專(zhuān)利名稱(chēng)：3d導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本創(chuàng)作有關(guān)一種基本電氣元件，特別是有關(guān)一種半導(dǎo)體或其他固體裝置的零部件引腳。
背景技術(shù)：
過(guò)去以來(lái)，半導(dǎo)體封裝技術(shù)為了在絕緣基材上搭載半導(dǎo)體晶片，對(duì)將此半導(dǎo)體晶片形成于基板表面上的引腳與導(dǎo)電接點(diǎn)進(jìn)行打線(xiàn)接合的技術(shù)受到廣泛采用，但隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品已進(jìn)入多功能、高性能及輕巧化的研發(fā)方向，封裝技術(shù)為了滿(mǎn)足半導(dǎo)體晶片高積集度以及微型化的封裝要求，過(guò)去的線(xiàn)路布局方式其實(shí)并不敷使用。公知技藝的實(shí)施方式，可參閱圖IA及圖1B，以說(shuō)明公知封裝裝置側(cè)視圖及公知封裝裝置側(cè)視結(jié)構(gòu)圖，如圖IA所示，公知打線(xiàn)接合的封裝裝置10通常具有設(shè)有晶片座12，晶片座12上設(shè)有一晶片14，利用一粘膠16將晶片14裝設(shè)在晶片座12上，晶片14上設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)18，多個(gè)引腳20包圍晶片14，多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)22分別對(duì)應(yīng)電性連接導(dǎo)電接點(diǎn)18及連接引腳20，再以封裝材料24包覆晶片座12、晶片14、粘膠16、導(dǎo)電接點(diǎn)18、引腳20及導(dǎo)線(xiàn)22 ;如圖IB所示，可直接看出由于封裝裝置10布線(xiàn)的導(dǎo)線(xiàn)22為一平面的單純布線(xiàn)技術(shù)，于施作過(guò)程當(dāng)中難以控制顯露于封裝裝置10外部的金屬面積，這將會(huì)受限于封裝裝置10底部面積，因此導(dǎo)致可布的電路空間變得十分有限，且金屬材質(zhì)的引腳20與可塑性材料的封裝材料24結(jié)合度不佳，容易造成引腳20脫落，且引腳20又須經(jīng)過(guò)彎折才能與電路板產(chǎn)生接觸，增加制程上的復(fù)雜度，引腳20的厚度太薄，因此散熱面積過(guò)小，也無(wú)法達(dá)到散熱的效果O隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的日益進(jìn)步，集成電路的密度也隨之增加，故如何使封裝后的晶片結(jié)構(gòu)具有電性穩(wěn)定、執(zhí)行速度快、散熱良好及小封裝體積，即為本實(shí)用新型的欲研究改善的方向所在。有鑒于此，本創(chuàng)作針對(duì)上述的問(wèn)題，提出一種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，以解決上述公知技藝所產(chǎn)生的可布的電路空間有限、導(dǎo)線(xiàn)材質(zhì)與可塑性材料的結(jié)合度不佳以及公知制程實(shí)施方式繁雜的缺失。
發(fā)明內(nèi)容本創(chuàng)作的主要目的，在于提供一種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，利用較厚的金屬料片作為立體引腳的實(shí)施材料，使立體引腳部分厚度薄化以形成一外引腳及內(nèi)引腳，可方便直接控制預(yù)定的導(dǎo)線(xiàn)及表面粘著技術(shù)接點(diǎn)面積尺寸。本創(chuàng)作的又一目的，在于提供一種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，將立體引腳封裝在封裝材料內(nèi)部，可直接解決過(guò)去公知技藝金屬材質(zhì)的引腳與可塑性材料的封裝材料結(jié)合度不佳容易造成脫落的問(wèn)題產(chǎn)生，由于立體引腳封裝在封裝材料內(nèi)部，利用顯露在外的外引腳即可與電路板接合，因此立體引腳不須再經(jīng)過(guò)彎折，可簡(jiǎn)化公知制程上的實(shí)施方式，因此本創(chuàng)作具有制程優(yōu)化上的優(yōu)勢(shì)。[0008]本創(chuàng)作的再一目的，在于提供ー種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，由于立體引腳的形狀相較于公知技藝的平面布線(xiàn)技術(shù)厚度増加，因此散熱面積過(guò)也隨之增加，以達(dá)到高度散熱的效果，因此可解決公知封裝裝置散熱不佳的問(wèn)題。根據(jù)本創(chuàng)作所提供的ー種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，至少包括一晶片座，晶片座對(duì)應(yīng)設(shè)置一晶片，且晶片上具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，以包圍晶片，每ー立體引腳上表面的一端薄化以形成一內(nèi)引腳，每ー立體引腳下表面的另一端薄化以形成一外引腳，多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)分別對(duì)應(yīng)電性連接內(nèi)引腳及導(dǎo)電接點(diǎn)，最后再以封裝材料，以包覆晶片座、晶片及立體引腳并外露外引腳。 