專(zhuān)利名稱(chēng)：鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于物理技術(shù)領(lǐng)域，更進(jìn)一步涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域的一種鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法。本發(fā)明在鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻元件對(duì)電阻值分選后，將電阻值高于額定電阻值的元件選為待處理元件，通過(guò)將自行研制的降阻試劑與待處理元件共同熱處理調(diào)節(jié)元件電阻值，使其達(dá)到額定電阻值。
背景技術(shù)：
正溫度系數(shù)熱敏電阻(positivetemperature coefficient resistance,簡(jiǎn)稱(chēng)PTCR)，也即電阻值隨溫度上升能在某一個(gè)較窄的溫度范圍內(nèi)大幅升高的電阻器，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子通訊、汽車(chē)工業(yè)、醫(yī)用儀器、家用電器等各個(gè)領(lǐng)域。其中，鈦酸鋇(BaTi03)系正溫度系數(shù)熱敏電阻是在鈦酸鋇中添加釔、鈮等元素形成的半導(dǎo)體元件，在目前市場(chǎng)中占有很大的比例。 現(xiàn)有的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻一般是采用如下的工藝流程制作原料球磨-烘干-預(yù)燒-二次添料球磨-烘干-成型-燒結(jié)-涂覆電極-分選-焊接引線(xiàn)-包封-測(cè)試，由于工藝參數(shù)控制等因素的影響，元件按照電阻值分選后，電阻值具有相當(dāng)大的分散性，會(huì)生產(chǎn)出大量電阻值高于額定電阻值的元件。由于以往沒(méi)有合適的處理方式，這些元件只能作為不合格產(chǎn)品被丟棄，而制造這些元件耗費(fèi)的原料、水和能源都隨之被浪費(fèi)。南通鴻飛電子有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利“提高PTC熱敏電阻電性能指標(biāo)的方法”(申請(qǐng)?zhí)?00910184082. 9，公開(kāi)號(hào)CN 101673603 A)公開(kāi)了提高鈦酸鋇系熱敏電阻電性能的制造方法。該發(fā)明提供了一種提高鈦酸鋇基PTC熱敏電阻電性能指標(biāo)的方法，包括稱(chēng)量原料、球磨、預(yù)燒結(jié)、造粒、成型、燒結(jié)、上電極、阻值分選、焊接、封裝裝配、打標(biāo)志、耐壓檢測(cè)、阻值檢測(cè)、最終檢測(cè)、包裝這些步驟；該方法的特點(diǎn)是在預(yù)燒結(jié)步驟后，再球磨O. 5 I. 5小時(shí)后加入重量百分比占O. 03 O. 05%的貴金屬材料，繼續(xù)球磨4 8小時(shí)，提高了元件的電學(xué)性能。該專(zhuān)利申請(qǐng)存在的不足是，該工藝流程不能對(duì)電阻值分選后的元件電阻值進(jìn)行調(diào)整，生產(chǎn)中電阻值高于額定電阻值的元件只能作為不合格產(chǎn)品，這些廢品造成了對(duì)生產(chǎn)原料和能源的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法。通過(guò)在制造流程中加入這一新工藝環(huán)節(jié)，電阻分選中電阻值大于額定電阻值的元件電阻首次實(shí)現(xiàn)了大幅度降低，生產(chǎn)過(guò)程中可以獲得更多的合格產(chǎn)品。本發(fā)明適用的元件電極類(lèi)型包括鋁電極和鋁電極上再涂覆銀電極兩種。本發(fā)明的具體思路是，針對(duì)待處理元件電阻值大于7ΚΩ和小于7ΚΩ兩種情況，設(shè)計(jì)了兩種相應(yīng)的調(diào)阻方法。其中分選電阻元件時(shí)選取的待處理元件電阻值以及配制降阻試劑的配方這兩個(gè)步驟不同。而在降阻試劑制備、熱處理和測(cè)量元件電阻值三個(gè)步驟中的工藝是完全相同的。其具體實(shí)現(xiàn)分為以下兩種技術(shù)方案
一 .對(duì)電阻值大于7ΚΩ的待處理元件進(jìn)行調(diào)阻的步驟如下(I)分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，從電阻值大于7ΚΩ的類(lèi)別中取出電阻值大于電阻值額定值的元件作為待處理元件；(2)稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 500 O. 700、碳酸錳O. 010 O. 020、碳酸鈉O. 070 O. 090、碳酸氫銨O. 210 O. 220、無(wú)水醋酸鈣O. 001 O. 003、碳酸鋇O. 001 O. 003、碳酸鍶O. 001 O. 003、草酸氧鈦鍶O. 001 O. 003、石墨粉O. 001 O. 003、碳粉 O. 002 O. 004 ；(3)降阻試劑制備

將稱(chēng)量原料通過(guò)球磨、烘干工藝，得到降阻試劑；⑷熱處理(4a)按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，對(duì)待處理元件和降阻試劑用電子天平分別進(jìn)行稱(chēng)量；(4b)將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；(4c)將坩堝放入馬弗爐中熱處理；(5)測(cè)量元件電阻值(5a)將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，烘干；(5b)將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值。二 .對(duì)電阻值小于7ΚΩ的待處理元件進(jìn)行調(diào)阻的步驟如下I)分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，從電阻值小于7ΚΩ的類(lèi)別中取出電阻值大于電阻值額定值的元件作為待處理元件；2)稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 500 O. 700、碳酸錳O. 010 O. 020、碳酸鈉O. 070 O. 090、碳酸氫銨O. 210 O. 220、無(wú)水醋酸鈣O. 001
