專利名稱：具有支撐體的封裝基板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板，尤指一種具有支撐體的封裝基板及其制法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢，且同時邁向微型化(miniaturization)的發(fā)展。目前用于承載芯片的載板種類中，以導(dǎo)線架(lead frame)作為芯片承載件的半導(dǎo)體封件的型態(tài)及種類繁多，如現(xiàn)有四邊形平面封裝結(jié)構(gòu)(Quad Flat package, QFP)。因此,遂發(fā)展出了一種新的四邊扁平無導(dǎo)腳(Quad FlatNon-leaded, QFN)封裝結(jié)構(gòu)，以縮小封裝結(jié)構(gòu)的尺寸。請參閱圖1A至圖1F，其為現(xiàn)有QFN封裝結(jié)構(gòu)I的制法的剖面示意圖。如圖1A所不,于一載板10上形成銅層11。如圖1B所示，于該銅層11上經(jīng)圖案化微蝕以形成多個電性接觸墊12與置晶墊13。如圖1C所不,于該些電性接觸墊12與置晶墊13上形成表面處理層14,該表面處理層14由鎳層(圖中下層)與金層(圖中上層)所構(gòu)成。如圖1D所示，移除該些電性接觸墊12與置晶墊13周圍多余的銅層11，以形成封裝基板la。如圖1E所示，于該置晶墊13上承載芯片17并借由焊線170電性連接該些電性接觸墊12，再形成封裝膠體18于該載板10上，以包覆該些電性接觸墊12、置晶墊13、芯片17與焊線170。如圖1F所示，移除該載板10，以外露出該些電性接觸墊12的底部與置晶墊13的底部。惟，現(xiàn)有QFN封裝結(jié)構(gòu)I的制法，僅能于該載板10的其中一側(cè)上形成該些電性接觸墊12與置晶墊13，所以一次制程僅能制造出一批封裝基板la，供封裝制程使用，導(dǎo)致生產(chǎn)效率不佳，而難以降低制作成本。另一方面，以封裝基板作為芯片承載件的封裝結(jié)構(gòu)中，該封裝基板可分為硬質(zhì)材與軟質(zhì)材，一般用于球門陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)的封裝基板為多選擇硬質(zhì)材。請參閱圖1A’至圖1E’，其為現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)I’的剖面示意圖。如圖1A所不,首先,提供一具有相對的第一表面13a與第二表面13b的芯層13’，該芯層13’的第一與第二表面13a, 13b上分別具有銅層11a, lib。如圖1B所示，于該芯層13’的第二表面13b上以激光形成多個貫穿孔130，以令該第一表面13a的銅層Ila外露于該些貫穿孔130。如圖1C所示，圖案化該銅層lla，llb，利用導(dǎo)電層10’進(jìn)行電鍍銅材，以于該芯層13’的第一及第二表面13a，13b上分別形成第一及第二線路層12a，12b，且于該些貫穿孔130中形成導(dǎo)電通孔120以電性連接該第一及第二線路層12a，12b，又該第一及第二線路層12a，12b分別具有多個第一及第二電性接觸墊120a，120b。
如圖1D所示，于該芯層13’的第一及第二表面13a，13b上分別形成一絕緣保護(hù)層16，且填滿該導(dǎo)電通孔120。該絕緣保護(hù)層16具有多個開孔160，以令該些第一及第二電性接觸墊120a，120b對應(yīng)外露于各該開孔160，以制成該封裝基板la’。接著，于該些第一及第二電性接觸墊120a，120b的外露表面上形成表面處理層14。如圖1E所示，于該絕緣保護(hù)層16上承載芯片17并借由多個焊線170電性連接該第二電性接觸墊120b，再形成封裝膠體18以包覆該芯片17與焊線170，且于該些第一電性接觸墊120a上植接焊球19，以制成封裝結(jié)構(gòu)I’。為了符合微小化與可靠度的需求，于目前制程技術(shù)中，該芯層13’的厚度可縮小至60um。惟，隨著微小化的需求增加，厚度為60um的芯層13’已無法滿足封裝件的微小化需求，但若使該芯層13’的厚度小于60um，該封裝基板la’的總板厚R將小于130um，導(dǎo)致生產(chǎn)作業(yè)性不佳，例如:該封裝基板la’于各制程作業(yè)站中移動時容易卡板，而不利于生產(chǎn)，又即使能夠生產(chǎn)，在運(yùn)送或封裝時也容易因厚度太薄而彎翹或破裂，導(dǎo)致無法使用或產(chǎn)品不良。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于揭露一種具有支撐體的封裝基板及其制法，可提升生產(chǎn)效率，以降低制作成本。