晶體管的形成方法、半導(dǎo)體器件的形成方法
【專利摘要】一種晶體管的形成方法和半導(dǎo)體器件的形成方法。所述晶體管的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底中形成多個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面低于所述半導(dǎo)體襯底上表面且差值大于設(shè)定閾值，所述半導(dǎo)體襯底與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)相鄰的側(cè)壁為傾斜表面；在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋寬度方向的所述傾斜表面；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩模，沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子注入，且沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成輕摻雜區(qū)。本發(fā)明可以增大晶體管溝道區(qū)的有效寬度，提高器件性能。
【專利說明】晶體管的形成方法、半導(dǎo)體器件的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種晶體管的形成方法和半導(dǎo)體器件的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件朝著更高的元件密度以及更高的集成度的方向發(fā)展。晶體管作為最基本的半導(dǎo)體器件目前正被廣泛應(yīng)用，因此隨著半導(dǎo)體器件的元件密度和集成度的提高，晶體管的溝道區(qū)尺寸也越來越小。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)形成晶體管的方法包括:
[0004]提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底中包括多個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；
[0005]在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；
[0006]以柵極結(jié)構(gòu)為掩模，沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成輕摻雜區(qū)；
[0007]在柵極結(jié)構(gòu)側(cè)面的半導(dǎo)體襯底上形成側(cè)墻，以柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻為掩模，在半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s。
[0008]更多關(guān)于晶體管制作方法的技術(shù)可參考專利號為US6004852的美國專利文獻(xiàn)。
[0009]然而隨著工藝節(jié)點的進(jìn)一步縮小，尤其是對于40nm工藝節(jié)點及以下的晶體管而言，晶體管的溝道區(qū)寬度也越來越小。在晶體管溝道區(qū)長度不變的情況下，晶體管的寬度越小，該晶體管的驅(qū)動電流越小，從而晶體管的性能越差。
[0010]因此，如何提高晶體管的溝道區(qū)有效寬度以提高器件性能就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明解決的問題是提供一種晶體管的形成方法和半導(dǎo)體器件的形成方法，可以增大晶體管溝道區(qū)的有效寬度，提高器件性能。
[0012]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種晶體管的形成方法，包括:
[0013]提供半導(dǎo)體襯底；
[0014]在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面低于所述半導(dǎo)體襯底上表面且差值大于設(shè)定閾值，所述半導(dǎo)體襯底與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)相鄰的側(cè)壁為傾斜表面；
[0015]在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋寬度方向的所述傾斜表面；
[0016]以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩模，沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子注入，且沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成輕摻雜區(qū)。
[0017]可選地，所述設(shè)定閾值大于或等于10nm。[0018]可選地，所述設(shè)定角度大于或等于60°且小于或等于70°。
[0019]為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，所述半導(dǎo)體器件包括晶體管，采用上述的晶體管的形成方法形成晶體管。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:本發(fā)明利用在半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)時，半導(dǎo)體襯底與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)相鄰的側(cè)壁為傾斜表面，通過增加淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面與半導(dǎo)體襯底上表面的高度差，可以增加傾斜表面的面積，進(jìn)而當(dāng)在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)時，柵極結(jié)構(gòu)也位于半導(dǎo)體襯底寬度方向的兩個傾斜表面上，從而增加了溝道區(qū)的有效寬度，在溝道區(qū)長度不變的情況下，可以增加晶體管的驅(qū)動電流，提高晶體管的性能。