專利名稱：半導(dǎo)體封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體封裝件，更具體地，涉及具有無半導(dǎo)體通孔的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件。
背景技術(shù)：
例如，諸如移動(dòng)通信裝置的許多被廣泛使用的用戶電子裝置均需要集成電路(IC)用于其操作。隨著這些電子裝置變得日益復(fù)雜而同時(shí)常常尺寸減小，IC密度和封裝成為愈發(fā)重要的設(shè)計(jì)限制。相應(yīng)地，已研發(fā)出更先進(jìn)的封裝解決方案。一種這樣的封裝解決方案使用一個(gè)或多個(gè)中介片(interposer)來實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝件中多個(gè)有源半導(dǎo)體芯片的互聯(lián)。現(xiàn)有的中介片一般包括形成在較厚半導(dǎo)體基板上的中介片電介質(zhì)。半導(dǎo)體通孔(TSV:through-semiconductor via)常被用來在有源半導(dǎo)體芯片之間提供電連接,該有源半導(dǎo)體芯片可位于中介片上，且封裝件基板位于中介片的下面。然而，通過半導(dǎo)體基板的泄漏會(huì)不利地影響通過TSV的電信號(hào)。

實(shí)用新型內(nèi)容為此，本公開提出了一種半導(dǎo)體封裝件，具體地，一種具有無半導(dǎo)體通孔的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件，可以避免通過半導(dǎo)體基板的泄漏會(huì)不利地影響通過TSV的電信號(hào)。(1)一種半導(dǎo)體封裝件，包括:第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片電介質(zhì)；所述中介片電介質(zhì)，具有中介片內(nèi)布線，所述第一有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。(2)根據(jù)(1)所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至所述封裝件基板。 (3)根據(jù)(1)所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通過所述中介片傳輸芯片間信號(hào)。(4)根據(jù)(1)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介片包括在所述中介片之下的中介片半導(dǎo)體。(5)根據(jù)(4)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介片半導(dǎo)體包括連接墊，并且所述第一有源芯片通過所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至所述封裝件基板。(6)根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而通過所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至所述封裝件基板。(7)根據(jù)(I)所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并進(jìn)一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側(cè)壁之間的填充材料，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號(hào)傳輸至所述第二有源芯片。(8)—種半導(dǎo)體封裝件，包括:第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片電介質(zhì)，所述中介片電介質(zhì)具有形成于其內(nèi)的中介片內(nèi)布線；中介片半導(dǎo)體，在所述中介片電介質(zhì)之下，所述中介片半導(dǎo)體包括連接墊，所述第一有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。(9)根據(jù)(8)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述連接墊延伸穿過所述中介片半導(dǎo)體以接觸所述中介片內(nèi)布線。(10)根據(jù)(8)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介片電介質(zhì)包括味之素TM增強(qiáng)II(ABF)0(11)根據(jù)(8 )所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述連接墊含有銅。(12)根據(jù)(8)所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至所述封裝件基板。(13)根據(jù)(8)所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通過所述中介片傳輸芯片間信號(hào)。