晶體管的形成方法
【專利摘要】一種晶體管的形成方法，包括：提供具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開(kāi)口；在所述開(kāi)口內(nèi)形成第一應(yīng)力層；對(duì)所述第一應(yīng)力層進(jìn)行離子注入；形成填充滿所述開(kāi)口的第二應(yīng)力層。本發(fā)明的晶體管形成方法形成的晶體管性能佳。
【專利說(shuō)明】晶體管的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及晶體管的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在超大規(guī)模集成電路中，通常采用應(yīng)變硅技術(shù)(Strained Silicon)使得NMOS晶體管上形成張應(yīng)力，在PMOS晶體管上形成壓應(yīng)力，從而增大NMOS晶體管和PMOS晶體管的載流子遷移率，增大了驅(qū)動(dòng)電流，提高了電路的響應(yīng)速度。嵌入式應(yīng)力晶體管是應(yīng)變硅技術(shù)應(yīng)用的熱點(diǎn)之一。
[0003]圖1-3為現(xiàn)有技術(shù)形成嵌入式應(yīng)力晶體管的過(guò)程示意圖。
[0004]請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底10，在所述半導(dǎo)體襯底10表面形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底10的柵介質(zhì)層11、位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層12 ；在半導(dǎo)體襯底表面、所述柵介質(zhì)層11和柵電極層12的兩側(cè)形成側(cè)墻13 ；
[0005]所述柵極結(jié)構(gòu)還可以包括位于所述柵電極層12表面的硬掩膜層(未示出)；
[0006]請(qǐng)參考圖2，以所述側(cè)墻13和柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕半導(dǎo)體襯底10形成開(kāi)口 14，所述開(kāi)口 14深度為d，所述開(kāi)口 14通常為“ Σ ”狀，所述刻蝕通常采用濕法刻蝕、干法刻蝕或者濕法干法結(jié)合的刻蝕工藝。所述“ Σ ”的開(kāi)口用于后續(xù)填充應(yīng)力材料，且“ Σ ”狀開(kāi)口能夠增強(qiáng)應(yīng)力材料的應(yīng)力效果。
[0007]請(qǐng)參考圖3，在所述開(kāi)口 14 (請(qǐng)參考圖2)內(nèi)外延應(yīng)力材料直至填充所述開(kāi)口 14，并對(duì)填充開(kāi)口 14的應(yīng)力材料進(jìn)行離子摻雜，形成源極區(qū)和漏極區(qū)；其中，當(dāng)形成的晶體管為NMOS時(shí)，所述應(yīng)力材料為SiC，當(dāng)形成的晶體管為PMOS時(shí)，所述應(yīng)力材料為SiGe。
[0008]其中更多有關(guān)嵌入式應(yīng)力晶體管的資料請(qǐng)參考
【發(fā)明者】徐依協(xié), 金蘭, 涂火金 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司