專利名稱：圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是ー種將ー維或ニ維光學(xué)信息(optical information)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的裝置。圖像傳感器可以被進(jìn)一歩地分為兩種不同的類型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器和電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器。其中CMOS圖像傳感器具有比CCD圖像傳感器更廣泛的應(yīng)用。CMOS圖像傳感器包括用于感測輻射光的光電ニ極管以及用于將所感測的光處理為電信號(hào)數(shù)據(jù)的CMOS邏輯電路。芯片級(jí)封裝(Chip Scale Package, CSP)是ー種廣泛應(yīng)用的圖像傳感器的封裝技
術(shù)。隨著芯片的尺寸越來越小，功能越來越強(qiáng)，焊墊數(shù)目增多，間距變窄，相應(yīng)地，對(duì)芯片封裝也提出了較高的要求，晶圓級(jí)封裝逐漸應(yīng)用到圖像傳感器的封裝中。然而，現(xiàn)有技術(shù)采用晶圓級(jí)封裝圖像傳感器時(shí)，形成的圖像傳感單元的性能不夠穩(wěn)定。更多有關(guān)晶圓級(jí)封裝的資料請(qǐng)公開號(hào)為CN101740422A的中國專利文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，包括提供形成有多個(gè)圖像傳感器的晶圓，所述圖像傳感器ー側(cè)的表面具有引腳，所述圖像傳感器另ー側(cè)表面具有第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述圖像傳感器的表面和側(cè)壁；在每ー圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，所述通孔暴露出圖像傳感器引腳；在所述第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層，所述金屬線層與焊盤和圖像傳感器引腳電連接；去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；形成包裹所述金屬線層側(cè)壁的第二絕緣層；在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裏。可選地，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為濕法刻蝕エ藝?？蛇x地，所述濕法刻蝕エ藝采用的刻蝕溶液為由磷酸、硝酸和こ酸組合而成的三酸蝕刻液，所述三酸蝕刻液的比重為I. 5-1. 6，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度?？蛇x地，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為激光刻蝕エ藝。
可選地，所述激光刻蝕時(shí)的激光功率為2瓦-10瓦?？蛇x地，在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)?？蛇x地，所述第二絕緣層的材料為環(huán)氧樹脂?？蛇x地，所述第二絕緣層的厚度為10微米-20微米?？蛇x地，還包括刻蝕與所述焊盤相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層，直至暴露出焊盤；在所述焊盤表面形成焊點(diǎn)?？蛇x地，還包括提供基板，所述晶圓位于基板表面，且圖像傳感器的感光單元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圓之間的通孔基板，所述通孔基板暴露出圖像傳感器的感光單元。
可選地，所述通孔基板的材料為陶瓷、玻璃、BT樹脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)形成金屬線層后，首先去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，然后形成覆蓋剩余金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層，最后再切割晶圓，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元，切割后，所述圖像傳感單元中金屬線層仍然被第二絕緣層包裹。不會(huì)暴露出金屬線層側(cè)壁，金屬線層不易被氧化。封裝形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法的流程示意圖；圖3-圖10是本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)采用晶圓級(jí)封裝圖像傳感器時(shí)，形成的圖像傳感單元的性能不夠穩(wěn)定。經(jīng)過研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)采用晶圓級(jí)封裝圖像傳感器的過程，包括提供形成有多個(gè)圖像傳感器13的晶圓，所述圖像傳感器13—側(cè)的表面13a具有引腳