(14)根據(jù)(8)所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并進(jìn)一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側(cè)壁之間的填充材料，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號(hào)傳輸至所述第二有源芯片。(15)—種半導(dǎo)體封裝件,包括:第一有源芯片和第二有源芯片,位于包括中介片電介質(zhì)的中介片之上，所述中介片電介質(zhì)具有形成于其內(nèi)的中介片內(nèi)布線；填充材料，在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側(cè)壁之間，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號(hào)傳輸至所述第二有源芯片。(16)根據(jù)(15)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片中的至少一個(gè)不利用半導(dǎo)體通孔 (TSV)而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。 (17)根據(jù)(15)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介片電介質(zhì)包括味之素TM增強(qiáng)II(ABF)0(18)根據(jù)(15)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介片包括在所述中介片電介質(zhì)之下的中介片半導(dǎo)體。(19)根據(jù)(18)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介片半導(dǎo)體包括連接墊，且所述第一有源芯片和所述第二有源芯片中的至少一個(gè)不利用半導(dǎo)體通孔而通過所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。(20)根據(jù)(19)所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述連接墊含有銅。通過利用具有減少的中介片半導(dǎo)體或沒有中介片半導(dǎo)體的中介片，本文所公開的思想的各個(gè)實(shí)施方式通過中介片有利地實(shí)現(xiàn)了泄漏的大體減少或消除。此外，所述實(shí)施方式有利地公開了不具有TSV的中介片的使用。從而，本文公開的思想和實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)穿過具有TSV的現(xiàn)有中介片的信號(hào)的不利影響的避免。此外，可通過本文所公開的各個(gè)實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)小(超薄)型器件。

圖1示出了具有無半導(dǎo)體通孔(TSV)的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件的一種實(shí)施方式的截面圖。圖2示出了具有無TSV的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件的另一種實(shí)施方式的截面圖。圖3示出了具有無TSV的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件的再一種實(shí)施方式的截面圖。
具體實(shí)施方式
以下描述包括根據(jù)本公開的實(shí)施方式的具體信息。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，本公開可以以不同于本文具體討論的方式來實(shí)施。本申請(qǐng)中的附圖及其相關(guān)詳細(xì)描述僅涉及示例性實(shí)施方式。除非另外指出，否則圖中相同或相應(yīng)的元件可由相同或相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示。此外，本申請(qǐng)中的附圖和示例一般不成比例，并不意為與實(shí)際相應(yīng)的尺寸對(duì)應(yīng)。圖1示出了具有無半導(dǎo)體通孔(TSV)的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件的一種實(shí)施方式的截面圖。如圖1所示，半導(dǎo)體封裝件100包括第一有源芯片(die) 121、第二有源芯片122、中介片110和封裝件基板102。如圖1進(jìn)一步所示，中介片110包括:中介片電介質(zhì)112,具有形成在其中的中介片內(nèi)布線(intra-1nterposer routing trace) 114、鈍化層116、以及形成在鈍化層116中以接觸中介片內(nèi)布線114的下凸點(diǎn)金屬件(UBM) 118。在圖1中還示出將中介片110電連接至封裝件基板102的焊球104、以及將第一有源芯片121和第二有源芯片122電連接到中介片110的微凸點(diǎn)124。