存儲器單元、集成裝置及形成存儲器單元的方法
【專利摘要】一些實施例包含例如存儲器單元的集成裝置。所述裝置可包含：硫族化物材料；導電材料，其在所述硫族化物材料上方；及散熱片，其在所述導電材料與所述硫族化物材料之間。所述散熱片可具有包含與所述導電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。一些實施例包含一種形成存儲器單元的方法。可在加熱器材料上方形成硫族化物材料?？稍谒隽蜃寤锊牧仙戏叫纬蓪щ姴牧稀？稍谒鰧щ姴牧吓c所述硫族化物材料之間形成散熱片。所述散熱片可具有包含與所述導電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。
【專利說明】存儲器單元、集成裝置及形成存儲器單元的方法

【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器單元、集成裝置及形成存儲器單元的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]存儲器是一種類型的集成電路，且在電子系統(tǒng)中用于存儲數(shù)據(jù)。集成存儲器通常經(jīng)制作為一或多個個別存儲器單元陣列。存儲器單元經(jīng)配置而以至少兩種不同的可選擇狀態(tài)保持或存儲存儲器。在二進制系統(tǒng)中，所述狀態(tài)被視為“O”或“I”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個別存儲器單元可經(jīng)配置以存儲兩個以上信息電平或信息狀態(tài)。
[0003]一種類型的存儲器為相變存儲器(PCM)。此存儲器利用相變材料作為可編程材料?？稍赑CM中利用的實例相變材料為硫族化物材料。
[0004]通過施加適當電刺激，相變材料從一個相可逆地變換為另一相。每一相可用作一存儲器狀態(tài)，且因此個別PCM單元可具有對應于相變材料的兩個可誘發(fā)相的兩個可選擇存儲器狀態(tài)。
[0005]可在編程PCM陣列的存儲器單元期間發(fā)生的問題是鄰近存儲器單元之間可能存在熱傳遞(所謂的“熱擾動”)。因此，一存儲器單元的存儲器狀態(tài)可在編程鄰近存儲器單元時被擾動，此可導致存儲器陣列內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲的不可靠性。所述問題可隨著集成規(guī)?？s小的增加而增加。
[0006]將期望開發(fā)減輕或防止以上所論述問題的PCM單元架構(gòu)及開發(fā)形成此類PCM單元架構(gòu)的方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1到5是在形成存儲器單元的實例實施例方法的各個工藝階段的構(gòu)造的示意性橫截面圖。
[0008]圖6到8是在形成存儲器單元的另一實例實施例方法的各個工藝階段的構(gòu)造的示意性橫截面圖。圖6的工藝階段可在圖1的工藝階段之后。
[0009]圖9及10是在形成存儲器單元的另一實例實施例方法的各個工藝階段的構(gòu)造的示意性橫截面圖。圖9的工藝階段可在圖1的工藝階段之后。

【具體實施方式】
[0010]PCM單元的編程可包括加熱存儲器單元內(nèi)的硫族化物材料以導致硫族化物材料內(nèi)的相變?？杉訜釂卧獌?nèi)的硫族化物材料的總體積的僅小部分。一些實施例包含以下認識:可通過在存儲器單元的編程期間控制所述存儲器單元內(nèi)的硫族化物材料的經(jīng)加熱小部分的大小來減少鄰近存儲器單元之間的熱擾動。
[0011]PCM單元可包括在加熱器與頂部電極之間的硫族化物材料。可在編程期間用加熱器來加熱硫族化物材料以導致硫族化物材料內(nèi)的所要相變。硫族化物材料的經(jīng)加熱小部分的大小可受沿著硫族化物材料到頂部電極的總體熱電阻(包含不同熱電阻貢獻)的影響。所述不同熱電阻貢獻可包含:硫族化物材料熱電阻、頂部電極熱電阻及兩種材料之間的界面熱電阻。
