高頻封裝的制作方法
【專利摘要】實施方式的高頻封裝（100）具備：第一電介質(zhì)基板（10），在背面設(shè)置有信號布線和接地導(dǎo)體（30）；高頻元件（20），經(jīng)由第一連接導(dǎo)體（40）連接在第一電介質(zhì)基板的背面；第二電介質(zhì)基板（11），在夾著所述高頻元件與所述背面對置的表面設(shè)置有信號布線和接地導(dǎo)體（30）；多個第二連接導(dǎo)體（41），以包圍所述高頻元件的方式配置，連接第一電介質(zhì)基板的背面的接地導(dǎo)體和第二電介質(zhì)基板的表面的接地導(dǎo)體。實施方式的高頻封裝（100）在所述第二電介質(zhì)基板的表面的高頻元件的下部形成有被導(dǎo)體圖案包圍的電介質(zhì)空間（60）。
【專利說明】高頻封裝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高頻封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]以往的高頻封裝的結(jié)構(gòu)例如像專利文獻(xiàn)I所公開的那樣，由在背面表層具有信號 布線和接地導(dǎo)體的第一電介質(zhì)基板、在第一電介質(zhì)基板的背面表層安裝的高頻元件、在表 面表層具有信號布線和接地導(dǎo)體的第二電介質(zhì)基板、連接導(dǎo)體構(gòu)成，高頻元件安裝在第一 電介質(zhì)基板的背面表層，以用第一電介質(zhì)基板的背面表層和第二電介質(zhì)基板的表面表層夾 著高頻元件的方式構(gòu)成，連接導(dǎo)體以包圍高頻元件的方式連接在第一與第二電介質(zhì)基板的 接地導(dǎo)體之間，具有屏蔽空間。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:國際公開第2010/026990號。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明要解決的課題
然而，根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)，在高頻元件的一個邊的尺寸變成接近基頻的1/2波長的大 小的情況下，會在基頻附近產(chǎn)生空腔諧振頻率。因此，在高頻元件為有源元件的情況下，不 能確保端子間的隔離度(isolation)，存在產(chǎn)生振蕩的問題。
[0005]本發(fā)明是鑒于上述情形而做成的，其目的在于得到改善了端子間的隔離度的高頻 封裝。
[0006]用于解決課題的方案
為了解決上述的課題并達(dá)到目的，本發(fā)明的特征在于，具備:第一電介質(zhì)基板，在背面 設(shè)置有信號布線和接地導(dǎo)體；高頻元件，經(jīng)由第一連接導(dǎo)體連接在第一電介質(zhì)基板的背面； 第二電介質(zhì)基板，在夾著所述高頻元件與所述背面對置的表面設(shè)置有信號布線和接地導(dǎo) 體；多個第二連接導(dǎo)體，以包圍所述高頻元件的方式配置，連接第一電介質(zhì)基板的背面的接 地導(dǎo)體與第二電介質(zhì)基板的表面的接地導(dǎo)體，在所述第二電介質(zhì)基板的表面的高頻元件的 下部形成有被導(dǎo)體圖案包圍的電介質(zhì)空間。
[0007]發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，起到得到改善了端子間的隔離度的高頻封裝的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是示出本發(fā)明的實施方式I的高頻封裝的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0009]圖2是示出本發(fā)明的實施方式2的高頻封裝的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0010]圖3-1是示出沒有電介質(zhì)空間的情況下的端子間隔離度的計算結(jié)果的圖。
[0011]圖3-2是示出本發(fā)明的實施方式I的有電介質(zhì)空間的情況下的端子間隔離度的計算結(jié)果的圖。
【具體實施方式】
[0012]以下，基于附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的高頻封裝的實施方式。另外，本發(fā)明并不被該 實施方式限定。
[0013]實施方式I
圖1是示出本發(fā)明的實施方式I的高頻封裝100的電路結(jié)構(gòu)的圖。高頻封裝100具備: 第一電介質(zhì)基板10，在背面表層具有信號布線和接地導(dǎo)體；高頻元件20，隔著連接導(dǎo)體40 安裝于第一電介質(zhì)基板10 ;第二電介質(zhì)基板11，在表面表層具有信號布線和接地導(dǎo)體30, 并且具有周圍被由導(dǎo)體構(gòu)成的通路(via)50以及內(nèi)層圖案51包圍而構(gòu)成的電介質(zhì)空間60 ； 作為連接導(dǎo)體的焊料球41，將第一電介質(zhì)基板10與第二電介質(zhì)基板11的接地導(dǎo)體30之間 連接。
