發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種產(chǎn)生寬波長(zhǎng)帶的發(fā)光的發(fā)光元件。發(fā)光元件（1）具備第1波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部（11）和第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部（12）。第1波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部（11）包含以A1B1Ow1所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部（12）包含以A2B2Ow2所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。A1、A2包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種和0.001摩爾%～5摩爾%的Bi。B1、B2包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。
【專利說(shuō)明】發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，作為白色光源，眾所周知有:具有藍(lán)色LED (Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)和含有熒光體的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件，射出白色光的白色光源，其中，該白色光為自藍(lán)色LED射出并透過(guò)熒光體的光與來(lái)自熒光體的熒光的混合光(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特表2010-512014號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明所要解決的課題
[0007]然而，在專利文獻(xiàn)I所記載的白色光源中，存在因藍(lán)色LED的發(fā)光特性的差異或變動(dòng)等而導(dǎo)致射出光的色調(diào)發(fā)生變化的情況。此外，自藍(lán)色LED或波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件射出的光的波長(zhǎng)帶(帯域)較窄。因此，專利文獻(xiàn)I所記載的白色光源難以獲得優(yōu)異的顯色性。
[0008]鑒于此種問(wèn)題，業(yè)界要求一種產(chǎn)生較寬的波長(zhǎng)帶的發(fā)光的發(fā)光元件。
[0009]本發(fā)明的主要目的在于，提供一種產(chǎn)生較寬的波長(zhǎng)帶的發(fā)光的發(fā)光元件。
[0010]用于解決問(wèn)題的方法
[0011]本發(fā)明的發(fā)光元件具備第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部及第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部。第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部配置于第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部上。第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部包含以A1B1OwI (其中，A1包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，Wl為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部包含以A2B2Ow2 (其中，A2包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B2包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，W2為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。
[0012]在本發(fā)明所涉及的發(fā)光元件的某特定方式中，A1包含La和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi。B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種。A2包含選自Gd及Y中的至少一種和
0.001摩爾％?5摩爾％的Bi。B2包含選自Zr及Hf中的至少一種。
[0013]在本發(fā)明所涉及的發(fā)光元件的另一特定方式中，當(dāng)照射波長(zhǎng)為360nm的光時(shí)，自第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部射出的光與自第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部射出的光的混合光為白色。
[0014]在本發(fā)明中，所謂“白色”是指:在CIE1960UV色度圖中，光源的色度坐標(biāo)與黑體輻射軌道的距離duv為0.02以下、且與其最接近的黑體輻射軌道上的溫度即相關(guān)色溫為3000K?10000K的光源。
[0015]在本發(fā)明所涉及的發(fā)光元件的另外的特定方式中，發(fā)光元件還具備設(shè)置于第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部之間的互擴(kuò)散層。
[0016]在本發(fā)明的發(fā)光元件的制造方法中，形成含有第I熒光體或其前體的第I陶瓷生片。形成含有第2熒光體或其前體的第2陶瓷生片。層疊第I陶瓷生片與第2陶瓷生片而制作層疊體。進(jìn)行如下燒結(jié)工序:通過(guò)燒結(jié)層疊體，而獲得包含由第I陶瓷生片形成的第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部、及由第2陶瓷生片形成且與第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部接合的第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部的發(fā)光元件。
