專利名稱：有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
各示例性實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、形成有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法、有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法。更具體地，示例性實(shí)施方式涉及包括疏水性圖案的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、形成包括疏水性圖案的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法、包括疏水性圖案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造包括疏水性圖案的有機(jī)發(fā)光裝置的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置利用其有機(jī)層內(nèi)由陰極提供的電子和陽(yáng)極提供的空穴相結(jié)合而產(chǎn)生的光可顯示期望的信息如圖像、字母和/或字符。OLED裝置可具有諸多優(yōu)點(diǎn)如寬視角、快的響應(yīng)時(shí)間、異常薄和整體緊湊性、以及低功耗，所以O(shè)LED裝置可廣泛使用在多種電氣裝置和電子裝置。目前，OLED裝置已經(jīng)迅速發(fā)展為最有前途類顯示裝置中的一種。為了形成OLED裝置的有機(jī)發(fā)光層，已經(jīng)使用了采用噴墨、旋涂器或噴嘴的印刷工藝，層沉積后的圖案化工藝和利用熱或激光的轉(zhuǎn)印工藝。然而當(dāng)通過(guò)上述工藝方法制造有機(jī)發(fā)光層時(shí)，其不能均勻地形成在OLED裝置的像素區(qū)內(nèi)且不能具有顯示視覺(jué)高對(duì)比度圖像的能力。此外，隨著OLED裝置尺寸的增加，用于曝光工藝的掩模不容易獲得，且需要大量用于形成有機(jī)發(fā)光層的材料，從`而不必要地抬高制造的成本。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明原理制造的示例性實(shí)施方式可提供一種改善的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)和形成該結(jié)構(gòu)的方法。示例性實(shí)施方式提供一種包括疏水性圖案以保證改善的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)。示例性實(shí)施方式提供一種形成包括疏水性圖案以保證改善的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法。示例性實(shí)施方式提供一種包括疏水性圖案以具有改善的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光顯
示裝置。示例性實(shí)施方式提供一種制造包括疏水性圖案以具有改善的發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)例性實(shí)施方式,提供一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)。所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可包括具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的空穴傳輸層(HTL)、設(shè)于所述第一區(qū)域內(nèi)的所述空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、設(shè)于所述第二區(qū)域內(nèi)的所述空穴傳輸層上的疏水性圖案和設(shè)于所述疏水性圖案和所述發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)。在示例性實(shí)施方式中，所述第一區(qū)域可基本對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域，且所述第二區(qū)可基本對(duì)應(yīng)于非像素區(qū)域。在示例性實(shí)施方式中，所述發(fā)光層可基本由所述疏水性圖案界定。在示例性實(shí)施方式中，空穴注入層(HIL)可進(jìn)一步設(shè)在所述空穴傳輸層下。在示例性實(shí)施方式中，電子注入層(EIL)可進(jìn)一步設(shè)在所述電子傳輸層上。在示例性實(shí)施方式中，所述疏水性圖案可包括至少一種氟類材料，如含有至少一個(gè)與至少一個(gè)氟原子結(jié)合或雜化的碳原子的聚合物、低聚物、樹型聚合物和單體，或者可包括含有至少一個(gè)與硅原子結(jié)合的有機(jī)官能團(tuán)的至少一種有機(jī)硅烷類材料。在示例性實(shí)施方式中，所述氟類材料可具有由通式-(CF2-CF2) n-表示的重復(fù)單元。在示例性實(shí)施方式中，所述有機(jī)硅烷類材料可由以下化學(xué)通式表示。
權(quán)利要求1.一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu),其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)包括: 具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的空穴傳輸層； 設(shè)于所述第一區(qū)域內(nèi)的所述空穴傳輸層上的發(fā)光層； 設(shè)于所述第二區(qū)域內(nèi)的所述空穴傳輸層上的疏水性圖案；和 設(shè)于所述疏水性圖案和所述發(fā)光層上的電子傳輸層。
2.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于像素區(qū)域，且所述第二區(qū)域?qū)?yīng)于非像素區(qū)域。
3.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述發(fā)光層由所述疏水性圖案界定。
4.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)于所述空穴傳輸層下的空穴注入層。