11;形成位于所述圖像傳感器13另一側(cè)表面13b和側(cè)壁13c的第一絕緣層15，所述第一絕緣層15覆蓋所述圖像傳感器13的表面13b和側(cè)壁13c ;在每一圖像傳感器13的引腳11對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層15內(nèi)形成通孔(未標(biāo)示)，所述通孔暴露出圖像傳感器13的引腳11 ；在所述第一絕緣層15表面形成焊盤17，并在第一絕緣層15表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層19，所述金屬線層19與焊盤17和圖像傳感器13的引腳11電連接；形成覆蓋所述金屬線層19的第二絕緣層21 ;刻蝕所述第二絕緣層21暴露出焊盤17，并在所述焊盤17表面形成焊點(diǎn)23 ;待形成焊點(diǎn)23后，切割所述晶圓、第一絕緣層15、第二絕緣層21和金屬線層19，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元(未標(biāo)示)。由于所述晶圓、第一絕緣層15、第二絕緣層21和金屬線層19在同一工藝步驟中切害I]，雖然可以節(jié)省工藝步驟，但是形成的獨(dú)立的圖像傳感單元側(cè)壁暴露出金屬線層19，所述金屬線層19的側(cè)壁暴露在空氣中容易被氧化，造成所述圖像傳感單元的性能不穩(wěn)定。
經(jīng)過進(jìn)一歩研究，發(fā)明人提供了一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，在形成金屬線層后，首先去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；然后形成包裹所述金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層；最后，在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元。采用此種晶圓級(jí)封裝的制作方法，形成圖像傳感單元側(cè)壁不會(huì)有金屬線層暴露，形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。請(qǐng)參考圖2，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，包括步驟S101，提供基板和位于基板表面的晶圓，所述晶圓表面形成有多個(gè)圖像傳感器，所述圖像傳感器靠近基板ー側(cè)的表面具有感光単元和與所述感光単元電連接的引腳； 步驟S103，形成位于所述圖像傳感器背離基板ー側(cè)表面的第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述圖像傳感器背離基板ー側(cè)的表面和側(cè)壁；步驟S105，在每ー圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，所述通孔暴露出圖像傳感器引腳；步驟S107，在所述第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層，所述金屬線層與焊盤和圖像傳感器引腳電連接；步驟S109，去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；步驟S111，形成包裹所述金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層；步驟S113，在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳感單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裏。具體的，請(qǐng)參考圖3-圖10，圖3-圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖3,提供基板200和位于基板200表面的晶圓(未標(biāo)不),所述晶圓表面形成有多個(gè)圖像傳感器203，所述圖像傳感器203靠近基板ー側(cè)的表面203a具有感光単元205和與所述感光單元205電連接的引腳207。所述基板200用于為圖像傳感器203的晶圓級(jí)封裝的制作提供工作平臺(tái)。所述基板200通常由透光材料制成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述基板200的材料為玻璃。所述晶圓的材料為單晶硅。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述晶圓表面形成有多個(gè)圖像傳感器203。所述圖像傳感器203靠近基板200 —側(cè)的表面203a具有感光単元205，用于后續(xù)接收光信號(hào)，并將接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。所述圖像傳感器203靠近基板200ー側(cè)的表面203a還具有引腳207，所述引腳207與感光單元205電連接，用于傳遞感光單元205產(chǎn)生的電信號(hào)。需要說明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，基板200與晶圓之間還具有通孔基板201，所述通孔基板201具有開ロ(未標(biāo)示)，用于暴露出圖像傳感器203的感光単元205。所述通孔基板201的材料為陶瓷、玻璃、BT樹脂(即以雙馬來酰亞胺(BMI)和三嗪為主樹脂成分，并加入環(huán)氧樹脂、聚丙醚樹脂(PPE)或烯丙基化合物等作為改性組分，形成的熱固性樹脂)、耐燃材料(例如環(huán)氧玻璃布層壓板)或高聚物光刻材料。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述通孔基板201的材料為BT樹脂。需要說明的是，為固定所述晶圓，所述通孔基板201表面和晶圓之間還具有粘結(jié)層211。所述粘結(jié)層211靠近晶圓一側(cè)的表面與引腳207表面齊平。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述粘結(jié)層211的材料為環(huán)氧樹脂材料。請(qǐng)參考圖4，形成位于所述圖像傳感器203背離基板200 —側(cè)表面203b的第一絕緣層213，所述第一絕緣層213覆蓋所述圖像傳感器203的背離基板200 —側(cè)表面203b和側(cè)壁203c。所述第一絕緣層213覆蓋所述圖像傳感器203背離基板200 —側(cè)的表面203b和側(cè)壁203c，用于后續(xù)隔離圖像傳感器和金屬線層。所述第一絕緣層213的形成工藝為沉積工藝，例如物理沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝。所述第一絕緣層213的材料為環(huán)氧樹脂或