[0017]在本發(fā)明所涉及的發(fā)光元件的制造方法的某個(gè)特定方式中，在燒結(jié)工序中，以在第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部之間形成互擴(kuò)散層的方式燒結(jié)層疊體。需要說(shuō)明的是，此時(shí)也可以為了緩和燒結(jié)所產(chǎn)生的應(yīng)力，而在第I生片與第2生片之間包含具有各個(gè)生片的中間的組成的第3生片，該情形也不會(huì)影響到以下說(shuō)明中的作用、效果。此外，在該情形下，有時(shí)能夠抑制龜裂的產(chǎn)生率。
[0018]在本發(fā)明所涉及的發(fā)光元件的制造方法的另一特定方式中，第I熒光體包含以A1B1Owl (其中，A1包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi, B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，Wl為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。第2熒光體包含以A2B2Ow2 (其中，A2包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B2包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，W2為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。
[0019]本發(fā)明的發(fā)光裝置包含上述發(fā)光兀件、及對(duì)發(fā)光兀件射出發(fā)光兀件的激發(fā)光的光源。
[0020]發(fā)明的效果
[0021 ] 根據(jù)本發(fā)明，可提供一種產(chǎn)生較寬的波長(zhǎng)帶的發(fā)光的發(fā)光元件。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的發(fā)光元件的示意剖面圖。
[0023]圖2是表示第I樣品的XRD分析結(jié)果的圖表。
[0024]圖3是表示第2樣品的XRD分析結(jié)果的圖表。
[0025]圖4是表示對(duì)樣品3的第I成形體與第2成形體的接合界面的附近部分進(jìn)行WDX元素面(Zr)分析的結(jié)果的照片。
[0026]圖5是表示對(duì)樣品3的第I成形體與第2成形體的接合界面的附近部分進(jìn)行WDX元素面(Hf)分析的結(jié)果的照片。
[0027]圖6是表示第I?第3樣品各自的發(fā)光光譜的圖表。
[0028]圖7是表示第4?第6樣品各自的發(fā)光光譜的圖表。
[0029]圖8是第I發(fā)光裝置的示意剖面圖。
[0030]圖9是第2發(fā)光裝置的示意剖面圖。
[0031]圖10是第3發(fā)光裝置的示意剖面圖。
[0032]圖11是第4發(fā)光裝置的示意剖面圖。
【具體實(shí)施方式】[0033]以下，對(duì)實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例進(jìn)行說(shuō)明。但是，下述實(shí)施方式僅為例示。本發(fā)明并不受下述實(shí)施方式的任何限定。
[0034]實(shí)施方式中所參照的附圖為示意性地記載，存在附圖中所描繪的物體的尺寸比率等與實(shí)物的尺寸比率等有所不同的情形。具體物體的尺寸比率等應(yīng)參酌以下的說(shuō)明而進(jìn)行判斷。
[0035]圖1所不的發(fā)光兀件I為,在激發(fā)光入射時(shí)發(fā)出波長(zhǎng)長(zhǎng)于激發(fā)光的波長(zhǎng)的光的兀件。
[0036]發(fā)光元件I具有第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11和第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12。第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12配置于第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11上。即，第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12層疊。
[0037]第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12相互接合。在第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間設(shè)置有未圖示的互擴(kuò)散層。該互擴(kuò)散層為利用第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11的成分和第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12的成分相互擴(kuò)散而形成的層。通過(guò)該互擴(kuò)散層，第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12牢固地接合。此外，通過(guò)設(shè)置互擴(kuò)散層，可使第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11和第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間的折射率變化緩和。因此,可使第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11和第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間的界面的光的反射率降低。其結(jié)果為可提高光的發(fā)光效率。
[0038]第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11含有第I熒光體，該第I熒光體包含以A1B1Owi (其中，A1包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，Wl為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。
