專利名稱：陣列基板、顯示裝置和線寬測量裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置和線寬測量
>J-U ρ α裝直。
背景技術(shù)：
在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)制造業(yè)中，⑶(Critical Dimension，關(guān)鍵尺寸)的監(jiān)控測量非常重要，其測量結(jié)果的準確性將影響到整個顯示裝置的性能。在ADS (Advanced-Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))型的陣列基板中，間隔分布的條狀電極的線寬就是陣列基板的關(guān)鍵尺寸，將影響到顯示裝置的透過率等性能。在所述陣列基板上有一處線寬測量區(qū)，用于測量條狀電極的線寬。但是，由于線寬測量區(qū)各條狀電極分布界限模糊，一直存在條狀電極線寬測量不到和測量準確性過差的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供一種陣列基板、顯示裝置和線寬測量裝置，可以測量獲得準確的條狀電極的線寬。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案一種陣列基板，包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層以及鈍化層 ；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極的圖案，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案；所述陣列基板還包括設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的第一條狀電極和設(shè)置在線寬測量區(qū)的第二條狀電極；還包括設(shè)置在所述線寬測量區(qū)的不透明圖案，所述不透明圖案位于所述第二條狀電極的下方且至少一個第二條狀電極的部分兩側(cè)邊界位于所述不透明圖案所在的區(qū)域內(nèi)；所述鈍化層至少覆蓋所述像素區(qū)域。優(yōu)選的，所述不透明圖案與所述柵線和柵極的圖案同層設(shè)置；或，所述不透明圖案與所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案同層設(shè)置。優(yōu)選的，所述不透明圖案覆蓋整個所述線寬測量區(qū)。優(yōu)選的，所述鈍化層只覆蓋所述像素區(qū)域。一種顯示裝置，包括對盒后的彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板為上述任意一項所述的陣列基板。一種線寬測量裝置，包括測量單元，用于測量獲得線寬測量區(qū)任一第二條狀電極的寬度值CD1，所述第二條狀電極的上側(cè)邊界到其下側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD2以及所述第二條狀電極的下側(cè)邊界到其上側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值 CD3 ；比較處理單元，用于在所述測量單元測量得到的⑶2和⑶3滿足以下條件目標值-波動值< CD2 <目標值+波動值且目標值-波動值< CD3 <目標值+波動值時，確定所述CDl為線寬測量準確值；在所述CD2和CD3不滿足所述條件時，確定所述CDl不準確。上述技術(shù)方案提供的陣列基板、顯示裝置和線寬測量裝置，通過在所述第二條狀電極下設(shè)置不透明圖案，增加所述第二條狀電極的邊界對比度，使得所述第二條狀電極分布界限清晰，從而測量獲得所述第二條狀電極的準確的線寬。另外上述技術(shù)方案提供的線寬測量方法和裝置，通過增加對CD2和CD3的限制條件，來確定測量時選擇的邊界線是否有準確，從而判斷測得的線寬CDl是否準確，進而增加線寬測量的準確性。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的另一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的一種線寬測量區(qū)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的一種線寬測量裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

1-透明基板，2-柵線和柵極的圖案，3-絕緣層，4-有源層，5-數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案，6-鈍化層，7-第一條狀電極，8-第二條狀電極，9-不透明圖案。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。本實用新型實施例提供了一種陣列基板，如圖1、圖2所示，所述陣列基板包括透明基板1，設(shè)置在所述透明基板I上的柵金屬層、柵絕緣層3、有源層4、源漏金屬層以及鈍化層6 ;其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極的圖案2，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案5 ;所述陣列基板還包括設(shè)置在像素區(qū)域A1-A2內(nèi)的第一條狀電極7和設(shè)置在線寬測量區(qū)B1-B2的第二條狀電極8。