O.003、碳酸鋇O. 001 O. 003、碳酸鍶O. 001 O. 003、草酸氧鈦鍶O. 001 O. 003、石墨粉 O. 001 O. 003、碳粉 O. 002 O. 004、鐵粉 O. 002 O. 004、鋅粉 O. 001 O. 003、鋁粉
O.001 O. 003 ；3)降阻試劑制備將稱(chēng)量原料通過(guò)球磨、烘干工藝，得到降阻試劑；4)熱處理4a)按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，對(duì)待處理元件和降阻試劑用電子天平分別進(jìn)行稱(chēng)量；4b)將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；4c)將坩堝放入馬弗爐中熱處理；5)測(cè)量元件電阻值5a)將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，烘干；5b)將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)第一，本發(fā)明由于采用了利用自行研制的降阻試劑對(duì)待處理元件進(jìn)行熱處理的技術(shù)，克服了現(xiàn)有技術(shù)不能調(diào)整分選后電阻值高于額定電阻值元件的電阻的缺點(diǎn)，使得本發(fā)明具有了能夠?qū)⒋幚碓娮柚到档偷膬?yōu)點(diǎn)。第二，本發(fā)明由于采用了將待處理元件與降阻試劑放入有蓋坩堝中同時(shí)進(jìn)行熱處理的技術(shù)，克服了現(xiàn)有技術(shù)將電阻值高于額定電阻值的不合格元件丟棄，加大成本的缺點(diǎn)，使得本發(fā)明具有了將大量不合格產(chǎn)品重新利用，提高了產(chǎn)品合格率，節(jié)約了原料和能源的優(yōu)點(diǎn)；第三，本發(fā)明由于采用了在有蓋坩堝中進(jìn)行熱處理的技術(shù)，克服了現(xiàn)有技術(shù)加熱環(huán)境過(guò)于開(kāi)放，降阻試劑與元件不能充分接觸的缺點(diǎn)，使得本發(fā)明具有了提高了降阻試劑與待處理元件熱處理效率的優(yōu)點(diǎn)。


圖I本發(fā)明的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖I對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述一.對(duì)電阻值大于7ΚΩ的待處理元件，給出如下三種實(shí)施例實(shí)施例I步驟I，分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，取出電阻值在20ΚΩ 30ΚΩ的元件作為待處理元件，要求處理后的電阻值為8ΚΩ 15ΚΩ。元件形狀為直徑3mm、高度4mm的圓柱體。步驟2，稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 700、碳酸錳O. 020、碳酸鈉O. 090、碳酸氫銨O. 220、無(wú)水醋酸鈣O. 003、碳酸鋇O. 003、碳酸鍶O. 003、草酸氧鈦鍶
O.003、石墨粉 O. 003、碳粉 O. 004。步驟3，降阻試劑制備將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=I : I : I的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨8小時(shí)；球磨機(jī)停機(jī)后，將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤8小時(shí)。步驟4，熱處理用電子天平稱(chēng)量待處理元件15. 3克，按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，用電子天平稱(chēng)量5. I克降阻試劑；將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；將坩堝放入馬弗爐中熱處理，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在70分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到700°C，停止加溫，再保溫180分鐘。步驟5，測(cè)量元件電阻值將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤4小時(shí)；將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值為8ΚΩ 15ΚΩ。
實(shí)施例2步驟I，分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，取出電阻值在10ΚΩ 20ΚΩ的元件作為待處理元件，要求處理后的電阻值為4ΚΩ 8ΚΩ。元件形狀為直徑3mm、高度4mm的圓柱體。步驟2，稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 685、碳酸錳O. 015、碳酸鈉O. 085、碳酸氫銨O. 215、無(wú)水醋酸鈣O. 002、碳酸鋇O. 002、碳酸鍶O. 001、草酸氧鈦鍶