本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板的制法，包括:將兩銅箔基板片以其銅層相互疊置；于該兩銅箔基板片上結(jié)合強(qiáng)化板體以形成支撐結(jié)構(gòu)；于該強(qiáng)化板體上形成多個電性接觸墊；以及沿該兩銅箔基板片的側(cè)邊進(jìn)行切割，令該兩銅箔基板片相互疊置的銅層分開，使該支撐結(jié)構(gòu)分離成兩支撐體，以得到兩具有該支撐體的封裝基板。本發(fā)明還提供一種具有支撐體的封裝基板，包括:銅箔基板片、結(jié)合于該銅箔基板片上以形成支撐體的強(qiáng)化板體、以及形成于該強(qiáng)化板體上的多個電性接觸墊。前述的具有支撐體的封裝基板及其制法中，該第一金屬剝離層以物理方式結(jié)合該第二金屬剝離層。前述的具有支撐體的封裝基板及其制法，可包括于該電性接觸墊上形成表面處理層。前述的具有支撐體的封裝基板及其制法，可包括當(dāng)形成該些電性接觸墊時，一并于該第二金屬剝離層上形成置晶墊?；蛘撸谠摰诙饘賱冸x層與電性接觸墊上形成增層結(jié)構(gòu)，令該增層結(jié)構(gòu)的最外層形成置晶墊。另外，前述的具有支撐體的封裝基板及其制法，于進(jìn)行切割之前，可包括于該第二金屬剝離層上形成第一絕緣保護(hù)層，并于該第一絕緣保護(hù)層上形成有第一開孔，以令該第二金屬剝離層的部分表面外露于該第一開孔；于該第一開孔中的第二金屬剝離層上形成該些電性接觸墊；于該第一絕緣保護(hù)層與該些電性接觸墊上形成增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)具有多個電性連接墊；以及于該增層結(jié)構(gòu)上形成第二絕緣保護(hù)層，并于該第二絕緣保護(hù)層上形成第二開孔，以令該些電性連接墊外露于該第二開孔。還可包括于形成該第二開孔之后，于該第二開孔中的電性連接墊上形成表面處理層。由上可知，本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板及其制法，借由在該兩銅箔基板片上結(jié)合強(qiáng)化板體以形成支撐結(jié)構(gòu)，所以可于該支撐結(jié)構(gòu)兩側(cè)制作該電性接觸墊，以形成兩具有該支撐體的封裝基板，所以一次制程可制造出兩批封裝基板，供封裝制程使用。因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)的產(chǎn)能，本發(fā)明的制法可提升生產(chǎn)效率，以降低制作成本。此外，借由該支撐體的厚度，使該封裝基板的整體厚度可大于或等于130um，所以可避免如現(xiàn)有技術(shù)中的生產(chǎn)作業(yè)性不佳的問題。又，本發(fā)明的封裝基板減去該支撐體的厚度之后，其它結(jié)構(gòu)的總厚度將大幅縮小，所以于后續(xù)封裝制程中，將該支撐體移除后，可大幅降低封裝結(jié)構(gòu)的厚度，以滿足微小化的需求。


圖1A至圖1F為現(xiàn)有QFN封裝結(jié)構(gòu)的制法的剖視示意圖；圖1A’至圖1E’為現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)的制法的剖視示意圖；圖2A至圖2D為本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板的制法的第一實施例的剖視示意圖；其中，圖2C’至圖2D’為圖2C至圖2D的另一例，圖2C”為圖2C’的另一實施例；圖3A至圖3D為應(yīng)用本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板的第一實施例之后續(xù)制法的剖視示意圖；以及圖4為應(yīng)用本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板之后續(xù)制法的第一實施例的另一例的剖視示意圖。 圖5A至圖為本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板的制法的第二實施例的剖視示意圖；以及圖6A至圖6B為應(yīng)用本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板的第二實施例之后續(xù)制法的剖視示意圖。主要組件符號說明1，1，3，3’，3” 封裝結(jié)構(gòu)la，la’，2，2’，2” 封裝基板10載板10’導(dǎo)電層11，11a，11b，201，202 銅層12，22，22’電性接觸墊12a第一線路層12b第二線路層120導(dǎo)電通孔120a第一電性接觸墊120b第二電性接觸墊13，23，23，，253晶墊13’芯層13a第一表面13b第二表面130貫穿孔