為了保證輕摻雜區(qū)摻雜的均勻性，在沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子注入的同時，還沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的兩個傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入，從而可以進(jìn)一步提高晶體管的性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明實施例中半導(dǎo)體襯底的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是沿圖1中AA方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是本發(fā)明實施例中柵極結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是沿圖3中AA方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5是沿圖3中BB方向進(jìn)行第一次輕摻雜離子注入時的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6是沿圖3中AA方向進(jìn)行第二次輕摻雜離子注入時的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7是分別采用本發(fā)明實施例方法與現(xiàn)有技術(shù)得到的晶體管的柵電壓和漏電流之間的關(guān)系不意圖；
[0028]圖8是分別采用本發(fā)明實施例方法與現(xiàn)有技術(shù)得到的晶體管的飽和漏電流和關(guān)態(tài)電流之間的關(guān)系不意圖。
【具體實施方式】
[0029]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0030]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0031]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)隨著晶體管尺寸的日益減小，晶體管溝道區(qū)的寬長比也隨之減小，從而影響了器件的性能。
[0032]針對上述缺陷，發(fā)明人發(fā)現(xiàn):現(xiàn)有技術(shù)在半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)時，會在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂部側(cè)邊緣處會產(chǎn)生缺角(divot)，由于現(xiàn)有技術(shù)中淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面與半導(dǎo)體襯底上表面的高度差比較小，從而該缺角也比較小。但是當(dāng)增加淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上表面與半導(dǎo)體襯底上表面的高度差之后，該缺角也會變大，即半導(dǎo)體襯底與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)相鄰的側(cè)壁為比較大的傾斜表面，當(dāng)在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)時，柵極結(jié)構(gòu)也會覆蓋位于溝道區(qū)寬度方向的部分傾斜表面，即柵極結(jié)構(gòu)沿溝道區(qū)寬度方向的長度增加了，這部分被覆蓋的傾斜表面也會形成導(dǎo)電通路，從而就可以增加溝道區(qū)的有效寬度。由于整個傾斜表面比較大，僅沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子注入，未被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的那部分傾斜表面上注入的離子濃度就會比較低，因此還需要沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入，以得到均勻的輕摻雜，最終可以提高晶體管的性能。
[0033]下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0034]參考圖1所示，本實施例提供了一種晶體管的形成方法，包括以下步驟:
[0035]首先，結(jié)合參考圖1和圖2所示，提供半導(dǎo)體襯底，且在半導(dǎo)體襯底中形成多個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300之間的區(qū)域定義為器件區(qū)200。其中，圖1為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為沿圖1中AA方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明中寬度方向指的是晶體管溝道區(qū)的寬度方向，長度方向指的是晶體管溝道區(qū)的長度方向。
[0036]所述半導(dǎo)體襯底用于為后續(xù)工藝提供工作平臺，所述半導(dǎo)體襯底的材料可以為硅、硅鍺、碳化硅、絕緣體上硅或II1-V族化合物(氮化硅或砷化鎵等)。
[0037]所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300的上表面低于所述器件區(qū)200的上表面210 (即半導(dǎo)體襯底的上表面)且差值h大于設(shè)定閾值，所述設(shè)定閾值可以預(yù)先設(shè)定，且可以修改。所述設(shè)定閾值的取值不能太小，否則達(dá)不到增加溝道區(qū)有效寬度的目的；所述設(shè)定閾值的取值也不能太大，否則會影響淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300發(fā)揮隔離的作用。
[0038]具體地，所述設(shè)定閾值的取值范圍可以大于或等于IOnm,如:10nm、13nm或15nm
坐寸o
[0039]所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300的頂部側(cè)邊緣處會產(chǎn)生缺角，從而使得半導(dǎo)體襯底與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300相鄰的側(cè)壁為傾斜表面。
[0040]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例極大地降低了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300上表面的高度，以保證形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300之后，與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300相鄰的半導(dǎo)體襯底有比較大面積的側(cè)壁露出來。
