專利名稱：有機(jī)el裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)EL裝置以及具備該有機(jī)EL裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年,使用電致發(fā)光(Electro Luminescence :以下,稱為“EL”。)元件的有機(jī)EL裝置正日益被關(guān)注，例如，作為使該EL元件驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件，也在研究開(kāi)發(fā)具備晶體管的有機(jī)EL裝置?，F(xiàn)有，例如，公知有專利文獻(xiàn)I中記載的那樣的有機(jī)EL裝置。上述專利文獻(xiàn)I的有機(jī)EL裝置具備像素電路,該像素電路包括驅(qū)動(dòng)控制用于構(gòu)成像素的有機(jī)EL元件的晶體管以及電容元件。
另外，作為構(gòu)成像素電路的電容元件的實(shí)現(xiàn)方法，公知有例如，使用如專利文獻(xiàn)2中記載的構(gòu)成晶體管的層構(gòu)造來(lái)實(shí)現(xiàn)的方法。圖7是表示現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)晶體管與電容元件的構(gòu)造的剖面圖。另外，有機(jī)EL裝置具有與陽(yáng)極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層、陰極層疊的結(jié)構(gòu)。例如在頂部發(fā)射型的有機(jī)EL裝置中，具有有光反射性的陽(yáng)極或者反射層，在發(fā)光層產(chǎn)生的光向陰極側(cè)射出。另外，在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了為了提高從有機(jī)EL裝置射出的光的亮度，在設(shè)置于陽(yáng)極的下層的反射層與陰極之間具備使來(lái)自有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器，放大諧振波長(zhǎng)的光后導(dǎo)出的方法。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2007-310311號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2003-323133號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2007-220395號(hào)公報(bào)然而，在專利文獻(xiàn)2中記載的有機(jī)EL裝置中，如圖7所示，需要在平面上排列地形成像素選擇用晶體管、驅(qū)動(dòng)用晶體管8F與電容元件SG，其結(jié)果，存在不能夠確保所需的電容而會(huì)使顯示品質(zhì)降低這樣的課題。另外，像素電路的大小有極限，其結(jié)果存在難以使裝置整體的大小小型化的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例來(lái)實(shí)現(xiàn)。應(yīng)用例I本應(yīng)用例涉及的有機(jī)EL裝置的特征在于，具備基體、配置在上述基體上的具有光反射性的反射層、隔著絕緣層按每個(gè)像素配置在上述反射層上的具有光透過(guò)性的第I電極、配置在上述第I電極上的至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層、配置在上述有機(jī)功能層上的具有光反射性以及光透過(guò)性的第2電極、形成在上述反射層與上述第2電極之間的使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器、從上述第I電極至上述第2電極的至少包括用于驅(qū)動(dòng)由層疊構(gòu)造構(gòu)成的上述像素的保持電容的像素電路，使用上述反射層、上述絕緣層和上述第I電極，構(gòu)成上述保持電容。根據(jù)本應(yīng)用例，具備了配置在上述有機(jī)功能層上的、形成在上述反射層與上述第2電極之間的、使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器的同時(shí)，使用上述反射層、上述絕緣層和上述第I電極構(gòu)成保持電容，所以在確保保持電容的同時(shí)，能夠取得較大的像素的開(kāi)口率，由此，能夠微細(xì)化像素。因此，能夠提供一種小型且高品位的頂部發(fā)射型的有機(jī)EL裝置。