專利名稱：一種散熱型led2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED的封裝結(jié)構(gòu)，具體涉及一種具有良好散熱性的LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
貼片LED光源在照明領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，考慮到生產(chǎn)工藝、成本、光學(xué)性能等技術(shù)要求，越來越多的設(shè)計(jì)采用貼片封裝方式的LED光源，LED雙晶結(jié)構(gòu)是近年來為了降低成本和提高光通量，而采取的一種封裝方式。貼片型LED雙晶光源同其他所有封裝方式的LED光源一樣，都需要解決光效、可靠性和成本三者的問題光效是光通量與其消耗特定電能功率的比值；可靠性往往由光源散 熱性能決定；而成本主要體現(xiàn)在原材料選擇方面，此三者發(fā)生相互制衡。在不同的需求下可能需要突出某方面的優(yōu)化效果。增加鍍銀層的厚度(傳統(tǒng)的鍍銀層厚度為80-100mil)，可以有效的提高LED芯片的取光效率。比如，在成本和可靠性保持的情況下，實(shí)現(xiàn)高光通量，這樣的議題在大量LED光源生產(chǎn)中顯得尤其重要。作為商品，實(shí)現(xiàn)其成本下的性能控制，是一種必然的訴求。所以，如何在維持較好的成本和可靠性的同時(shí)，采用LED雙晶光源實(shí)現(xiàn)高光通量，是這類貼片LED封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)必然需求。目前市場上貼片LED雙晶的封裝方式均為對稱型結(jié)構(gòu)，取光效率不高，散熱能力弱。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，通過對現(xiàn)有的雙晶封裝結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，有效的增加芯片的直通電流以提高光通量，同時(shí)，采用水平和垂直雙重散熱方式，提高貼片LED雙晶的可靠性和散熱能力，進(jìn)而達(dá)到解決背景技術(shù)提到的技術(shù)問題的目的。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，包括第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、承載第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的支架、以及包覆所述發(fā)光芯片和部分支架的封裝體。所述支架上設(shè)有金屬熱沉、鍍銀層以及PPA隔層，所述金屬熱沉和鍍銀層的結(jié)構(gòu)相配合，且金屬熱沉置于鍍銀層之下，所述PPA隔層將該金屬熱沉以及鍍銀層隔成四部分第一熱沉、第二熱沉、第三熱沉和第四熱沉，以及第一鍍銀層、第二鍍銀層、第三鍍銀層和第四鍍銀層，在PPA隔層配合下，所述第一鍍銀層形成放置第一發(fā)光芯片的第一杯碗，第二鍍銀層形成放置第二發(fā)光芯片的第二杯碗，第一鍍銀層和第三鍍銀層通過導(dǎo)線分別連接第一發(fā)光芯片的正電極和負(fù)電極，第二鍍銀層和第四鍍銀層通過導(dǎo)線分別連接第二發(fā)光芯片的正電極和負(fù)電極；所述第一杯碗固定放置第一發(fā)光芯片，所述第二杯碗固定放置第二發(fā)光芯片。進(jìn)一步的，所述鍍銀層的厚度范圍為120-150 mil。進(jìn)一步的，所述鍍銀層采用化學(xué)電鍍法將其制成鏡面光亮狀，使發(fā)光芯片光線充分反射，提高了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的光效。進(jìn)一步的，所述PPA隔層使用PPA-TA112材料制成。其中，PPA-TA112材料制成的PPA隔層將充分隔離兩發(fā)光芯片之間的光線互相吸收，從而提高了整個(gè)封裝的出光效率。進(jìn)一步的，所述支架的內(nèi)部采用PPA-TA112材料制成。該P(yáng)PA-TA112材料制成的塑料隔層的高度范圍為O. 08-0. 10mm。進(jìn)一步的，所述第一熱沉和第二熱沉的面積大于第三熱沉或第四熱沉的面積的2倍。