ー種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，包括一晶片座，該晶片座對(duì)應(yīng)設(shè)置一晶片，且該晶片上具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；多個(gè)立體引腳，包圍該晶片，每ー該立體引腳上表面的一端薄化以形成一內(nèi)引腳，每ー該立體引腳下表面的另一端薄化以形成一外引腳；多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)，每ー該導(dǎo)線(xiàn)分別對(duì)應(yīng)電性連接該內(nèi)引腳及該導(dǎo)電接點(diǎn)；以及一封裝材料，以包覆該晶片座、該晶片及該立體引腳并外露該外引腳。該外引腳為平面式金屬導(dǎo)線(xiàn)或外接式引腳。每ー該外引腳利用一外部引線(xiàn)以分別對(duì)應(yīng)電性連接一外部電性接點(diǎn)。該封裝材料為絕緣性樹(shù)脂。該外引腳由表面粗化、半蝕刻或沖壓方式加工使增加該外引腳與該封裝材料之間的接合強(qiáng)度。該導(dǎo)線(xiàn)材質(zhì)為銅合金材或鐵鎳合金。該立體引腳以沖壓、蝕刻、庖除或裁切的方式以形成該內(nèi)引腳及該外引腳。該立體引腳材質(zhì)為銅合金材或鐵鎳合金。更包括至少ー金屬鍍層，以覆蓋該基板的下表面。該金屬鍍層材質(zhì)為鍍銀或鍍金。該晶片利用一底膠安裝該晶片于該基板上。本創(chuàng)作所提出立體引腳的技術(shù)手段可直接控制預(yù)定的導(dǎo)線(xiàn)及表面粘著技術(shù)接點(diǎn)面積尺寸，立體引腳不須再經(jīng)過(guò)彎折，以簡(jiǎn)化公知制程上的實(shí)施方式，隨著立體引腳的形狀可使厚度増加，更可解決散熱不佳的問(wèn)題。底下由具體實(shí)施例配合所附的圖式詳加說(shuō)明，當(dāng)更容易了解本創(chuàng)作的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。

圖IA為公知封裝裝置側(cè)視圖。圖IB為公知封裝裝置側(cè)視結(jié)構(gòu)圖。圖2為3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)圖。圖3為本創(chuàng)作的上視圖。圖4為沿圖3的A-A’線(xiàn)段的剖視圖。圖5A為立體引腳原始料片側(cè)面圖。圖5B為形成外引腳側(cè)面圖。圖5C為形成內(nèi)引腳側(cè)面圖。圖6為沿圖2的A-A’線(xiàn)段的剖視圖。[0032]附圖標(biāo)記說(shuō)明10-公知打線(xiàn)接合的封裝裝置；12_晶片座；14_晶片；16_粘膠；18_導(dǎo)電接點(diǎn)；20-引腳；22_導(dǎo)線(xiàn)；24_封裝材料；26-3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)；28_晶片座；30_晶片；32_導(dǎo)電接點(diǎn)；34-立體引腳；28_晶片座；36-封裝材料；38-外引腳；40_內(nèi)部引線(xiàn)；42_外部電性接點(diǎn)；44-底膠；46_上表面；48_下表面；50_內(nèi)引腳；52_導(dǎo)線(xiàn)；54_下表面；56_金屬鍍層。
具體實(shí)施方式
本創(chuàng)作為ー種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，在于利用封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，將立體引腳的兩端部份薄化，使立體引腳具有立體結(jié)構(gòu)型態(tài)，一端作為晶片電路傳接，另一端則作為表面裝置技術(shù)接合使用。本創(chuàng)作的實(shí)施方式，首先參閱圖2、圖3及圖4，以說(shuō)明本創(chuàng)作的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)圖、上視圖及沿圖3的A-A’線(xiàn)段的剖視圖，如圖2所示，本創(chuàng)作提供ー種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)26，至少包括一晶片座28，其上可設(shè)有至少一晶片30，每一晶片30上具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)32，多 個(gè)立體引腳34包圍晶片座28，接著如圖3及圖4所示，本創(chuàng)作的實(shí)施方式可由立體引腳34埋設(shè)于封裝材料36內(nèi)，立體引腳34所具有的外引腳38則會(huì)露出在外，以達(dá)到表面粘著技術(shù)的接合，如圖3所示，本創(chuàng)作的外引腳38也可分別對(duì)應(yīng)電性連接一內(nèi)部引線(xiàn)40，再以?xún)?nèi)部引線(xiàn)40以分別對(duì)應(yīng)電性連接一外部電性接點(diǎn)42，如圖4所示，本創(chuàng)作可直接利用ー底膠44以安裝晶片30于晶片座28之上。參閱圖5A、圖5B及圖5C，以說(shuō)明本創(chuàng)作的立體引腳原始料片側(cè)面圖、形成外引腳側(cè)面圖及形成內(nèi)引腳側(cè)面圖，并參閱圖2，如圖所示，本創(chuàng)作利用較厚的金屬料片作為立體引腳34的實(shí)施材料，立體引腳34于上表面46的一端可以用沖壓、蝕刻、庖除或裁切的方式使立體引腳34部分厚度薄化以形成一外引腳38，同樣地于每ー立體引腳34于下表面48可以用沖壓、蝕刻、庖除或裁切的方式使立體引腳34部分厚度薄化以形成內(nèi)引腳50，因此本創(chuàng)作可方便控制顯露在外的外引腳38面積，以達(dá)到預(yù)定的導(dǎo)線(xiàn)及表面粘著技術(shù)(Surface-mount technology, SMT)接點(diǎn)面積尺寸,最后,如圖2所示,利用多個(gè)銅合金材或鐵鎳合金材質(zhì)的導(dǎo)線(xiàn)52以分別對(duì)應(yīng)電性連接導(dǎo)電接點(diǎn)32及內(nèi)引腳50。