專利名稱：肖特基二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種肖特基ニ極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
肖特基ニ極管是以其發(fā)明人 肖特基(Schottky)博士命名的，肖特基ニ極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，肖特基ニ極管也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)ニ極管，它是一種熱載流子ニ極管，其與PN結(jié)ニ極管一祥，是ー種具有單向?qū)щ娦缘姆蔷€性器件。肖特基ニ極管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)ニ極管有很大的區(qū)別，通常將PN結(jié)ニ極管稱作結(jié)ニ極管，而把金屬-半導(dǎo)管ニ極管稱作肖特基ニ極管。由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)ニ極管低。同時，由于肖特基ニ極管是ー種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。肖特基ニ極管的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結(jié)ニ極管的反向恢復(fù)時間。由于肖特基ニ極管的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用，這些優(yōu)良特性是半導(dǎo)體ニ極管所無法比擬的。肖特基ニ極管的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基ニ極管，像肖特基ニ極管TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機(jī)中被廣泛采用。圖I是現(xiàn)有技術(shù)中肖特基ニ極管的剖面圖，現(xiàn)有技術(shù)中的肖特基ニ極管包括半導(dǎo)體襯底101、作為正極的金屬電極102、以及連接在半導(dǎo)體襯底101上的負(fù)極103。由于肖特基ニ極管的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于肖特基ニ極管比PN結(jié)ニ極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)ニ極管大。肖特基ニ極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，嚴(yán)重限制了其應(yīng)用范圍。因此，發(fā)展高反向擊穿電壓和低反向漏電流的肖特基ニ極管，已成為人們研究的課題和關(guān)注的熱點了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種肖特基ニ極管及制造方法，以解決現(xiàn)有肖特基ニ極管反向擊穿電壓低和反向漏電流高的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案一種肖特基ニ極管，包括摻雜襯底；第一摻雜區(qū)域，形成于所述摻雜襯底內(nèi)，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；第二摻雜區(qū)域，形成于所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；介質(zhì)層，形成于所述摻雜襯底上；至少兩個以上的第一凹槽和至少ー個以上的第二凹槽，貫穿所述介質(zhì)層；第一金屬電極，形成于所述第一凹槽內(nèi)，并與第二摻雜區(qū)域相接觸；以及第二金屬電極，形成于所述第二凹槽內(nèi)，位于所述第一金屬電極的ー側(cè)?？蛇x的，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度?？蛇x的，所述介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層以及形成于所述第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層。可選的，所述第一介質(zhì)層為硅的氧化物，所述第一介質(zhì)層的厚度范圍IK人 3KA。 可選的，所述硅的氧化物采用加熱四こ基正硅酸鹽的方法形成。可選的，所述第二介質(zhì)層為摻有磷雜質(zhì)的硅的氧化物或者摻有磷和硼雜質(zhì)的硅的氧化物，所述第二介質(zhì)層的厚度范圍3ΚΑ 5Κ.Α,,可選的，所述第一金屬電極為鈦或者鉬，所述第一金屬電極的厚度范圍為IOOA IKA?？蛇x的，所述第二金屬電極為鈦或者鉬，所述第二金屬電極的厚度范圍為