O.001、石墨粉 O. 001、碳粉 O. 003。步驟3，降阻試劑制備 將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=1:1:1的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨6小時(shí)；球磨機(jī)停機(jī)后，將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤6小時(shí)。步驟4，熱處理用電子天平稱(chēng)量待處理元件14. 4克，按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，用電子天平稱(chēng)量4. 8克降阻試劑；將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；將坩堝放入馬弗爐中熱處理，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在60分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到600°C，停止加溫，再保溫120分鐘。步驟5，測(cè)量元件電阻值將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤3小時(shí)；將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值為4ΚΩ 8ΚΩ。實(shí)施例3步驟1，分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，取出電阻值在7ΚΩ IOK Ω的元件作為待處理元件，要求處理后的電阻值為2ΚΩ 4ΚΩ。元件形狀為直徑3mm、高度4mm的圓柱體。步驟2，稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 500、碳酸錳O. 010、碳酸鈉O. 070、碳酸氫銨O. 210、無(wú)水醋酸鈣O. 001、碳酸鋇O. 001、碳酸鍶O. 001、草酸氧鈦鍶
O.001、石墨粉 O. 001、碳粉 O. 002。步驟3，降阻試劑制備將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=1:1:1的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨4小時(shí)；球磨機(jī)停機(jī)后，將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤4小時(shí)。步驟4，熱處理用電子天平稱(chēng)量待處理元件15. 6克，按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，用電子天平稱(chēng)量5. 2克降阻試劑；將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；將坩堝放入馬弗爐中熱處理，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在50分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到500°C，停止加溫，再保溫60分鐘。
步驟5，測(cè)量元件電阻值將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤2小時(shí)；將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值為2ΚΩ 4ΚΩ。二.對(duì)電阻值小于7ΚΩ的待處理元件，給出如下三種實(shí)施例實(shí)施例4步驟I，分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，取出電阻值在2ΚΩ 7ΚΩ的元件作為待處理元件，要求處理后的電阻值為I. 2ΚΩ 2ΚΩ。元件形狀為直徑3mm、高度4mm的圓柱體。步驟2，稱(chēng)量降阻試劑的原料 用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 700、碳酸錳O. 020、碳酸鈉O. 090、碳酸氫銨O. 220、無(wú)水醋酸鈣O. 003、碳酸鋇O. 003、碳酸鍶O. 003、草酸氧鈦鍶
O.003、石墨粉 O. 003、碳粉 O. 004、鐵粉 O. 004、鋅粉 O. 003、鋁粉 O. 003。步驟3，降阻試劑制備將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=I : I : I的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨8小時(shí)；球磨機(jī)停止后，將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤8小時(shí)。步驟4，熱處理用電子天平稱(chēng)量待處理元件14. 7克，按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，用電子天平稱(chēng)量4. 9克降阻試劑；將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；將坩堝放入馬弗爐中熱處理，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在70分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到700°C，停止加溫，再保溫180分鐘。步驟5，測(cè)量元件電阻值將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤4小時(shí)；將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值為I. 2ΚΩ 2ΚΩ。實(shí)施例5步驟I，分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，取出電阻值在800 Ω 2ΚΩ的元件作為待處理元件，要求處理后的電阻值為300 Ω 1.2ΚΩ。元件形狀為直徑3mm、高度4mm的圓柱體。步驟2，稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 685、碳酸錳O. 015、碳酸鈉O. 085、碳酸氫銨O. 215、無(wú)水醋酸鈣O. 002、碳酸鋇O. 002、碳酸鍶O. 002、草酸氧鈦鍶