14，24表面處理層16絕緣保護(hù)層160開孔17，27芯片170,270焊線18，28封裝膠體2a封裝單元2b支撐結(jié)構(gòu)2c支撐體20銅箔基板片200絕緣層21強(qiáng)化板體210介電層211第一金屬剝離層212第二金 屬剝離層25增層結(jié)構(gòu)250增層介電層251線路層252導(dǎo)電盲孔254電性連接墊26a第一絕緣保護(hù)層260a第一開孔26b第二絕緣保護(hù)層260b第二開孔29焊球L, S切割線。
具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“側(cè)邊”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。請參閱圖2A至圖2D，其為本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2的制法的第一實施例的剖視示意圖。
如圖2A所示，首先,提供兩銅箔基板片(Copper clad laminate, CCL) 20與兩強(qiáng)化板體21，各該銅箔基板片20具有絕緣層200及設(shè)于該絕緣層200相對兩側(cè)的銅層201，202，該兩銅箔基板片20以其中一銅層201相互疊置，且各該強(qiáng)化板體21具有介電層210、設(shè)于該介電層210上的第一金屬剝離層211、及設(shè)于該第一金屬剝離層211上的第二金屬剝罔層212。接著，于該兩銅箔基板片20上分別壓合該強(qiáng)化板體21的介電層210，令該兩介電層210合為一體以包覆該兩銅箔基板片20，而固定該兩銅箔基板片20，以形成支撐結(jié)構(gòu)2b。于本實施例中，該絕緣層200的材質(zhì)可例如為雙順丁烯二酸醢亞胺/三氮阱(Bismaleimide triazine,簡稱BT)。然而,有關(guān)銅箔基板片20的種類繁多，且為業(yè)界所熟知，所以不再贅述。此外，該介電層210的材質(zhì)可例如為預(yù)浸材(prepreg,簡稱PP),且該介電層210的厚度可例如為100 μ m,而該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212為銅材,并且兩者的厚度可為18 μ m及3 μ m。又，該第一金屬剝離層211以物理方式結(jié)合該第二金屬剝離層212，且該物理方式為卡合、靜電、吸附、或粘著物等，也即該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212之間并無需借蝕刻分離。如圖2B所示，經(jīng)圖案化制程，于該第二金屬剝離層212上形成多個電性接觸墊22與置晶墊23。然而，有關(guān)圖案化制程的方法繁多，如蝕刻、電鍍等，且為業(yè)界所熟知，所以不再贅述。如圖2C所示，于該些電性接觸墊22上形成表面處理層24。于本實施例中，形成該表面處理層24的材質(zhì)為鎳/金(Ni/Au)、鎳鈀金(Ni/Pd/Au)或金等選擇，且其形成方式可為化鍍或電鍍等方式，若以化鍍方式形成，則該表面處理層24的材質(zhì)為化鎳/金(Ni/Au)、化鎮(zhèn) IE 金(Electroless Nicke 1/Electro I ess Palladium/Immersion Gold, ENEPIG)或直接浸金(Direct Immersion Gold,DIG)?；蛘?并用化鍍與電鍍方式，即以該第二金屬剝離層212為導(dǎo)電途徑，形成例如電鍍鎳/化鍍鈀/電鍍金的該表面處理層24。如圖2C’及圖2C”所示，也可先不形成置晶墊23，而先于該第二金屬剝離層212與電性接觸墊22上形成增層結(jié)構(gòu)25，再形成該表面處理層24。其中，該增層結(jié)構(gòu)25包含至少一增層介電層250、設(shè)于各該增層介電層250上的線路層251、及設(shè)于各該增層介電層250中的導(dǎo)電盲孔252，該導(dǎo)電盲孔252電性連接該線路層251與電性接觸墊22，且最外層的線路層251具有置晶墊253與多個電性連接墊254，以于該些電性連接墊254上形成表面處理層24。此外，該增層結(jié)構(gòu)25可為一層(如圖2C’所示)或多層(如圖2C”所示的三層)。又，本發(fā)明封裝基板用于QFN封裝結(jié)構(gòu)中，所以不需于圖2C的第二金屬剝離層212、或圖2C’與圖2C”的增層結(jié)構(gòu)25上形成絕緣保護(hù)層。如圖2D及圖2D’所示，沿該兩銅箔基板片20的側(cè)邊進(jìn)行切割，如圖2C及圖2C’所示的切割線L，令該兩銅箔基板片20相互疊置的銅層201自動分開，使該支撐結(jié)構(gòu)2b分離成兩支撐體2c，以分離出上、下側(cè)的具有該支撐體2c的封裝基板2,2，。