IOOA-1FCA?？蛇x的，所述第一凹槽還貫穿部分厚度的第二摻雜區(qū)域?？蛇x的，所述第一凹槽在所述第二摻雜區(qū)域內(nèi)的深度范圍為2Κん.-3ΚΑ。一種肖特基ニ極管的制造方法，包括提供一摻雜襯底；進(jìn)行第一次離子注入，在所述襯底上形成第一摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；在所述摻雜襯底上形成介質(zhì)層；形成貫穿所述介質(zhì)層的第一凹槽；進(jìn)行第二次離子注入，在所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)形成第二摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；形成貫穿所述介質(zhì)層的第二凹槽；以及在所述第一凹槽和第二凹槽內(nèi)沉積金屬，形成第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極與第二摻雜區(qū)域相接觸，所述第二金屬電極位于所述第一金屬電極的ー側(cè)?？蛇x的，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度?？蛇x的，在所述摻雜襯底上形成介質(zhì)層的步驟包括在所述摻雜襯底上形成第一介質(zhì)層；以及在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層為硅的氧化物，所述第一介質(zhì)層的厚度范圍IK人 3ΚΑ。可選的，所述第二介質(zhì)層為摻有磷雜質(zhì)的硅的氧化物或者摻有磷和硼雜質(zhì)的硅的氧化物，所述第二介質(zhì)層的厚度范圍3 KA、5 KA,可選的，形成貫穿所述介質(zhì)層的第一凹槽的步驟中，還刻蝕部分厚度的第一摻雜區(qū)域?？蛇x的，所述部分厚度的范圍為2.ΚΑ 3ΚΑ?？蛇x的，所述第一次離子注入的劑量范圍為1Ε12 1Ε14，注入能量范圍為IOOKev 300Kev?？蛇x的，所述第二次離子注入的劑量范圍為1E14 1E15，注入能量范圍為IOKev lOOKev。與現(xiàn)有技術(shù)的肖特基ニ極管相比，本發(fā)明的肖特基ニ極管增加了 PN結(jié)，在增加的PN結(jié)上施加不同的電壓，可以控制PN結(jié)耗盡層的寬度。具體地說，本發(fā)明的肖特基ニ極管在反向時，通過對增加的PN結(jié)上施加反向電壓，可以使PN結(jié)的耗盡層的寬度變大，使得肖特基ニ極管的反向勢壘變厚，從而提高了反向擊穿電壓，同時還可以有效的降低反向漏電流。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)的肖特基ニ極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明一實施例的肖特基ニ極管的剖面圖；圖3為本發(fā)明一實施例的肖特基ニ極管制造方法的流程圖；圖Γ圖8本發(fā)明ー實施例的肖特基ニ極管制造方法中各步驟的器件剖面示意圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖來進(jìn)一歩做詳細(xì)說明。本發(fā)明的核心思想是在現(xiàn)有肖特基ニ極管的金屬-半導(dǎo)體勢壘結(jié)以外増加了 PN·結(jié)，在増加的PN結(jié)上施加不同的電壓，可以控制PN結(jié)耗盡層的寬度。在反向吋，通過對增加的PN結(jié)上施加反向電壓，可以使PN結(jié)的耗盡層的寬度變大，使的肖特基ニ極管的反向勢壘變厚，從而提高了反向擊穿電壓，并可以有效降低靜電擊穿的發(fā)生。同時增加的PN結(jié)良好的熱穩(wěn)定性也提高了本發(fā)明中的肖特基ニ極管的熱穩(wěn)定性，從而可以有效的降低反向漏電流。圖2為本發(fā)明的一實施例肖特基ニ極管的剖面圖。如圖2所示，所述肖特基ニ極管200包括摻雜襯底201、第一摻雜區(qū)域203、第二摻雜區(qū)域207、介質(zhì)層(包括第一介質(zhì)層204和第二介質(zhì)層205)、至少兩個以上的第一凹槽206、至少一個以上的第二凹槽208、第一金屬電極209以及第二金屬電極210。所述第一摻雜區(qū)域203形成于所述摻雜襯底201內(nèi)，所述第一摻雜區(qū)域203的摻雜類型與所述摻雜襯底201的類型相反；所述第二摻雜區(qū)域207形成于所述第一摻雜區(qū)域203內(nèi)，所述第二摻雜區(qū)域203的摻雜類型也與所述摻雜襯底201的類型相反，并且，所述第ニ摻雜區(qū)域207的摻雜濃度高于所述第一摻雜區(qū)域203的摻雜濃度。所述第一介質(zhì)層204形成于所述摻雜襯底201上，所述第二介質(zhì)層205形成于所述第一介質(zhì)層204上。所述第一介質(zhì)層204例如為硅的氧化物，在本實施例中，作為第一介質(zhì)層204的硅的氧化物采用加熱四こ基正硅酸鹽的方法形成，上述方法可以有效提高硅的氧化物的沉積速度，而且上述方法的使用場合比傳統(tǒng)的高溫氧化硅的方法更廣泛。所述第一介質(zhì)層204的厚度范圍優(yōu)選為IKん、3KA。