氧化硅。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一絕緣層213采用化學(xué)氣相沉積工藝形成，所述第 一絕緣層213除覆蓋圖像傳感器203背離基板200 —側(cè)的表面203b和側(cè)壁203c外，還覆蓋相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的引腳207和粘結(jié)層211。所述第一絕緣層213的材料為
氧化硅。請(qǐng)參考圖5，在每一圖像傳感器203的引腳207對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層213內(nèi)形成通孔215，所述通孔215暴露出圖像傳感器203的引腳207。由于所述通孔215內(nèi)后續(xù)用于沉積與引腳207電連接的金屬線層，所述通孔215貫穿第一絕緣層213的厚度，且所述通孔215暴露出圖像傳感器203的引腳207。由于所述晶圓表面具有多個(gè)圖像傳感器203，所述通孔215的個(gè)數(shù)至少與圖像傳感器203的個(gè)數(shù)相同，即每一圖像傳感器203引腳207對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層213內(nèi)至少形成一個(gè)通孔215，以暴露出每一圖像傳感器203的引腳207。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為防止后續(xù)金屬線層與引腳207的接觸不良，導(dǎo)致封裝的圖像傳感單元的信號(hào)傳輸不暢，每一所述圖像傳感器203對(duì)應(yīng)于多個(gè)通孔215，例如2-6個(gè)，優(yōu)選2-3個(gè)，以提高后續(xù)封裝的圖像傳感單元的穩(wěn)定性。所述通孔215的形成工藝為刻蝕工藝，例如各向異性的干法刻蝕工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述通孔215的形成工藝為激光打孔。所述激光打孔時(shí)的功率為2瓦-10瓦。請(qǐng)參考圖6，在所述第一絕緣層213表面形成焊盤217，并在第一絕緣層215表面和通孔215側(cè)壁形成金屬線層219，所述金屬線層219與焊盤217和圖像傳感器203的引腳207電連接。所述焊盤217用于后續(xù)在其表面形成焊球，與電路板(未圖示)電連接。所述焊盤217的材料為導(dǎo)電材料，比如為銅、鋁、金等導(dǎo)電金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述焊盤217的材料為導(dǎo)電性能好的銅。所述金屬線層219電連接焊盤217和圖像傳感器203的引腳207，用于傳遞電信號(hào)。所述金屬線層219的材料為導(dǎo)電材料，比如為銅、鋁、金等導(dǎo)電金屬。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述焊盤217和金屬線層219在同一工藝步驟中刻蝕導(dǎo)電材料后形成。所述圖像傳感器203的感光單元205產(chǎn)生的電信號(hào)通過引腳207、金屬線層219、焊盤217、焊點(diǎn)等傳送至電路板。所述金屬線層219的材料為導(dǎo)電性能好的銅。需要說明的是，由于所述焊盤217和金屬線層219的形成工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。請(qǐng)參考圖7，去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219 (圖6所示)，暴露出金屬線層219a側(cè)壁。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于所述具有多個(gè)圖像傳感器的晶圓后續(xù)會(huì)被切割，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元，如果所述金屬線層219在切割晶圓的同時(shí)切割，雖然可以節(jié)省エ藝步驟，但是形成的獨(dú)立的圖像傳感單元暴露出金屬線層219側(cè)壁，所述金屬線層219a側(cè)壁暴露在空氣中容易被氧化，造成所述圖像傳感單元的性能不穩(wěn)定。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果在形成金屬線層219后，首先去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219，暴露出金屬線層219a側(cè)壁；然后形成包裹所述金屬線層219a表面和側(cè)壁的第二絕緣層；最后，在第二絕緣層包裹所述金屬線層219a側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元。