種金屬摻雜材料的情況下，選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al的第一成分A和第二成分B的組合比率可以實(shí)施為A(l-X)wt^^PB(X)wt%。例如，當(dāng)選擇的材料是銀和金時(shí)，材料的含量可以以Ag (0.0lwt % ) +Au (0.0lwt %至0.99wt% )或者Ag (0.0lwt %至0.99wt% )+Au(0.01wt% )組合。其中，X代表大于0.01的正有理數(shù)。
[0037]因此，根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置具有可以在室溫區(qū)域使用的最大效率。熱電裝置可以用于在室溫下使用的所有常用產(chǎn)品。也就是說(shuō)，這種熱電裝置適用于酒冰箱、泡菜冰箱、藥電解水設(shè)備、凈水器、干燥機(jī)、除濕機(jī)、汽車座椅、車載冰箱、冷杯托、血液存儲(chǔ)裝置等。
[0038]圖6是示出應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的熱電模塊的結(jié)構(gòu)的概念圖。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的包括多個(gè)熱電模塊的熱電冷卻模塊的一個(gè)不例性實(shí)施例的概念圖。
[0039]參見(jiàn)圖6和圖7，具有根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的熱電模塊包括至少一個(gè)或多個(gè)單元熱電模塊，所述單元熱電模塊包括P型半導(dǎo)體裝置和N型半導(dǎo)體裝置，P型半導(dǎo)體裝置的一端和N型半導(dǎo)體裝置的一端通過(guò)電極電性連接，其中P型半導(dǎo)體裝置或N型半導(dǎo)體裝置可以使用根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造并且使用選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的任意一種或多種材料添加到由Bi2 (SexTe1^x) 3構(gòu)成的主要原材料中的材料形成的熱電設(shè)備。
[0040]具體地講，如圖6所示，熱電模塊可以被配置為使得例如銅板的金屬電極102a、102b、102c、102d、102e設(shè)置在第一基板1la與第二基板1lb之間，在這些金屬電極上交替地形成P型半導(dǎo)體104a和N型半導(dǎo)體104b，或者僅僅形成任意一種半導(dǎo)體。因此，P型半導(dǎo)體104a和N型半導(dǎo)體104b分別的一端通過(guò)金屬電極102a、102b、102c、102d、102e彼此電性連接上。此外，可以在半導(dǎo)體與電極之間形成用于防止擴(kuò)散的擴(kuò)散阻擋層(diffus1nbarrier layers) 103a、103b、103c、103d、103e、103f、103g、103h。在這種結(jié)構(gòu)中，當(dāng)形成了P型半導(dǎo)體104a和N型半導(dǎo)體104b時(shí)，可以使用上述熱電裝置，其中，該熱電裝置是通過(guò)如下方式來(lái)被制造的:使用通過(guò)增加選自B1、Se和Te中的任意一種、任意兩種或更多種材料，達(dá)到對(duì)應(yīng)于具有Bi2(SexTe1I)3的主要原材料的總重量的0.0lwt%至1.0wt%的比率范圍的過(guò)程；以及添加、研磨并燒結(jié)選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的任意一種或任意兩種或更多種金屬的過(guò)程，達(dá)到對(duì)應(yīng)于底基板的總重量的0.0lwt%至1.0wt%的比率。
[0041]將參照?qǐng)D7討論多個(gè)由圖6中的單元熱電模塊形成的熱電模塊的結(jié)構(gòu)。
[0042]P型半導(dǎo)體104a和N型半導(dǎo)體104b連接到金屬電極102a和102b，并且由于電路線121和122而產(chǎn)生帕爾貼效應(yīng)，并且形成多個(gè)這種結(jié)構(gòu)，其中，電路線121和122經(jīng)由電極向半導(dǎo)體裝置供應(yīng)電流。單元熱電模塊可以自由設(shè)計(jì)成8對(duì)至1024對(duì)。在這種情況下，半導(dǎo)體裝置的尺寸可以在0.1mm至Im的范圍內(nèi)變化。
[0043]此外，形成在圖1中的半導(dǎo)體裝置上的第一基板1la和第二基板1lb可以是由Fe、Al、N1、Mg、T1、Cu、Ag、Au、Pt、S1、C和Pb中的任意一種形成的。與底基板接觸的金屬電極 102a、102b、102c、102d、102e 可以是由選自包括 Cu、Ag、N1、Al、Au、Cr、Ru、Re、Pb、Cr、Sn、In、Zn或包括這些金屬的合金所形成的組中的至少一種金屬形成的。此外，擴(kuò)散阻擋層103a、103b、103c、103d、103e、103f、103g、103h 可以是由選自包括 Cu、Ag、N1、Al、Au、Cr、Ru、Re、Pb、Cr、Sn、In、Zn或包括這些金屬的合金所形成的組中的至少一種金屬形成的。
[0044]如上所述，在本發(fā)明的詳細(xì)描述中，描述了本發(fā)明的詳細(xì)示例性實(shí)施例，顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況進(jìn)行多種修改和變化。因此，應(yīng)當(dāng)理解，前文所述是為了說(shuō)明本發(fā)明并且不應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)所公開(kāi)的具體的實(shí)施例構(gòu)成限制，并且對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例以及其它實(shí)施例的修改有意地被包括在所附權(quán)利要求書及其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
[0045]工業(yè)適用性
[0046]根據(jù)本發(fā)明的熱電裝置的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)變化成分，這種熱電裝置可以在較低溫度區(qū)域表現(xiàn)出最大效率，并且因此可以用于比常規(guī)的熱電裝置表現(xiàn)出效率的溫度區(qū)(即，100°C至150°C)更低的溫度區(qū)(S卩，25°C至50°C)。在未來(lái)，具有高效率的溫度區(qū)可以表示成更低的溫度區(qū)域。
[0047]因此，這種熱電裝置可以用于在室溫下使用的所有常用產(chǎn)品，并且還可以應(yīng)用于酒冰箱、泡菜冰箱、離子凈水器、凈水器、干燥機(jī)、除濕器、汽車座椅、車載冰箱、冷杯架、血液存儲(chǔ)裝置等。
