專利名稱：氧化物半導(dǎo)體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及ー類氧化物半導(dǎo)體及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為具有廣泛應(yīng)用前景的新型顯示——有機(jī)發(fā)光二極管(OLED，OrganicLight-Emitting Diode),近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)始有中小尺寸的產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，但大尺寸電視產(chǎn)品還沒(méi)有產(chǎn)業(yè)化，大尺寸OLED須采用有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板(AMOLED，ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode),它包括 2 個(gè)部分薄膜晶體管(TFT, Thin FilmTransistor)驅(qū)動(dòng)部分和OLED發(fā)光部分。因?yàn)镺LED是電流驅(qū)動(dòng)型的，這要求驅(qū)動(dòng)OLED的TFT的有源層有較高載流子遷移率，傳統(tǒng)的用于驅(qū)動(dòng)液晶顯示(IXD，Liquid CrystalDisplay)的非晶硅TFT的電子遷移率較低，較難滿足OLED的需求。目前AMOLED產(chǎn)品主要用低溫多晶娃(LTPS, Low Temperature Poly-silicon) TFT驅(qū)動(dòng),但是其在大面積晶化工 藝方面遇到困難，并且晶化工藝成本較高，無(wú)法突破AMOLED高成本的瓶頸，因此迫切需要研究新的具有替代硅材料潛力的有源材料?；谘趸\(ZnO)的氧化物半導(dǎo)體以其遷移率高、電學(xué)均勻性好、對(duì)可見(jiàn)光透明、制造溫度低和成本低等優(yōu)點(diǎn)被認(rèn)為是最適合驅(qū)動(dòng)OLED的有源材料之一。氧化物半導(dǎo)體主要包括氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化銦鎵鋅(IGZO)以及氧化鋁銦鋅(AIZO)等。目前這些氧化物半導(dǎo)體面臨的主要問(wèn)題是閾值電壓為負(fù)(常開(kāi)狀態(tài))、亞閾值擺幅較大以及電學(xué)穩(wěn)定性不足等。其中，閾值電壓為負(fù)數(shù)意味著需要加ー個(gè)負(fù)電壓才能將其關(guān)斷，會(huì)造成整個(gè)TFT面板的功耗増大；亞閾值擺幅較大意味著半導(dǎo)體內(nèi)的缺陷較多，會(huì)影響器件的可靠性和開(kāi)關(guān)特性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了ー類氧化物半導(dǎo)體，這類氧化物半導(dǎo)體包含微量摻雜物，這些微量摻雜物能抑制過(guò)剩的本征載流子，并能通過(guò)摻雜量的大小來(lái)調(diào)控TFT器件的閾值電壓，同時(shí)能降低器件的亞閾值擺幅。本發(fā)明提供的氧化物半導(dǎo)體，包括AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物；所述x,y和z表示AlxInyZnz氧化物中招(Al),銦(In)和鋅(Zn)的原子比；其中，0. 01 ^ X ^ 0. 2,0. 3 ^ y ^ 0. 7,0. 3 ^ z ^ 0. 7,并且 x+y+z=l ；所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合?？蛇x的，所述的稀土元素為鑭(La)、銫(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu) JjUSc)和釔(Y)中的ー種；所述的4B族元素為鈦(Ti)、鋯(Zr)和鉿(Hf)中的ー種；所述的5B族元素為釩(V)和鈮(Nb)中的ー種。
可選的，所述微量摻雜物的量在O. Olwt. %至5wt. %范圍內(nèi)。本發(fā)明提供的氧化物半導(dǎo)體的制造方法，包括將微量摻雜物，氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅四種原料分別制造成四個(gè)靶材，并安裝在四個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述四種原料的比例，以達(dá)到AlxInyZnz氧化物的目標(biāo)原子比，及AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例；或，將氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅三種原料按所述目標(biāo)原子比制造成氧化物靶材，將所述氧化物靶材與微量摻雜物靶材安裝在兩個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例；或，將氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅三種原料中的任意兩種按所述目標(biāo)原子制造成第一靶材，剰余的ー種原料制造成第二靶材；將第一靶材，第二靶材和微量摻雜物靶材安裝在三個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例。 