所述第二介質(zhì)層205為摻有磷雜質(zhì)的硅的氧化物或者摻有磷和硼雜質(zhì)的硅的氧化物，所述第二介質(zhì)層205的厚度范圍優(yōu)選為3 K 5 K人。所述第一凹槽206貫穿所述第一介質(zhì)層204、第二介質(zhì)層205。所述第二凹槽208貫穿所述第一介質(zhì)層204和第二介質(zhì)層205 ;所述第一金屬電極209形成于所述第一凹槽206中，所述第二金屬電極210形成于所述第二凹槽208內(nèi)中。為了保證所述第一金屬電極209與第二摻雜區(qū)域207的充分接觸，第一凹槽206可以適當(dāng)延伸進(jìn)入第二摻雜區(qū)域207。本實施例中，所述第一凹槽206貫穿所述第一介質(zhì)層204、第二介質(zhì)層205和第二摻雜區(qū)域207，即，所述第一凹槽206的深度延伸至第二摻雜區(qū)域207中，所述第一凹槽206形成于第ニ摻雜區(qū)域207內(nèi)的深度范圍為2KA 3K.A。為圖示方便，圖2中僅示出了兩個第一金屬電極209和ー個第二金屬電極210。所述第一金屬電極209為鈦或者鉬,所述第一金屬電極209的厚度范圍為4KA 8KA;所述第二金屬電極210為鈦或者鉬，所述第二金屬電極210的厚度范圍為6ΚA I IicA。圖3為本發(fā)明一種肖特基ニ極管制造方法的流程圖。如圖3所示，本發(fā)明的肖特基ニ極管的制造方法包括以下步驟SlOl :提供一摻雜襯底；S102:進(jìn)行第一次離子注入，在所述襯底上形成第一摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；
S103 :在所述摻雜襯底上形成介質(zhì)層；S104 :形成貫穿所述介質(zhì)層的第一凹槽；S105:進(jìn)行第二次離子注入，在所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)形成第二摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；S106 :形成貫穿所述介質(zhì)層的第二凹槽；S107 :在所述第一凹槽和第二凹槽內(nèi)沉積金屬，形成第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極與第二摻雜區(qū)域相接觸，所述第二金屬電極位于所述第一金屬電極的ー側(cè)。下面結(jié)合附圖4-圖8對本發(fā)明的肖特基ニ極管制造方法的各步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，如圖4所示，提供一摻雜襯底201，在所述摻雜襯底201上形成圖形化的掩膜層202，接著以圖形化的掩膜層202為掩膜，對所述摻雜襯底201進(jìn)行第一次離子注入，以在所述摻雜襯底上201中形成與摻雜襯底201相反類型的第一摻雜區(qū)域203，所述第一摻雜區(qū)域203與摻雜襯底201構(gòu)成了 PN結(jié)。在本實施例中，摻雜襯底201為N型摻雜，第一次離子注入的摻雜離子為硼，注入劑量范圍為1Ε12 1Ε14，注入能量范圍為IOOKev 300Kev。在本實施例中，圖形化的掩膜層202作為離子注入的掩膜層，圖形化的掩膜層202為圖形化的光阻層。可知，通過調(diào)整圖形化的掩膜層202的開ロ的尺寸D1，即可調(diào)整第一摻雜區(qū)域203的橫向尺寸，在此并不限定。隨后，刻蝕去除圖形化的掩膜層202。接著，如圖5所示，采用CVDエ藝在所述摻雜襯底201上沉積形成第一介質(zhì)層204，并采用CVDエ藝在所述第一介質(zhì)層204上沉積形成第二介質(zhì)層205。所述第二介質(zhì)層205主要用來阻隔半導(dǎo)體エ藝制程中后段金屬エ藝中金屬離子向相關(guān)器件擴(kuò)散，所述第二介質(zhì)層205通常采用摻磷(P)雜質(zhì)的硅的氧化物，為了改善第二介質(zhì)層205的形貌，也可以在第ニ介質(zhì)層205中增加硼(B)雜質(zhì)。所述第一介質(zhì)層204主要用來阻隔第二介質(zhì)層205中磷硼雜質(zhì)離子向摻雜襯底201以及其他摻雜區(qū)域的擴(kuò)散。在本實施例中，第一介質(zhì)層204為硅的氧化物。為了更好的保證第二介質(zhì)層205的形貌，優(yōu)選的，第二介質(zhì)層205的厚度要大于第一介質(zhì)層204的厚度，例如，第一介質(zhì)層204的厚度范圍為IK人 3K人,第二介質(zhì)層205的厚度范圍為3 K A 5 K人,,接著，如圖6所示，通過光刻和刻蝕エ藝，形成貫穿所述第一介質(zhì)層204、第二介質(zhì)層205的至少兩個以上的第一凹槽206。較佳的，為保證第一凹槽206接觸第一摻雜區(qū)域203的表面，可以適度過刻蝕，在本實施例中，采用了過刻蝕方法使得所述第一凹槽206延伸至部分厚度的第一摻雜區(qū)域203中。所述第一凹槽206形成于第一摻雜區(qū)域203部分的深度Hl的范圍為2KA-.-3KA。第一凹槽206的寬度D2范圍為O. 3μπΓθ.4μπι。