[0039]需要說(shuō)明的是，在以A1B1OwlK表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷中，摩爾比A1 =B1并不嚴(yán)格地限定為1:1。本發(fā)明中，在以A1B1OwlK表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷中，也包含摩爾比A7B1為0.95?1.05的情形。
[0040]另一方面，第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12含有第2突光體,該第2突光體包含以A2B2Ow2 (其中，A2包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B2包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，W2為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷。
[0041]需要說(shuō)明的是，在以A2B2Ow2K表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷中，摩爾比A2:B2并不嚴(yán)格地限定為1:1。本發(fā)明中，在以A2B2Ow2K表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷中，也包含摩爾比A2/B2為0.95?1.05的情形。
[0042]需要說(shuō)明的是，W2既可與Wl相同，亦可不同。Wl及W2可分別設(shè)為例如3.5。BP,作為A1B1Owl的具體例，可列舉A12B12O715作為A2B2Ow2的具體例，可列舉A22B22Op
[0043]第I及第2熒光體優(yōu)選通過(guò)將A1B1Owl或A2B2Ow2所表示的陶瓷在還原氣氛中經(jīng)熱處理而成。
[0044]此處，與例如Ce =YAG熒光體等代表性的白色LED用熒光體相比，包含由A1B1Owl或A2B2Ow2所表示的陶瓷的第I及第2熒光體可產(chǎn)生較寬的波長(zhǎng)帶的發(fā)光。此外，在本實(shí)施方式中,A1中的La的含量多于A2中的La的含量。而且，A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。因此，自包含A1B1Owl所表示的陶瓷的第I熒光體射出的發(fā)光中，包含發(fā)光的中心波長(zhǎng)位于相對(duì)較長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的寬帶的發(fā)光，自包含A2B2Ow2所表示的陶瓷的第2熒光體射出的發(fā)光中，包含發(fā)光的中心波長(zhǎng)位于相對(duì)較短波長(zhǎng)側(cè)的寬帶的發(fā)光。因此，自第I熒光體射出的寬帶的光與自第2熒光體射出的寬帶的光的混合光的波長(zhǎng)帶較寬。S卩，發(fā)光元件I產(chǎn)生較寬的波長(zhǎng)帶的發(fā)光。因此，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的顯色性。此外，能夠得到射出白光的發(fā)光兀件I。具體而言，優(yōu)選在照射波長(zhǎng)為360nm的光時(shí)，自第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11射出的光與自上述第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12射出的光的混合光為白色。
[0045]就包含A1B1Owl所表示的陶瓷的第I熒光體而言，其優(yōu)選發(fā)出發(fā)光的中心波長(zhǎng)處于550nm?700nm的光，更優(yōu)選發(fā)出發(fā)光的中心波長(zhǎng)處于600nm?700nm的光。就包含A2B2Ow2所表示的陶瓷的第2熒光體而言，其優(yōu)選發(fā)出發(fā)光的中心波長(zhǎng)處于400nm?550nm的光，更優(yōu)選發(fā)出發(fā)光的中心波長(zhǎng)處于400nm?500nm的光。
[0046]在第I熒光體中，A1優(yōu)選包含La和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi。此外，B1優(yōu)選包含選自Zr、Sn及Hf中的一種以上。
[0047]在第2熒光體中，A2優(yōu)選包含選自Gd及Y中的一種以上和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi。此外，B2優(yōu)選包含選自Hf及Zr中的一種以上。
[0048]需要說(shuō)明的是，A1B1Owl或A2B2Ow2所表示的陶瓷的主成分的晶系也可以是立方晶。
[0049]由A1B1Owl或A2B2Ow2所表示的陶瓷除含有A1或AB1或B2、0成分以外，還可含有不可避免地混入的雜質(zhì)(以下稱為“不可避免的雜質(zhì)”。作為不可避免的雜質(zhì)的具體例，可列舉Si02、B2O3'Al2O3 等。
[0050]接下來(lái)，對(duì)發(fā)光元件I的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。
[0051]首先，制作含有包含A1B1Owl所表示的陶瓷的第I熒光體、或其前體的第I陶瓷生片。具體而言，制備含有第I熒光體的第I糊劑。然后，例如通過(guò)絲網(wǎng)印刷法等將第I糊劑涂布在樹(shù)脂片等上，由此制作第I陶瓷生片。此處，第I熒光體的前體是指可通過(guò)實(shí)施熱處理等而成為第I熒光體的物質(zhì)。
[0052]同樣地，制作含有包含A2B2Ow2所表示的陶瓷的第2熒光體、或其前體的第2陶瓷生片。此處，第2熒光體的前體是指可通過(guò)實(shí)施熱處理等而成為第2熒光體的物質(zhì)。
[0053]接下來(lái)，層疊第I陶瓷生片與第2陶瓷生片。例如，可層疊多片第I陶瓷生片，并在此上層疊多片第2陶瓷生片。第I及第2陶瓷生片各自的層疊片數(shù)可根據(jù)各陶瓷生片的厚度與所欲獲得的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部的厚度而適當(dāng)設(shè)定。也可以根據(jù)需要而壓制層疊體。
[0054]接下來(lái)，燒結(jié)層疊體(燒結(jié)工序)。層疊體的燒結(jié)例如可在含氧的氣氛下進(jìn)行。燒結(jié)溫度(最高溫度)例如可設(shè)為1500°C?1800°C左右。燒結(jié)溫度(最高溫度)的保持時(shí)間例如可設(shè)為5小時(shí)?100小時(shí)左右。