在本實用新型實施例中所述陣列基板還包括設(shè)置在所述線寬測量區(qū)的不透明圖案9，所述不透明圖案9位于所述第二條狀電極8的下方且至少一個第二條狀電極8的部分兩側(cè)邊界位于所述不透明圖案9所在的區(qū)域內(nèi)；所述鈍化層6至少覆蓋所述像素區(qū)域A1-A2。在所述第二條狀電極8下設(shè)置不透明圖案且至少一個第二條狀電極8的部分兩側(cè)邊界位于所述不透明圖案9所在的區(qū)域內(nèi)，這樣可以增加第二條狀電極8中至少一個第二條狀電極的部分兩側(cè)邊界的對比度。就可以保證所述第二條狀電極8中至少有一個條狀電極的部分兩側(cè)邊界是明顯的。此時，就可以應(yīng)用CD測量設(shè)備測量該兩側(cè)邊界明顯的條狀電極，從而獲得較為準確的條狀電極的線寬?？蛇x的，所述不透明圖案9可以是由任意的不透明材料制作在所述第二條狀電極下方的不透明圖案。優(yōu)選的，如圖1所示，所述不透明圖案9可以與所述柵線和柵極的圖案同層設(shè)置；或，如圖2所示，所述不透明圖案9與所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案同層設(shè)置。所述同層設(shè)置是針對至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設(shè)置是指將同一薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。例如，不透明圖案9和所述柵線和柵極的圖案同層設(shè)置是指由柵極薄膜通過構(gòu)圖工藝形成不透明圖案以及所述柵線和柵極。將所述不透明圖案9與所述柵線和柵極的圖案同層設(shè)置；或與所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案同層設(shè)置時，可以在制作所述柵線和柵極的圖案或制作所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案的同時制作出所述不透明圖案9，與現(xiàn)有技術(shù)相比不增加制作工藝。優(yōu)選的，如圖1或圖2所示，所述不透明圖案9覆蓋整個所述線寬測量區(qū)B1-B2。如圖3所示，為圖2中線寬測量區(qū)B1-B2的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，所述不透明圖案9覆蓋整個所述線寬測量區(qū)B1-B2，所述線寬測量區(qū)B1-B2內(nèi)的所有第二條狀電極8的兩側(cè)都具有非常明顯的邊界，CD測量設(shè)備測量任意一個第二條狀電極的線寬，都可以獲得較為準確的條狀電極的線寬。可選的，所述鈍化層6可以如圖1所示覆蓋所述像素區(qū)域A1-A2和線寬測量區(qū)B1-B2，也可以如圖2所示只覆蓋所述像素區(qū)域A1-A2，而不覆蓋線寬測量區(qū)B1-B2。優(yōu)選的，所述鈍化層6只覆蓋所述像素區(qū)域A1-A2，而不覆蓋線寬測量區(qū)B1-B2。這樣所述第二條狀電極8就直接設(shè)置在所述不透明圖案9的上方，所述第二條狀電極8具有更加明顯的邊界，使CD測量設(shè)備測量獲得更為準確的條狀電極的線寬。本實用新型實施例還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在透明基板上形成柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層以及鈍化層；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極的圖案，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案；分別在像素區(qū)域和線寬測量區(qū)內(nèi)形成第一條狀電極和第二條狀電極；在形成所述柵金屬層的柵線和柵極的圖案的同時形成不透明圖案；或在形成所述源漏金屬層的數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案的同時形成不透明圖案；所述不透明圖案位于所述第二條狀電極的下方，所述不透明圖案在所述第二條狀電極的線寬方向上的連續(xù)長度大于等于目標值+波動值。在形成鈍化層時，使所形成的鈍化層至少覆蓋所述像素區(qū)域。優(yōu)選的，在形成鈍化層時，通過構(gòu)圖工藝將所述線寬測量區(qū)內(nèi)的鈍化層刻蝕掉。以圖2所示的陣列基板為例，其制造方法可以參考以下步驟S1、在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝至少形成柵線和柵極的圖案2和不透明圖案9。S2、在所述至少形成柵線和柵極的圖案2和不透明圖案9的透明基板上制作柵絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層3。S3、在所述形成柵絕緣層3的透明基板上制作半導體薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成有源層4。S4、在所述形成有源層4的透明基板上制作透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極。S5、在所述形成公共電極的透明基板上制作第一鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成