應(yīng)用例2上述應(yīng)用例的有機(jī)EL裝置的特征在于，具備基體、配置在上述基體上的具有光反射性以及光透過(guò)性的反射半透過(guò)層、隔著絕緣層按每個(gè)像素配置在上述反射半透過(guò)層上的具有光透過(guò)性的第I電極、配置在上述第I電極上的至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層、配置 在上述有機(jī)功能層上的具有光反射性的第2電極、形成在上述反射半透過(guò)層與上述第2電極之間的使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器、從上述第I電極至上述第2電極的至少包括用于驅(qū)動(dòng)由層疊構(gòu)造構(gòu)成的上述像素的保持電容的像素電路，使用上述反射半透過(guò)層、上述絕緣層和上述第I電極，構(gòu)成上述保持電容。根據(jù)本應(yīng)用例，具備配置在上述有機(jī)功能層上的、形成在上述反射半透過(guò)層與上述第2電極之間的、使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器的同時(shí)，使用上述反射半透過(guò)層、上述絕緣層和上述第I電極構(gòu)成保持電容，所以在確保保持電容的同時(shí)，能夠取得較大的像素的開(kāi)口率，由此，能夠微細(xì)化像素。因此，能夠提供一種小型且高品位的底部發(fā)射型的有機(jī)EL裝置。應(yīng)用例3在上述應(yīng)用例所記載的有機(jī)EL裝置中，優(yōu)選相鄰的像素獲得不同的顏色的發(fā)光。根據(jù)本應(yīng)用例，相鄰的像素得到不同的色的發(fā)光，所以能夠進(jìn)行基于例如紅色、綠色、藍(lán)色等的自然的顯示。因此，能夠得到有機(jī)EL裝置能夠自然的顯示的效果。應(yīng)用例4本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備了上述應(yīng)用例的有機(jī)EL裝置。根據(jù)這個(gè)，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠高精細(xì)的顯示、且小型的電子設(shè)備。


圖I是示意性地表示第I實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的構(gòu)成的圖。圖2是表示第I實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的電氣構(gòu)成的等價(jià)電路圖。圖3是表示第I實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)成的簡(jiǎn)要俯視圖。圖4是表示第I實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)造的簡(jiǎn)要剖面圖。圖5是表示第2實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)造的簡(jiǎn)要剖面圖。圖6是作為電子設(shè)備的(a)EVF(b)HMD的示意圖。圖7是表示現(xiàn)有的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)造的簡(jiǎn)要剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在以下的各圖中，為了將各層、各部件設(shè)為可識(shí)別的程度的大小，使各層、各部件的尺度與實(shí)際不同。第I實(shí)施方式有機(jī)EL裝置首先，參照?qǐng)DI 圖4對(duì)本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖I是示意性地表示本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的構(gòu)成的圖，圖2是表示本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的電氣構(gòu)成的等價(jià)電路圖，圖3是表示本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)成的簡(jiǎn)要俯視圖，圖4是表示本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)造的簡(jiǎn)要剖面圖。如圖I所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100是使用薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,以下，稱為T(mén)FT)作為開(kāi)關(guān)元件的有源矩陣型的有機(jī)EL裝置。