或，將微量摻雜物，氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅四種原料按AlxInyZnz氧化物的目標(biāo)原子比及AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例制成靶材，通過(guò)濺射的方式制造成膜；所述X, y和z表示AlxInyZnz氧化物中Al, In和Zn的原子比；所述目標(biāo)原子比為
O.01 ^ X ^ O. 2,0. 3 ^ y ^ O. 7,0. 3 ^ z ^ O. 7,并且 x+y+z=l ；所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合?？蛇x的，所述的稀土元素為L(zhǎng)a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc和Y中的ー種；所述的4B族元素為Ti、Zr和Hf中的ー種；所述的5B族元素為V和Nb中的ー種。可選的，所述微量摻雜物的量在O. Olwt. %至5wt. %范圍內(nèi)。所制備的氧化物半導(dǎo)體的薄膜厚度為l(Tl00nm之間。優(yōu)選地，所制備的氧化物半導(dǎo)體的薄膜厚度為2(T50nm之間。從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的氧化物半導(dǎo)體材料通過(guò)引入新的具有低電負(fù)性的摻雜物(稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物)，可以抑制過(guò)剩的本征載流子，提高電學(xué)穩(wěn)定性。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例中氧化物半導(dǎo)體作為薄膜晶體管的溝道層的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了ー種可抑制過(guò)剩的本征載流子，且電學(xué)穩(wěn)定性高氧化物半導(dǎo)體。本發(fā)明實(shí)施例中的氧化物半導(dǎo)體包括AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物；所述X，y和z表示AlxInyZnz氧化物中鋁(Al)，銦(In)和鋅(Zn)的原子比；其中，
O.01 ^ X ^ O. 2,0. 3 ^ y ^ O. 7,0. 3 ^ z ^ O. 7,并且 x+y+z=l ；
所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合。在本發(fā)明實(shí)施例中，In所占的原子比影響氧化物半導(dǎo)體的載流子遷移率，In所占的原子比越高，氧化物半導(dǎo)體的載流子遷移率就越高；而Al和Zn所占的原子比則決定氧化物半導(dǎo)體的載流子濃度和結(jié)晶特征，在實(shí)際應(yīng)用中，Al、In和Zn的原子比在本發(fā)明實(shí)施例所掲示的比例范圍內(nèi)，可根據(jù)實(shí)際對(duì)氧化物半導(dǎo)體的載流子遷移率、載流子濃度和結(jié)晶特征的需求進(jìn)行合理調(diào)配，此處不作具體限定。本發(fā)明提供的氧化物半導(dǎo)體材料通過(guò)引入新的具有低電負(fù)性的摻雜物(稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物)，可以抑制過(guò)剩的本征載流子、調(diào)控TFT器件的閾值電壓、降低TFT器件的亞閾值擺幅。可選的，所述稀土元素為鑭La (I. I)、銫Ce (I. I)、鐠Pr (I. I)、釹Nd (I. I)、钷Pm (O. 9)、釤 Sm (I. 2)、銪 Eu (I. 2)、釓 Gd (O. 9)、鋱 Tb (I. 2)、鏑 Dy (I. 2)、欽 Ho (1.2 )、鉺 Er (I. 3)、銩 Tm (I. O)、鐿 Yb (I. 3)、镥 Lu (I. 3)、鈧 Sc (I. 3)或釔 Y (I. 2)中的ー種；可選的，所述4B族元素為鈦Ti (1.5)、鋯Zr (I. 4)和鉿Hf (1.3)中的一種；可選的，所述5B族元素為釩V (I. 6)和鈮Nb (I. 6)中的ー種。其中，上述化學(xué)元素后括號(hào)中的數(shù)字代表這種元素的電負(fù)性；電負(fù)性代表元素吸引價(jià)外電子的能力，電負(fù)性越低，吸引價(jià)外電子的能力越強(qiáng)。