注意，盡管在圖1中只有兩個(gè)示例性中介片內(nèi)布線由附圖標(biāo)記114具體指定，應(yīng)理解，中介片電介質(zhì)112內(nèi)示出的12個(gè)中介片內(nèi)布線中的任意或所有布線均可被表征為中介片內(nèi)布線114。還應(yīng)注意，在圖1中盡管焊球104、UBM118和微凸點(diǎn)124中的每一個(gè)均只有一個(gè)被附圖標(biāo)記具體指定，但圖1中示出的8個(gè)焊球、8個(gè)UBM和16個(gè)微凸點(diǎn)中的任意個(gè)或所有均可以分別被表征為焊球104、UBM118和微凸點(diǎn)124。例如，第一有源·芯片121和第二有源芯片122可以是封裝好的或未封裝的芯片。盡管圖1中第一有源芯片121和第二有源芯片122被示出為倒裝芯片配置，但這樣的描述僅僅是不例性的，在其他實(shí)施方式中，第一有源芯片121和第二有源芯片122中的一個(gè)或兩個(gè)可具有不同的配置。此外，應(yīng)理解，盡管圖1中所示的實(shí)施方式示出了例如第一有源芯片121和第二有源芯片122的兩個(gè)有源芯片通過中介片110耦接至封裝件基板102，但在一種實(shí)施方式中，諸如有源芯片121的單個(gè)有源芯片可被通過中介片110耦接至封裝件基板102，而在另一種實(shí)施方式中，多于兩個(gè)有源芯片可被通過中介片110耦接至封裝件基板102。如圖1所示，在半導(dǎo)體封裝件100中，第一有源芯片121位于中介片110之上并被配置為不采用TSV，而采用中介片內(nèi)布線114將電信號(hào)傳輸至位于中介片110下面的封裝件基板102，其中，中介片110中完全不存在所述TSV。換句話說，第一有源芯片121通過不具有TSV的中介片110，利用微凸點(diǎn)124、中介片內(nèi)布線114、UBM118和焊球104將電信號(hào)傳輸至封裝件基板102。半導(dǎo)體封裝件100還包括第二有源芯片122，所述第二有源芯片122位于中介片110之上，并被配置為不采用TSV，而是采用中介片內(nèi)布線114將電信號(hào)傳輸至位于中介片110下面的封裝件基板102。即是說，與第一有源芯片121相似，第二有源芯片122被配置為通過中介片Iio利用微凸點(diǎn)124、中介片內(nèi)布線114、UBM118和焊球104將電信號(hào)傳輸至封裝件基板102。此外，如圖1進(jìn)一步所示，根據(jù)本實(shí)施方式，半導(dǎo)體封裝件100被配置為使第一有源芯片121和第二有源芯片122可以通過例如中介片110利用微凸點(diǎn)124和中介片電介質(zhì)112中的中介片內(nèi)布線114傳輸芯片間信號(hào)。中介片電介質(zhì)112由剛性電介質(zhì)材料形成，例如，諸如纖維增強(qiáng)雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、FR-4、玻璃或陶瓷?？蛇x地，中介片電介質(zhì)112可以是由聚酰亞胺膜或其他合適的帶狀材料形成的柔性電介質(zhì)。在某些實(shí)施方式中，中介片電介質(zhì)112可以由環(huán)氧酚醛樹脂或氰酸鹽酯環(huán)氧來構(gòu)造的材料形成。作為具體示例，在一種實(shí)施方式中，中介片電介質(zhì)112可由味之素 增強(qiáng)膜(ABF Ajinomoto Build-up Film)形成。根據(jù)示例性實(shí)施方式，中介片內(nèi)布線114可以利用適當(dāng)?shù)默F(xiàn)有已知技術(shù)在形成中介片電介質(zhì)112的構(gòu)造處理期間形成。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，中介片110包括鈍化層116。鈍化層116可以是例如諸如氮化硅(Si3N4)層的氧化物或氮化物層，所述氧化物或氮化物層利用用于生成鈍化層116的化學(xué)氣相沉積處理(CVD)、或任意其他合適的處理形成。注意，在某些實(shí)施方式中，鈍化層116可以被省略。UBM118在中介片內(nèi)布線114和焊球104之間提供電連接。UBM118可以由金屬、合金、多層金屬或多層合金片形成，例如，諸如包括銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、釩(V)、鉻(Cr)和金(Au)的組合的多層合金片?？衫美珉娀瘜W(xué)沉積處理或任意其他合適的技術(shù)來形成UBMl 18。根據(jù)圖1中所示的實(shí)施方式，第一有源芯片121和第二有源芯片122通過微凸點(diǎn)124電連接至中介片110。然而注意，更一般地，微凸點(diǎn)124可對(duì)應(yīng)于適于將第二有源芯片122和/或第一有源芯片121耦接至中介片110的任意電接觸體。因此，在其他實(shí)施方式中，各個(gè)微凸點(diǎn)124可被替換為導(dǎo)電柱體或立柱，例如，由銅形成的金屬柱體或立柱。此外，在其他實(shí)施方式中，焊球104可對(duì)應(yīng)于適于在中介片110的UBMl 18和封裝件基板102之間形成穩(wěn)定電連接的任意導(dǎo) 體。