[0012]一些實施例包含提供夾層以減小(且在一些情況中，最小化)界面熱電阻。此夾層可稱為“散熱片材料”。散熱片材料在硫族化物材料與頂部電極之間且相對于常規(guī)PCM單元變更沿著硫族化物材料的上部區(qū)的熱電阻。此散熱片材料的利用可減輕或防止在存儲器陣列的編程期間鄰近PCM單元之間的熱擾動。
[0013]參考圖1到10來描述實例實施例。
[0014]參考圖1，構(gòu)造10包括延伸穿過電介質(zhì)材料12的一對導電互連件14及16。
[0015]電介質(zhì)材料12可包括任何適合組合物或組合物的組合；且在一些實施例中可包括二氧化硅、氮化硅及各種經(jīng)摻雜硅酸鹽玻璃(舉例來說，硼磷硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃、氟硅酸鹽玻璃等)中的任一者中的一或多者、基本上由所述一或多者組成或由所述一或多者組成。
[0016]互連件14及16包括導電材料15。此導電材料可包括任何適合組合物或組合物的組合；且在一些實施例中可包括鶴、基本上由其組成或由其組成。
[0017]電介質(zhì)材料12以及互連件14及16可由半導體基底(未展示)支撐。此基底可包括單晶硅，且可稱為半導體襯底或稱為半導體襯底的一部分。術(shù)語“半導電襯底”、“半導體構(gòu)造”及“半導體襯底”意指包括半導電材料的任何構(gòu)造，包含(但不限于):塊體半導電材料，例如，半導電晶片(單獨地或在包括其它材料的組合件中)；及半導電材料層(單獨地或在包括其它材料的組合件中)。術(shù)語“襯底”指代任何支撐結(jié)構(gòu)，包含(但不限于)上文所描述的半導電襯底。
[0018]互連件14及16表示跨越半導體基底形成的大量互連件。最終，每一互連件連接到存儲器陣列的存儲器單元(其中實例存儲器單元展示于圖5中)?；ミB件14及16示意性地圖解說明為分別電連接到電路18及20。此電路可包含用于在編程操作期間及讀取操作期間將電輸入提供到個別存儲器單元的控制電路。所述電路還可包含將存儲器單元電耦合到控制電路的存取/感測線(例如，字線及位線)。在一些實施例中，所圖解說明的互連件14及16可耦合到共用存取/感測線，且在其它實施例中，所述互連件可耦合到單獨存取/感測線。
[0019]經(jīng)平面化表面17延伸跨越材料12及15。此經(jīng)平面化表面可用任何適合處理來形成，舉例來說，包含化學-機械拋光(CMP)。
[0020]加熱器材料22跨越互連件14及16而形成。所述加熱器材料最終圖案化成PCM單元的加熱器組件(如下文參考圖3所描述)，且可包括任何適合組合物或組合物的組合。在一些實施例中，加熱器材料可包括鈦及氮、基本上由其組成或由其組成。在一些實施例中，此加熱器材料可包括TiN，其中所述化學式展示組合物的組分且不用來指示特定化學計量。舉例來說，加熱器材料可為TiN復合物、經(jīng)摻雜TiN等。加熱器材料可用任何適合處理來形成，舉例來說，包含原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)及物理氣相沉積(PVD)中的一或多者。
[0021]在加熱器材料上方形成硫族化物材料24。所述硫族化物材料可包括任何適合組合物。實例硫族化物材料包括鍺、鋪及締、基本上由其組成或由其組成，且可稱為GST。在一些實施例中，所述硫族化物材料可對應于Ge2Sb2Te515可利用任何適合處理(舉例來說，包含ALD、CVD及PVD中的一或多者)形成所述硫族化物材料。在一些實施例中，所述硫族化物材料可用作PCM單元中的存儲器材料(其中實例PCM單元展示于圖5中)。
[0022]參考圖2，在硫族化物材料上方形成散熱片材料26且在散熱片材料上方形成導電帽蓋材料28。在一些實施例中，材料28可稱為頂部電極材料。
[0023]在一些實施例中，散熱片材料26包括含有與硫族化物材料24相同的至少一種元素及與帽蓋材料28相同的至少一種元素的組合物。