這些元素的電負(fù)性與氧的電負(fù)性(3. 5)差異很大，從而它們能與氧結(jié)合生成具有較強(qiáng)離子鍵的氧化物。因此，當(dāng)在氧化物半導(dǎo)體中摻入這些材料時(shí)，可提高氧化物半導(dǎo)體與氧的結(jié)合力，減少氧空位，從而能抑制過(guò)剩的載流子的產(chǎn)生，調(diào)控閾值電壓，并降低亞閾值擺幅。可選的，所述微量摻雜物的量在O. Olwt. %至5wt. %范圍內(nèi)，即O. 01% ^ [微量摻雜物的質(zhì)量+ (微量摻雜物的質(zhì)量+AlxInyZnz氧化物的質(zhì)量)]^ 5%。本發(fā)明實(shí)施例中氧化物半導(dǎo)體的制造方法可以為共濺射的方法，也可以為直接濺射的方法，具體包括共濺射的方法將微量摻雜物，氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅四種原料分別制造成四個(gè)靶材安裝在四個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述四種原料的比例，以達(dá)到AlxInyZnz氧化物的目標(biāo)原子比，及AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例；或，將氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅三種原料按所述目標(biāo)原子比制造成氧化物靶材，將所述氧化物靶材與微量摻雜物靶材安裝在兩個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例；或，將氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅三種原料中的任意兩種按所述目標(biāo)原子制造成第一靶材，剰余的ー種原料制造成第二靶材；將第一靶材，第二靶材和微量摻雜物靶材安裝在三個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例；所述X, y和z表示AlxInyZnz氧化物中Al, In和Zn的原子比；所述目標(biāo)原子比為
O.01 ^ X ^ O. 2,0. 3 ^ y ^ O. 7,0. 3 ^ z ^ O. 7,并且 x+y+z=l ；所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合。
所制備的氧化物半導(dǎo)體的薄膜厚度為l(Tl00nm之間。優(yōu)選地，所制備的氧化物半導(dǎo)體的薄膜厚度為2(T50nm之間。直接濺射的方法將微量摻雜物，氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅四種原料按AlxInyZnz氧化物的目標(biāo)原子比及AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例制成靶材，通過(guò)濺射的方式制造成膜；所述X, y和z表示AlxInyZnz氧化物中Al, In和Zn的原子比；所述目標(biāo)原子比為
O.01 ^ X ^ O. 2,0. 3 ^ y ^ O. 7,0. 3 ^ z ^ O. 7,并且 x+y+z=l ；所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物， 5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合?？蛇x的，所述稀土元素為L(zhǎng)a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu,Sc和Y中的任意ー種；所述B族元素為Ti ,Zr和Hf中的任意ー種；所述5B族元素為V，Nb和Ta中的任意ー種?？蛇x的，所述微量摻雜物的量在O. Olwt. %至5wt. %范圍內(nèi)，即O. 01% ^ [微量摻雜物的質(zhì)量+ (微量摻雜物的質(zhì)量+AlxInyZnz氧化物的質(zhì)量)]^ 5%。所制備的氧化物半導(dǎo)體的薄膜厚度為l(Tl00nm之間。優(yōu)選地，所制備的氧化物半導(dǎo)體的薄膜厚度為2(T50nm之間。為了便于理解，下面以具體應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)上述的實(shí)施例中描述的氧化物半導(dǎo)體及其制造方法再進(jìn)行詳細(xì)描述，具體為應(yīng)用實(shí)例I :所用的AlxInyZnz氧化物的χ=0· 02，y=0. 49，z= = O. 49 ;所用的微量摻雜物為稀土兀素Ce, Ce 的量分別為 O. Olwt. %、0· 05wt. %、0· lwt. %。氧化物半導(dǎo)體的制造方法將上述比例的原料制成ー個(gè)靶材，使用直接濺射的方法制造薄膜。