專利名稱：一種大功率低互調(diào)負載的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及低互調(diào)負載領(lǐng)域，具體是ー種大功率低互調(diào)負載。
背景技術(shù)：
隨著微波通訊技術(shù)的發(fā)展，人們對寬頻帶，低互調(diào)的無源器件需求日增，其中低互調(diào)負載由于其適用范圍廣，需求更為迫切。負載廣泛應(yīng)用于微波系統(tǒng)中，是ー個單端ロ微波網(wǎng)絡(luò)，替代終端在某一電路輸出端ロ，接收功率?，F(xiàn)有的構(gòu)成射頻微波功率負載的基本材料是電阻型材料。通過一定的エ藝把電阻材料放置到不同波段的射頻電路結(jié)構(gòu)中就形成了相應(yīng)頻率的負載。由于負載中的電阻是ー些金屬氧化物合成，內(nèi)部含有雜質(zhì)，當微波從負載的輸入端輸入，從負載反射回來的信號會產(chǎn)生互調(diào)失真，互調(diào)失真是由雜散信號組成，正是由 于電阻的非線性因素而產(chǎn)生的。目前此種負載的三階互調(diào)最小值在_120dBC。而且互調(diào)性能很不穩(wěn)定。目前為了實現(xiàn)低互調(diào)的負載，通常通過低互調(diào)線通過繞線方式來解決，但是在大功率應(yīng)用情況下，需要的低互調(diào)線大約要幾十米甚至幾百米，低互調(diào)線的成本較高，而且低互調(diào)線的功率容量較小，從而導致這樣生產(chǎn)出來的產(chǎn)品的成本會很高，負載的功率容量被低互調(diào)線的功率容量所限制。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供ー種大功率低互調(diào)負載，其制作成本低，且保證了負載的低互調(diào)指標要求。本實用新型的技術(shù)方案為ー種大功率低互調(diào)負載，它包括低互調(diào)衰減単元和小功率低互調(diào)繞線負載；所述的低互調(diào)衰減單元是由電橋和兩個大功率電阻組成，電橋包括電橋腔體和設(shè)置于電橋腔體內(nèi)的兩個導帶，姆個導帶的輸入端和輸出端分別連接于電橋腔體的一輸入端和ー輸出端上，兩個大功率電阻分別與電橋腔體上的一輸入端和ー輸出端連接；所述的電橋腔體上未連接有大功率電阻的一輸入端和ー輸出端分別作為低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端，所述的小功率低互調(diào)繞線負載連接于低互調(diào)衰減単元的輸出端上。所述的低互調(diào)衰減単元為ー個或者多個，多個低互調(diào)衰減單元為相互串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，即相鄰的兩個低互調(diào)衰減単元串聯(lián)連接時，前一個低互調(diào)衰減単元的輸出端與后一個低互調(diào)衰減単元的輸入端連接。所述的兩個大功率電阻設(shè)置于電橋腔體內(nèi)且分別與同一導帶的輸出端和輸入端連接，或分別與一個導帶的輸入端和另ー個導帶的輸出端連接。所述的低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端上均設(shè)置有射頻連接器。所述的電橋選用腔體3dB電橋或微帶3dB電橋。所述相鄰的多個低互調(diào)衰減単元串聯(lián)連接時，前一個低互調(diào)衰減単元的輸出端與后一個低互調(diào)衰減単元的輸入端通過低互調(diào)跳線連接或者通過射頻連接器對擰連接。本實用新型的優(yōu)點[0012]本實用新型低互調(diào)衰減単元的采用了四端ロ電橋的結(jié)構(gòu)，在電橋內(nèi)部連接大功率電阻，用大功率電阻來分擔功率，并通過對電橋進行調(diào)試使低互調(diào)衰減單元輸出端輸出后形成3dB的耦合度和插損，保證衰減后的輸出功率為輸入功率的一半，即輸入端的功率等于輸出端的功率和替代另ー輸出端的電阻承擔功率，電阻承擔的功率轉(zhuǎn)換成熱能散發(fā)。此種方式可以將低互調(diào)線纜的長度大大的減少，由于低互調(diào)衰減単元的衰減功率較大，而且成本較低，替代低互調(diào)繞線的方式有效的減少了低互調(diào)負載的生產(chǎn)成本；本實用新型的低互調(diào)衰減単元單個互調(diào)能達到-125dBc _130dBc，低互調(diào)跳線的互調(diào)值一般在-150dBc以下，整個負載的互調(diào)值能達到-125dBc -130dBc之間，滿足了負載的低互調(diào)指標要求。

圖I是本實用新型實施例I的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