本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2，2’的制法，主要借由在該兩銅箔基板片20上結(jié)合強(qiáng)化板體21以形成支撐結(jié)構(gòu)2b，所以可于該支撐結(jié)構(gòu)2b上、下兩側(cè)同時制作該置晶墊23與電性接觸墊22，再將該支撐結(jié)構(gòu)2b分離成兩支撐體2c，以形成兩具有該支撐體2c的封裝基板2,2，。因此，一次制程可制造出兩批封裝基板2,2，,供后續(xù)封裝制程使用。請參閱圖3A至圖3D，其為應(yīng)用本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2之后續(xù)封裝制程的剖視示意圖。于本實施例中，是以第2D圖的封裝基板2進(jìn)行封裝，該封裝基板2具有多個封裝單元2a，如圖3C所示。如圖3A所示，接續(xù)圖2D的制程，進(jìn)行封裝制程，于該置晶墊23上設(shè)置芯片27，且令該些電性接觸墊22借由焊線270電性連接該芯片27 ;接著，于該支撐體2c的強(qiáng)化板體21上形成封裝膠體28，以包覆該電性接觸墊22、置晶墊23、芯片27與焊線270。如圖3B所示，分離該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212，以移除該銅箔基板片20、該介電層210與第一金屬剝離層211,而外露出該第二金屬剝離層212。于本實施例中，因該第一金屬剝離層211以物理方式結(jié)合該第二金屬剝離層212，所以分離該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212時，僅需以如剝離的物理方式進(jìn)行分離。如圖3C所示，借由蝕刻方式移除該第二金屬剝離層212，且一并微蝕刻該些電性接觸墊22的部分底部與置晶墊23的部分底部，以外露出該些電性接觸墊22’底部與置晶墊23’底部。如圖3D所示，沿各該封裝單元2a進(jìn)行切割，如圖3C所示的切割線S，以取得多個封裝結(jié)構(gòu)3，且于該電性接觸墊22’底部上結(jié)合焊球29。請參閱圖4，其為應(yīng)用本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2’之后續(xù)封裝制程的剖視示意圖。于本實施例中，是以圖2D’的封裝基板2’進(jìn)行封裝，且封裝制程的詳細(xì)步驟可參考圖3A至圖3D。如圖4所示，于該增層結(jié)構(gòu)25的置晶墊253上設(shè)置芯片27，且令該些電性連接墊254借由焊線270電性連接該芯片27 ;接著，形成封裝膠體28，以包覆該電性連接墊254、置晶墊253、芯片27與焊線270。最后，移除該銅箔基板片20與強(qiáng)化板體21，再進(jìn)行切割與植設(shè)焊球29，以取得多個封裝結(jié)構(gòu)3’。請參閱圖5A至圖其為本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2”的制法的第二實施例的剖視示意圖。本實施例與第一實施例的差異在于增設(shè)絕緣保護(hù)層，其它相關(guān)制程均大致相同，所以不再贅述。如圖5A所示，于該第二金屬剝離層212上形成一第一絕緣保護(hù)層26a，并借由激光或微影蝕刻的方式于該第一絕緣保護(hù)層26a中形成有多個第一開孔260a,且令該第二金屬剝離層212的部分表面外露于該些第一開孔260a。接著，借由該第一絕緣保護(hù)層26a作為圖案化阻層，并以該第二金屬剝離層212為導(dǎo)電途徑，于該第一開孔260a中的第二金屬剝離層212上電鍍形成多個電性接觸墊22。如圖5B所示，于該第一絕緣保護(hù)層26a與該些電性接觸墊22上形成增層結(jié)構(gòu)25。該增層結(jié)構(gòu)25包含至少一增層介電層250、設(shè)于各該增層介電層250上的線路層251、及設(shè)于各該增層介電層250中的導(dǎo)電盲孔252，該導(dǎo)電盲孔252電性連接該線路層251與電性接觸墊22，且最外層的線路層251具有多個電性連接墊254。