對(duì)比其中中介片一般包括中介片電介質(zhì)層和中介片半導(dǎo)體基板的現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體封裝件100被利用中介片110實(shí)現(xiàn)，在所述中介片中刪去了中介片半導(dǎo)體基板。此外，進(jìn)一步對(duì)比利用TSV在位于中介片之上的有源芯片和在中介片下面的封裝件基板之間提供電連接的現(xiàn)有的封裝件解決方案，半導(dǎo)體封裝件100包括不具有TSV的中介片110。因此，半導(dǎo)體封裝件100有利地避免了現(xiàn)有技術(shù)中不利地影響通過TSV的信號(hào)的半導(dǎo)體泄漏和TSV間的電耦接。此外，半導(dǎo)體封裝件100方便實(shí)現(xiàn)小(超薄)型器件?，F(xiàn)參照?qǐng)D2，圖2示出了具有無TSV的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件的另一種實(shí)施方式的截面圖。如圖2所示，半導(dǎo)體封裝件200包括第一有源芯片221、第二有源芯片222、中介片211以及封裝件基板202。如圖2進(jìn)一步所示，中介片211包括具有中介片內(nèi)布線214的中介片電介質(zhì)212、具有厚度217的中介片半導(dǎo)體215、以及形成于中介片半導(dǎo)體215中以便接觸中介片內(nèi)布線214的連接墊219。仍如圖2所示，焊球204電連接中介片211至封裝件基板202，微凸點(diǎn)224將第一有源芯片221和第二有源芯片222連接至中介片211。第一有源芯片221、第二有源芯片222、微凸點(diǎn)224、焊球204和封裝件基板202分別對(duì)應(yīng)于圖1中的第一有源芯片121、第二有源芯片122、微凸點(diǎn)124、焊球104和封裝件基板102，并享有上面這些對(duì)應(yīng)部件所具有的特征。此外，在圖2中，中介片電介質(zhì)212和中介片內(nèi)布線214分別對(duì)應(yīng)于圖1中的中介片電介質(zhì)112和中介片內(nèi)布線114，并還可享有這些對(duì)應(yīng)部件之前享有的特征。例如，與中介片電介質(zhì)112相似，在一種實(shí)施方式中，圖2中的中介片電介質(zhì)212可由ABF 形成。注意，盡管在圖2中連接墊219中僅一個(gè)由附圖標(biāo)記具體指定，但圖2中示出的延伸過中介片半導(dǎo)體215以便接觸中介片內(nèi)布線214的8個(gè)連接墊中的任意個(gè)或所有可被表征為連接墊219。此外，重復(fù)說明，盡管第一有源芯片221和第二有源芯片222被示出為倒裝芯片配置，該表征僅僅是示例性的，在其他實(shí)施方式中，第一有源芯片221和第二有源芯片222中的一個(gè)或兩個(gè)均可具有不同的配置。此外，應(yīng)理解，盡管圖2示出的實(shí)施方式示出了例如第一有源芯片221和第二有源芯片222的兩個(gè)有源芯片通過中介片211耦接至封裝件基板202，但在一種實(shí)施方式中，諸如有源芯片221的單個(gè)的有源芯片可通過中介片211被耦接至封裝件基板202。而與圖1中所示的表征相同，在圖2中，多于兩個(gè)的有源芯片可通過中介片211被耦接至封裝件基板202。根據(jù)圖2中所示的實(shí)施方式，第一有源芯片221位于中介片211之上。如圖2進(jìn)一步所示，中介片211包括具有形成于其內(nèi)的中介片內(nèi)布線214的中介片電介質(zhì)212、和在中介片電介質(zhì)212下面的中介片半導(dǎo)體215。第一有源芯片221被配置為不利用TSV，而是利用中介片內(nèi)布線214和連接墊219將電信號(hào)傳輸至位于中介片211下面的封裝件基板202，所示TSV已從中介片211中省略。即是說，第一有源芯片221通過無TSV的中介片211利用微凸點(diǎn)224、中介片內(nèi)布線214、連接墊219和焊球204將電信號(hào)傳輸至封裝件基板202。如圖2中所示，半導(dǎo)體封裝件200還包括第二有源芯片222，所示第二有源芯片222位于中介片211之上并被配置為不利用TSV，而利用中介片內(nèi)布線214和連接墊219將電信號(hào)傳輸至位于中介片211下面的封裝件基板202。即是說,與第一有源芯片221相似，第二有源芯片222被配置為通過中介片211利用微凸點(diǎn)224、中介片內(nèi)布線214、連接墊219以及焊球204將電信號(hào)傳輸 至封裝件基板202。此外，如圖2中進(jìn)一步所示，根據(jù)本實(shí)施方式，半導(dǎo)體封裝件200被配置為使第一有源芯片221和第二有源芯片222通過中介片211傳輸芯片間信號(hào)。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，中介片211包括具有厚度217的中介片半導(dǎo)體215，連接墊219延伸過所述中介片半導(dǎo)體215。中介片半導(dǎo)體215可以是IV族半導(dǎo)體，例如諸如硅。不過，與包括半導(dǎo)體基板、一般穿過其形成TSV的傳統(tǒng)中介片相比，中介片半導(dǎo)體215可具有充分減少的厚度217。例如，與現(xiàn)有中介片實(shí)現(xiàn)方式中的一般半導(dǎo)體基板厚度——約100微米(IOOym)或更多的厚度相比，減小后的厚度217僅約20微米(20 μ m)或更少。