第一鈍化層。S6、在所述形成第一鈍化層的透明基板上制作源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝至少形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案5。S7、在所述至少形成所述源漏極金屬層5的透明基板上制作鈍化層薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成帶有過孔的鈍化層6。S8、在所述形成鈍化層6的透明基板上制作透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一條狀電極7和第二條狀電極8，所述第一條狀電極7通過所述鈍化層6上的過孔與漏極相連。對于圖3所示的陣列基板的制作方法可以參考上述圖2所示的制作方法，只需將上述步驟S1、S6和S7按照下述步驟Ql、Q6和Q7進行，其他步驟可以參考實圖2中的相應(yīng)步驟。Q1、在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝至少形成柵線和柵極的圖案2。Q6、在所述形成第一鈍化層的透明基板上制作源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝至少形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案5和不透明圖案9。Q7、在所述至少形成所述源漏極金屬層5的透明基板上制作鈍化層薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝將所述線寬測量區(qū)B1-B2內(nèi)的鈍化層刻蝕掉并在像素區(qū)域內(nèi)形成帶有過孔的鈍化層6。本實用新型實施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括在透明基板上形成柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層以及鈍化層；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極的圖案，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案；分別在像素區(qū)域和線寬測量區(qū)內(nèi)形成第一條狀電極和第二條狀電極；在所述線寬測量區(qū)內(nèi)形成所述第二條狀電極之前，還在所述線寬測量區(qū)形成不透明圖案，所述不透明圖案位于所述第二條狀電極的下方，所述不透明圖案在所述第二條狀電極的線寬方向上的連續(xù)長度大于等于目標值+波動值；在形成鈍化層時，所形成的鈍化層至少覆蓋所述像素區(qū)域。具體的，其制作方法可以參考圖2或圖3所示的陣列基板的制作方法。參考圖2所示的陣列基板的制作方法時，只需將步驟SI修改為步驟SI*、在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝至少形成柵線和柵極的圖案2 ;并在步驟S8之前進行步驟S7*、在所述形成鈍化層6的透明基板上制作由不透明材料構(gòu)成的薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述線寬測量區(qū)形成不透明圖案9。參考圖3所示的陣列基板的制作方法時，只需將步驟Q6修改為步驟Q6*、在所述形成第一鈍化層的透明基板上制作源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝至少形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案5 ;并在步驟S8之前進行步驟S7*、在透明基板上制作由不透明材料構(gòu)成的薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述線寬測量區(qū)形成不透明圖案9。本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括對盒后的彩膜基板和陣列基板，其中，所述陣列基板可以是上述的任一種TFT-LCD陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。本實用新型實施例還提供了一種線寬測量方法，如圖3所示，所述方法包括測量獲得線寬測量區(qū)任一第二條狀電極的寬度值CD1，所述第二條狀電極的上側(cè)邊界到其下側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD2以及所述第二條狀電極的下側(cè)邊界到其上側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD3 ;所述CD2和CD3若滿足以下條件目標值-波動值< CD2 <目標值+波動值且目標值-波動值< CD3 <目標值+波動值，則所述CDl準確，確定其為線寬測量準確值；若不滿足，則所述CDl不準確，重新測量所述第二條狀電極的線寬，直至測量到所述線寬測量準確值。所述目標值是指設(shè)計時條狀電極加上所述條狀電極的溝道的寬度值，所述波動值是指制作出來的條狀電極與設(shè)計的條狀電極之間的寬度最大波動值。