專利名稱：硅基微顯示器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，涉及一種硅基微顯示器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示(Organic Light Emitting Display, OLED)由于其自發(fā)光、寬視角和響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)而被譽(yù)為繼陰極射線管和液晶顯示之后的第三代顯示技術(shù)。主動(dòng)驅(qū)動(dòng)的OLED顯示技術(shù)(Active Matrix OLED,AM0LED)可實(shí)現(xiàn)高分辨、高對(duì)比度、高顯色度、等高品質(zhì)顯示，成為當(dāng)前OLED顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)技術(shù)，其中，硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器可采用相對(duì)成熟的集成電路半導(dǎo)體工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)面板的制備，有著很好的應(yīng)用前景，因此成為當(dāng)前AMOLED領(lǐng)域中最為活躍的研發(fā)產(chǎn)品之一。中國(guó)專利100496175C報(bào)道了硅基有機(jī)發(fā)光微顯示的金屬陽(yáng)極及陰極隔離柱的制備方法，該方法采用了兩次光刻工藝，過(guò)程繁瑣，并且金屬陽(yáng)極圖案化采用的是濕法刻蝕工藝，較難獲得高精度圖案；中國(guó)專利101393891A報(bào)道了一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器件表面銀電極的制備方法，該方法采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)制備像素電極，但是CMP時(shí)需要把精度控制在微米量級(jí)，因此實(shí)際工藝難度較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)已有技術(shù)的缺陷，提供一種娃基微顯不器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，本方法以全干法工藝實(shí)現(xiàn)像素電極圖案化，避免了 CMOS集成電路半導(dǎo)體工藝返回時(shí)帶來(lái)的污染問(wèn)題和精度問(wèn)題；并通過(guò)絕緣層的厚度控制，使得OLED制備無(wú)需增加掩膜板，達(dá)到簡(jiǎn)化工藝、提高良率的目的。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種硅基微顯示器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，其特征在于具體制備工藝步驟如下
(1)在平坦化的硅基襯底上制備絕緣層；
(2)對(duì)所述絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，露出像素區(qū)，同時(shí)刻蝕后的絕緣層截面為倒梯形截
面；
(3)在步驟(2)所制備的硅襯底上制備具有光反射特性的像素電極，所述像素電極的厚度低于絕緣層厚度，從而使得像素與非像素區(qū)域被互相隔開(kāi)；
(4)蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光層，其厚度高于非發(fā)光區(qū)的邊緣高度；
(5)制備OLED的半透明或透明陰極共電極。所述步驟(I)和步驟(2)中的絕緣層為SiO2和Si3N4復(fù)合絕緣層，該復(fù)合絕緣層的制備方法為，首先制備SiO2層，厚度為500A至2500A，然后再制備Si3N4層，厚度為500 A至2500 A0所述步驟(3)中的像素電極為金屬材質(zhì)或金屬與具有空穴注入能力的高功函數(shù)無(wú)機(jī)半導(dǎo)體電極ITO形成的復(fù)合材質(zhì)，電極厚度500A-1500 A，并且必須低于絕緣層厚度。
所述步驟(4)中的有機(jī)發(fā)光層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電極注入層。所述步驟(5)中的半透明陰極共電極的材質(zhì)為銀或鋁/銀復(fù)合材料，厚度為150A至250A，所述步驟(5)中的透明陰極共電極的材質(zhì)為IT0，厚度為200A至1500A。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見(jiàn)的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步
本發(fā)明采用全干法刻蝕エ藝實(shí)現(xiàn)像素電極，可避免返回集成電路半導(dǎo)體エ藝時(shí)帶來(lái)的污染問(wèn)題和精度問(wèn)題；采用控制無(wú)機(jī)絕緣層厚度的方法達(dá)到OLED像素電極之間互相隔離的目的，提聞廣品良率。


圖Iー圖5為本發(fā)明方法的エ藝操作流程中產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。實(shí)施例一
參見(jiàn)圖Iー圖5，本硅基微顯示器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，其具體制備エ藝步驟如下
第一歩在平坦化的硅基襯底上制備絕緣層；
第二步對(duì)所述絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，露出像素區(qū)，同時(shí)刻蝕后的絕緣層截面為倒梯形截面；
第三歩在第二步所制備的硅襯底上制備具有光反射特性的像素電極，所述像素電極的厚度低于絕緣層厚度，從而使得像素與非像素區(qū)域被互相隔開(kāi)；
第四步蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光層，其厚度高于非發(fā)光區(qū)的邊緣高度；
第五步制備OLED的半透明或透明陰極共電極。實(shí)施例ニ