于本實施例中，該增層介電層250可作為芯層，且有關(guān)線路制程的種類繁多，并無特別限制，所以不詳述。如圖5C所示，于該增層結(jié)構(gòu)25上形成一第二絕緣保護(hù)層26b，該第二絕緣保護(hù)層26b具有多個第二開孔260b，以令該些電性連接墊254對應(yīng)外露于各該第二開孔260b。接著，于該第二開孔260b中的電性連接墊254上形成表面處理層24。如圖所示，沿該兩銅箔基板片20的側(cè)邊進(jìn)行切割，如圖5C所示的切割線L，令該兩銅箔基板片20相互疊置的銅層201自動分開，使該支撐結(jié)構(gòu)2b分離成兩支撐體2c，以于上、下側(cè)分離出具有該支撐體2c的封裝基板2”。本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2”的制法，借由該支撐體2c的厚度，使該封裝基板2”的整體厚度可大于或等于130um，以避免如現(xiàn)有技術(shù)中的生產(chǎn)作業(yè)性不佳的種種問題。此外，于該第二金屬剝離層212上先形成第一絕緣保護(hù)層26a，再形成電性接觸墊22，使該封裝基板2”的相對的兩側(cè)均具有絕緣保護(hù)層(第一與第二絕緣保護(hù)層26a，26b)。又，于后續(xù)進(jìn)行封裝制程之前，該封裝基板2”借由銅箔基板片20與強(qiáng)化板體21，以提升整體封裝基板2”的強(qiáng)度，所以于運(yùn)送時不會破裂。請參閱圖6A至圖6B，其為應(yīng)用本發(fā)明的具有支撐體2c的封裝基板2”之后續(xù)封裝制程的剖視示意圖。如圖6A所示，接續(xù)圖的制程而進(jìn)行封裝制程，于該第二絕緣保護(hù)層26b上設(shè)置芯片27，且令該些電性連接墊254借由焊線270電性連接該芯片27 ;接著，于該第二絕緣保護(hù)層26b上形成封裝膠體28，以包覆該芯片27與焊線270。接著，分離該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212，以移除該銅箔基板片20、該介電層210與第一金屬剝離層211,而外露出該第二金屬剝離層212。于本實施例中，因該第一金屬剝離層211以物理方式結(jié)合該第二金屬剝離層212，所以分離該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212時，僅需以如剝離的物理方式進(jìn)行分離。如圖6B所示，借由蝕刻方式移除該第二金屬剝離層212，且一并微蝕刻該些電性接觸墊22的部分底部，以外露出該第一絕緣保護(hù)層26a與該些電性接觸墊22’底部。接著，進(jìn)行切割制程，以取得多個封裝結(jié)構(gòu)3”，且于該電性接觸墊22’上結(jié)合焊球29。本實施例的封裝基板2”減去該支撐體2c的厚度之后，其它結(jié)構(gòu)的總厚度(含增層介電層250、第一絕緣保護(hù)層26a、第二絕緣保護(hù)層26b)小于60um，所以于封裝制程中，移除支撐體2c (該銅箔基板片20與該強(qiáng)化板體21)之后，可大幅降低封裝結(jié)構(gòu)3”的厚度，以滿足微小化的需求。此外，該封裝基板2”借由支撐體2c，以提升整體封裝基板2”的強(qiáng)度，所以于進(jìn)行封裝制程時不會破裂。又，借由于該第二金屬剝離層212上形成第一絕緣保護(hù)層26a，以當(dāng)移除該第二金屬剝離層212后，該封裝基板2”成為對稱結(jié)構(gòu)，以避免該封裝基板2”發(fā)生翹曲(warpage)，且可借由該第一絕緣保護(hù)層26a的保護(hù)，以避免該電性接觸墊22’的表面刮傷。本發(fā)明還提供一種具有支撐體2c的封裝基板2，包括:于相對兩側(cè)具有銅層201，202的銅箔基板片20、設(shè)于該銅箔基板片20的其中一銅層202上的強(qiáng)化板體21、以及形成于該強(qiáng)化板體21上的多個電性接觸墊22。所述的支撐體2c包含該銅箔基板片20與該強(qiáng)化板體21。所述的銅箔基板片20還包含絕緣層200，且該銅層201，202設(shè)于該絕緣層200相對兩側(cè)。然而，銅箔基板片的種類繁多，并無特別限制。所述的強(qiáng)化板體21具有結(jié)合該銅層202的介電層210、設(shè)于該介電層210上的第一金屬剝離層211、及設(shè)于該第一金屬剝離層211上的第二金屬剝離層212 ;于本實施例中，該第一金屬剝離層211以物理方式結(jié)合該第二金屬剝離層212。所述的電性接觸墊22設(shè)于該第二金屬剝離層212上，且于該些電性接觸墊22上形成有表面處理層24。所述的封裝基板2還包括設(shè)于該第二金屬剝離層212上的置晶墊23。于其中一實施例中，該封裝基板2’也可包括形成于該第二金屬剝離層212與電性接觸墊22上的增層結(jié)構(gòu)25。所述的增層結(jié)構(gòu)25包含至少一增層介電層250、設(shè)于各該增層介電層250上的線路層251、及設(shè)于各該增層介電層250中的導(dǎo)電盲孔252，該導(dǎo)電盲孔252電性連接該線路層251與電性接觸墊22，且最外層的線路層251具有置晶墊253與多個電性連接墊254，且于該些電性連接墊254上形成有表面處理層24。