采用此種晶圓級(jí)封裝的制作方法，形成圖像傳感單元側(cè)壁不會(huì)有金屬線層219a暴露，形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。所述去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219的方法為濕法刻蝕エ藝，以利于后續(xù)形成的第二絕緣層包裹金屬線層219a的側(cè)壁。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述濕法刻蝕エ藝采用的刻蝕溶液為由磷酸、硝酸和こ酸組合而成的三酸蝕刻液，所述三酸蝕刻液的比重為I. 5-1. 6，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度。所述相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域 的金屬線層219去除的干凈，并且不會(huì)對(duì)金屬線層219底部的第一絕緣層213造成影響。需要說明的是，當(dāng)采用上述三酸蝕刻液去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219時(shí)，通常去除200-300片晶圓的金屬線層219后，更換新的三酸蝕刻液。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用激光刻蝕的方法去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219的方法為激光刻蝕エ藝，例如，所述激光刻蝕時(shí)的激光功率為2瓦-10瓦。相對(duì)于傳統(tǒng)的刻蝕エ藝，采用激光刻蝕的方法去除金屬線層219的速度更快。并且由于第一絕緣層213為透明材質(zhì)，對(duì)激光的吸收較少，所述第一絕緣層213不易在去除金屬線層219時(shí)被破壞，后續(xù)封裝形成的圖像傳感單元的性能好。請(qǐng)參考圖8，形成包裹所述金屬線層219a表面和側(cè)壁的第二絕緣層221。所述第二絕緣層221在去除相鄰圖像傳感器203之間區(qū)域的金屬線層219 (圖6所示)后形成，用于包裹金屬線層219a的表面和側(cè)壁。所述第二絕緣層221的材料為環(huán)氧樹脂。為使所述第二絕緣層221能夠較好的防止所述金屬線層219a被氧化，所述第二絕緣層221的厚度不宣太薄，并且考慮到降低封裝后的圖像傳感單元的體積，所述第二絕緣層221的厚度也不宣太厚。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第二絕緣層221的厚度為10微米-20微米，較好的防止了金屬線層219a的氧化，封裝后的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定，且圖像傳感單元的體積小。請(qǐng)參考圖9，刻蝕與所述焊盤217相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層221，直至暴露出焊盤217 ;在所述焊盤217表面形成焊點(diǎn)223。實(shí)際封裝時(shí)，還需要在所述焊盤217表面形成焊點(diǎn)223，通過所述焊點(diǎn)223將封裝后的圖像傳感單元焊接在電路板上。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，還需要刻蝕與所述焊盤217相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層221，直至暴露出焊盤217。所述去除第二絕緣層221的エ藝為刻蝕エ藝，例如各向異性的干法刻蝕エ藝。由于刻蝕第二絕緣層221暴露出焊盤217的エ藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。所述焊點(diǎn)223的形成エ藝為回流焊エ藝，所述焊點(diǎn)223的材料為錫。由于采用回流焊エ藝形成焊點(diǎn)223的エ藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
請(qǐng)參考圖10，在第二絕緣層221包裹所述金屬線層219a側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元230，所述圖像傳感單元230中金屬線層219a側(cè)壁由第二絕緣層221包裹。當(dāng)形成焊點(diǎn)之后，圖像傳感單元230已經(jīng)形成，包括圖像傳感器203，所述圖像傳感器203 —側(cè)表面203a具有感光單元205，以及與所述感光單元205電連接的引腳207 ;位于所述圖像傳感器203另一側(cè)表面203b和側(cè)壁203c的第一絕緣層213 ;位于所述第一絕緣層表面的焊盤217 ;與所述焊盤217和引腳207電連接的金屬線層219a ;位于所述焊盤217表面的焊點(diǎn)223。但是此時(shí)圖像傳感單元230還形成在晶圓表面，需要采用切割工藝將所述晶圓切割，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元230。由于第二絕緣層221已事先包裹金屬線層219a表面和側(cè)壁，后續(xù)切割晶圓時(shí)切割刀具作用于相鄰圖像傳感單元230之間的區(qū)域，并不會(huì)暴露出金屬線層219a的側(cè)壁，所述
