專利名稱：超薄全波整流器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種整流器，尤其涉及一種超薄型全波整流器。
背景技術：
目前市場上已有的橋式整流器的組裝方式為立式組裝，即為垂直方向上的多層堆疊結構，并用環(huán)氧樹脂來包覆其結構，其封裝方法比較簡單，可實現(xiàn)在一模具上依序進行封裝，共效率高，但也存在多個缺陷，如正、負極為對角線位置、體積較大，不利于其內(nèi)部晶片散熱，也不適應于高度集成要求體積小的電路上。專利公告號為CN 2369338Y公開了一種橋式整流器01，如圖I所示，是以立式封裝的方式進行封裝，包括四晶粒02，每二晶粒02堆疊排列在一起，于上、下二晶粒02中各利用焊錫片04以連接一第一支腳03，使第一支腳03與晶粒02形成電連接，且二第一支腳·03是于晶粒02的同一側(cè)；另有二第二支腳05分別連接上層二晶粒02與下層二晶粒02，晶粒02與第二支腳05間亦以焊錫片04相連接，以形成電連接，第二支腳05則位于晶粒02的另一側(cè)，且第二支腳05與第一支腳03是沿相對方向延伸，即晶粒02 二側(cè)的第一支腳03與第二支腳05是相對稱，并同時往晶粒02的下方彎曲延伸。最外層的膠體06，包覆晶粒以及第一支腳03與第二支腳05的一部份。本現(xiàn)有技術為立式多層結構，雖可利用快速的封裝方式，但制作成的產(chǎn)品體積大，工序復雜、需耗費更多的原、料晶粒間的散熱不佳，長時間處于工作狀態(tài)下易產(chǎn)生老化，使所應用的電子線路出現(xiàn)供電故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種超薄全波整流器。可利用晶片的特殊的排列結構，將本產(chǎn)品的體積縮小的同時還提高了晶片的散熱性能。為了解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供了一種超薄全波整流器，其具有
四個晶片，為同一平面上的四邊形排列，且相鄰周邊上的晶片極性為異-同依次交替
排列；
四個電極觸片，分為上、下層兩組電極觸片，所述上層兩電極觸片分別用于電連接所述四個晶片上表面同極性的兩個晶片；所述下層兩電極觸片分別用于電連接所述四個晶片下表面的同一方向上的異極性的兩個晶片；
封裝膠體，包覆所述晶片以及所述電極觸片。進步一地，所述上層電極觸片的引腳方向為同側(cè)，所述下層電極觸片的引腳方向為所述上層引腳的相對稱方向。進步一地，根據(jù)權利要求2所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述引腳的腳距為 2. 5mm 或 4. Omnin進一步地，所述晶片為STD、FR、HER、SF、SKY之一的晶片材料。更進一步地，，所述電極觸片與晶片之間通過焊錫片電連接。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，連接晶片P面的電極觸片表面具有凸起的觸點。
作為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，所述四邊形排列呈平行四邊形陣列或方形陣列。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，所述四個電極觸片的材質(zhì)為銅所制成。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，所述四個電極觸片的引腳為鍍錫銅。作為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，所述電極觸片經(jīng)過熱處理。實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果本發(fā)明的晶片與電極觸片的結構排列緊湊，可制作成比現(xiàn)有技術的芯片更為薄的整流器，且引腳的腳距以及晶片的類型可根據(jù)實際應用進行選擇，如可制作為STD、FR、HER、SF、SKY整流器，使得本發(fā)明應用靈活、高效率、高可靠性，且四個晶片為平面放置結構，產(chǎn)品可直接緊貼于PC板的散熱面上，具有更佳的散熱性能，使PN結的溫度控制在合理的溫度范圍內(nèi)，提高了工作效率。


圖I是現(xiàn)有的橋式整流器的結構示意 圖2是本發(fā)明第一實施例的整體結構示意 圖3是本發(fā)明第一實施例的電極觸片與晶片的組裝結構示意 圖4是第一實施例的爆炸結構示意 圖5是本發(fā)明第二實施例的結構示意 圖6是本發(fā)明第二實施例的整體結構示意圖。
具體實施例方式 為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述。實施例I :
參照圖2、圖3、圖4所示的本實施例的結構示意圖。在本發(fā)明實施例的超薄全波整流器10中，包含了四個晶片11，四個電極觸片12a、12b，四個晶片為一平面上的四邊形分布排列，各邊上的晶片以上表面的極性為參照，極性依次為“異-同-異-同”排列，使得其中一對邊的晶片各自極性相同，且其對邊之間極性相異，本實施中優(yōu)選將晶片11排布成平行四邊形或方形，而為了使結構更加緊湊合理，本實施例優(yōu)選為平行四邊形分布，平行四邊形分布是指各晶片中心線上形成平行四邊形分布，如圖3所示結構。四個電極觸片分為上層兩電極觸片12a、下層兩電極觸片12b，上層兩電極觸片12a分別電連接四個晶片11上表面中的極性相同的兩個晶片，即電極觸片121電連接兩極性排列相同的晶片111的上表面，電極觸片122電連接另一極性相同的兩晶片112的上表面，且晶片111與晶片112極性相異；而下層兩電極觸片12b則分別電連接四個晶片11下表面中同一方向上的相異的晶片，同一方向上的相異的晶片是指同一周邊上的兩個下表面 極性相異的晶片，即電極觸片123、124分別電連接四個晶片下表面上同一側(cè)上的相異極性的晶片，如圖4所不，晶片111的上表面為負極性，晶片112上表面為正極性。