[0041]在一個具體例子中，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300可以采用以下方法形成:
[0042]在半導(dǎo)體襯底上依次形成墊氧化層(如氧化硅)、硬掩模層(如氮化硅)、光刻膠層，對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影以形成圖形化光刻膠層，此時，光刻膠層上形成有開口 ；
[0043]依次刻蝕位于開口下方的硬掩模層、墊氧化層、半導(dǎo)體襯底以在半導(dǎo)體襯底內(nèi)對應(yīng)開口的位置形成淺溝槽；
[0044]去除圖形化光刻膠層，沉積絕緣層(如氧化硅)以使淺溝槽被絕緣層填充，過量沉積的絕緣層覆蓋在硬掩模層上；
[0045]利用化學(xué)機械拋光(CMP)工藝對絕緣層進(jìn)行平坦化處理，直至硬掩模層露出，在化學(xué)機械拋光的過程中，硬掩模層充當(dāng)拋光阻擋層。然后再去除硬掩模層以獲得淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；
[0046]利用濕法刻蝕去除半導(dǎo)體襯底上的墊氧化層，得到圖1和圖2所示的結(jié)構(gòu)。
[0047]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實施例中，還可以采用其他工藝形成包括缺角的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其不限制本發(fā)明的保護范圍。
[0048]接著，結(jié)合參考圖3和圖4所示，在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)400，所述柵極結(jié)構(gòu)400覆蓋寬度方向的所述傾斜表面。
[0049]本實施例中所述柵極結(jié)構(gòu)400從下至上可以依次包括柵介電層410和柵電極層420。具體地，所述柵介電層410的材質(zhì)可以為高介電常數(shù)(即高k)物質(zhì)，所述柵電極層420的材質(zhì)可以為金屬；或者，所述柵介電層410的材質(zhì)可以為氧化物或氮化物，所述柵電極層420的材質(zhì)可以為多晶硅。
[0050]所述柵極結(jié)構(gòu)400的具體形成工藝對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的，在此不再贅述。
[0051]需要說明的是，在本發(fā)明的其它實施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)可以僅包括柵電極層，其不限制本發(fā)明的保護范圍。
[0052]由于本實施例中淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300的上表面遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體襯底的上表面210，因此當(dāng)在半導(dǎo)體襯底的上表面210形成柵極結(jié)構(gòu)400時，柵極結(jié)構(gòu)400便會覆蓋與其相鄰的半導(dǎo)體襯底中被暴露出的側(cè)壁，即半導(dǎo)體襯底寬度方向的兩個傾斜表面。此時，雖然晶體管溝道區(qū)的實際寬度沒有變化，但由于柵極結(jié)構(gòu)400沿溝道區(qū)寬度方向的長度增加了，從而使得晶體管溝道區(qū)的有效寬度也增加了，最終在保證晶體管溝道區(qū)長度不變的情況下，可以提高晶體管溝道區(qū)的寬長比，即提高晶體管的性能。
[0053]接著，參考圖5所示，以所述柵極結(jié)構(gòu)400為掩模，沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在所述柵極結(jié)構(gòu)400兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入；參考圖6所示，以所述柵極結(jié)構(gòu)400為掩模，沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)400覆蓋的兩個傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入，形成輕摻雜區(qū)。
[0054]需要說明的是，本實施例中圖5和圖6對應(yīng)的步驟可以交換執(zhí)行的先后順序，其不限制本發(fā)明的保護范圍。
[0055]所述輕摻雜離子注入的具體離子類型、注入能量、注入劑量等均與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。同一方向的輕摻雜離子注入可以進(jìn)行一次，也可以進(jìn)行多次。
[0056]由于沿溝道區(qū)寬度方向有比較大面積的半導(dǎo)體襯底側(cè)壁暴露出來，當(dāng)僅沿與半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向向柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子時，該側(cè)壁對應(yīng)的注入離子濃度低于半導(dǎo)體襯底上表面的注入離子濃度，因此為了保證輕摻雜區(qū)摻雜離子的均勻性，本實施例還沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入。
[0057]所述設(shè)定角度可以預(yù)先設(shè)定，且可以修改。所述設(shè)定角度的取值不能太小，否則會使半導(dǎo)體襯底暴露出的側(cè)壁對應(yīng)的摻雜離子濃度較大；所述設(shè)定角度的取值也不能太大，否則會使半導(dǎo)體襯底暴露出的側(cè)壁對應(yīng)的摻雜離子濃度較小。
[0058]具體地，本實施例中所述設(shè)定角度大于或等于60°且小于或等于70°，如:60°、65。或 70。。
[0059]再次參考圖6所示，由于沿溝道區(qū)寬度方向有兩個不同方向的半導(dǎo)體襯底側(cè)壁暴露出來，因此所述沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入包括:先沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的一個方向M的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入，再沿與半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的另一個方向N的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入。
