專利名稱：12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種水下用抗電磁干擾型綜合電纜，特別涉及一種包括數(shù)據(jù)傳輸、信號控制集一體的用于水下聲納系統(tǒng)的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜。
背景技術(shù)：
普通的水下用綜合電纜的芳綸加強(qiáng)層多采用成束形式束絞于電纜中，在裝配過程中帶來諸多不便。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供了一種多芯多種截面結(jié)構(gòu)復(fù)雜的，具有抗拉力、高耐壓、抗電磁干擾等特點(diǎn)的，用于水下接收聲納的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜。本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，所采用的技術(shù)方案是一種12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于包括在I. Omm2導(dǎo)體(1-1)外擠包一層絕緣層A I構(gòu)成的絕緣線、在O. 35mm2導(dǎo)體B I外擠包一層絕緣層A II和二根填芯對絞并繞包隔離層C I后編織屏蔽層D I構(gòu)成的O. 35mm2屏蔽雙絞線I、在二根O. 35mm2導(dǎo)體B II外分別擠包一層絕緣層AIII對絞后編織屏蔽層D II構(gòu)成的O. 35_2屏蔽雙絞線II、還包括隔離層C II、總屏蔽層、加強(qiáng)層、隔離層CIII、護(hù)套，所述O. 35mm2屏蔽雙絞線I外依次設(shè)有六根O. 35mm2屏蔽雙絞線I和二根O. 35mm2屏蔽雙絞線II、繞包隔離層C II、編織總屏蔽層、編織加強(qiáng)層、繞包隔離層CIII、擠出護(hù)套。本實(shí)用新型的有益效果是采用鍍錫銅線導(dǎo)體，具有優(yōu)異的抗氧化及焊接能力。采用輻照交聯(lián)聚乙烯絕緣，具有優(yōu)異的電氣性能，耐高溫性能。由電氣絕緣用聚酯薄膜構(gòu)成的隔離層保證了電纜圓整同時(shí)進(jìn)一步提高絕緣能力。各屏蔽層均采用鍍錫銅線，屏蔽具有良好的防氧化性及焊接性，更有效防止電纜內(nèi)部各線組間及外界對電纜的干擾。芳綸加強(qiáng)層采用編織形式，編織于總屏蔽外，不僅保證了該水下用綜合電纜的拉斷力，還具有伸長率小、楊氏模量高、不熔化、不助燃和耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，符合了水下電纜對拉力的要求，而且方便了該電纜在設(shè)備上裝配的操作。隔離層采用無紡布保證了電纜圓整，采用聚氨酯護(hù)套，具有耐磨及抗壓的能力。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型絕緣線的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型O. 35mm2屏蔽雙絞線I的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型O. 35mm2屏蔽雙絞線II的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0010]如圖1、2、3、4所示，一種12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，包括在I. Omm2導(dǎo)體1-1外擠包一層絕緣層A I 1-2構(gòu)成的絕緣線I、在O. 35mm2導(dǎo)體B I 2_1外擠包一層絕緣層A II 2-2和二根填芯2-3對絞并繞包隔離層C I 2-4后編織屏蔽層D I 2-5構(gòu)成的O. 35mm2屏蔽雙絞線I 2、在二根O. 35mm2導(dǎo)體B II 3-1外分別擠包一層絕緣層AIII 3-2對絞后編織屏蔽層D II 3-3構(gòu)成的O. 35mm2屏蔽雙絞線II 3、還包括隔離層C II 4、總屏蔽層5、加強(qiáng)層
6、隔離層C III 7、護(hù)套8，O. 35mm2屏蔽雙絞線I 2外依次設(shè)有六根O. 35mm2屏蔽雙絞線I 2和~■根O. 35mm屏蔽雙纟父線II 3、繞包隔尚層C II 4、編織總屏蔽層5、編織加強(qiáng)層6、繞包隔離層C III 7、擠出護(hù)套8。六根O. 35mm2屏蔽雙絞線I 2和二根O. 35mm2屏蔽雙絞線II 3的排列順序?yàn)?，三?br> O.35mm2屏蔽雙絞線I 2順序排列為一組，二組對稱設(shè)置，在二組之間各設(shè)置二根O. 35mm2屏蔽雙絞線II 3。 絕緣層A I 1-2采用乙丙橡膠絕緣。絕緣層A II 2-2、絕緣層AIII 3-2均采用輻照交聯(lián)聚乙烯絕緣。隔離層、C I 2-4、隔離層C II 4均采用聚酯薄膜。屏蔽層D I 2-5、屏蔽層D II 3-3、總屏蔽層5均采用鍍錫銅線。加強(qiáng)層6采用芳綸絲。隔離層C III 7采用無紡布。護(hù)套8采用聚氨酯。