[0055]之后，根據(jù)需要而在還原氣氛中對(duì)燒結(jié)體進(jìn)行熱處理(還原熱處理)。該熱處理工序例如可在Η2/Η20氣氛下進(jìn)行。燒結(jié)體的熱處理溫度(最高溫度)例如優(yōu)選為800°C?1200°C，更優(yōu)選為900°C?1100°C。此外，燒結(jié)體的熱處理溫度(最高溫度)的保持時(shí)間例如可設(shè)為I小時(shí)?100小時(shí)左右。
[0056]通過(guò)以上工序，可完成發(fā)光元件1，該發(fā)光元件I包含:由至少一個(gè)第I陶瓷生片形成的第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11、和由至少一個(gè)第2陶瓷生片形成且與第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部材11接合的第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12。
[0057]需要說(shuō)明的是，在燒結(jié)工序中，優(yōu)選在第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間形成互擴(kuò)散層的條件下燒結(jié)層疊體。
[0058]另外，也可考慮分別制作多個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部，使用玻璃或樹(shù)脂膠粘劑等將它們貼合，由此制作發(fā)光元件。然而，在這種情況下，由于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部與粘接層之間的界面的反射而導(dǎo)致光的發(fā)光效率降低。若在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部與粘接層之間的界面產(chǎn)生全反射，則光被封入波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層中，因此光的提取效率容易進(jìn)一步降低。
[0059]相對(duì)于此，在本實(shí)施方式中，通過(guò)將層疊有第I陶瓷生片及第2陶瓷生片的層疊體燒結(jié)，而制作具備相互接合的第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11及第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12的發(fā)光元件I。因此，無(wú)需在第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間設(shè)置粘接層。因此，可抑制第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間的界面的光的反射或封入。因此，可實(shí)現(xiàn)較高的光提取效率。
[0060]而且，在設(shè)置有互擴(kuò)散層的情況下，在第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部11與第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部12之間，折射率在厚度方向漸變。因此，可更有效地抑制光的反射。
[0061]發(fā)光元件I可與光源等組合而制成發(fā)光裝置。圖8是包含發(fā)光元件I的第I發(fā)光裝置6的示意剖面圖。第I發(fā)光裝置6包含發(fā)光元件I及光源2。發(fā)光元件I配置于基板4上。光源2與發(fā)光元件I隔開(kāi)間隔而配置。光源2對(duì)發(fā)光元件I射出發(fā)光元件I的激發(fā)光。作為光源2，例如可列舉LED等。發(fā)光元件I因受到來(lái)自光源2的激發(fā)光而發(fā)光。在第I發(fā)光裝置6中，來(lái)自光源2的激發(fā)光的一部分被反射器3反射而到達(dá)發(fā)光元件I。
[0062]從光的提取效率提高或指向性調(diào)整的觀點(diǎn)等考慮，發(fā)光元件I的表面也可以通過(guò)研磨等機(jī)械加工或激光燒蝕一吁一 7 O > 3 >)加工等而加工成透鏡形狀或蛾眼結(jié)構(gòu)等。此外，從同樣的觀點(diǎn)考慮，也可以在發(fā)光元件I的表面配置其他材料，該其他材料包含通過(guò)研磨等機(jī)械加工或激光燒蝕加工等，而加工成透鏡形狀或蛾眼結(jié)構(gòu)等的樹(shù)脂或玻
墻坐
[0063]圖9是第2發(fā)光裝置7的示意剖面圖。在第2發(fā)光裝置7中，發(fā)光元件I與光源2經(jīng)由外延晶片5而連接。發(fā)光元件I與外延晶片5例如可通過(guò)使用膠粘劑的方法或利用熱擴(kuò)散的方法等而連接。外延晶片5例如由藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氮化鋁、氮化鎵等而構(gòu)成。在第2發(fā)光裝置7的光源2中，依次配置有第I電極24、p型層22、發(fā)光層23及η型層21。P型層22與第I電極24電連接。η型層21與第2電極25電連接。
[0064]圖10是第3發(fā)光裝置8的示意剖面圖。在第3發(fā)光裝置8中，發(fā)光元件I與光源2不經(jīng)由外延晶片5而直接連接。
[0065]圖11是第4發(fā)光裝置9的示意剖面圖。在第4發(fā)光裝置9中，發(fā)光元件I與光源2不隔開(kāi)間隔地接觸。
[0066]以下，根據(jù)具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不受以下實(shí)施例任何限定，可在不改變其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)變更而實(shí)施。
[0067](實(shí)施例1)
[0068]首先，準(zhǔn)備高純度的La (OH) 3、Gd203、Y203、Zr02、Hf02、Sn02、Bi2O3 作為原料。以成為下述表I所示的組成A的方式稱量這些原料，在球磨機(jī)中濕式混合20小時(shí)。使所獲得的混合物干燥后，在1300°C下預(yù)燒3小時(shí)，獲得預(yù)燒物。將該預(yù)燒物與水及有機(jī)分散劑及有機(jī)粘合劑一并投入球磨機(jī)中，濕式粉碎12小時(shí)。接下來(lái)，使所獲得的粉碎物成形為厚度60 μ m的生片。將所獲得的生片以成為IOmm見(jiàn)方的方式裁切，將其重疊15片并以2t/cm2的壓力進(jìn)行加壓，由此制作IOmm見(jiàn)方、厚度約0.8mm的第I成形體。
