專利名稱：半導(dǎo)體三極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體分立器件的制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是半導(dǎo)體三極管。
背景技術(shù)：
目前半導(dǎo)體三極管芯片生產(chǎn)技術(shù)在制作完成擴(kuò)散和鈍化工藝之后通過正面蒸發(fā)鋁和背面蒸發(fā)多層金屬來制作金屬電極，需要兩次蒸發(fā)以及一次正面刻蝕鋁エ藝步驟，芯片在裝配時發(fā)射極(晶閘管為陰極)和基極(晶閘管為門極)通過鋁線和框架引腳相連。目前生產(chǎn)技術(shù)在芯片階段金屬化工藝成本較高，同時生產(chǎn)周期長；封裝階段裝配鋁線導(dǎo)熱性能不佳，芯片工作時熱量不能快速散發(fā)出去。本領(lǐng)域一直以來有如下認(rèn)識對于電鍍件防護(hù)性能來說，基體材料外表的粗糙度有著密切的關(guān)系，材料表面越粗糙，所獲鍍層的質(zhì)量越差，孔隙越多，在大氣中越容易銹蝕，反之質(zhì)量越好。這是因?yàn)殡娊膺^程中氫在粗糙表面上的過電位小于光潔表面上的過電位，所以粗糙表面氫容易析出，金屬離子就不容易放電沉積。為此，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中應(yīng)適當(dāng)降低表面粗糙度的要求，這是提高鍍件表面防護(hù)性能的有效措施之一。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供ー種エ藝簡單，成本較低，散熱較好的半導(dǎo)體三極管。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是包括芯片、跳線和三根引線，所述芯片底面鍍設(shè)有鎳金集電極；所述芯片的頂面設(shè)有發(fā)射極窗口和基極窗ロ，在所述發(fā)射極窗口上鍍設(shè)有鎳金發(fā)射扱，在所述基極窗口上鍍設(shè)有鎳金基極；所述鎳金集電極、鎳金發(fā)射極和鎳金基極分別通過跳線與各自的引線相連。所述發(fā)射極窗口和基極窗ロ的底面分別為粗糙度一致的吹砂粗糙面。所述連接集電極的引線包括底座和引線體，所述底座面積大于所述芯片的底面積。本實(shí)用新型在芯片頂面預(yù)設(shè)了兩個鍍鎳金的區(qū)域(B卩發(fā)射極窗口和基極窗ロ)，然后一次性在芯片的兩面鍍設(shè)鎳金集電極、鎳金發(fā)射極和鎳金基板。相對于現(xiàn)有技術(shù)在芯片生產(chǎn)階段省去了原有的兩道蒸發(fā)エ藝以及一道鋁反刻エ藝，節(jié)約了成本，縮短了生產(chǎn)周期。在封裝階段通過銅連接片可以快速將芯片工作時產(chǎn)生的熱量快速散發(fā)出去，改善了器件的高溫特性。此外，將發(fā)射極窗口和基極窗ロ加工為粗糙面，克服了本領(lǐng)域一直以來的技術(shù)偏見，因?yàn)榉庋b后，基體材料相關(guān)區(qū)域處于密封狀態(tài)下，不會發(fā)生負(fù)面影響。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖I的俯視圖，圖3是本實(shí)用新型的裝配示意圖；圖中I是發(fā)射極，2為基板，3為芯片，31為吹砂粗糙面一，32為吹砂粗糙面ニ，4為集電極，5為底座，6為跳線一，71為引線一，72是引線ニ，73為引線三，8為跳線三。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1-3所示，包括芯片3、跳線和三根弓I線，所述芯片I底面鍍設(shè)有鎳金集電極4 ;所述芯片I的頂面設(shè)有發(fā)射極窗口和基極窗ロ，在所述發(fā)射極窗口上鍍設(shè)有鎳金發(fā)射極1，在所述基極窗口上鍍設(shè)有鎳金基極2 ;所述鎳金集電極4、鎳金發(fā)射極I和鎳金基極2分別通過跳線與各自的引線相連。