[0024]在一些實例實施例中，材料28包括鈦、基本上由其組成或由其組成(例如,包括元素鈦或氮化鈦)；硫族化物材料包括GST、基本上由其組成或由其組成，且散熱片材料包括組合有締及鋪的鈦、基本上由其組成或由其組成。
[0025]作為另一實例，在一些實施例中，材料28包括鈦、鋁及氮的組合、基本上由其組成或由其組成(例如，可由化學式TiAlN來描述，其中此式展示組合物的組分且不用來指示特定化學計量)；硫族化物材料包括GST、基本上由其組成或由其組成；且散熱片材料包括組合有締及鋪中的一者或兩者的鈦及招中的一者或兩者、基本上由其組成或由其組成。
[0026]作為另一實例，在一些實施例中，材料28包括鉭、基本上由其組成或由其組成(例如，包括元素鉭或氮化鉭)；硫族化物材料包括GST、基本上由其組成或由其組成；且散熱片材料包括組合有締及鋪中的一者或兩者的鉭、基本上由其組成或由其組成。
[0027]作為另一實例，在一些實施例中，材料28包括鎢、基本上由其組成或由其組成(例如，包括元素鶴或氮化鶴)；硫族化物材料包括GST、基本上由其組成或由其組成；散熱片材料包括組合有締及鋪中的一者或兩者的鶴、基本上由其組成或由其組成。
[0028]散熱片材料26可用任何適合處理來形成，且在一些實施例中，可利用ALD、CVD及PVD中的一或多者來沉積。在圖2的實施例中，散熱片材料直接沉積到硫族化物材料24上。
[0029]散熱片材料可改進存儲器單元內(nèi)的熱耗散以減輕或防止上文在本發(fā)明的“【背景技術(shù)】”章節(jié)中論述的熱擾動問題。
[0030]散熱片材料可形成為任何適合厚度。在一些實施例中，散熱片材料可保持極薄，使得其不實質(zhì)上相對于缺少散熱片材料的類似存儲器單元變更個別存儲器單元的編程特性。例如，散熱片材料可形成為小于或等于約5納米的厚度；且在一些實施例中，可形成為從約I納米到約5納米的厚度。散熱片材料的此類薄區(qū)可足以減輕或防止熱擾動問題，同時對個別存儲器單元的編程特性具有很小影響。
[0031]導電帽蓋材料28可用任何適合處理來形成，且在一些實施例中，可利用ALD、CVD及PVD中的一或多者來沉積。在圖2的實施例中，導電帽蓋材料28直接形成于散熱片材料26的上部表面上。
[0032]參考圖3，材料22、24、26及28被圖案化成存儲器單元30及32。存儲器單元30直接在互連件14上方且與其電耦合；且存儲器單元32直接在互連件16上方且與其電耦合。材料22、24、26及28可用任何適合處理來圖案化。例如，可在材料28上方形成經(jīng)圖案化掩模(未展示)；可用一或多個適合蝕刻將來自此掩模的圖案轉(zhuǎn)印到下伏材料22、24、26及28 ;且接著可移除掩模以留下圖3中所展示的構(gòu)造。經(jīng)圖案化掩?？砂ㄈ魏芜m合組合物，例如，經(jīng)光刻圖案化的光致抗蝕劑及/或利用間距倍增方法圖案化的一或多種材料。在一些實施例中，材料28可視為對應于存儲器單元的頂部電極。
[0033]參考圖4，電絕緣襯里34沿著且在存儲器單元30及32之間形成，且電介質(zhì)材料36形成于電絕緣襯里上方。所述襯里可包括任何適合組合物或組合物的組合，且在一些實施例中，可包括氮化硅、基本上由其組成或由其組成。電介質(zhì)材料36可包括任何適合組合物或組合物的組合，且在一些實施例中，可包括二氧化硅及/或各種經(jīng)摻雜硅酸鹽玻璃中的任一者、基本上由其組成或由其組成。
[0034]參考圖5，分別在存儲器單元30及32上方形成導電結(jié)構(gòu)38及40。所述導電結(jié)構(gòu)可為相對于圖5的橫截面圖延伸進出頁面的線。在所展示的實施例中，所述導電結(jié)構(gòu)中的每一者包括導電芯材料42及沿著所述芯材料的外圍的勢壘材料44。在一些實施例中，芯材料可包括銅、基本上由其組成或由其組成；且勢壘材料可為對銅遷移的勢壘。在此類實施例中，勢壘材料可包括任何適合組合物，且舉例來說，可包括含釕材料。在一些實施例中，除所展示材料42及44以外的其它導電材料可用于導電結(jié)構(gòu)38及40中。如果導電芯材料42不包括遷移的組分，那么可忽略勢壘材料44。