5.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)于所述電子傳輸層上的電子注入層。
6.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述疏水性圖案具有1000A至3 ii m的厚度。
7.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述空穴傳輸層包括: 位于所述第一區(qū)域內(nèi)的第一圖案；和` 位于所述第二區(qū)域內(nèi)的第二圖案。
8.按權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述第二圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。
9.按權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述電子傳輸層包括第三圖案和第四圖案，所述第三圖案和所述第四圖案分別與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域重疊。
10.按權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述第四圖案具有比所述第三圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。
11.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 具有像素區(qū)域和非像素區(qū)域的第一基板； 設(shè)于所述第一基板上的第一電極； 設(shè)于所述第一基板上的像素界定層，所述像素界定層部分暴露所述像素區(qū)域內(nèi)的所述第一電極； 設(shè)于所述像素界定層和所述暴露的第一電極上的空穴傳輸層； 設(shè)于所述非像素區(qū)域內(nèi)的所述空穴傳輸層上的疏水性圖案； 設(shè)于所述像素區(qū)域內(nèi)的所述空穴傳輸層上的發(fā)光層； 設(shè)于所述疏水性圖案和所述發(fā)光層上的電子傳輸層；和 設(shè)于所述電子傳輸層上的第二電極。
12.按權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)于所述第一基板上的開(kāi)關(guān)裝置，所述開(kāi)關(guān)裝置電連接到所述第一電極上。
13.按權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)于所述像素界定層和所述暴露的第一電極上并在所述空穴傳輸層下的空穴注入層。
14.按權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)于所述電子傳輸層和所述第二電極之間的電子注入層。
15.按權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述像素界定層具有1000A至4000 A的厚度。
16.按權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述空穴傳輸層包括第一圖案和第二圖案，所述第二圖案具有比所述第一圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。
17.按權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一圖案設(shè)于所述暴露的第一電極上和所述像素界定層的側(cè)壁上，且所述第二圖案設(shè)于所述像素界定層的表面上。
18.按權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一圖案設(shè)于所述暴露的第一電極和所述像素界定層的一部分側(cè)壁上，且所述第二圖案設(shè)于所述像素界定層的表面和所述像素界定層的未被所述第一圖案覆蓋的一部分側(cè)壁上。
19.按權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一圖案設(shè)于所述暴露的第一電極上，且所述第二圖案設(shè)于所述像素界定層的表面和側(cè)壁上。
20.按權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一圖案設(shè)于所述暴露的一部分第一電極上，且所述第二圖案設(shè)于所述像素界定層和未被所述第一圖案覆蓋的一部分所述暴露的第一電極上。
21.按權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述電子傳輸層包括第三圖案和第四圖案，所述第四圖案具有比所述第三圖案的電導(dǎo)率低的電導(dǎo)率。
22.按權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第三圖案設(shè)于所述發(fā)光層上，且所述第四圖案設(shè)于所述疏水性圖案上。
23.按權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第三圖案設(shè)于一部分所述發(fā)光層上，且所述第四圖案設(shè)于所 述疏水性圖案和未被所述第三圖案覆蓋的一部分所述發(fā)光層上。
專利摘要有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的空穴傳輸層(HTL)、設(shè)于第一區(qū)域內(nèi)的空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、設(shè)于第二區(qū)域內(nèi)的空穴傳輸層上的疏水性圖案和設(shè)于疏水性圖案和發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)。本實(shí)用新型還提供了一種有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L51/52GK202930434SQ20122027468
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月16日
發(fā)明者辛慧媛, 李承默, 樸商勛, 金在福, 金英一, 河在國(guó) 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司