所述發(fā)射極窗口和基極窗ロ的底面分別為粗糙度一致的吹砂粗糙面。如圖I中所示吹砂粗糙面ー 31、吹砂粗糙面ニ 32。適當(dāng)?shù)貕埣哟植诙饶茉鰪?qiáng)鍍層的結(jié)合力。所述連接集電極4的引線包括底座5和引線體(即引線ニ)，所述底座5面積大于所述芯片4的底面積。制成品如圖3所示，發(fā)射極I通過跳線一 6連接引線ー 71 ;基極2通過跳線三8連接引線三73 ;集電極4通過底座5同于底座5連為一體的引線ニ 72相連。加工本實(shí)用新型時按如下實(shí)施步驟I)采用光刻エ藝將已完成擴(kuò)散及鈍化工藝的三極管刻蝕出正面基極和發(fā)射極(晶閘管為門極和陰極)電極窗ロ，粗面化后鍍鎳金(或鍍鎳后錫膏預(yù)焊)以形成金屬電極。2)將電極窗ロ吹砂粗面化，以利于鍍鎳。3)鍍鎳金(或鍍鎳后錫膏預(yù)焊)形成金屬電極，如圖I縱向結(jié)構(gòu)和圖2橫向結(jié)構(gòu)(圖中僅為示意圖形，具體圖形視具體情況不同)；4)芯片測試并打點(diǎn)以區(qū)分良品與不良品；5)切割并分選出良品芯片；6)將芯片與框架裝配時，用銅連接片連接芯片發(fā)射極(晶閘管為陰極)與相應(yīng)的框架管腳，用銅線連接芯片基極(晶閘管為門極)與相應(yīng)的框架管腳，集電極(晶閘管為陽極)與框架底座相連，形成如圖3所示裝配結(jié)構(gòu)；7)模壓成型エ藝以下為通行的三極管封裝エ藝。
權(quán)利要求1.半導(dǎo)體三極管，包括芯片、跳線和三根引線，其特征在于，所述芯片底面鍍設(shè)有鎳金集電極；所述芯片的頂面設(shè)有發(fā)射極窗口和基極窗口，在所述發(fā)射極窗口上鍍設(shè)有鎳金發(fā)射極，在所述基極窗口上鍍設(shè)有鎳金基極；所述鎳金集電極、鎳金發(fā)射極和鎳金基極分別通過跳線與各自的引線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體三極管，其特征在于，所述發(fā)射極窗口和基極窗口的底面分別為粗糙度一致的吹砂粗糙面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體三極管，其特征在于，所述連接集電極的引線包括底座和引線體，所述底座面積大于所 述芯片的底面積。
專利摘要半導(dǎo)體三極管。涉及一種半導(dǎo)體分立器件的制造技術(shù)領(lǐng)域。提供一種工藝簡單，成本較低，散熱較好的半導(dǎo)體三極管。包括芯片、跳線和三根引線，所述芯片底面鍍設(shè)有鎳金集電極；所述芯片的頂面設(shè)有發(fā)射極窗口和基極窗口，在所述發(fā)射極窗口上鍍設(shè)有鎳金發(fā)射極，在所述基極窗口上鍍設(shè)有鎳金基極；所述鎳金集電極、鎳金發(fā)射極和鎳金基極分別通過跳線與各自的引線相連。本實(shí)用新型在芯片頂面預(yù)設(shè)了兩個鍍鎳金的區(qū)域，然后一次性在芯片的兩面鍍設(shè)鎳金集電極、鎳金發(fā)射極和鎳金基極。相對于現(xiàn)有技術(shù)在芯片生產(chǎn)階段省去了原有的兩道蒸發(fā)工藝以及一道鋁反刻工藝，節(jié)約了成本，縮短了生產(chǎn)周期。在封裝階段通過銅連接片改善了器件的高溫特性。
文檔編號H01L29/70GK202423294SQ20122000611
公開日2012年9月5日 申請日期2012年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月9日
發(fā)明者薛列龍 申請人:薛列龍