O.002、石墨粉 O. 002、碳粉 O. 003、鐵粉 O. 003、鋅粉 O. 002、鋁粉 O. 002。步驟3，降阻試劑制備將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=I : I : I的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨6小時(shí)；球磨機(jī)停止后，將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤6小時(shí)。步驟4，熱處理
用電子天平稱(chēng)量待處理元件15. O克，按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，用電子天平稱(chēng)量5. O克降阻試劑；將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；將坩堝放入馬弗爐中熱處理，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在60分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到600°C，停止加溫，再保溫120分鐘。步驟5，測(cè)量元件電阻值將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤3小時(shí)；將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值為300 Ω I. 2ΚΩ。實(shí)施例6步驟I，分選電阻元件分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，取出電阻值在300 Ω 500 Ω的元件作為待處理元件，要求處理后的電阻值為200 Ω 400Ω。元件形狀為直徑3mm、高度4mm的圓柱體。步驟2，稱(chēng)量降阻試劑的原料用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 500、碳酸錳O. 010、碳酸鈉O. 070、碳酸氫銨O. 210、無(wú)水醋酸鈣O. 001、碳酸鋇O. 001、碳酸鍶O. 001、草酸氧鈦鍶
O.001、石墨粉 O. 001、碳粉 O. 002、鐵粉 O. 002、鋅粉 O. 001、鋁粉 O. 001。步驟3，降阻試劑制備將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=I : I : I的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨4小時(shí)；球磨機(jī)停止后，將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤4小時(shí)。步驟4，熱處理用電子天平稱(chēng)量待處理元件15. 3克，按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，用電子天平稱(chēng)量5. I克降阻試劑；將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中；將坩堝放入馬弗爐中熱處理，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在50分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到500°C，停止加溫，再保溫60分鐘。步驟5，測(cè)量元件電阻值將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤2小時(shí)；將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值為200 Ω 400Ω。綜上所述，本發(fā)明能有效地實(shí)現(xiàn)鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻阻值的調(diào)整，提高了企業(yè)生產(chǎn)的效率與產(chǎn)品合格率，節(jié)約了原料和能源，能夠創(chuàng)造可觀的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
權(quán)利要求
1.一種電阻值大于7ΚΩ的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，包括如下步驟 (1)分選電阻元件 分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，從電阻值大于7ΚΩ的類(lèi)別中取出電阻值大于電阻值額定值的元件作為待處理元件； (2)稱(chēng)量降阻試劑的原料 用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 500 O. 700、碳酸錳O. 010 O. 020、碳酸鈉O. 070 O. 090、碳酸氫銨O. 210 O. 220、無(wú)水醋酸鈣O. 001 O. 003、碳酸鋇O. 001 O. 003、碳酸銀O. 001 O. 003、草酸氧鈦鍶O. 