若測量時的邊界正確，則CD測量設(shè)備測得的CD2和CD3理論上等于所述目標值，即測得的CD2和CD3應(yīng)該在目標值+波動值和目標值-波動值之間。故在這里應(yīng)用限制條件目標值-波動值< ⑶2<目標值+波動值且目標值-波動值< CD3 <目標值+波動值，若測的結(jié)果滿足限制條件，則證明測量時選擇的邊界線沒有問題，測得的CDl準確，確定其為線寬測量準確值。若測得的結(jié)果不滿足限制條件，則所述CDl不準確，重新測量所述第二條狀電極的線寬，直至測量到所述線寬測量準確值。本實用新型實施例還提供了一種線寬測量裝置，如圖4所示，所述線寬測量裝置包括測量單元401和比較處理單元402。所述測量單元401用于測量獲得線寬測量區(qū)任一第二條狀電極的寬度值CD1，所述第二條狀電極的上側(cè)邊界到其下側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD2以及所述第二條狀電極的下側(cè)邊界到其上側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD3 ;比較處理單元402，用于在所述測量單元401測得的CD2和CD3滿足以下條件目標值-波動值< CD2 <目標值+波動值且目標值-波動值< CD3 <目標值+波動值時，確定所述CDl為線寬測量準確值；在所述CD2和CD3不滿足所述條件時，確定所述CDl不準確。本實用新型實施例提供的線寬測量方法和裝置，通過增加對⑶2和⑶3的限制條件，來確定測量時選擇的邊界線是否有問題，從而判斷測得的線寬CDl是否準確，進而增加線寬測量的準確性。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層以及鈍化層；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極的圖案，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案；所述陣列基板還包括設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的第一條狀電極和設(shè)置在線寬測量區(qū)的第二條狀電極；其特征在于，還包括 設(shè)置在所述線寬測量區(qū)的不透明圖案，所述不透明圖案位于所述第二條狀電極的下方且至少一個第二條狀電極的部分兩側(cè)邊界位于所述不透明圖案所在的區(qū)域內(nèi)； 所述鈍化層至少覆蓋所述像素區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述不透明圖案與所述柵線和柵極的圖案同層設(shè)置；或，所述不透明圖案與所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述不透明圖案覆蓋整個所述線寬測量區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層只覆蓋所述像素區(qū)域。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括對盒后的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為上述權(quán)利要求1 4任意一項所述的陣列基板。
6.一種線寬測量裝置，其特征在于，包括 測量單元，用于測量獲得線寬測量區(qū)任一第二條狀電極的寬度值CD1，所述第二條狀電極的上側(cè)邊界到其下側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD2以及所述第二條狀電極的下側(cè)邊界到其上側(cè)溝道中與所述第二條狀電極不相鄰的邊界的寬度值CD3 ； 比較處理單元，用于在所述測量單元測量得到的CD2和CD3滿足以下條件目標值-波動值< ⑶2 <目標值+波動值且目標值-波動值< ⑶3 <目標值+波動值時，確定所述⑶I為線寬測量準確值；在所述CD2和CD3不滿足所述條件時，確定所述CDl不準確。
專利摘要本實用新型實施例提供了一種陣列基板、顯示裝置和線寬測量裝置，涉及液晶顯示器領(lǐng)域，可以測量獲得準確的條狀電極的線寬。所述陣列基板包括透明基板，設(shè)置在所述透明基板上的柵金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層以及鈍化層；其中，所述柵金屬層包括柵線和柵極的圖案，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極的圖案；所述陣列基板還包括設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的第一條狀電極和設(shè)置在線寬測量區(qū)的第二條狀電極；還包括設(shè)置在所述線寬測量區(qū)的不透明圖案，所述不透明圖案位于所述第二條狀電極的下方且至少一個第二條狀電極的部分兩側(cè)邊界位于所述不透明圖案所在的區(qū)域內(nèi)；所述鈍化層至少覆蓋所述像素區(qū)域。
文檔編號H01L27/02GK202870441SQ201220620090
公開日2013年4月10日 申請日期2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月21日
發(fā)明者劉耀, 孫亮, 丁向前, 李梁梁, 白金超 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司