權(quán)利要求1.一種12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于包括在I. Omm2導(dǎo)體(1_1)夕卜擠包一層絕緣層A I (1-2)構(gòu)成的絕緣線(I)、在O. 35mm2導(dǎo)體B I (2_1)外擠包一層絕緣層A II (2-2)和二根填芯(2-3)對絞并繞包隔離層C I (2-4)后編織屏蔽層D I (2-5)構(gòu)成的O. 35mm2屏蔽雙絞線I (2)、在二根O. 35mm2導(dǎo)體B II (3_1)外分別擠包一層絕緣層A III(3-2)對絞后編織屏蔽層D II (3-3)構(gòu)成的O. 35mm2屏蔽雙絞線II (3)、還包括隔離層C II(4)、總屏蔽層(5)、加強(qiáng)層(6)、隔離層CIIK7)、護(hù)套(8)，所述O. 35mm2屏蔽雙絞線I (2)外依次設(shè)有六根O. 35mm2屏蔽雙絞線I (2)和二根O. 35mm2屏蔽雙絞線II (3)、繞包隔離層C II(4)、編織總屏蔽層(5)、編織加強(qiáng)層(6)、繞包隔離層C 111(7)、擠出護(hù)套(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的六根O. 35mm2屏蔽雙絞線I (2)和二根O. 35mm2屏蔽雙絞線II (3)的排列順序?yàn)?，三根O. 35mm2屏蔽雙絞線I (2)順序排列為一組，二組對稱設(shè)置，在二組之間各設(shè)置二根O. 35mm2屏蔽雙絞線II (3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的絕緣層A I (1-2)采用乙丙橡膠絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的絕緣層A II (2-2)、絕緣層A 111(3-2)均采用輻照交聯(lián)聚乙烯絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的隔離層、C I (2-4)、隔離層C II (4)均采用聚酯薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的屏蔽層D I (2-5)、屏蔽層D II (3-3)、總屏蔽層(5)均采用鍍錫銅線。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的加強(qiáng)層(6)采用芳綸絲。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的隔離層C 111(7)采用無紡布。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的12芯水下用抗電磁干擾型綜合電纜，其特征在于所述的護(hù)套(8)采用聚氨酯。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種水下用抗電磁干擾型綜合電纜，包括在1.0mm2導(dǎo)體(1-1)外擠包一層絕緣層AⅠ構(gòu)成的絕緣線、在0.35mm2導(dǎo)體BⅠ外擠包一層絕緣層AⅡ和二根填芯對絞并繞包隔離層CⅠ后編織屏蔽層DⅠ構(gòu)成的0.35mm2屏蔽雙絞線Ⅰ、在二根0.35mm2導(dǎo)體BⅡ外分別擠包一層絕緣層AⅢ對絞后編織屏蔽層DⅡ構(gòu)成的0.35mm2屏蔽雙絞線Ⅱ、還包括隔離層CⅡ、總屏蔽層、加強(qiáng)層、隔離層CⅢ、護(hù)套，0.35mm2屏蔽雙絞線Ⅰ外依次設(shè)有六根0.35mm2屏蔽雙絞線Ⅰ和二根0.35mm2屏蔽雙絞線Ⅱ、繞包隔離層CⅡ、編織總屏蔽層、編織加強(qiáng)層、繞包隔離層CⅢ、擠出護(hù)套。特點(diǎn)是芳綸加強(qiáng)層采用編織形式，方便了該電纜在設(shè)備上裝配的操作。
文檔編號H01B7/14GK202662338SQ20122027952
公開日2013年1月9日 申請日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月14日
發(fā)明者耿鵬, 秦殊剛, 高玉敏, 韓長超, 侯潭斌, 戴顯堯, 李兆楠, 潘甬津 申請人:天津六〇九電纜有限公司