[0014]對實施方式I的高頻封裝100的動作進(jìn)行說明。高頻元件20隔著連接導(dǎo)體40安 裝于第一電介質(zhì)基板10。此外，高頻兀件20以被第一電介質(zhì)基板10與第二電介質(zhì)基板11 夾著的方式被包圍，進(jìn)而，焊料球41以包圍高頻元件20的方式連接第一電介質(zhì)基板10與 第二電介質(zhì)基板11的接地導(dǎo)體30之間，具有屏蔽空間。
[0015]此處，在第二電介質(zhì)基板11的高頻元件20的下部構(gòu)成有被作為導(dǎo)體的通路50以 及內(nèi)層圖案51包圍而構(gòu)成的電介質(zhì)空間60。因此，屏蔽空間內(nèi)的有效的介電常數(shù)增大了電 介質(zhì)空間60的介電常數(shù)的量，空腔諧振頻率向低的頻率偏移，由此，改善端子間的隔離度。
[0016]在圖3 — I中示出沒有電介質(zhì)空間的情況下的端子間隔離度的計算結(jié)果，在圖 3 - 2中示出有電介質(zhì)空間的情況下的端子間隔離度的計算結(jié)果。通過對圖3 — I和圖3 — 2進(jìn)行比較可知，由于本實施方式的電介質(zhì)空間的存在而改善了端子間隔離度。
[0017]實施方式2
圖2是示出本發(fā)明的實施方式2的高頻封裝200的電路結(jié)構(gòu)的圖。高頻封裝200具備: 第一電介質(zhì)基板10，在背面表層具有信號布線和接地導(dǎo)體；高頻元件20，隔著連接導(dǎo)體40 安裝于第一電介質(zhì)基板10 ;第二電介質(zhì)基板11，在表面表層具有信號布線和接地導(dǎo)體30, 并且具有周圍被由導(dǎo)體構(gòu)成的通路50以及內(nèi)層圖案51包圍的空腔空間70 ;作為連接導(dǎo)體 的焊料球41，將第一電介質(zhì)基板10與第二電介質(zhì)基板11的接地導(dǎo)體30之間連接。
[0018]對實施方式2的高頻封裝200的動作進(jìn)行說明。高頻元件20隔著連接導(dǎo)體40安 裝于第一電介質(zhì)基板10。此外，高頻兀件20以被第一電介質(zhì)基板10與第二電介質(zhì)基板11 夾著的方式被包圍，進(jìn)而，焊料球41以包圍高頻元件20的方式連接第一電介質(zhì)基板10與 第二電介質(zhì)基板11的接地導(dǎo)體30之間，具有屏蔽空間。
[0019]此處，在第二電介質(zhì)基板11的高頻元件20的下部構(gòu)成有被作為導(dǎo)體的通路50以 及內(nèi)層圖案51包圍的空腔空間70。因此，屏蔽空間內(nèi)的有效的介電常數(shù)減小了空腔空間 70的介電常數(shù)的量，空腔諧振頻率向高的頻率偏移，由此，改善了端子間的隔離度。
[0020]進(jìn)而，本申請發(fā)明不被上述實施方式限定，在實施階段，能在不脫離其宗旨的范圍 內(nèi)進(jìn)行各種變形。此外，在上述實施方式中包括各種階段的發(fā)明，通過所公開的多個構(gòu)成要 件中的適當(dāng)?shù)慕M合能提出各種發(fā)明。
[0021]例如，在即使從上述實施方式I以及2分別示出的全部構(gòu)成要件中刪除幾個構(gòu)成要件，也能解決在發(fā)明要解決的課題一欄中敘述的課題并得到在發(fā)明效果一欄中敘述的效 果的情況下，刪除了該構(gòu)成要件的結(jié)構(gòu)能作為發(fā)明被提出。進(jìn)而，也可以適當(dāng)?shù)亟M合上述實 施方式I以及2的構(gòu)成要件。
[0022]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
如上所述，本發(fā)明的高頻封裝對端子間的隔離度是有用的，特別是，適合高頻元件是有 源元件的情況。
[0023]附圖標(biāo)記說明
10:第一電介質(zhì)基板；
11:第二電介質(zhì)基板；
20:聞頻兀件；
30:接地導(dǎo)體；
40:連接導(dǎo)體；
41:焊料球；
50:通路；
51:內(nèi)層圖案；
60:電介質(zhì)空間；
70:空腔空間；
100、200:高頻封裝。
【權(quán)利要求】
1.一種高頻封裝，其特征在于，具備:第一電介質(zhì)基板，在背面設(shè)置有信號布線和接地導(dǎo)體；高頻元件，經(jīng)由第一連接導(dǎo)體連接在第一電介質(zhì)基板的背面；第二電介質(zhì)基板，在夾著所述高頻元件與所述背面對置的表面設(shè)置有信號布線和接地 導(dǎo)體；以及多個第二連接導(dǎo)體，以包圍所述高頻元件的方式配置，連接第一電介質(zhì)基板的背面的 接地導(dǎo)體與第二電介質(zhì)基板的表面的接地導(dǎo)體，在所述第二電介質(zhì)基板的表面的高頻元件的下部形成有被導(dǎo)體圖案包圍的電介質(zhì)空間。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻封裝，其特征在于，被所述導(dǎo)體圖案包圍的電介質(zhì)空間是不存在構(gòu)成所述第二電介質(zhì)基板的電介質(zhì)的空 腔空間。
【文檔編號】H01L23/02GK103460377SQ201280017668
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年1月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月14日
【發(fā)明者】橘川雄亮, 鈴木拓也, 海野友幸 申請人:三菱電機(jī)株式會社