專利名稱：太陽能電池的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及光伏太陽能電池技術領域，具體涉及ー種太陽能電池。
背景技術：
隨著現(xiàn)代エ業(yè)的發(fā)展，一方面加大對能源的需求，另ー方面在常規(guī)能源的使用中釋放出大量的ニ氧化碳氣體，導致全球性的“溫室效應”，為此各國力圖擺脫常規(guī)能源的依賴，加速發(fā)展可再生能源，太陽能具有“取之不盡，用之不竭”的特點，而利用太陽能發(fā)電具有環(huán)保等優(yōu)點，且不必考慮其安全性問題。 所以在發(fā)達國家得到了高度重視，比如歐盟國家計劃在2010年太陽能光電轉換的電カ所占總電カ的1.5%，美國啟動了“百萬屋頂”計劃，在能源短缺，環(huán)境保護問題日益嚴重的我國，低成本高效率地利用太陽能尤為重要。作為太陽能轉換媒介的太陽能電池，特別是基于非晶硅(a-Si)的薄膜太陽能電池，以其大面積、低成本、易于鋪設等優(yōu)勢受到世人的青睞。非晶硅薄膜太陽能電池的用硅量少，更容易降低成本，在硅原材料持續(xù)緊張的情況下，薄膜太陽能電池已成為太陽能電池發(fā)展的新趨勢和新熱點。

實用新型內容鑒于上述問題，本實用新型的目的在于提供一種成本低，硅用量少，結構簡單的非晶硅薄膜太陽能電池。為了達到上述目的，本實用新型采用了以下技術方案ー種太陽能電池，包含有一玻璃襯底；—透明導電膜，以磁控派射法于所述玻璃襯底的一表面；依次以等離子體反應沉淀法于所述透明導電膜的P型a-Si層、i型a-Si層以及η型a-Si層；ー背電極層，以蒸鍍法于所述η型a-Si層表面。上述透明導電膜為氧化銦錫薄膜。上述背電極層為金屬鋁。為了減少光的反射和透射損失，本實用新型還可采用多帶隙疊層結構設計，即玻璃襯底/透明導電膜/多層重疊的pin型a-Si層/ZnO/Ag/Al結構，TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失，并增加了光在i層的傳播路程，從而增加了光在i層的吸收，多帶隙結構中，i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小，以便分段吸收太陽光，達到拓寬光譜響應、提高轉換效率之目的。本實用新型采用了玻璃襯底/透明導電膜/ pin型a-Si層/ Al結構，其結構簡單，成本低，硅用量少，可廣泛應用于太陽能光伏產業(yè)。

圖I本實用新型結構示意圖。[0014]圖2實施例2的結構示意圖。I、玻璃襯底；2、透明導電膜;3、p型a-Si層；4、i型a-Si層;5、n型a-Si層；6、背電極層；7、氧化鋅；8、銀。
具體實施方式
下面我們將結合附圖對本實用新型作進ー步的說明。實施例I 如圖I所不，I、一種太陽能電池,包含有玻璃襯底1，透明導電膜2,P型a-Si層3,i型a-Si層4，η型a-Si層5以及背電極層6，透明導電膜2是以磁控濺射法將氧化銦錫薄膜覆于玻璃襯底的一表面形成透明導電膜2 ;然后再依次以等離子體反應沉淀法將P型a-Si層3，i型a-Si層4以及η型a_Si層5覆于氧化銦錫薄膜上，最后再以蒸鍍法將金屬鋁涂覆于η型a-Si層5表面形成背電極層6，光從玻璃襯底1，電池電流從透明導電膜2和背電極層6引出，前述P型a-Si層3指硼摻雜的寬帶隙非晶硅層，i型a-Si層4指非摻雜的本征非晶硅層，η型a-Si層5指磷摻雜的非晶硅層。實施例2為了減少光的反射和透射損失，本實用新型還可采用多帶隙疊層結構設計，如圖2所示，即玻璃襯底I/透明導電膜2/多層重疊的pin型a-Si層/氧化鋅7/銀8/鋁結構，TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失，并增加了光在i層的傳播路程，從而増加了光在i層的吸收，多帶隙結構中，i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小，以便分段吸收太陽光，達到拓寬光譜響應、提高轉換效率之目的。
權利要求1.ー種太陽能電池，其特征在于包含有 一玻璃襯底(I); 一透明導電膜(2)，以磁控濺射法于所述玻璃襯底的一表面； 依次以等離子體反應沉淀法于所述透明導電膜的P型a-Si層(3)、i型a-Si層(4)以及η型a-Si層(5); 一背電極層(6)，以蒸鍍法于所述η型a-Si層(7)表面。
2.根據權利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述透明導電膜(2)為氧化銦錫薄膜。
3.根據權利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述背電極層(6)為金屬鋁。
專利摘要一種太陽能電池，包含有一玻璃襯底；一透明導電膜，以磁控濺射法于所述玻璃襯底的一表面；依次以等離子體反應沉淀法于所述透明導電膜的p型a-Si層、i型a-Si層以及n型a-Si層；一背電極層，以蒸鍍法于所述n型a-Si層表面。本實用新型采用了玻璃襯底/透明導電膜/pin型a-Si層/Al結構，其結構簡單，成本低，硅用量少，可廣泛應用于太陽能光伏產業(yè)。
文檔編號H01L31/076GK202443992SQ20122004543
公開日2012年9月19日 申請日期2012年2月13日 優(yōu)先權日2012年2月13日
發(fā)明者尚小賓, 楊芳, 王明云, 羅明樹, 羅正, 趙振元 申請人:信息產業(yè)電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司