應(yīng)當(dāng)理解的是，在其他實施例中，第一凹槽206也可以不用延伸進(jìn)第一摻雜區(qū)域203內(nèi)，而只要暴露出第一摻雜區(qū)域203也可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的。接著，如圖7所示，以第一介質(zhì)層204和第二介質(zhì)層205為掩膜，對所述襯底201進(jìn)行與摻雜襯底201相反類型第二次離子注入，以在所述第一摻雜區(qū)域203內(nèi)形成第二摻雜區(qū)域207。在本實施例中，摻雜襯底201為N型摻雜，第二次離子注入的摻雜離子為硼。第ニ摻雜區(qū)域207主要是為了和后續(xù)的金屬電極形成歐姆接觸，因此第二摻雜區(qū)域207的離子濃度要求比第一摻雜區(qū)域203的濃度高。第一摻雜區(qū)域203主要用來實現(xiàn)本發(fā)明肖特基ニ極管中用來調(diào)節(jié)耗盡層厚度的PN結(jié)，因此要求第一摻雜區(qū)域203有一定厚度。相對于第ー摻雜區(qū)域203來說，第二摻雜區(qū)域207的離子濃度要更高，厚度則可以比較淺。相對于形成第一摻雜區(qū)域203的第一次離子注入來說，形成第二摻雜區(qū)域207的第二次離子注入的劑量要更高，能量要更低。在本實施例中，第二次離注入的劑量范圍為1Ε1Γ1Ε15，注入的能量范圍為IOKev lOOKev。接著，如圖8所示，通過光刻和刻蝕エ藝，形成貫穿所述第一介質(zhì)層204和第二介質(zhì)層205的第二凹槽208，較佳的，為保證第二凹槽208暴露出摻雜襯底201的表面，也可以適度過刻蝕。
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接著，在所述第一凹槽206和第二凹槽208內(nèi)沉積金屬，形成第一金屬電極209和第二金屬電極210。所述第一金屬電極209和第二金屬電極210為金屬鉬或者鈦,第一金屬電極209與第二摻雜區(qū)域207接觸，并部分進(jìn)入第二摻雜區(qū)域207。至此，形成如圖2所示的肖特基ニ極管。在形成如圖2所示的肖特基ニ極管后，還包可以在上述器件上形成金屬互連層和鈍化層(未圖示)，所述金屬互連層和鈍化層的形成エ藝屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。綜上，本發(fā)明在現(xiàn)有技術(shù)的肖特基ニ極管中，額外增加的半導(dǎo)體PN。通過在PN結(jié)上施加不同的電壓，可以控制PN結(jié)耗盡層的寬度。本發(fā)明的肖特基ニ極管在反向時，通過對增加的PN結(jié)上施加反向電壓，可以使PN結(jié)的耗盡層的寬度變大，使的肖特基ニ極管的反向勢壘變厚，從而提高了反向擊穿電壓，并可以有效降低靜電擊穿的發(fā)生。同時增加的PN結(jié)良好的熱穩(wěn)定性也提高了本發(fā)明中的肖特基ニ極管的熱穩(wěn)定性，從而可以有效的降低反向漏電流。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種肖特基_■極管，包括 摻雜襯底； 第一摻雜區(qū)域，形成于所述摻雜襯底內(nèi)，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反； 第二摻雜區(qū)域，形成于所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反； 介質(zhì)層，形成于所述摻雜襯底上； 至少兩個以上的第一凹槽和至少ー個以上的第二凹槽，貫穿所述介質(zhì)層； 第一金屬電極，形成于所述第一凹槽內(nèi)，并與第二摻雜區(qū)域相接觸；以及 第二金屬電極，形成于所述第二凹槽內(nèi)，位于所述第一金屬電極的ー側(cè)。
2.如權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度。
3.如權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層以及形成于所述第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層。
4.如權(quán)利要求3所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為硅的氧化物，所述第一介質(zhì)層的厚度范圍IKA 3KA。
5.如權(quán)利要求4所述的肖特基ニ極管，其特征在干，所述硅的氧化物采用加熱四こ基正硅酸鹽的方法形成。
6.如權(quán)利要求3所述的肖特基ニ極管，其特征在干，所述第二介質(zhì)層為摻有磷雜質(zhì)的硅的氧化物或者摻有磷和硼雜質(zhì)的硅的氧化物，所述第二介質(zhì)層的厚度范圍3KA 5KA。
7.如權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述第一金屬電極為鈦或者鉬，所述第一金屬電極的厚度范圍為IOOA IIC人。