[0035]結(jié)構(gòu)38及40展示為分別連接到電路46及48。在一些實施例中，結(jié)構(gòu)38及44可對應于存取/感測線，且電路46及48可用于控制穿過此類存取/感測線的電流。存儲器單元30及32可表示PCM陣列的大量單元，且此陣列的每一存儲器單元可通過經(jīng)由導電材料15連接到所述單元的所圖解說明底部的存取/感測線與經(jīng)由導電帽蓋材料28連接到所述單元的所圖解說明頂部的存取/感測線的組合來唯一地尋址。
[0036]散熱片材料26可在編程期間相對于在不存在此散熱片材料的情況下原本可發(fā)生的加熱減小存儲器單元內(nèi)的加熱，且因此可相對于在不存在散熱片材料的情況下原本可發(fā)生的熱擾動減輕或防止鄰近存儲器單元30及32之間的熱擾動。相同情況適用于陣列中的沿垂直方向的單元(例如，在一些實施例中，連接到相同位線的存儲器單元)。因此，將散熱片材料26并入到存儲器單元30及32中可有益地減輕或防止可與一些常規(guī)PCM陣列相關(guān)聯(lián)的熱擾動問題。
[0037]利用具有與硫族化物材料24及導電帽蓋材料28兩者相同的組分的散熱片材料26會減輕原本可發(fā)生的熱失配。具體來說，散熱片材料的一個表面直接抵靠硫族化物材料，且散熱片材料的另一表面直接抵靠導電帽蓋材料。將散熱片材料調(diào)配成具有與硫族化物材料相同的組分可減輕或防止原本可在散熱片材料與硫族化物材料之間發(fā)生的熱失配(舉例來說，其中“熱失配”包含在溫度改變期間可導致鄰近材料之間的剝離或分離的實質(zhì)上不同熱膨脹系數(shù))。類似地，將散熱片材料調(diào)配成具有與導電帽蓋材料相同的組分可減輕或防止原本可在散熱片材料與此導電帽蓋材料之間發(fā)生的熱失配。
[0038]在一些實施例中，利用具有與硫族化物材料24及導電帽蓋材料28兩者相同的組分的散熱片材料26可改進硫族化物材料與帽蓋材料之間的粘附性且具體來說與缺乏此散熱片材料的結(jié)構(gòu)相比可改進粘附性。
[0039]圖5中所展示的存儲器單元30及32的各種材料可包括任何適合厚度。例如，材料22可形成為至少約30納米的厚度,材料24可形成為在從約30納米到約50納米的范圍內(nèi)的厚度，材料26可形成為在從約I納米到約5納米的范圍內(nèi)的厚度，且材料28可形成為在從約20納米到約50納米的范圍內(nèi)的厚度。
[0040]圖1到5的實施例通過將散熱片材料26直接沉積到硫族化物材料24上而在PCM單元內(nèi)形成散熱片。此為在PCM單元內(nèi)形成散熱片的許多方法中的一種。參考圖6到8描述另一實例實施例方法。
[0041]參考圖6，展示處于在圖1的工藝階段之后的工藝階段的構(gòu)造10a。所述構(gòu)造包括直接形成于硫族化物材料24的上部表面上的前驅(qū)物材料50。所述前驅(qū)物材料最終與來自硫族化物材料24及/或來自導電帽蓋材料28 (展示于圖7中)的組分組合以形成包括與硫族化物材料及導電帽蓋材料兩者相同的組分的散熱片。在一些實施例中，前驅(qū)物材料50可包括與帽蓋材料相同的組分，且可經(jīng)配置以與硫族化物材料24反應以形成散熱片。例如，在一些實施例中，所述前驅(qū)物材料可包括鈦、鉭、鎢及鋁中的一或多者。前驅(qū)物材料可經(jīng)配置以通過將離去基團并入到前驅(qū)物中而與硫族化物材料反應。例如，前驅(qū)物可包括金屬有機物、金屬鹵化物等。
[0042]參考圖7，直接在前驅(qū)物材料50上形成導電帽蓋材料28。
[0043]參考圖8，構(gòu)造1a經(jīng)受熱處理，此將前驅(qū)物材料50 (圖7)轉(zhuǎn)換成包括與硫族化物材料24相同的組分及與導電帽蓋材料28相同的組分的散熱片材料52。舉例來說，所述熱處理可包括將前驅(qū)物材料50及硫族化物材料24加熱到至少約400°C的溫度以誘發(fā)前驅(qū)物材料與硫族化物材料的反應。例如，在一些實施例中，硫族化物材料可包括GST，前驅(qū)物材料可包括鈦，且熱處理可形成碲化鈦。作為另一實例，在一些實施例中，硫族化物材料可包括GST,前驅(qū)物材料可包括鎢，且熱處理可形成碲化鎢。