有機(jī)EL裝置100具備作為基體的基板10 ;設(shè)置在基板10上的掃描線GL ;與掃描線GL并列延伸的電源線PL ;向與掃描線GL交叉的方向延伸的信號(hào)線DL。在有機(jī)EL裝置100中，在被這些掃描線GL與信號(hào)線DL圍起的區(qū)域中配置有像素101。像素101例如沿著掃描線GL的延伸方向與信號(hào)線DL的延伸方向呈矩陣狀地排列。在設(shè)置有多個(gè)像素101的區(qū)域的周邊設(shè)置有連接了多個(gè)掃描線GL的掃描線驅(qū)動(dòng)電路102、連接多個(gè)信號(hào)線DL的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103。此外，此處未圖示，但在基板10上除了掃描線驅(qū)動(dòng)電路102、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路103之外，也可以形成用于檢查制造中或出廠時(shí)的該液晶裝置的品質(zhì)、缺陷等的檢查電路，檢查用圖案等。如圖2所示，像素101包括作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件2D ;像素選擇用晶體管2A ;驅(qū)動(dòng)用晶體管2B ;保持電容2C。像素選擇用晶體管2A，其柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線GLlOl連接，其源極以及漏極中的一個(gè)與對(duì)應(yīng)的信號(hào)線DLlOl連接，另一個(gè)與驅(qū)動(dòng)用晶體管2B的柵極g連接。驅(qū)動(dòng)用晶體管2B，其源極s以及漏極d中的一個(gè)與有機(jī)EL元件2D連接，另一個(gè)與對(duì)應(yīng)的電源線PLlOl連接。在本實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)用晶體管2B的漏極d與電源線PLlOl連接，源極s與有機(jī)EL元件2D的作為第I電極的陽(yáng)極3A(anode)連接。有機(jī)EL元件2D的作為第2電極的陰極2G(kathode)與電源布線連接。而且，該電源布線對(duì)全部的像素101共用地進(jìn)行布線。保持電容2C連接在驅(qū)動(dòng)用晶體管2B的源極s和柵極g之間。在像素101中，若驅(qū)動(dòng)掃描線GLlOl使像素選擇用晶體管2A成為導(dǎo)通狀態(tài)，則經(jīng)由信號(hào)線DLlOl供給的圖像信號(hào)被保持于保持電容2C，按照保持電容2C的狀態(tài)決定驅(qū)動(dòng)用晶體管2B的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)。而且，經(jīng)由驅(qū)動(dòng)用晶體管2B與電源線PLlOl電連接時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流從電源線PLlOl流向有機(jī)EL元件2D。有機(jī)EL元件2D以與在有機(jī)EL元件2D的作為第I電極的陽(yáng)極3A (anode)和作為第2電極的陰極2G (kathode)之間流過(guò)的電流量對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。如圖3所示，像素101具有例如，4個(gè)角形成為圓形的大致矩形的平面形狀。沿著像素101的短邊的方向是掃描線GLlOl (參照?qǐng)D2)的延伸方向。另外，沿著像素101的長(zhǎng)邊的方向是信號(hào)線DLlOl (參照?qǐng)D2)的延伸方向。按每個(gè)像素101配置有作為有機(jī)EL元件2D的第I電極的陽(yáng)極3A。另外，具有第4層絕緣層3F，該第4層絕緣層3F具有與陽(yáng)極3A在平面上重疊的開(kāi)口部3D。像素101的區(qū)域是利用有機(jī)EL元件2D能夠得到發(fā)光的區(qū)域，被開(kāi)口部3D的外形規(guī)定。像素101具有顯示部3B、接觸孔3C。
按每個(gè)像素101配置有反射層3E。在圖3中，為了容易明白地表示構(gòu)成，對(duì)第4層絕緣層3F施加斜線表示。俯視與第4層絕緣層3F的開(kāi)口部3D重疊的區(qū)域是顯示部3B。顯示部3B是在像素101的區(qū)域中實(shí)質(zhì)性有助于顯示的區(qū)域。在顯示部3B中，從有機(jī)EL元件2D發(fā)出的光被反射層3E反射，向彩色濾光層4L(參照?qǐng)D4)側(cè)射出。在反射層3E上配置有作為絕緣層的第3層間絕緣膜4H(參照?qǐng)D4)。第3層間絕緣膜4H按每個(gè)像素101具有開(kāi)口部41。俯視與開(kāi)口部41重疊的區(qū)域是接觸孔3C。接觸孔3C與驅(qū)動(dòng)用晶體管2B的配置位置對(duì)應(yīng)而配置。用接觸孔3C(開(kāi)口部41)導(dǎo)電連接位于第3層間絕緣膜4H上的陽(yáng)極3A。接觸孔3C位于例如沿著像素101的長(zhǎng)邊的方向中的一端偵U。此外，接觸孔3C的配置位置并不限定為該方式，也可以與驅(qū)動(dòng)用晶體管2B的配置位置對(duì)應(yīng),例如配置在像素101的中央部等。