實施例I見圖1，ー種工作頻段在700MHz-2700MHz的100W低互調(diào)負載，包括第一低互調(diào)衰減單元、第二低互調(diào)衰減単元和25W低互調(diào)繞線負載3 ；第一低互調(diào)衰減単元包括有第一電橋腔體11，設(shè)置于第一電橋腔體11內(nèi)的兩個第一導帶12、兩個第一大功率電阻13組成；兩個第一大功率電阻13分別焊錫連接于一第ー導帶12的輸入端和另ー第一導帶12的輸出端上，且每個第一導帶12的輸入端和輸出端分別連接于第一電橋腔體11的一輸入端和ー輸出端上，即兩個第一大功率電阻13分別替代第一電橋腔體11的一輸入端和ー輸出端，第一電橋腔體11上未連接有第一大功率電阻13的一輸入端和ー輸出端分別作為第一低互調(diào)衰減單兀的輸入端和輸出端,第一低互調(diào)衰減單元的輸入端和輸出端設(shè)置有第一射頻連接器14和15 ；第二低互調(diào)衰減單元包括有第二電橋腔體21，設(shè)置于第二電橋腔體21內(nèi)的兩個第二導帶22、兩個第二大功率電阻23組成；兩個第二大功率電阻23焊錫連接于同一第二導帶22的輸入端和輸出端上，且每個第二導帶22的輸入端和輸出端分別連接于第二電橋腔體21的一輸入端和ー輸出端上，即兩個第二大功率電阻23分別替代第二電橋腔體21的一輸入端和ー輸出端，第二電橋腔體21上未連接有第二大功率電阻23的一輸入端和ー輸出端分別作為第二低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端，第二低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端設(shè)置有第二射頻連接器24和25 ；第一低互調(diào)衰減單元輸出端上的第一射頻連接器15和第二低互調(diào)衰減單元輸入端上的第二射頻連接器24通過低互調(diào)跳線4連接，第二低互調(diào)衰減單元輸出端上的第二射頻連接器25和25W低互調(diào)繞線負載3之間通過射頻連接器對擰連接。第一低互調(diào)衰減単元形成ー個3dB的耦合度衰減，第二低互調(diào)衰減単元形成ー個3dB的插損衰減,一進ー出的兩個低互調(diào)衰減單元形成6dB的衰減量,低互調(diào)衰減單元起始輸入端的功率為100W，經(jīng)過兩個低互調(diào)衰減単元后，剰余的功率只有25W，低互調(diào)負載3既能滿足負載的功率要求，且只需要約20m的低互調(diào)繞線既能滿足互調(diào)要求，減少了低互調(diào)線的成本。同時單個低互調(diào)衰減単元的互調(diào)能達到-125dB(T-130dBC，低互調(diào)跳線的互調(diào)值一般在-150dBc以下，整個負載的互調(diào)值能達到-125dBC -130dBC之間，滿足了負載的低互調(diào)指標要求。實施例2見圖2，ー種工作頻段在700MHz-2700MHz的300W低互調(diào)負載，包括第一低互調(diào)衰減單元、第二低互調(diào)衰減単元、第三低互調(diào)衰減単元和40W低互調(diào)繞線負載4 ；第一低互調(diào)衰減単元包括有第一電橋腔體11，設(shè)置于第一電橋腔體11內(nèi)的兩個第一導帶12、兩個第一大功率電阻13組成；兩個第一大功率電阻13焊錫連接于同一第一導帶12的輸入端和輸出端上,且姆個第一導帶12的輸入端和輸出端分別連接于第一電橋腔體11的一輸入端和ー輸出端上，即兩個第一大功率電阻13分別替代第一電橋腔體11的 一輸入端和ー輸出端，第一電橋腔體11上未連接有第一大功率電阻13的一輸入端和ー輸出端分別作為第一低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端，第一低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端設(shè)置有第一射頻連接器14和15 ；第二低互調(diào)衰減單元包括有第二電橋腔體21，設(shè)置于第二電橋腔體21內(nèi)的兩個第二導帶22、兩個第二大功率電阻23組成；兩個第二大功率電阻23焊錫連接于同一第二導帶22的輸入端和輸出端上，且每個第二導帶22的輸入端和輸出端分別連接于第二電橋腔體21的一輸入端和ー輸出端上，即兩個第二大功率電阻23分別替代第二電橋腔體21的一輸入端和ー輸出端，第二電橋腔體21上未連接有第二大功率電阻23的一輸入端和ー輸出端分別作為第二低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端，第二低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端設(shè)置有第二射頻連接器24和25 ；第三低互調(diào)衰減単元包括有第三電橋腔體31，設(shè)置于第三電橋腔體31內(nèi)的兩個第三導帶32、兩個第三大功率電阻33組成；兩個第三大功率電阻33分別焊錫連接于一第三導帶32的輸入端和另ー第三導帶32的輸出端上，且每個第三導帶32的輸入端和輸出端分別連接于第三電橋腔體31的一輸入端和ー輸出端上，即兩個第三大功率電33分別替代第三電橋腔體31的一輸入端和ー輸出端,第三電橋腔體31上未連接有第三大功率電阻33的一輸入端和ー輸出端分別作為第三低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端，第三低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端設(shè)置有第三射頻連接器34和35 ；第一低互調(diào)衰減單元輸出端上的第一射頻連接器15和第二低互調(diào)衰減單元輸入端上的第二射頻連接器24之間，第二低互調(diào)衰減單元輸出端上的第二射頻連接器25和第三低互調(diào)衰減單元輸入端上的第三射頻連接器34之間，第三低互調(diào)衰減單元輸出端上的第三射頻連接器35和40W低互調(diào)繞線負載4之間均通過低互調(diào)跳線5連接。