于另一實施例中，該封裝基板2”也包括形成于該第二金屬剝離層212上的第一絕緣保護(hù)層26a以及設(shè)于該增層結(jié)構(gòu)25上的第二絕緣保護(hù)層26b。所述的第一絕緣保護(hù)層26a形成有多個第一開孔260a，以令該些電性接觸墊22對應(yīng)設(shè)于該些第一開孔260a中，且該增層結(jié)構(gòu)25設(shè)于該第一絕緣保護(hù)層26a與電性接觸墊22上。所述的第二絕緣保護(hù)層26b具有多個第二開孔260b，以令該些電性連接墊254對應(yīng)外露于各該第二開孔260b,以供表面處理層24形成于該電性連接墊254上。綜上所述，本發(fā)明的具有支撐體的封裝基板及其制法，主要借由在該支撐結(jié)構(gòu)上、下兩側(cè)制作該電性接觸墊，再將該支撐結(jié)構(gòu)分離成兩支撐體，以形成兩具有該支撐體的封裝基板，所以一次制程可制造出兩批封裝基板，以提升生產(chǎn)效率，而有效降低制作成本；也可使該封裝基板的整體厚度符合生產(chǎn)作業(yè)的需求，所以可避免生產(chǎn)作業(yè)性不佳的問題。此外，當(dāng)于封裝制程中移除該支撐體之后，該封裝基板的剩余結(jié)構(gòu)的總厚度大幅降低，因而降低封裝結(jié)構(gòu)的厚度，以滿足微小化的需求。又，于進(jìn)行封裝制程時，具有該支撐體的封裝基板的強(qiáng)度夠強(qiáng)，所以于運(yùn)送時不會破裂與進(jìn)行封裝制程時，該封裝基板均不會破裂。另外，借由該第一及第二絕緣保護(hù)層的設(shè)計，使該封裝基板成為對稱結(jié)構(gòu)，以避免封裝基板發(fā)生翹曲，且可避免該電性接觸墊與電性連接墊的表面刮傷。上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種具有支撐體的封裝基板，包括: 銅箔基板片，其包含絕緣層及設(shè)于該絕緣層相對兩側(cè)的銅層； 強(qiáng)化板體，結(jié)合于該銅箔基板片的其中一銅層上以由該強(qiáng)化板體與該銅箔基板片形成該支撐體，該強(qiáng)化板體具有依序設(shè)于該其中一銅層上的介電層、第一金屬剝離層、及第二金屬剝離層；以及 電性接觸墊，其形成于該第二金屬剝離層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有支撐體的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括形成于該電性接觸墊上的表面處理層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有支撐體的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括形成于該第二金屬剝離層上的置晶墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有支撐體的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括形成于該第二金屬剝離層與電性接觸墊上的增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)包含至少一增層介電層、設(shè)于各該增層介電層上的線路層、及設(shè)于各該增層介電層中的導(dǎo)電盲孔，該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與該電性接觸墊，且最外層的線路層具有置晶墊與多個電性連接墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有支撐體的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括: 第一絕緣保護(hù)層，其形成于該第二金屬剝離層上，并形成有第一開孔，以令該電性接觸墊設(shè)于該第一開孔中； 增層結(jié)構(gòu)，其形成于該第一絕緣保護(hù)層與電性接觸墊上，該增層結(jié)構(gòu)包含至少一增層介電層、設(shè)于各該增層介電層上的線路層、及設(shè)于各該增層介電層中的導(dǎo)電盲孔，該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與該電性接觸墊，且最外層的線路層具有多個電性連接墊；以及 第二絕緣保護(hù)層，其形成于該增層結(jié)構(gòu)上，且形成有第二開孔，以令該些電性連接墊外露于該第二開孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有支撐體的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括形成于該電性連接墊上的表面處理層。