[0060]接著，形成所述輕摻雜區(qū)之后，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；以所述側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩模，在側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)。
[0061]本實施例中形成側(cè)墻和重?fù)诫s區(qū)的具體工藝與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。
[0062]至此形成溝道區(qū)寬長比比較大的小尺寸晶體管。
[0063]圖7示出了分別采用本實施例方法與現(xiàn)有技術(shù)得到的晶體管的柵電壓和漏電流之間的關(guān)系示意圖，其中，橫坐標(biāo)為柵電壓，單位為伏特(V);縱坐標(biāo)為漏電流，單位為安培(A)0通過比較圖7中兩條曲線可知:采用本實施例方法得到的晶體管的開啟性能優(yōu)于采用現(xiàn)有技術(shù)得到的晶體管的開啟性能。
[0064]圖8示出了分別采用本發(fā)明實施例方法與現(xiàn)有技術(shù)得到的晶體管的飽和漏電流和關(guān)態(tài)電流之間的關(guān)系不意圖，其中，橫坐標(biāo)為飽和漏電流，單位為暈安每微米(mA/ u m)；縱坐標(biāo)為關(guān)態(tài)電流，單位為安培(A)。通過比較圖8中兩條直線可知:采用本實施例方法得到的晶體管的關(guān)閉性能優(yōu)于采用現(xiàn)有技術(shù)得到的晶體管的關(guān)閉性能。
[0065]綜上所示，本實施例方法形成的晶體管在溝道區(qū)長度不變的情況下，可以大大增加溝道區(qū)的有效寬度，從而增加晶體管的性能。
[0066]相應(yīng)地，本實施方式還提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，所述半導(dǎo)體器件包括PMOS晶體管、NMOS晶體管或CMOS晶體管等晶體管，其中，可以采用上述實施例的方法形成所述晶體管，在此不再贅述。
[0067]雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面低于所述半導(dǎo)體襯底上表面且差值大于設(shè)定閾值，所述半導(dǎo)體襯底與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)相鄰的側(cè)壁為傾斜表面； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋寬度方向的所述傾斜表面； 以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩模，沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行輕摻雜離子注入，且沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入，形成輕摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述設(shè)定閾值大于或等于IOnm0
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述設(shè)定角度大于或等于60°且小于或等于70°。
4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，先沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入；再沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入。
5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，先沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入；再沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面垂直的方向在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入。
6.如權(quán)利要求1、4或5所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的傾斜表面中進(jìn)行輕摻雜離子注入包括:先沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的一個方向的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入，再沿與所述半導(dǎo)體襯底上表面的夾角為設(shè)定角度的方向在所述半導(dǎo)體襯底被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的另一個方向的傾斜表面中進(jìn)行一次或多次輕摻雜離子注入。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括:柵介電層和柵電極層。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介電層的材質(zhì)為高介電常數(shù)物質(zhì)，所述柵電極層的材質(zhì)為金屬。
9.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介電層的材質(zhì)為氧化物或氮化物，所述柵電極層的材質(zhì)為多晶硅。
10.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括:形成所述輕摻雜區(qū)之后，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；以所述側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩模，在側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，形成重?fù)诫s區(qū)。
11.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括晶體管，采用如權(quán)利要求I至10中任一項所述的晶體管的形成方法形成晶體管。
【文檔編號】H01L21/266GK103681332SQ201210333018
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月10日
【發(fā)明者】蒲月皎, 施雪捷, 俞少峰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司