金屬線層219a不會(huì)被氧化而影響圖像傳感單元230的性能，采用此種方法封裝后得到的圖像傳感單元230的性能穩(wěn)定。需要說明的是，為防止切割過程時(shí)晶圓斷裂，影響圖像傳感單元的成品率。切割晶圓時(shí)，還包括切割通孔基板201和基板200。切割所述晶圓采用的方法為刀片機(jī)械切割。由于切割所述晶圓、通孔基板201和基板200的工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。上述步驟完成之后，本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法完成。形成金屬線層后，首先去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，然后形成覆蓋剩余金屬線層表面和側(cè)壁的第二絕緣層，最后再切割晶圓，形成多個(gè)獨(dú)立的圖像傳感單元，切割后，所述圖像傳感單元中金屬線層仍然被第二絕緣層包裹。不會(huì)暴露出金屬線層側(cè)壁，金屬線層不易被氧化。封裝形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，包括 提供形成有多個(gè)圖像傳感器的晶圓，所述圖像傳感器一側(cè)的表面具有引腳，所述圖像傳感器另一側(cè)表面具有第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述圖像傳感器的表面和側(cè)壁； 在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，所述通孔暴露出圖像傳感器引腳； 在所述第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁形成金屬線層，所述金屬線層與焊盤和圖像傳感器引腳電連接； 去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁； 形成包裹所述金屬線層側(cè)壁的第二絕緣層； 在第二絕緣層包裹所述金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裹。
2.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為濕法刻蝕工藝。
3.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為由磷酸、硝酸和乙酸組合而成的三酸蝕刻液，所述三酸蝕刻液的比重為I. 5-1. 6，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度。
4.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，去除相鄰兩個(gè)圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層的方法為激光刻蝕工藝。
5.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述激光刻蝕時(shí)的激光功率為2瓦-10瓦。
6.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔的個(gè)數(shù)為一個(gè)或多個(gè)。
7.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為環(huán)氧樹脂。
8.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度為10微米-20微米。
9.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，還包括刻蝕與所述焊盤相對(duì)應(yīng)處的所述第二絕緣層，直至暴露出焊盤；在所述焊盤表面形成焊點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求I所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，還包括提供基板，所述晶圓位于基板表面，且圖像傳感器的感光單元靠近所述基板表面；位于所述基板和晶圓之間的通孔基板，所述通孔基板暴露出圖像傳感器的感光單元。
11.如權(quán)利要求10所述的圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，其特征在于，所述通孔基板的材料為陶瓷、玻璃、BT樹脂、耐燃材料或高聚物光刻材料。
全文摘要
圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝的制作方法，包括提供形成有多個(gè)圖像傳感器的晶圓，圖像傳感器一側(cè)的表面具有引腳，圖像傳感器另一側(cè)表面具有第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋圖像傳感器的表面和側(cè)壁；在每一圖像傳感器引腳對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一絕緣層內(nèi)形成通孔，通孔暴露出圖像傳感器引腳；在第一絕緣層表面形成焊盤，并在第一絕緣層表面和通孔側(cè)壁，形成與焊盤和圖像傳感器的引腳電連接的金屬線層；去除相鄰圖像傳感器之間區(qū)域的金屬線層，暴露出金屬線層側(cè)壁；形成包裹金屬線層側(cè)壁的第二絕緣層；在第二絕緣層包裹金屬線層側(cè)壁后，切割晶圓，形成獨(dú)立的圖像傳感單元，所述圖像傳單元中金屬線層側(cè)壁由第二絕緣層包裹。封裝后形成的圖像傳感單元的性能穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102810549SQ20121031388
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月29日
發(fā)明者鄧輝, 夏歡 申請(qǐng)人:格科微電子(上海)有限公司