參見(jiàn)圖Iー圖5，本硅基微顯示器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，其具體制備エ藝步驟如下
第一歩，在平坦化的硅基襯底上制備絕緣層如圖I所示，在平坦化的硅基片上制備絕緣層103，厚度為1000A至5000A。絕緣層103覆蓋硅基片上的像素電極圖案101和像素電極隔離絕緣層102。第二步，對(duì)絕緣層進(jìn)行干法刻蝕如圖2所示，利用干法刻蝕絕緣層103露出像素區(qū)，刻蝕后的絕緣層截面為倒梯形截面；
第三步，在第二步所制備的硅襯底上制備具有光反射特性的像素電極如圖3所示，像素電極104為金屬材質(zhì)(包含但不僅限于鋁、銀、金、鑰等)或金屬與具有空穴注入能力的高功函數(shù)無(wú)機(jī)半導(dǎo)體電極(ITO)形成的復(fù)合材質(zhì)，其厚度低于絕緣層103厚度，一般為1000A左右。由于絕緣層103的倒梯形截面，像素電極104在像素區(qū)與非像素區(qū)之間自動(dòng)隔開(kāi)；第四步，蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光層如圖4所示，在第三步制備完成的基片上蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光層105,包括依次蒸發(fā)的空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電極注入層，其有機(jī)發(fā)光層105的總厚度應(yīng)高于像素電極104和絕緣層103在像素電極隔離絕緣層102部位的高度，避免陰極共電極和像素電極發(fā)生短路；
第五步，制備OLED的半透明或透明陰極共電極如圖5所示，制備透明或半透明的共電極106，作為OLED的陰極。所述半透明陰極共電極的材質(zhì)為銀或鋁/銀復(fù)合材料，厚度為150A至250A ;所述透明陰極共電極的材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為200A至1500A。
權(quán)利要求
1.一種硅基微顯示器的有機(jī)發(fā)光器件制備方法，其特征在于具體制備工藝步驟如下 (1)在平坦化的硅基襯底上制備絕緣層； (2)對(duì)所述絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，露出像素區(qū)，同時(shí)刻蝕后的絕緣層截面為倒梯形截面； (3)在步驟(2)所制備的硅襯底上制備具有光反射特性的像素電極，所述像素電極的厚度低于絕緣層厚度，從而使得像素與非像素區(qū)域被互相隔開(kāi)； (4)蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光層，其厚度高于非發(fā)光區(qū)的邊緣高度； (5)制備OLED的半透明或透明陰極共電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基微顯示器的有機(jī)發(fā)光器件制備方法，其特征在于所述步驟(I)和步驟(2)中的絕緣層為SiO2和Si3N4復(fù)合絕緣層，該復(fù)合絕緣層的制備方法為，首先制備SiO2層，厚度為500A至2500A,然后再制備Si3N4層，厚度為500 A至2500 A0
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基微顯示器的有機(jī)發(fā)光器件制備方法，其特征在于所述步驟(3)中的像素電極為金屬材質(zhì)或金屬與具有空穴注入能力的高功函數(shù)無(wú)機(jī)半導(dǎo)體電極ITO形成的復(fù)合材質(zhì)，電極厚度500A-1500 A，并且必須低于絕緣層厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基微顯示器的有機(jī)發(fā)光器件制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中的有機(jī)發(fā)光層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電極注入層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅基微顯示器的有機(jī)發(fā)光器件制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中的半透明陰極共電極的材質(zhì)為銀或鋁/銀復(fù)合材料，厚度為150A至250A，所述步驟(5)中的透明陰極共電極的材質(zhì)為IT0，厚度為200A至1500A。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅基微顯示器的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法。其工藝步驟如下1、在平坦化的硅基襯底上制備絕緣層；2、對(duì)所述絕緣層進(jìn)行干法刻蝕，露出像素區(qū)，同時(shí)刻蝕后的絕緣層截面為倒梯形截面；3、制備具有光反射特性的像素電極，所述像素電極的厚度低于絕緣層厚度，從而使得像素與非像素區(qū)域被互相隔開(kāi)；4、依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電極注入層，其總厚度應(yīng)高于非發(fā)光區(qū)的邊緣高度，避免OLED器件的電極短路發(fā)生；5、制備OLED的透明或半透明陰極共電極。本發(fā)明采用全干法刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)像素電極，可避免返回集成電路半導(dǎo)體工藝時(shí)帶來(lái)的污染問(wèn)題和精度問(wèn)題；通過(guò)控制絕緣層的厚度來(lái)使像素之間互相隔離，使得OLED制備無(wú)需增添掩膜板，具有工藝簡(jiǎn)單、提高良率的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102629671SQ20121012247
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月25日
發(fā)明者冉峰, 季淵, 曹進(jìn), 沈偉星, 程?hào)|方 申請(qǐng)人:上海大學(xué)