【權(quán)利要求】
1.一種熱電裝置的制造方法，包括: 改變選自由Bi2(SexTeg)3構(gòu)成的主要原材料中B1、Se和Te任意一種材料的組合成分； 將選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中一種或更多種材料增加到組合成分已發(fā)生變化的所述主要原材料中并使其與所述主要原材料混合；以及 通過(guò)燒結(jié)所述主要原材料和已增加并混合的材料來(lái)形成熱電半導(dǎo)體裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，改變所述主要原材料的選自B1、Se和Te中任意一種材料的組合成分是通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)的:形成由所述主要原材料制成的底基板，所述主要原材料由Bi2(SexTeg)3構(gòu)成；以及增加B1、Se和Te中任意一種或任意兩種或更多種材料或通過(guò)研磨所述底基板來(lái)定量地去除B1、Se和Te中任意一種或任意兩種或更多種材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，燒結(jié)所述主要原材料和所述已增加并混合的材料是通過(guò)以下方式進(jìn)行的:在對(duì)所述主要原材料和所述已增加并混合的材料再次研磨之后燒結(jié)所述主要原材料和所述已增加并混合的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，通過(guò)使用包括以下任意一種燒結(jié)方法燒結(jié)已研磨的材料來(lái)形成所述熱電半導(dǎo)體裝置:大氣壓燒結(jié)法、壓力燒結(jié)法、熱等靜壓(HIP)燒結(jié)法、放電等離子燒結(jié)(SPS)法、微波燒結(jié)法和電氣輔助燒結(jié)法。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，改變所述底基板中選自B1、Se和Te的任意一種材料的組合成分對(duì)應(yīng)于以下過(guò)程:增加或去除B1、Se和Te中任意一種或任意兩種或更多種材料，達(dá)到對(duì)應(yīng)于所述底基板的總重量的0.0lwt %至1.0wt %的比率。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，增加并混合選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中一種或更多種材料對(duì)應(yīng)于以下過(guò)程:增加選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中任意一種或任意兩種或更多種金屬，達(dá)到對(duì)應(yīng)于所述底基板的總重量的0.0lwt %至1.0wt %的比率。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，增加并混合選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中一種或更多種材料通過(guò)以下方式來(lái)進(jìn)行:選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的第一成分(A)和第二成分(B)的組合比率實(shí)施為六(14)被％和8(乂)被％，其中，乂代表大于0.01的正有理數(shù)。
8.一種熱電冷卻模塊，包括: 至少一個(gè)或更多個(gè)單元熱電模塊，所述單元熱電模塊包括設(shè)置成彼此分開(kāi)的P型半導(dǎo)體裝置和N型半導(dǎo)體裝置；以及 電極，用于電連接所述P型半導(dǎo)體裝置的一端和所述N型半導(dǎo)體裝置的一端，其中所述P型半導(dǎo)體裝置和所述N型半導(dǎo)體裝置由選自Ag、Au、Pt、Cu、Ni和Al中的一種或更多種材料被增加到主要原材料的材料所形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱電冷卻模塊，進(jìn)一步包括第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板彼此相對(duì)以設(shè)置在所述半導(dǎo)體裝置內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱電冷卻模塊，其中，所述電極被圖案化在所述第一基板和所述第二基板的內(nèi)側(cè)的表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱電冷卻模塊，其中，所述熱電模塊僅形成有所述P型半導(dǎo)體裝置和所述N型半導(dǎo)體裝置中的任意一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱電冷卻模塊，其中，所述熱電模塊形成為所述P型半導(dǎo)體裝置和所述N型半導(dǎo)體裝置被交替設(shè)置的結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱電冷卻模塊，其中，所述第一基板和所述第二基板由Fe、Al、N1、Mg、T1、Cu、Ag、Au、Pt、S1、C 和 Pb 中的任意一種形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱電冷卻模塊，其中，所述電極由選自包括Cu、Ag、N1、Al、Au、Cr、Ru、Re、Pb、Cr、Sn、In、Zn或包括這些金屬的合金所形成的組中的至少一種金屬形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱電冷卻模塊，進(jìn)一步包括擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層設(shè)置在所述基板內(nèi)側(cè)表面上的所述電極與所述半導(dǎo)體裝置的一端之間并且用于防止金屬擴(kuò)散。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱電冷卻模塊，其中，所述擴(kuò)散阻擋層由選自包括Cu、Ag、N1、Al、Au、Cr、Ru、Re、Pb、Cr、Sn、In、Zn或包括這些金屬的合金所形成的組的至少一種金屬形成。
17.—種冷卻設(shè)備,包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱電模塊。
【文檔編號(hào)】H01L35/30GK104247062SQ201280070038
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月21日
【發(fā)明者】申鐘培, 金淑賢 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司