[0044]在各種實施例中，上述熱處理可在形成導電帽蓋材料28之前、期間及/或之后進行。例如，可在具有足夠高溫度以實現(xiàn)前驅(qū)物材料及硫族化物材料的熱處理的條件下沉積導電帽蓋材料?；蛘?，可在沉積導電帽蓋材料之前將前驅(qū)物材料及硫族化物材料加熱到熱處理溫度。在其它實施例中，可在沉積導電帽蓋材料之后將前驅(qū)物材料及硫族化物材料加熱到熱處理溫度。
[0045]圖8的構(gòu)造1a可隨后經(jīng)受類似于上文參考圖3到5所描述的處理的處理以從此構(gòu)造形成存儲器單元陣列。
[0046]參考圖9及10來描述用于在PCM單元內(nèi)形成散熱片的另一實例實施例方法。
[0047]參考圖9，展示處于在圖1的工藝階段之后的工藝階段的構(gòu)造10b。所述構(gòu)造包括直接形成于硫族化物材料24的上部表面上的導電帽蓋材料28。
[0048]參考圖10，穿過導電帽蓋材料植入一或多種離子(B卩，摻雜劑)且植入到帽蓋材料與硫族化物材料的界面。所述離子導致跨越此界面的混合以形成包括組合有帽蓋材料的一或多個組分的硫族化物材料的一或多個組分的散熱片62。例如，在一些實施例中，導電帽蓋材料包括氮化鈦；硫族化物材料包括GST ;且散熱片包括碲化鈦。
[0049]圖10的構(gòu)造1b可隨后經(jīng)受類似于上文參考圖3到5所描述的處理的處理，以從此構(gòu)造形成存儲器單元陣列。
[0050]上文所描述的實施例展示在各種實施例中散熱片材料可通過眾多方法中的任一種在導電帽蓋材料與硫族化物材料之間形成；且可在形成導電帽蓋材料之前、期間及/或之后形成。
[0051]上文所論述的存儲器單元及陣列可并入到電子系統(tǒng)中。舉例來說，此類電子系統(tǒng)可用于存儲器模塊、裝置驅(qū)動器、功率模塊、通信調(diào)制解調(diào)器、處理器模塊及專用模塊中，且可包含多層、多芯片模塊。所述電子系統(tǒng)可為各種各樣的系統(tǒng)(例如，時鐘、電視、手機、個人計算機、汽車、工業(yè)控制系統(tǒng)、飛機等)中的任一者。
[0052]圖式中的各種實施例的特定定向僅出于說明性目的，且可在一些應用中相對于所展示的定向旋轉(zhuǎn)所述實施例。本文中所提供的描述及所附權(quán)利要求書涉及在各種特征之間具有所描述關(guān)系的任何結(jié)構(gòu)，而不管所述結(jié)構(gòu)是否處于所述圖式的特定定向還是相對于此定向被旋轉(zhuǎn)。
[0053]所附圖解說明的橫截面圖僅展示橫截面的平面內(nèi)的特征，且為了簡化所述圖式未展示所述橫截面的平面后面的材料。
[0054]當上文將一結(jié)構(gòu)稱為“在另一結(jié)構(gòu)上”或“抵靠另一結(jié)構(gòu)”時，其可直接位于另一結(jié)構(gòu)上或者也可存在介入結(jié)構(gòu)。相比之下，當將一結(jié)構(gòu)稱為“直接在另一結(jié)構(gòu)上”或“直接抵靠另一結(jié)構(gòu)”時，則不存在任何介入結(jié)構(gòu)。當將一結(jié)構(gòu)稱為“連接”或“耦合”到另一結(jié)構(gòu)時，其可直接連接或耦合到另一結(jié)構(gòu)，或可存在介入結(jié)構(gòu)。相比之下，當將一結(jié)構(gòu)稱為“直接連接”或“直接耦合”到另一結(jié)構(gòu)時，不存在介入結(jié)構(gòu)。
[0055]一些實施例包含一種集成裝置，其包括:硫族化物材料；頂部電極，其在所述硫族化物材料上方；及夾層，其在所述頂部電極與所述硫族化物材料之間。相對于在不存在夾層的情況下將跨越頂部電極/硫族化物材料界面發(fā)生的熱電阻，所述夾層降低裝置中的熱電阻。