所述直接濺射的方法為將事先按目標(biāo)比例混合各種原料，再統(tǒng)ー使用所述混合各種原料所制成的ー個(gè)靶材直接#i射，制造薄膜，厚度為30nm。本應(yīng)用實(shí)例利用上述制造的氧化物半導(dǎo)體薄膜作為溝道層，制造薄膜晶體管(其結(jié)構(gòu)示意圖如圖I所示)。圖I顯示了根據(jù)實(shí)施方式中所述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，包括基板10，柵極11，絕緣層12，溝道層13，源極14a和漏極14b ;其中，柵極11位于基板10之上，絕緣層12位于柵極11之上，溝道層13位于絕緣層12之上，源極14a和漏極14b分別位于溝道層13的兩端。源極14a和漏極14b的間隔左右兩端的距離即為溝道長(zhǎng)度，源、漏極的前后端的長(zhǎng)度即為溝道寬度。首先在玻璃基板上通過(guò)濺射的方法制造ー層厚度為300nm的Al薄膜，通過(guò)光刻的方法進(jìn)行圖形化，得到柵極11。絕緣層12用陽(yáng)極氧化的方法制造，厚度為200nm。陽(yáng)極氧化的具體過(guò)程是將制造好鋁柵極的基片放入電解質(zhì)溶液中作為陽(yáng)極，石墨或?qū)щ娊饘侔宸湃腚娊赓|(zhì)溶液中作為陰極，先在陽(yáng)極和陰極之間加恒定的電流，此電流最優(yōu)選的值為
O.ImA/cm2，陽(yáng)極和陰極之間的電壓將隨時(shí)間線性升高，當(dāng)電壓達(dá)到設(shè)定值(150V)時(shí)恒定這個(gè)電壓，直至陽(yáng)極和陰極之間的電流小于O.OlmA/cm2吋，將基片取出用氮?dú)獯蹈稍俳?jīng)過(guò)清洗，這時(shí)柵極11表面形成一層氧化膜，此氧化膜即為絕緣層12 ;所述電解質(zhì)溶液為酒石酸銨和こニ醇的混合液。溝道層13通過(guò)直接濺射的方法制造，濺射中氧氣和氬氣的流量分別為50SCCM和4SCCM (SCCM為一種體積流量單位，英文全稱為standard-state cubiccentimeter per minute),厚度為30nm。在溝道層13上面采用派射的方法制造ー層氧化銦錫金屬氧化物(ITO, Indium Tin Oxides)薄膜,厚度為500nm,采用剝離(lift-off )的方法圖形化，同時(shí)得到源極14a和漏極14b。應(yīng)用實(shí)例2:所用的AlxInyZnz氧化物的χ=(λ 01，y=0. 33，z=0. 66 ;所用的微量摻雜物為稀土元素Ce，Ce 的量分別為 O. Olwt. %、0· 05wt. %、0· lwt. %。將上述比例的原料制成一個(gè)靶材，使用直接濺射的方法制造薄膜，氧化物半導(dǎo)體的制造方法跟與應(yīng)用實(shí)例I 一致，厚度為30nm。本應(yīng)用實(shí)例利用上述制造的薄膜作為溝道層，制造了薄膜晶體管，制造方法與應(yīng)用實(shí)例I相同，此處不再贅述。
應(yīng)用實(shí)例3:所用的AlxInyZnz氧化物的χ=0· 01，y=0. 66，z=0. 33 ;所用的微量摻雜物為稀土元素Ce，Ce 的量分別為 O. Olwt. %、0· 05wt. %、0· lwt. %。將上述比例的原料制成一個(gè)靶材，使用直接濺射的方法制造薄膜，氧化物半導(dǎo)體的制造方法跟與應(yīng)用實(shí)例I 一致，厚度為30nm。本應(yīng)用實(shí)例利用上述制造的薄膜作為溝道層，制造了薄膜晶體管，制造方法與應(yīng)用實(shí)例I相同，此處不再贅述。應(yīng)用實(shí)例4:所用的AlxInyZnz氧化物的χ=0· 1，y=0. 45，z=0. 45 ;所用的微量摻雜物為稀土元素Ce，Ce 的量分別為 O. Olwt. %、O. 05wt. %、O. lwt. %。將上述比例的原料制成一個(gè)靶材，使用直接濺射的方法制造薄膜，氧化物半導(dǎo)體的制造方法跟與應(yīng)用實(shí)例I 一致，厚度為30nm。本應(yīng)用實(shí)例利用上述制造的薄膜作為溝道層，制造了薄膜晶體管，制造方法與應(yīng)用實(shí)例I相同，此處不再贅述。應(yīng)用實(shí)例I至4中的閾值電壓、亞閾值擺幅與Ce的摻雜量的關(guān)系如表一所不,從表一中可以看出氧化物半導(dǎo)體TFT的閾值電壓隨著Ce的摻雜量的增加而増大，同時(shí)亞閾值擺幅減小。說(shuō)明微量摻雜物Ce能起到調(diào)控閾值電壓、降低亞閾值擺幅的作用。表一
、Ce閾值電壓亞閾值擺
應(yīng)用實(shí)例X V Z
(wt.%)(V) 幅(V/dec )--------
_應(yīng)用實(shí)例 I 0.01 __0.02 0.49 0.49 -4.2__0.62 _
應(yīng)用實(shí)例 I I 0.05 10.02 1_0.49] 0.49 1_ -2.3 I: 0.2權(quán)利要求