例如，在一種實(shí)施方式中，中介片半導(dǎo)體215可具有在約5微米到約20微米(5-20 μ m)范圍內(nèi)的厚度217。連接墊219可由諸如銅的導(dǎo)電金屬形成。例如，連接墊219可通過中介片半導(dǎo)體215經(jīng)由首先在半導(dǎo)體晶片中蝕刻或鉆出孔腔，通過電鍍處理用銅填充孔腔，拋光半導(dǎo)體以暴露出連接墊219來實(shí)現(xiàn)。不同于TSV —般包括電介質(zhì)隔斷層和導(dǎo)電孔填充材料，連接墊219可被形成為延伸穿過中介片半導(dǎo)體215，而無需中間電介質(zhì)層來隔離連接墊片219與中介片半導(dǎo)體215。此外，由于中介片半導(dǎo)體215的減小后的厚度217，半導(dǎo)體封裝件200有利地避免或大體減少了在現(xiàn)有技術(shù)中已知的不利地影響通過TSV的信號(hào)的TSV間的電耦接和半導(dǎo)體泄漏(漏電)。[0046]繼續(xù)參考圖3，圖3示出了具有無TSV的超薄中介片的半導(dǎo)體封裝件的再一種實(shí)施方式的截面圖。如圖3所示，半導(dǎo)體封裝件300包括具有側(cè)壁331的第一有源芯片321、具有側(cè)壁332的第二有源芯片322、在第一有源芯片321和第二有源芯片322的各自的側(cè)墻331和332之間的填充材料333、中介片310、和封裝件基板302。如下面將進(jìn)一步所述，填充材料333可以是在側(cè)墻332和333之間提供電容耦接的電介質(zhì)填充材料。如圖3所示，中介片310包括具有中介片內(nèi)布線314的中介片電介質(zhì)312、鈍化層316、和形成在鈍化層316中以接觸中介片內(nèi)布線314的UBM318。圖3中還示出了將中介片310電連接至封裝件基板302的焊球304、和將第一有源芯片321和第二有源芯片322電連接至中介片310的微凸點(diǎn)324。第一有源芯片321、第二有源芯片322、微凸點(diǎn)324、焊球304和封裝件基板302分別對(duì)應(yīng)于圖1中的第一有源芯片121、第二有源芯片122、微凸點(diǎn)124、焊球104和封裝件基板102，并享有上面這些對(duì)應(yīng)部件所具有的特征。此外，在圖3中，包括中介片電介質(zhì)312、中介片內(nèi)布線314、鈍化層316和UBM318的中介片310對(duì)應(yīng)于圖1中包括中介片電介質(zhì)112、中介片內(nèi)布線114、鈍化層116和UBM118的中介片110，并還可享有這些對(duì)應(yīng)部件之前享有的特征。例如，與中介片電介質(zhì)112相似，在一種實(shí)施方式中，圖3中的中介片電介質(zhì)312可由ABF 形成。如圖3所示，第一有源芯片321和第二有源芯片322位于中介片310之上。如圖3所示，中介片310包括具有形成在其中的中介片內(nèi)布線314的中介片電介質(zhì)312。第一有源芯片321包括可形成為例如電容連接墊的側(cè)壁331。相似地，第二有源芯片322包括也可形成為電容連接墊的側(cè)壁332。根據(jù)圖3的實(shí)施方式，第一有源芯片321被配置為通過填充材料333將AC信號(hào)(交流信號(hào))傳輸至第二有源芯片322。例如,根據(jù)一種實(shí)施方式,第一有源芯片321的側(cè)壁331可作為第一電容板，第二有源芯片322的側(cè)壁333可作為第二電容板，而填充材料333被選擇作為電容器電介質(zhì)以用于調(diào)停各個(gè)側(cè)壁331和332之間的AC率禹接。
除如上所述的第一有源芯片321和第二有源芯片322通過填充材料333的AC耦接外，第一有源芯片321和第二有源芯片322進(jìn)一步被配置為不利用TSV，而利用中介片內(nèi)布線314將電信號(hào)傳輸至位于中介片310下面的封裝件基板302。注意，在可選的實(shí)施方式中，圖3中所示的布置可通過將中介片310替換為圖2中的中介片211而被修改。在這種實(shí)施方式中，除了第一有源芯片321和第二有源芯片322通過填充材料333的AC耦接，第一有源芯片321和第二有源芯片322還進(jìn)一步被配置為不利用TSV，而利用對(duì)應(yīng)于中介片內(nèi)布線214的中介片內(nèi)布線和對(duì)應(yīng)于連接墊219的連接墊將電信號(hào)傳輸至封裝件基板302。即是說，第一有源芯片321和第二有源芯片322可通過對(duì)應(yīng)于中介片211的中介片將電信號(hào)傳輸至封裝件基板302，該中介片包括不具有TSV的中介片半導(dǎo)體。因此，通過利用具有減少的中介片半導(dǎo)體或沒有中介片半導(dǎo)體的中介片，本文所公開的思想的各個(gè)實(shí)施方式通過中介片有利地實(shí)現(xiàn)了泄漏的大體減少或消除。此外，所述實(shí)施方式有利地公開了不具有TSV的中介片的使用。從而，本文公開的思想和實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)穿過具有TSV的現(xiàn)有中介片的信號(hào)的不利影響的避免。此外，可通過本文所公開的各個(gè)實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)小(超薄)型器件。