001 O. 003、石墨粉O. 001 O. 003、碳粉 O. 002 O. 004 ； (3)降阻試劑制備 將稱(chēng)量原料通過(guò)球磨、烘干工藝，得到降阻試劑； (4)熱處理 (4a)按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，對(duì)待處理元件和降阻試劑用電子天平分別進(jìn)行稱(chēng)量； (4b)將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中； (4c)將坩堝放入馬弗爐中熱處理； (5)測(cè)量元件電阻值 (5a)將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，烘干； (5b)將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻值大于7ΚΩ的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟(3)中所述的球磨工藝是指將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=I I I的質(zhì)量比例放入球磨罐,在球磨機(jī)上球磨4 8小時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻值大于7ΚΩ的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟(3)中所述的烘干工藝是指將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤4 8小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻值大于7ΚΩ的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟(4c)中所述的熱處理是指，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在50 70分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到500 700°C的溫度范圍，停止加溫，再保溫60 180分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電阻值大于7ΚΩ的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟(5a)中所述的烘干是指將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤2 4小時(shí)。
6.一種電阻值小于7ΚΩ的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，包括如下步驟 1)分選電阻元件 分選儀器對(duì)待分選的元件按照電阻值的大小進(jìn)行分類(lèi)，從電阻值小于7ΚΩ的類(lèi)別中取出電阻值大于電阻值額定值的元件作為待處理元件； 2)稱(chēng)量降阻試劑的原料 用電子天平分別按照摩爾比例配制降阻試劑，其中，碳酸鈣O. 500 O. 700、碳酸錳O. 010 O. 020、碳酸鈉O. 070 O. 090、碳酸氫銨O. 210 O. 220、無(wú)水醋酸鈣O. 001 O. 003、碳酸鋇O. 001 O. 003、碳酸鍶O. 001 O. 003、草酸氧鈦鍶O. 001 O. 003、石墨粉 O. 001 O. 003、碳粉 O. 002 O. 004、鐵粉 O. 002 O. 004、鋅粉 O. 001 O. 003、鋁粉O. OOl O. 003 ； 3)降阻試劑制備 將稱(chēng)量原料通過(guò)球磨、烘干工藝，得到降阻試劑； 4)熱處理 4a)按照待處理元件與降阻試劑3 I的質(zhì)量比例，對(duì)待處理元件和降阻試劑用電子天平分別進(jìn)行稱(chēng)量； 4b)將稱(chēng)量后的待處理元件和降阻試劑放入有蓋坩堝中； 4c)將坩堝放入馬弗爐中熱處理； 5)測(cè)量元件電阻值 5a)將熱處理后的元件取出，用去離子水清洗，烘干； 5b)將烘箱中元件取出，用萬(wàn)用表測(cè)量元件的電阻值。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟3)中所述的球磨工藝是指將稱(chēng)量原料與去離子水、瑪瑙磨球按照料水球=I : I : I的質(zhì)量比例放入球磨罐，在球磨機(jī)上球磨4 8小時(shí)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟3)中所述的烘干工藝是指將稱(chēng)量原料從球磨罐中取出，放入150°C烘箱，烘烤4 8小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟4c)中所述的熱處理是指，將爐中溫度從室溫開(kāi)始控制在50 70分鐘的加溫時(shí)間內(nèi)，使其達(dá)到500 700°C的溫度范圍，停止加溫，再保溫60 180分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其特征在于步驟5a)中所述的烘干是指將清洗后的元件放入80°C烘箱，烘烤2 4小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明屬于物理技術(shù)領(lǐng)域，更進(jìn)一步涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域的一種鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻調(diào)阻方法，其步驟是(1)分選電阻元件；(2)稱(chēng)量降阻試劑的原料；(3)降阻試劑制備；(4)熱處理；(5)測(cè)量元件電阻值。本發(fā)明是在鈦酸鋇系正溫度系數(shù)熱敏電阻元件對(duì)電阻值分選后，將電阻值高于額定值的元件選為待處理元件，再根據(jù)元件電阻值是否大于7KΩ配制兩種降阻試劑，通過(guò)將降阻試劑與待處理元件共同熱處理調(diào)節(jié)元件電阻值，使其達(dá)到額定值。本發(fā)明首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)已經(jīng)燒結(jié)完成的鈦酸鋇系正溫度熱敏電阻元件進(jìn)行電阻值調(diào)節(jié)，可以將大批不合格元件重新利用，能夠?yàn)槠髽I(yè)生產(chǎn)節(jié)約大量的原料和能源，創(chuàng)造可觀的經(jīng)濟(jì)效益。
文檔編號(hào)H01C7/02GK102842397SQ20121020240
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月7日
發(fā)明者曹全喜, 牛順祥, 趙方舟, 劉芳 申請(qǐng)人:西安電子科技大學(xué), 陜西華龍敏感電子元件有限責(zé)任公司