1.ー種氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，包括 AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物； 所述X，y和z表示AlxInyZnz氧化物中招(Al),銦(In)和鋅(Zn)的原子比；其中，O. Ol 彡 X 彡 O. 2，O. 3 彡 y 彡 O. 7，O. 3 彡 z 彡 O. 7，并且 x+y+z=l ； 所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素,4B族元素氧化物,5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述的稀土元素為鑭(La)、銫(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、鈧(Sc)和釔(Y)中的ー種；所述的4B族元素為鈦(Ti)、鋯(Zr)和鉿(Hf)中的ー種；所述的5B族元素為釩(V)和鈮(Nb)中的ー種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述氧化物半導(dǎo)體，其特征在干，所述微量摻雜物的量在 O. Olwt. % 至 5wt. % 范圍內(nèi)。
4.ー種氧化物半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，包括 將微量摻雜物，氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅四種原料分別制造成四個(gè)靶材，并安裝在四個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述四種原料的比例，以達(dá)到AlxInyZnz氧化物的目標(biāo)原子比，及AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例； 或，將氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅三種原料按所述目標(biāo)原子比制造成氧化物靶材，將所述氧化物靶材與微量摻雜物靶材安裝在兩個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例； 或，將氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅三種原料中的任意兩種按所述目標(biāo)原子制造成第一靶材，剰余的ー種原料制造成第二靶材；將第一靶材，第二靶材和微量摻雜物靶材安裝在三個(gè)不同靶位上同時(shí)濺射，通過(guò)調(diào)節(jié)不同靶位的濺射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例； 或，將微量摻雜物，氧化鋁，氧化銦以及氧化鋅四種原料按AlxInyZnz_化物的目標(biāo)原子比及AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物的目標(biāo)比例制成靶材，通過(guò)濺射的方式制造成膜； 所述X，y和z表示AlxInyZnz氧化物中Al, In和Zn的原子比；所述目標(biāo)原子比為O. 01 ^ X ^ O. 2,0. 3 ^ y ^ O. 7,0. 3 ^ Z ^ O. 7,并且 x+y+z=l ； 所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素,4B族元素氧化物,5B族元素或5B族元素氧化物中的任意ー種或兩種以上的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述氧化物半導(dǎo)體，其特征在于，所述的稀土元素為L(zhǎng)a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc 和 Y 中的ー種；所述的 4B 族元素為 Ti、Zr 和Hf中的ー種；所述的5B族元素為V和Nb中的ー種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述氧化物半導(dǎo)體，其特征在干，所述微量摻雜物的量在O. Olwt. % 至 5wt. % 范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一類可抑制過(guò)剩的本征載流子，且電學(xué)穩(wěn)定性高氧化物半導(dǎo)體。本發(fā)明實(shí)施例的包括AlxInyZnz氧化物和微量摻雜物；所述微量摻雜物包括稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一種或兩種以上的組合。
文檔編號(hào)H01L21/203GK102832235SQ20121034286
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月14日
發(fā)明者蘭林鋒, 肖鵬, 彭俊彪 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué), 廣州新視界光電科技有限公司