第一低互調(diào)衰減単元和第二低互調(diào)衰減単元各形成ー個3dB的插損衰減，第三低互調(diào)衰減単元形成一個耦合度衰減，三個低互調(diào)衰減単元形成9dB的衰減量，低互調(diào)衰減單元起始輸入端的功率為300W的功率，經(jīng)過衰減后輸出端的功率為37. 5W，這時與ー個40W低互調(diào)負載4串接，滿足功率容量的要求。且由于單個ー進ー出的互調(diào)能達到-125dBc -130dBc，同時，低互調(diào)跳線的互調(diào)值一般在_150dBc以下，從而整個負載的互調(diào)值能達到-125dBC -130dBC之間，滿足負載的低互調(diào)指標要求。
權(quán)利要求1.ー種大功率低互調(diào)負載，其特征在于它包括低互調(diào)衰減単元和小功率低互調(diào)繞線負載；所述的低互調(diào)衰減單元是由電橋和兩個大功率電阻組成，電橋包括電橋腔體和設(shè)置于電橋腔體內(nèi)的兩個導帯，每個導帶的輸入端和輸出端分別連接于電橋腔體的一輸入端和ー輸出端上，兩個大功率電阻分別與電橋腔體上的一輸入端和ー輸出端連接；所述的電橋腔體上未連接有大功率電阻的一輸入端和ー輸出端分別作為低互調(diào)衰減単元的輸入端和輸出端，所述的小功率低互調(diào)繞線負載連接于低互調(diào)衰減単元的輸出端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求要求I所述的ー種大功率低互調(diào)負載，其特征在于所述的低互調(diào)衰減單元為ー個或者多個，多個低互調(diào)衰減單元為相互串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，即相鄰的兩個低互調(diào)衰減単元串聯(lián)連接時，前一個低互調(diào)衰減単元的輸出端與后一個低互調(diào)衰減単元的輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求要求I所述的ー種大功率低互調(diào)負載，其特征在于所述的兩個大功率電阻設(shè)置于電橋腔體內(nèi)且分別與同一導帶的輸出端和輸入端連接，或分別與ー個導帶的輸入端和另ー個導帶的輸出端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求要求I所述的ー種大功率低互調(diào)負載，其特征在于所述的低互調(diào)衰減單元的輸入端和輸出端上均設(shè)置有射頻連接器。
5.根據(jù)權(quán)利要求要求2所述的ー種大功率低互調(diào)負載，其特征在于所述的電橋選用腔體3dB電橋或微帶3dB電橋。
6.根據(jù)權(quán)利要求要求2所述的ー種大功率低互調(diào)負載，其特征在于所述相鄰的多個低互調(diào)衰減単元串聯(lián)連接時，前一個低互調(diào)衰減単元的輸出端與后一個低互調(diào)衰減単元的輸入端通過低互調(diào)跳線連接或者通過射頻連接器對擰連接。
專利摘要本實用新型公開了一種大功率低互調(diào)負載，包括低互調(diào)衰減單元和與低互調(diào)衰減單元輸出端連接的小功率低互調(diào)繞線負載。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，采用低互調(diào)衰減單元對輸入功率進行衰減，此種方式可以將低互調(diào)線纜的長度大大的減少，由于低互調(diào)衰減單元的衰減功率較大，而且成本較低，替代低互調(diào)繞線的方式有效的減少了低互調(diào)負載的生產(chǎn)成本；且低互調(diào)衰減單元的互調(diào)能達到-125dBc~-130dBc，低互調(diào)跳線的互調(diào)值一般在-150dBc以下，整個負載的互調(diào)值能達到-125dBc~-130dBc之間，滿足了負載的低互調(diào)指標要求。同時低互調(diào)衰減單元的承受功率能達到400W，能滿足負載的大功率應(yīng)用的指標要求。
文檔編號H01P1/22GK202662763SQ201220317819
公開日2013年1月9日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者唐偉 申請人:合肥威科電子技術(shù)有限公司