8.如權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述第二金屬電極為鈦或者鉬，所述第二金屬電極的厚度范圍為IOOA IIC人。
9.如權(quán)利要求I所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述第一凹槽還貫穿部分厚度的第二摻雜區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的肖特基ニ極管，其特征在于，所述第一凹槽在所述第二摻雜區(qū)域內(nèi)的深度范圍為2KA 3KA,,
11.一種肖特基_■極管的制造方法，包括 提供一摻雜襯底； 進(jìn)行第一次離子注入，在所述襯底上形成第一摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反； 在所述摻雜襯底上形成介質(zhì)層； 形成貫穿所述介質(zhì)層的第一凹槽； 進(jìn)行第二次離子注入，在所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)形成第二摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反； 形成貫穿所述介質(zhì)層的第二凹槽；以及 在所述第一凹槽和第二凹槽內(nèi)沉積金屬，形成第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極與第二摻雜區(qū)域相接觸，所述第二金屬電極位于所述第一金屬電極的ー側(cè)。
12.如權(quán)利要求11所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度高于所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度。
13.如權(quán)利要求11所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，在所述摻雜襯底上 形成介質(zhì)層的步驟包括 在所述摻雜襯底上形成第一介質(zhì)層；以及 在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層。
14.如權(quán)利要求13所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為硅的氧化物，所述第一介質(zhì)層的厚度范圍i KA 3KA。
15.如權(quán)利要求13所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為摻有磷雜質(zhì)的硅的氧化物或者摻有磷和硼雜質(zhì)的硅的氧化物，所述第ニ介質(zhì)層的厚度范圍3ICA 5 KA。
16.如權(quán)利要求11所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，形成貫穿所述介質(zhì)層的第一凹槽的步驟中，還刻蝕部分厚度的第一摻雜區(qū)域。
17.如權(quán)利要求16所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，所述部分厚度的范圍為2KA 3KA。
18.如權(quán)利要求11所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，所述第一次離子注入的劑量范圍為1E12 1E14，注入能量范圍為IOOKev 300Kev。
19.如權(quán)利要求11所述的肖特基ニ極管的制造方法，其特征在于，所述第二次離子注入的劑量范圍為1E14 1E15，注入能量范圍為IOKev lOOKev。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種肖特基二極管及其制造方法。本發(fā)明的肖特基二極管包括摻雜襯底；第一摻雜區(qū)域，形成于所述摻雜襯底內(nèi)，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；第二摻雜區(qū)域，形成于所述第一摻雜區(qū)域內(nèi)，所述第二摻雜區(qū)域的摻雜類型與所述摻雜襯底的類型相反；介質(zhì)層，形成于所述摻雜襯底上；至少兩個以上的第一凹槽和至少一個以上的第二凹槽，貫穿所述介質(zhì)層；第一金屬電極，形成于所述第一凹槽內(nèi)，并與第二摻雜區(qū)域相接觸；以及第二金屬電極，形成于所述第二凹槽內(nèi)，位于所述第一金屬電極的一側(cè)。本發(fā)明的肖特基二極管，提高了反向擊穿電壓，同時降低了反向漏電流。
文檔編號H01L29/872GK102683431SQ20121019140
公開日2012年9月19日 申請日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月11日
發(fā)明者汪洋 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司