如圖4所示，在元件基板10，在基板表面形成有由硅氧化膜、硅氮化膜等構(gòu)成的基底保護(hù)膜4A，并且在其表面?zhèn)?，形成有薄膜晶體管4Ba (像素選擇用晶體管2A)以及薄膜晶體管4Bb(驅(qū)動(dòng)用晶體管2B)。薄膜晶體管4Ba以及薄膜晶體管4Bb具備相對(duì)于島狀的多晶硅膜4C形成有溝道形成區(qū)域4Ca、高濃度源極漏極區(qū)域4Cb、低濃度源極漏極區(qū)域4Cc的 LDD (Lightly Doped Drain)構(gòu)造,相對(duì)于溝道形成區(qū)域4Ca,具有經(jīng)由由娃氧化膜構(gòu)成的柵極絕緣層4D而配置的柵電極4E。在本實(shí)施方式中，多晶硅膜4C是在對(duì)元件基板10形成非晶硅膜后，通過(guò)激光退火、燈退火等被多晶化的多晶硅膜。低濃度源極漏極區(qū)域4Cc是將柵電極4E作為掩模，例如以約0. IXlO1Vcm2 約IOX 1013/cm2的劑量自對(duì)準(zhǔn)地導(dǎo)入低濃度N型的雜質(zhì)離子(磷離子)而形成的半導(dǎo)體區(qū)域，高濃度源極漏極區(qū)域4Cb是使用抗蝕劑掩模，以約0. I X IO15/cm2 約10 X IO1Vcm2的劑量導(dǎo)入高濃度N型的雜質(zhì)離子(磷離子)而形成的半導(dǎo)體區(qū)域。在薄膜晶體管4Ba以及薄膜晶體管4Bb的上層側(cè)，依次形成有由硅氧化膜構(gòu)成的第I層間絕緣膜4Fa、作為由硅氮化膜構(gòu)成的鈍化膜的第2層間絕緣膜4Fb。在第I層間絕緣膜4Fa與第2層間絕緣膜4Fb的層間形成有信號(hào)布線4G。在第2層間絕緣膜4Fb的表面形成有由Al膜構(gòu)成的反射層3E。在反射層3E上形成有由硅氮化膜構(gòu)成的第3層間絕緣膜4H。在第3層間絕緣膜4H上形成有作為由ITO膜構(gòu)成的第I電極的陽(yáng)極3A。薄膜晶體管4Ba是等價(jià)電路圖上的像素選擇用晶體管2A。在薄膜晶體管4Ba的源極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Ma連接有由信號(hào)布線4G構(gòu)成的信號(hào)線DLlOl。在薄膜晶體管4Ba的漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Mb與由信號(hào)布線4G構(gòu)成的信號(hào)布線4Gg連接。信號(hào)布線4Gg利用接觸孔4Md與薄膜晶體管4Bb的柵電極4Eg連接。薄膜晶體管4Bb是等價(jià)電路圖上的像素選擇用晶體管2B。在薄膜晶體管4Bb的漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Mc連接有由信號(hào)布線4G構(gòu)成的電源線PL101。圖中，接觸孔4Mc以及電源線PLlOl為了與信號(hào)布線4Gg區(qū)別而用虛線表示。在薄膜晶體管4Bb的源極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Me與信號(hào)布線4Gs連接。信號(hào)布線4Gs通過(guò)接觸孔4Mg與由反射層3E構(gòu)成的信號(hào)布線3Es連接。信號(hào)布線3Es通過(guò)開(kāi)口部41(接觸孔3C)與陽(yáng)極3A連接。由反射層3E構(gòu)成的信號(hào)布線3Eg通過(guò)接觸孔4Mf與信號(hào)布線4Gg連接。另外，在像素101的一部分中，通過(guò)信號(hào)電極3Eg作為下電極、陽(yáng)極3A作為上電極而對(duì)置，隔著第3層間絕緣膜4H構(gòu)成保持電容2C。在陽(yáng)極3A上形成有由硅氧化膜構(gòu)成的第4層間絕緣膜3F。在第4層間絕緣膜3F設(shè)置有開(kāi)口部3D。在第4層間絕緣膜3F以及開(kāi)口部3D上形成有有機(jī)功能層4J。在有機(jī)功能層4J上形成有作為例如由Mg和Ag的合金構(gòu)成的第2電極的陰極2G。另外，在開(kāi)口部3D的區(qū)域中，通過(guò)陽(yáng)極3A和有機(jī)功能層4J，構(gòu)成陰極2G所對(duì)置的有機(jī)EL元件2D。利用陰極2G和反射層3E構(gòu)成使來(lái)自有機(jī)功能層4J的光諧振的光諧振器4N。匹配想要諧振的波長(zhǎng)，設(shè)計(jì)陰極2G與反射層3E之間的距離。光諧振器4N中的諧振波長(zhǎng)通過(guò)改變反射層3E與陰極2G之間的光學(xué)距離L而能夠調(diào)整。若將有機(jī)功能層4J發(fā)出的光中的欲取出的光的光譜的峰值波長(zhǎng)設(shè)為X，則如下那樣的關(guān)系式成立。O (弧度)表示有機(jī)功能層4J發(fā)出的光在光諧振器4N的兩端(例如，反射層3E與陰極2G)反射時(shí)產(chǎn)生的相移。