[0056]一些實施例包含一種集成裝置，其包括:硫族化物材料；導電材料，其在所述硫族化物材料上方；及夾層，其在所述導電材料與所述硫族化物材料之間。散熱片直接抵靠導電材料及硫族化物材料。散熱片包括包含與導電材料相同的元素且包含與硫族化物材料相同的元素的組合物。
[0057]一些實施例包含一種存儲器單元，其包括:加熱器材料；硫族化物材料，其在加熱器材料上方；導電材料，其在硫族化物材料上方；及散熱片，其在導電材料與硫族化物材料之間。散熱片直接抵靠導電材料及硫族化物材料兩者。散熱片包括包含與導電材料相同的元素且包含與硫族化物材料相同的元素的組合物。
[0058]一些實施例包含一種形成存儲器單元的方法。在加熱器材料上方形成硫族化物材料。在硫族化物材料上方形成導電材料。在導電材料與硫族化物材料之間形成散熱片。散熱片直接抵靠導電材料及硫族化物材料。散熱片包括包含與導電材料相同的元素且包含與硫族化物材料相同的元素的組合物。
【權(quán)利要求】
1.一種集成裝置，其包括: 硫族化物材料； 頂部電極，其在所述硫族化物材料上方 '及 夾層，其在所述頂部電極與所述硫族化物材料之間，相對于在不存在所述夾層的情況下將跨越所述裝置的頂部電極/硫族化 物材料界面發(fā)生的熱電阻，所述夾層降低所述裝置中的所述熱電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述夾層包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鈦。
3.一種集成裝置，其包括: 硫族化物材料； 導電材料，其在所述硫族化物材料上方；及 散熱片，其在所述導電材料與所述硫族化物材料之間，所述散熱片直接抵靠所述導電材料及所述硫族化物材料；所述散熱片包括包含與所述導電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中: 所述硫族化物材料包括鋪、締及鍺； 所述導電材料包括鈦；且 所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鈦。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中: 所述硫族化物材料包括鋪、締及鍺； 所述導電材料包括鈦、鋁及氮；且 所述散熱片包括組合有鈦及鋁中的一者或兩者的碲及銻中的一者或兩者。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中: 所述硫族化物材料包括鋪、締及鍺； 所述導電材料包括鉭；且 所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鉭。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中: 所述硫族化物材料包括鋪、締及鍺； 所述導電材料包括鎢；且 所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鎢。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述散熱片具有小于或等于約5納米的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述散熱片具有在從約I納米到約5納米的范圍內(nèi)的厚度。
10.一種存儲器單元，其包括: 加熱器材料； 硫族化物材料，其在所述加熱器材料上方； 導電材料，其在所述硫族化物材料上方；及 散熱片，其在所述導電材料與所述硫族化物材料之間，所述散熱片直接抵靠所述導電材料及所述硫族化物材料；所述散熱片包括包含與所述導電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器單元，其中所述硫族化物材料包括銻、碲及鍺。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器單元，其中所述導電材料包括鈦，且其中所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鈦。