7.一種具有支撐體的封裝基板的制法，包括: 提供兩銅箔基板片，各該銅箔基板片具有絕緣層及設(shè)于該絕緣層相對兩側(cè)的銅層，且該兩銅箔基板片以其銅層相互疊置； 于該兩銅箔基板片上結(jié)合強(qiáng)化板體以形成支撐結(jié)構(gòu)，該強(qiáng)化板體具有包覆該兩銅箔基板片以固定該兩銅箔基板片的介電層、設(shè)于該介電層上的第一金屬剝離層、及設(shè)于該第一金屬剝離層上的第二金屬剝離層； 于該第二金屬剝離層上形成多個電性接觸墊；以及 沿該兩銅箔基板片的側(cè)邊進(jìn)行切割，令該兩銅箔基板片相互疊置的銅層分開，使該支撐結(jié)構(gòu)分離成兩支撐體，以得到兩具有該支撐體的封裝基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有支撐體的封裝基板的制法，其特征在于，該第一金屬剝離層以物理方式結(jié)合該第二金屬剝離層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有支撐體的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該封裝基板具有多個封裝單元，以用于切單制程。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有支撐體的封裝基板的制法，其特征在于，該封裝基板還包括于該些電性接觸墊上形成表面處理層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有支撐體的封裝基板的制法，其特征在于，該封裝基板還包括當(dāng)形成該些電性接觸墊時，一并于該第二金屬剝離層上形成置晶墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有支撐體的封裝基板的制法，其特征在于，該封裝基板還包括進(jìn)行切割前，先于該第二金屬剝離層與電性接觸墊上形成增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)包含至少一增層介電層、設(shè)于各該增層介電層上的線路層、及設(shè)于各該增層介電層中的導(dǎo)電盲孔，該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與該電性接觸墊，且最外層的線路層具有置晶墊與多個電性連接墊。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有支撐體的封裝基板的制法，其特征在于，于進(jìn)行切割之前，還包括: 于該第二金屬剝離層上形成第一絕緣保護(hù)層，并于該第一絕緣保護(hù)層上形成有第一開孔，以令該第二金屬剝離層的部分表面外露于該第一開孔； 于該第一開孔中的第二金屬剝離層上形成該些電性接觸墊； 于該第一絕緣保護(hù)層與該些電性接觸墊上形成增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)包含至少一增層介電層、設(shè)于各該增層介電層上的線路層、及設(shè)于各該增層介電層中的導(dǎo)電盲孔，該導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層與該電性接觸墊，且最外層的線路層具有多個電性連接墊；以及 于該增層結(jié)構(gòu)上形成第二絕緣保護(hù)層，并于該第二絕緣保護(hù)層上形成第二開孔，以令該些電性連接墊外露于該第二開孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有支撐體的封裝基板的制法，其特征在于，該制法包括于形成該第二開孔之后，于該第二開孔中的電性連接墊上形成表面處理層。
全文摘要
一種具有支撐體的封裝基板及其制法，該制法通過于一支撐結(jié)構(gòu)的相對兩側(cè)形成多個電性接觸墊，再將該支撐結(jié)構(gòu)分離成兩支撐體，以形成兩具有該支撐體的封裝基板，使一次制程可制造出兩批封裝基板供后續(xù)封裝制程使用，所以可提升生產(chǎn)效率，以降低制作成本。
文檔編號H01L23/14GK103137568SQ201210127399
公開日2013年6月5日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者沈子杰, 黃文興, 范巧蕾 申請人:欣興電子股份有限公司