進(jìn)一步的,所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的內(nèi)側(cè)相距的范圍為O. 35-0. 50mm。進(jìn)一步的，所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片分別距離第一熱沉和第二熱沉的邊緣 O. 05-0. 10mnin所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的傳熱方式采用水平和垂直散熱方式。本實(shí)用新型通過采用上述結(jié)構(gòu)，具有以下優(yōu)點(diǎn)I.鏡面鍍銀層將源自LED芯片(第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片)的光線充分反射，且將傳統(tǒng)的鍍銀層厚度(80-100mil)增大至120-150 mil，提高了整個(gè)封裝的取光效；2.放置LED芯片的金屬熱沉部分的面積的增大將LED芯片的熱量由垂直和水平導(dǎo)出，利于整個(gè)LED芯片的散熱，提升了可靠性，從而實(shí)現(xiàn)了高光通量、高可靠性的LED封裝的技術(shù)優(yōu)化；3.第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的距離和位置的控制可以有效的提高取光效率；4. PPA隔層將充分隔離兩發(fā)光芯片，防止兩發(fā)光芯片之間的光線互相吸收，從而提高了整個(gè)封裝的出光效率，且使用PPA-TA112材料，比傳統(tǒng)的PPA-T114材料更耐溫；5.本實(shí)用新型通過增加熱沉的面積，有效的提高了 LED芯片的直通電流，可以將LED的直通電流提高到lOOma，實(shí)現(xiàn)低成本、高光通量。

圖I是本實(shí)用新型的實(shí)施例的金屬熱沉層的俯視圖(不含芯片)；圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例的俯視圖(含芯片)；圖3是本實(shí)用新型的實(shí)施例的剖視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，如圖I-圖3所示，本實(shí)用新型的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，包括第一發(fā)光芯片I、第二發(fā)光芯片2、承載第一發(fā)光芯片I和第二發(fā)光芯片2的支架3、以及包覆上述發(fā)光芯片和部分支架的封裝體。所述支架3上設(shè)有金屬熱沉5、鍍銀層6以及PPA隔層7，所述金屬熱沉5和鍍銀層6的結(jié)構(gòu)相配合，且金屬熱沉5置于鍍銀層6之下，所述PPA隔層7將該金屬熱沉5以及鍍銀層6隔成四部分第一熱沉51、第二熱沉52、第三熱沉53和第四熱沉54，以及第一鍍銀層61、第二鍍銀層62、第三鍍銀層63和第四鍍銀層64，在PPA隔層7配合下，所述第一鍍銀層61形成放置第一發(fā)光芯片I的第一杯碗，第二鍍銀層62形成放置第二發(fā)光芯片2的第二杯碗，第一鍍銀層61和第三鍍銀層63通過導(dǎo)線12分別連接第一發(fā)光芯片I的正電極和負(fù)電極，第二鍍銀層62和第四鍍銀層64通過導(dǎo)線12分別連接第二發(fā)光芯片2的正電極和負(fù)電極。圖3是從第一發(fā)光芯片I處剖開的剖視圖，第一杯碗固定放置第一發(fā)光芯片，第一發(fā)光芯片I下設(shè)有第一鍍銀層61,第一發(fā)光芯片I的正電極和負(fù)電極分別與第一鍍銀層61和第三鍍銀層63連接。第一鍍銀層61和第三鍍銀層63之下分別設(shè)有第一熱沉51和第三熱沉53。對于第二發(fā)光芯片2處剖開的結(jié)構(gòu)跟圖3所示的結(jié)構(gòu)相同，這里不再贅述。其中，鍍銀層6的厚度范圍為120-150 mil，其采用鏡面亮銀，使發(fā)光芯片光線充分反射，提高了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的光效。PPA隔層7使用PPA-TA112材料制成，主要用于固定并隔離第一發(fā)光芯片I和第二發(fā)光芯片2。該P(yáng)PA隔層7為十字型，則將置于芯片之下的金屬熱沉5和鍍銀層6也分別分 割成四部分。PPA-TA112材料制成的PPA隔層7將充分隔離兩發(fā)光芯片之間的光線互相吸收，從而提高了整個(gè)封裝的出光效率，且PPA-TA112材料比傳統(tǒng)的PPA-TA114更耐溫。支架3的內(nèi)部采用PPA-TA112材料制成，其高度范圍為O. 08-0. 10mm。第一發(fā)光芯片I和第二發(fā)光芯片2的內(nèi)側(cè)相距的范圍為O. 35-0. 50mm。第一發(fā)光芯片I和第二發(fā)光芯片2分別距離第一熱沉51和第二熱沉52的邊緣