例如，為了取出紅色發(fā)光610nm，第3層間絕緣膜4H設(shè)為硅氮化膜50nm，陽(yáng)極3A設(shè)為ITO膜lOOnm。有機(jī)功能層4J設(shè)為膜厚150nm，陰極2G是Mg與Ag的合金，膜厚設(shè)為20nmo(21)/入+0/(2 31)=111(111是整數(shù))在陰極2G上形成有由硅氧化膜構(gòu)成的密封絕緣膜4Ka。在密封絕緣膜4Ka上形成 有由彩色濾光器構(gòu)成的彩色濾光層4L。彩色濾光層4L具有透過(guò)特定的波長(zhǎng)的功能。在彩色濾光層4L上形成有由硅氧化膜構(gòu)成的密封絕緣膜4Kb。從有機(jī)EL元件2D發(fā)出的光在利用由陰極2G與反射層3E構(gòu)成的光諧振器4N使特定的波長(zhǎng)的光放大后，通過(guò)彩色濾光器4L，向面板表面方向射出。即、有機(jī)EL裝置100是能夠進(jìn)行通過(guò)彩色濾光層4L射出來(lái)自有機(jī)EL元件2D的發(fā)光的頂部發(fā)射型的全彩色顯示的裝置。如上述那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100，能夠獲得以下的效果。因?yàn)榫邆渑渲迷谟袡C(jī)功能層4J上的具有光反射性以及光透過(guò)性的陰極2G和形成在反射層3E與陰極2G之間的使來(lái)自有機(jī)功能層4J的光諧振的光諧振器4N的同時(shí)，使用反射層3E、絕緣層4H和陽(yáng)極3A，構(gòu)成保持電容2C，所以無(wú)需在平面上排列保持電容2C、像素選擇用晶體管2A(4Ba)以及驅(qū)動(dòng)用晶體管2B(4Bb)，能夠使像素電路的大小小型化，由此，能夠使像素101微細(xì)化。因此，能夠提供小型且高品位的頂部發(fā)射型的有機(jī)EL裝置100。第2實(shí)施方式接下來(lái)，參照?qǐng)D5，對(duì)第2實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示第2實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置中的像素的構(gòu)造的簡(jiǎn)要剖面圖。此外，對(duì)于與第I實(shí)施方式相同的構(gòu)成部位，使用相同的符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。第2實(shí)施方式是將本發(fā)明應(yīng)用于底部發(fā)射型的有機(jī)EL裝置的例子。如圖5所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置201具有像素202。像素202的構(gòu)成的第2層間絕緣膜4Fb以下的構(gòu)成與上述第I實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100相同。在第2層間絕緣膜4Fb的表面形成有由Al膜構(gòu)成的反射半透過(guò)層5A。在反射半透過(guò)層5A上形成有由硅氮化膜構(gòu)成的第3層間絕緣膜4H。在第3層間絕緣膜4H上形成有作為由ITO膜構(gòu)成的第I電極的陽(yáng)極3A。薄膜晶體管4Ba是等價(jià)電路圖上的像素選擇用晶體管2A。在薄膜晶體管4Ba的源極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Ma連接有由信號(hào)布線4G構(gòu)成的信號(hào)線DLlOl。在薄膜晶體管4Ba的漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Mb與由信號(hào)布線4G構(gòu)成的信號(hào)布線4Gg連接。信號(hào)布線4Gg利用接觸孔4Md與薄膜晶體管4Bb的柵電極4Eg連接。薄膜晶體管4Ba是等價(jià)電路圖上的像素選擇用晶體管2A。在薄膜晶體管4Bb的漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Mc連接有信號(hào)布線4G構(gòu)成的電源線PL101。圖中，接觸孔4Mc以及電源線PLlOl為了與信號(hào)布線4Gg區(qū)別而使用虛線表示。在薄膜晶體管4Bb的源極區(qū)域通過(guò)接觸孔4Me與信號(hào)布線4Gs連接。信號(hào)布線4Gs通過(guò)接觸孔4Mg與由反射半透過(guò)層5A構(gòu)成的信號(hào)布線5As連接。信號(hào)布線5As通過(guò)接觸孔41與陽(yáng)極3A連接。反射半透過(guò)層5Ag通過(guò)接觸孔4Mf與信號(hào)布線4Gg連接。另外，在像素202的一部分中，通過(guò)隔著第3層間絕緣膜4H，反射半透過(guò)層5Ag作為下電極、陽(yáng)極3A作為上電極而對(duì)置，從而構(gòu)成保持電容2C。在陽(yáng)極3A上形成有由硅氧化膜構(gòu)成的第4層間絕緣膜3F。在第4層間絕緣膜3F設(shè)置有開(kāi)口部3D。