專利名稱：焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置。
背景技術(shù)：
紅外焦平面探測技術(shù)的光譜響應(yīng)波段寬，可獲得更多的地面目標(biāo)信息，而且能夠晝夜工作，廣泛應(yīng)用于預(yù)警探測、情報偵察、毀傷效果估計以及農(nóng)牧業(yè)、森林資源的調(diào)查、氣象預(yù)報、地?zé)岱植肌⒌卣?、火山活動得等領(lǐng)域。隨著探測器的逐步發(fā)展，需制備出陣列規(guī)模更大、成像效果更好的探測器芯片，而光刻工藝是制備探測器芯片的關(guān)鍵技術(shù)之一，但是現(xiàn)有的光刻方法都只是采用接觸式光刻方法，而接觸式光刻工藝在將光刻膠進(jìn)行剝離時，會破壞探測器銦柱的均勻性，隨著探測器芯片的不斷發(fā)展接觸式光刻工藝已不能滿足人們對探測器芯片的發(fā)展需求，所以如何提高探測器銦柱的光刻后的均勻性成為現(xiàn)在亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的分析，本發(fā)明旨在提供一種焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，用以進(jìn)一步提聞現(xiàn)有技術(shù)中探測器鋼柱的均勻性。本發(fā)明的目的主要是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，該方法包括:在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤；將烘烤完的所述探測器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；將離焦光刻后的探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤。優(yōu)選地，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。優(yōu)選地，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤的步驟具體包括:涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5 1小時；然后再進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(T110度，表面烘烤時間為f 3分鐘。優(yōu)選地，所述離焦光刻具體包括:將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻的離焦量為-0.0lf0.015毫米。優(yōu)選地，所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為f 3小時。本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，該裝置包括:涂膠機(jī)，用于在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；烘烤箱，用于將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤，并將離焦光刻后的探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤；光刻機(jī)，用于將所述烘烤箱烘烤完的所述探測器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。優(yōu)選地，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。優(yōu)選地，所述烘烤箱具體用于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時間為0.5^1小時；還包括熱板，所述熱板，用于將整體烘烤后的探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時間為1~3分鐘。優(yōu)選地，所述光刻機(jī)具體用于，將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.011~.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。優(yōu)選地，所述烘烤箱還用于，對所述光刻機(jī)離焦光刻后的所述探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時間為1~3小時。本發(fā)明有益效果如下:本發(fā)明提供的焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，對涂覆完光刻膠的探測器芯片進(jìn)行整體烘烤之后，再對探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的焦平面探測器銦柱的光刻方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的焦平面探測器銦柱的光刻裝置示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖來具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中，附圖構(gòu)成本申請一部分，并與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于闡釋本發(fā)明的原理。實(shí)施例1本發(fā)明實(shí)施例提供了一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，參見圖1，該方法包括:S101、在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；其中，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。S102、將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤；烘烤的步驟具體包括:涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時間為0.5~1小時；通過整體烘烤使光刻膠進(jìn)行定型。再進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時間為1~ 3分鐘。通過表面烘烤使光刻膠進(jìn)行表面固化。因?yàn)楣饪棠z的特性，溫度高時不容易顯影，溫度低時容易顯影，通過表面烘烤提高了光刻膠表面的溫度，即光刻膠的內(nèi)部溫度低，而表面溫度高，使靠近探測器芯片的光刻膠更容易顯影，最終在進(jìn)行離焦光刻時，得到顯影后的倒梯形厚膠圖形。S103、將烘烤完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后的倒梯形厚膠圖形；現(xiàn)有技術(shù)得到的是正梯形厚膠圖形，而本發(fā)明得到的是倒梯形的厚膠圖形，即本發(fā)明的梯形的窄邊與所述探測器芯片連接，這樣使銦與光刻膠側(cè)壁的接觸的面積小，使后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，所述離焦光刻具體包括:將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦量為-0.011 0.015毫米。S104、將離焦光刻后的探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤；所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為f 3小時。在離焦光刻完后再進(jìn)行低溫烘烤，通過低溫烘烤使離焦光刻得到的倒梯形厚膠圖形更穩(wěn)定。S105、進(jìn)行探測器銦柱生長；S106、使用丙酮溶液將所述探測器芯片上的光刻膠溶解掉。本發(fā)明實(shí)施例提供的焦平面探測器銦柱的光刻方法，對涂覆完光刻膠的探測器芯片進(jìn)行整體烘烤之后，再對探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。實(shí)施例2本發(fā)明實(shí)施例提供了一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，參見圖2，該裝置包括:涂膠機(jī)21，用于在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠。所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。烘烤箱22，用于將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5 1小時；對所述光刻機(jī)離焦光刻后的所述探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為f 3小時；熱板23，用于將所述烘烤箱進(jìn)行整體烘烤后的探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(TllO度，表面烘烤時間為f 3分鐘。光刻機(jī)24，用于將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.0lf0.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，對涂覆完光刻膠的探測器芯片進(jìn)行整體烘烤之后，再對探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，其特征在于，包括: 在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠； 將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤； 將烘烤完的所述 探測器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形； 將離焦光刻后的探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤的步驟具體包括: 涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5^1小時； 然后再進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(T110度，表面烘烤時間為f 3分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述離焦光刻具體包括:將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻的離焦量為-0.0lf0.015毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為廣3小時。
6.一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，其特征在于，包括: 涂覆器，用于在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠； 烘烤箱，用于將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤，并將離焦光刻后的探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤； 光刻機(jī)，用于將所述烘烤箱烘烤完的所述探測器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于， 所述烘烤箱具體用于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5^1小時； 還包括熱板，所述熱板，用于將整體烘烤后的探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(TllO度，表面烘烤時間為f 3分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任意一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于， 所述光刻機(jī)具體用于，將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進(jìn)行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.0lT0.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-8任意一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于， 所述烘烤箱還用于，對所述光刻機(jī)離焦光刻后的所述探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時間為1~ 3小時。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，該方法包括在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進(jìn)行烘烤；將烘烤完的所述探測器芯片進(jìn)行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；將離焦光刻后的探測器芯片進(jìn)行低溫烘烤。該裝置包括涂膠機(jī)、烘烤箱和光刻機(jī)。本發(fā)明通過對涂覆完光刻膠的探測器芯片進(jìn)行整體烘烤之后，再對探測器芯片進(jìn)行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。
文檔編號H01L31/18GK103078003SQ20121058962
公開日2013年5月1日 申請日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者張敏, 諸子玲, 孫浩, 錢亞男 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所