需要進行說明的是晶片可根據(jù)對逆向恢復時間的要求選用不同的芯片，可組裝成STD、FR、HER、SF、SKY之一的橋式整流器，本實施例優(yōu)選為STD普通橋式整流器。為了使電極觸片12a、12b與晶片11表面有可靠的電連接，其之前通過焊錫13a、13b進行連接，連接同一極性的晶片表面的電極觸片上設置凸起的觸點14，本實施中，凸起的觸點14優(yōu)選設置于連接晶片的正極一面上，即P面，如圖4所示。需要進行說明的是，呈上、下層分布的電極觸片12a、12b將四個晶片11連接成如圖5所示的電路原理圖所示的電連接。為了使正、負極同向，上層兩電極觸片12a的引腳方向為同偵彳，下層兩電極觸片12b的引腳方向為上層兩電極觸片12a的引腳方向的相對稱方向，引腳呈S型，當然也可制作成直插型，本發(fā)明在此不做限定，如圖3、圖4所示結構示意圖。需要進行說明的是，引腳的腳距可根據(jù)實際應用進行設置，如常用的2. 5mm與·
4.Omm,本實施例選擇4. Omm進行說明，如圖2所示。電極觸片12a、12b的材質(zhì)均為銅片，且銅片經(jīng)過了熱處理，使得其具有更佳的組織和應力狀態(tài)，有利于與晶片11保持牢固的電連接，而電極觸片的引腳則為易于焊接的鍍錫銅。本實施例的拼接結構示意圖如圖2、圖3所示，封閉膠體15為環(huán)氧樹脂材料，將晶片11與電極觸片12a、12b進行封裝，其厚度為I. 4mm。實施例2
在本實施例中，選擇使用晶片為FR芯片組裝成FR快速整流器，使得本實施例的超薄全波整流器的反向恢復時間為150 1500nS之間，并且將腳距設置為2. 5mm，如圖6所示結構封裝示意圖，其它結構與實施例I描述一致，在此不重復說明。實施例3:
在本實施例中，選擇使用晶片為SF芯片組裝成SF快速整流器，使得本實施例的超薄全波整流器的反向恢復時間為15 35nS之間，并且將腳距設置為4. 0mm，其它結構與實施例I描述一致，在此不重復說明。實施例4
在本實施例中，選擇使用晶片為SKY芯片組裝成肖特基橋式整流器，使得本實施例的超薄全波整流器的反向恢復時間為7. 5 15nS之間，并且將腳距設置為4. 0mm，其它結構與實施例I描述一致，在此不重復說明。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種超薄全波整流器，其特征在于，其具有 四個晶片，為同一平面上的四邊形排列，且相鄰周邊上的晶片極性為異-同依次交替排列； 四個電極觸片，分為上、下層兩組電極觸片，所述上層兩電極觸片分別用于電連接所述四個晶片上表面同極性的兩個晶片；所述下層兩電極觸片分別用于電連接所述四個晶片下表面的同一方向上的異極性的兩個晶片； 封裝膠體，包覆所述晶片以及所述電極觸片。
2.根據(jù)權利要求I所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述上層電極觸片的引腳方向為同側(cè)，所述下層電極觸片的引腳方向為所述上層引腳的相對稱方向。
3.根據(jù)權利要求2所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述引腳的腳距為2.5mm或4.Omnin
4.根據(jù)權利要求I所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述晶片為STD、FR、HER、SF、SKY之一的晶片材料。
5.根據(jù)權利要求I 4任一項所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述電極觸片與晶片之間通過焊錫片電連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的超薄全波整流器，其特征在于，連接晶片P面的電極觸片表面具有凸起的觸點。
7.根據(jù)權利要求I所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述四邊形排列呈平行四邊形排列或方形排列。
8.根據(jù)權利要求I所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述四個電極觸片的材質(zhì)為銅所制成。
9.根據(jù)權利要求I所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述四個電極觸片的引腳為鍍錫銅。
10.根據(jù)權利要求7所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述電極觸片經(jīng)過熱處理。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種超薄全波整流器，具有四個晶片，為同一平面上的四邊形排列，且相鄰周邊上的晶片極性為異-同依次交替排列；四個電極觸片，分為上、下層兩組電極觸片，所述上層兩電極觸片分別用于電連接所述四個晶片上表面同極性的兩個晶片；所述下層兩電極觸片分別用于電連接所述四個晶片下表面的同一方向上的異極性的兩個晶片；封裝膠體，包覆所述晶片以及所述電極觸片。采用本發(fā)明，可制作成比現(xiàn)有技術的芯片更為薄的整流器，且引腳的腳距以及晶片的類型可根據(jù)實際應用進行選擇，使得本發(fā)明應用靈活，且四個晶片為平面放置結構，產(chǎn)品可直接緊貼于PC板的散熱面上，具有更佳的散熱性能，使PN結的溫度控制在合理的范圍內(nèi)，提高了工作效率。
文檔編號H01L25/07GK102790044SQ20121023225
公開日2012年11月21日 申請日期2012年7月6日 優(yōu)先權日2012年7月6日
發(fā)明者蘇松得 申請人:廣東良得電子科技有限公司