O.05-0. IOmm0第一發(fā)光芯片I和第二發(fā)光芯片2的傳熱方式采用水平和垂直散熱方式。通過采用上述封裝結(jié)構(gòu)，可以將LED的單顆直通電流提高到lOOma，所以實(shí)現(xiàn)低成本，高光通量，高穩(wěn)定性的LED封裝工藝。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、承載第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的支架、以及包覆所述發(fā)光芯片和部分支架的封裝體； 所述支架上設(shè)有金屬熱沉、鍍銀層以及PPA隔層，所述金屬熱沉和鍍銀層的結(jié)構(gòu)相配合，且金屬熱沉置于鍍銀層之下，所述PPA隔層將該金屬熱沉以及鍍銀層隔成四部分第一熱沉、第二熱沉、第三熱沉和第四熱沉，以及第一鍍銀層、第二鍍銀層、第三鍍銀層和第四鍍銀層； 所述第一鍍銀層形成放置第一發(fā)光芯片的第一杯碗，第二鍍銀層形成放置第二發(fā)光芯片的第二杯碗，第一鍍銀層和第三鍍銀層通過導(dǎo)線分別連接第一發(fā)光芯片的正電極和負(fù)電極，第二鍍銀層和第四鍍銀層通過導(dǎo)線分別連接第二發(fā)光芯片的正電極和負(fù)電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鍍銀層的厚度范圍為120-150 mil。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鍍銀層是鏡面光亮狀的鍍銀層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述PPA隔層使用PPA-TAl 12材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述支架的內(nèi)部采用PPA-TAl 12高耐溫塑料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述第一熱沉和第二熱沉的面積大于第三熱沉或第四熱沉的面積的2倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的內(nèi)側(cè)相距的范圍為O. 35-0. 50mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片分別距離第一熱沉和第二熱沉的邊緣O. 05-0. 10mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及LED的封裝結(jié)構(gòu)。一種散熱型LED2835雙晶封裝結(jié)構(gòu)，包括第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、承載第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的支架、以及包覆發(fā)光芯片和部分支架的封裝體。支架設(shè)有金屬熱沉、鍍銀層以及PPA隔層，金屬熱沉和鍍銀層的結(jié)構(gòu)相配合，且金屬熱沉置于鍍銀層之下，PPA隔層將該金屬熱沉以及鍍銀層隔成四部分第一熱沉、第二熱沉、第三熱沉和第四熱沉，以及第一鍍銀層、第二鍍銀層、第三鍍銀層和第四鍍銀層。第一鍍銀層形成放置第一發(fā)光芯片的第一杯碗，第二鍍銀層形成放置第二發(fā)光芯片的第二杯碗，第一鍍銀層和第三鍍銀層通過導(dǎo)線分別連接第一發(fā)光芯片的正電極和負(fù)電極，第二鍍銀層和第四鍍銀層通過導(dǎo)線分別連接第二發(fā)光芯片的正電極和負(fù)電極。
文檔編號(hào)H01L33/64GK202721192SQ20122030993
公開日2013年2月6日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者鄭劍飛 申請人:廈門多彩光電子科技有限公司