在第4層間絕緣膜3F以及開(kāi)口部3D上形成有有機(jī)功能層4J。在有機(jī)功能層4J上形成有作為由例如Mg與Ag的合金或者Al構(gòu)成的第2電極的陰極5C。陰極5C兼具反射層的功能。在陰極5C上形成有由硅氧化膜構(gòu)成的密封絕緣膜4Ka。另外，在開(kāi)口部3D的區(qū)域，經(jīng)由陽(yáng)極3A與有機(jī)功能層4J，構(gòu)成陰極5C所對(duì)置的有機(jī)EL元件2D。利用陰極5C與反射半透過(guò)層5A構(gòu)成使來(lái)自有機(jī)功能層4J的光諧振的光諧振器4N。匹配想要諧振的波長(zhǎng)，設(shè)計(jì)陰極5C與反射半透過(guò)層5A之間的距離。例如，為了取出紅色發(fā)光610nm，將反射半透過(guò)層5A設(shè)為Al膜厚20nm，第3層間絕緣膜4H設(shè)為硅氮化膜50nm，陽(yáng)極3A設(shè)為ITO膜lOOnm。有機(jī)功能層4J設(shè)為膜厚150nm，陰極5C設(shè)為Al膜厚500nmo從有機(jī)EL元件2D發(fā)出的光在利用由陰極5C與反射半透過(guò)層5A構(gòu)成的光諧振器4N使特定的波長(zhǎng)的光放大后，通過(guò)元件基板10向面板里面方向射出。如以上述那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置201，能夠獲得以下的效果。使用反射半透過(guò)層5A、絕緣層4H和陽(yáng)極電極3A，形成保持電容2C，從而能夠使構(gòu)成像素電路的保持電容2C與顯示部3B層疊，且能夠使像素201微細(xì)化。因此，能夠提供小型且高品位的底部發(fā)射型的有機(jī)EL裝置201。第3實(shí)施方式接下來(lái)，參照?qǐng)D6，對(duì)本實(shí)施方式的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。圖6(a)是表示作為電子設(shè)備的數(shù)字照相機(jī)的圖，該圖(b)是表示作為電子設(shè)備的頭戴式可視設(shè)備(HMD)的圖。如圖6 (a)所示，作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備的數(shù)字照相機(jī)60A具有主體6B，該主體6B具有拍攝元件等光學(xué)系統(tǒng)。在主體6B設(shè)置有用于視覺(jué)確認(rèn)被拍攝體的電子取景器(EVF) 6A、顯示拍攝的圖像等的監(jiān)視器6C。在電子取景器6A與監(jiān)視器6C分別安裝有上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100 (或者有機(jī)EL裝置201)。 如圖6 (b)所示，作為本實(shí)施方式的其他的電子設(shè)備的頭戴式可視設(shè)備60B具有用于在觀察者的頭部安裝的一對(duì)支承部6H、設(shè)置在一對(duì)支承部6H之間，朝向觀察者的左眼與右眼顯示圖像的顯示部6G。在顯示部6G安裝有上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100 (或者有機(jī)EL裝置201)。上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100 (或者有機(jī)EL裝置201)能夠顯示小型且高品位的圖像，所以能夠?qū)崿F(xiàn)小型的數(shù)字照相機(jī)60A、輕型的頭戴式可視設(shè)備60B。應(yīng)用了上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100、201的電子設(shè)備并不限于數(shù)字照相機(jī)60A、頭戴式可視設(shè)備60B。例如，也可以適用于作為便攜式的電話機(jī)、PDA、GPS等信息終端裝置的顯示部。圖中符號(hào)說(shuō)明10...作為基體的基板，2C...保持電容，2G...作為第2電極的陰極，3A...作為、第I電極的陽(yáng)極，3E...反射層，4H...作為絕緣層的第3層間絕緣膜，4J...有機(jī)功能層， 4N...光諧振器，5A...反射半透過(guò)層，60A...作為電子設(shè)備的數(shù)字照相機(jī)，60B...作為電子設(shè)備的頭戴式可視設(shè)備，100、201...有機(jī)EL裝置，101、202...像素。