參閱圖6，以說(shuō)明沿圖2的A-A’線(xiàn)段的剖視圖，本創(chuàng)作的立體引腳剖視圖，并同時(shí)參考圖2，如圖所示，每ー立體引腳34的外引腳38可以是平面式金屬導(dǎo)線(xiàn)或外接式引腳，姆ー立體引腳34于封裝材料36的下表面54對(duì)外露出外引腳38,其中外引腳38可再由表面粗化、半蝕刻或沖壓方式的加工程序使外引腳38増加與封裝材料36之間的接合強(qiáng)度，最后，外引腳38可再利用至少ー層鍍銀或鍍金材質(zhì)的金屬鍍層56，以防止產(chǎn)生氧化，再以絕緣性樹(shù)脂的封裝材料36包覆晶片座28、晶片30及立體引腳34并對(duì)外露出外引腳38，由于封裝材料36可以包覆外引腳38以外的所有部份，因此立體引腳34與封裝材料36的結(jié)合カ效果佳，可避免立體引腳34的脫落。以上對(duì)本實(shí)用新型的描述是說(shuō)明性的，而非限制性的，本專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員理解，在權(quán)利要求限定的精神與范圍內(nèi)可對(duì)其進(jìn)行許多修改、變化或等效，但是它們都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一晶片座，該晶片座對(duì)應(yīng)設(shè)置一晶片，且該晶片上具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)； 多個(gè)立體引腳，包圍該晶片，每一該立體引腳上表面的一端薄化以形成一內(nèi)引腳，每一該立體引腳下表面的另一端薄化以形成一外引腳； 多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)，每一該導(dǎo)線(xiàn)分別對(duì)應(yīng)電性連接該內(nèi)引腳及該導(dǎo)電接點(diǎn)；以及 一封裝材料，以包覆該晶片座、該晶片及該立體引腳并外露該外引腳。
2.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該立體引腳外露該外引腳，該外引腳為平面式金屬導(dǎo)線(xiàn)或外接式引腳。
3.如權(quán)利要求2所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一該外引腳利用一外部引線(xiàn)以分別對(duì)應(yīng)電性連接一外部電性接點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝材料為絕緣性樹(shù)脂。
5.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該外引腳由表面粗化、半蝕刻或沖壓方式加工使增加該外引腳與該封裝材料之間的接合強(qiáng)度。
6.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)線(xiàn)材質(zhì)為銅合金材或鐵鎳合金。
7.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該立體引腳以沖壓、蝕刻、庖除或裁切的方式以形成該內(nèi)引腳及該外引腳。
8.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該立體引腳材質(zhì)為銅合金材或鐵鎳合金。
9.如權(quán)利要求I所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括至少一金屬鍍層，以覆蓋該基板的下表面。
10.如權(quán)利要求9所述的3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬鍍層材質(zhì)為鍍銀或鍍金。
專(zhuān)利摘要本創(chuàng)作提供一種3D導(dǎo)線(xiàn)架結(jié)構(gòu)，至少包括一晶片座及多個(gè)立體引腳，晶片座對(duì)應(yīng)設(shè)置一晶片，且晶片上具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，多個(gè)立體引腳以包圍晶片，每一立體引腳上表面的一端薄化以形成內(nèi)引腳，每一立體引腳下表面的另一端薄化以形成外引腳，多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)分別對(duì)應(yīng)電性連接內(nèi)引腳及導(dǎo)電接點(diǎn)，本創(chuàng)作所提出立體引腳的技術(shù)手段可直接控制預(yù)定的導(dǎo)線(xiàn)及表面粘著技術(shù)接點(diǎn)面積尺寸，立體引腳不須再經(jīng)過(guò)彎折，以簡(jiǎn)化公知制程上的實(shí)施方式，隨著立體引腳的形狀可使厚度增加，更可解決散熱不佳的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202487564SQ201220009510
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月10日
發(fā)明者葉燦鍊, 吳萬(wàn)華, 龐思全, 洪明鴻 申請(qǐng)人:矽格股份有限公司