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器單元，其中所述導電材料包括鉭，且其中所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鉭。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器單元，其中所述導電材料包括鎢，且其中所述散熱片包括組合有締及鋪中的一者或兩者的鶴。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器單元，其中所述導電材料包括鈦、鋁及氮；且其中所述散熱片包括組合有鈦及鋁中的一者或兩者的碲。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器單元，其中所述導電材料包括鈦、鋁及氮；且其中所述散熱片包括組合有鈦及鋁中的一者或兩者的銻。
17.一種形成存儲器單元的方法，其包括: 在加熱器材料上方形成硫族化物材料； 在所述硫族化物材料上方形成導電材料；及 在所述導電材料與所述硫族化物材料之間形成散熱片，所述散熱片直接抵靠所述導電材料及所述硫族化物材料；所述散熱片包括包含與所述導電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述形成所述散熱片包括: 將前驅(qū)物材料直接沉積到所述硫族化物材料上；及 對所述前驅(qū)物材料及所述硫族化物材料進行熱處理以導致所述前驅(qū)物材料與所述硫族化物材料之間的反應且借此形成所述散熱片。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中: 所述硫族化物材料包括鍺、鋪及締; 所述前驅(qū)物材料包括鈦；且 所述散熱片包括鈦及碲。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述熱處理包括將所述前驅(qū)物材料及所述硫族化物材料加熱到至少約400°C的溫度。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中: 所述硫族化物材料包括鍺、鋪及締; 所述前驅(qū)物材料包括鎢；且 所述散熱片包括鎢及碲。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中在形成所述導電材料之前形成所述散熱片。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述形成所述散熱片包括將散熱片材料直接沉積到所述硫族化物材料上。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中在形成所述導電材料之后形成所述散熱片。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述形成所述散熱片包括: 直接抵靠所述硫族化物材料形成所述導電材料；及 穿過所述導電材料將一或多種離子植入到所述導電材料與所述硫族化物材料的界面；所述植入導致所述硫族化物材料的一或多個組分與所述導電材料的一或多個組分的混合以借此形成所述散熱片。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中: 所述導電材料包括氮化鈦； 所述硫族化物材料包括鍺、鋪及締；且 所述散熱片包括碲化鈦。
27.根據(jù)權(quán)利要求 26所述的方法，其中所述一或多種離子包含鍺、砷及氬中的一或多者。
【文檔編號】H01L21/8247GK104081525SQ201280064400
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月17日
【發(fā)明者】安德烈亞·雷達埃利, 烏戈·魯索, 阿戈斯蒂諾·皮羅瓦諾, 西蒙娜·拉維扎里 申請人:美光科技公司