[0069]除了以成為下述表I所示的組成B的方式進(jìn)行稱量以外，以同樣的方式獲得第2成形體。
[0070][表1]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光兀件，其具備: 第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部、及 第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部，其配置在所述第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部上， 所述第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部包含以A1B1Owl (其中，A1包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，Wl為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷， 所述第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部包含以A2B2Ow2 (其中，A2包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B2包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，W2為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷， 所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量， 所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中， 所述A1包含La和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi， 所述B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種， 所述A2包含選自Gd及Y中的至少一種和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi， 所述B2包含選自Zr及Hf中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其中，在照射波長(zhǎng)為360nm的光時(shí)，自所述第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部射出的光與自所述第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部射出的光的混合光為白色。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其還具備設(shè)置在所述第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部與所述第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部之間的互擴(kuò)散層。
5.一種發(fā)光元件的制造方法，其包括: 形成含有第I熒光體或其前體的第I陶瓷生片的工序； 形成含有第2熒光體或其前體的第2陶瓷生片的工序； 層疊所述第I陶瓷生片與所述第2陶瓷生片而制作層疊體的工序；及燒結(jié)工序，通過(guò)燒結(jié)所述層疊體，而獲得包含由所述第I陶瓷生片形成的第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部、以及由所述第2陶瓷生片形成且與所述第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部接合的第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部的發(fā)光元件。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，在所述燒結(jié)工序中，以在所述第I波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部與所述第2波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部之間形成互擴(kuò)散層的方式燒結(jié)所述層疊體。
7.如權(quán)利要求5或6所述的發(fā)光元件的制造方法，其中， 所述第I熒光體包含以A1B1Owi (其中，A1包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B1包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，Wl為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷， 所述第2熒光體包含以A2B2Ow2 (其中，A2包含選自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一種、和0.001摩爾％?5摩爾％的Bi，B2包含選自Sn、Zr及Hf中的至少一種，W2為用以保持電中性的正數(shù))所表示的燒綠石型化合物為主成分的陶瓷， 所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量， 所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
8.一種發(fā)光裝置，其包含權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光兀件、以及對(duì)發(fā)光兀件射出所述發(fā)光元件的激發(fā)光的光源。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK103890982SQ201280051053
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月18日
【發(fā)明者】吳竹悟志 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所