綜上所述，顯而易見的是，在不背離本申請(qǐng)所述思想的前提下，可使用各種技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些思想。此外，盡管這些思想被具體參考某實(shí)施方式加以描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，在不背離這些思想精神和范圍的前提下可進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的改變。因此，應(yīng)認(rèn)為所述的實(shí)施方式在任何方面均是示例性的，并不具有限制性。還應(yīng)理解，本申請(qǐng)并不局限于本文所述的特定的實(shí)施方式，而是可在不背離本實(shí)用新型范圍的前提下進(jìn)行重組、修改和
替換。`
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片電介質(zhì)； 所述中介片電介質(zhì)，具有中介片內(nèi)布線， 所述第一有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至所述封裝件基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通過所述中介片傳輸芯片間信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并進(jìn)一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側(cè)壁之間的填充材料，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號(hào)傳輸至所述第二有源芯片。
5.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片電介質(zhì)，所述中介片電介質(zhì)具有形成于其內(nèi)的中介片內(nèi)布線； 中介片半導(dǎo)體，在所述中介片電介質(zhì)之下，所述中介片半導(dǎo)體包括連接墊， 所述第一有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至位于所述中介 片之下的封裝件基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述連接墊延伸穿過所述中介片半導(dǎo)體以接觸所述中介片內(nèi)布線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線和所述連接墊將電信號(hào)傳輸至所述封裝件基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并進(jìn)一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側(cè)壁之間的填充材料，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號(hào)傳輸至所述第二有源芯片。
9.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 第一有源芯片和第二有源芯片，位于包括中介片電介質(zhì)的中介片之上，所述中介片電介質(zhì)具有形成于其內(nèi)的中介片內(nèi)布線； 填充材料，在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側(cè)壁之間， 所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號(hào)傳輸至所述第二有源芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片中的至少一個(gè)不利用半導(dǎo)體通孔而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。
專利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝件，公開了包括無半導(dǎo)體通孔(TSV)的中介片的半導(dǎo)體封裝件的各種實(shí)施方式。一種半導(dǎo)體封裝件，包括第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片電介質(zhì)；所述中介片電介質(zhì)，具有中介片內(nèi)布線，所述第一有源芯片不利用半導(dǎo)體通孔(TSV)而利用所述中介片內(nèi)布線將電信號(hào)傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。本文所公開的設(shè)計(jì)的各個(gè)實(shí)施方式通過中介片有利地實(shí)現(xiàn)了泄漏的大體減少或消除。
文檔編號(hào)H01L23/538GK203103294SQ201220712768
公開日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者桑帕施·K·V·卡里卡蘭, 趙子群, 胡坤忠, 雷佐爾·拉赫曼·卡恩, 彼得·沃倫坎普, 陳向東 申請(qǐng)人:美國博通公司