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL裝置，其特征在于，具備 基體； 具有光反射性的反射層，該反射層被配置在上述基體上； 具有光透過(guò)性的第I電極，該第I電極隔著第I絕緣層按每個(gè)像素配置在上述反射層上； 至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層，該有機(jī)功能層被配置在上述第I電極上； 具有光反射性以及光透過(guò)性的第2電極，該第2電極被配置在上述有機(jī)功能層上； 保持電容， 通過(guò)上述反射層與上述第2電極構(gòu)成使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器， 使用上述反射層、上述第I絕緣層和上述第I電極構(gòu)成上述保持電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 還具備與上述第I電極連接的第I晶體管， 上述保持電容被連接在上述第I晶體管的源極與上述第I晶體管的柵極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 上述反射層按上述每個(gè)像素進(jìn)行配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 上述反射層與上述第I晶體管的上述柵極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 具備第I信號(hào)布線，該第I信號(hào)布線隔著第2絕緣層設(shè)置在與上述第I晶體管的柵電極不同的層，且隔著第3絕緣層設(shè)置在與上述反射層不同的層， 上述柵電極經(jīng)由被設(shè)置在上述第2絕緣層的第I接觸孔與上述第I信號(hào)布線連接， 上述反射層經(jīng)由被設(shè)置在上述第3絕緣層的第2接觸孔與上述第I信號(hào)布線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 5中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 具備連接在第2信號(hào)布線與上述第I晶體管的柵極之間的第2晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 上述第2晶體管的漏極經(jīng)由被設(shè)置在上述第2絕緣層的第3接觸孔與上述第2信號(hào)布線連接。
8.一種有機(jī)EL裝置，其特征在于，具備 基體； 具有光反射性和光透過(guò)性的反射半透過(guò)層，該反射半透過(guò)層被配置在上述基體上；具有光透過(guò)性的第I電極，該第I電極隔著絕緣層按每個(gè)像素配置在上述反射半透過(guò)層上； 至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層，該有機(jī)功能層被配置在上述第I電極上； 具有光反射性的第2電極，該第2電極被配置在上述有機(jī)功能層上； 保持電容， 由上述反射半透過(guò)層和上述第2電極構(gòu)成使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器， 使用上述反射半透過(guò)層、上述絕緣層與上述第I電極構(gòu)成上述保持電容。
9.一種有機(jī)EL裝置，其特征在于，具備至少具有光反射性的反射層； 第I電極，該第I電極隔著第I絕緣層配置在上述反射層上； 至少具有光反射性的第2電極； 至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層，該有機(jī)功能層被配置在上述第I電極與上述第2電極之間； 保持電容， 通過(guò)上述反射層與上述第2電極構(gòu)成使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器， 使用上述反射層、上述第I絕緣層與上述第I電極來(lái)構(gòu)成上述保持電容。
10.根據(jù)權(quán)利要求I 9中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL裝置，其特征在于， 相鄰的上述像素獲得不同的顏色的發(fā)光。·
11.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備 權(quán)利要求I 10中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)EL裝置以及電子設(shè)備。有機(jī)EL裝置具備至少具有光反射性的反射層；在上述反射層上隔著第1絕緣層而配置的第1電極；配置在上述第1電極上的至少包括發(fā)光層的有機(jī)功能層；配置在上述有機(jī)功能層上的至少具有光反射性的第2電極；保持電容，通過(guò)上述反射層與上述第2電極構(gòu)成使來(lái)自上述有機(jī)功能層的光諧振的光諧振器，使用上述反射層、上述第1絕緣層與上述第1電極，構(gòu)成上述保持電容。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102751306SQ20121010532
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月18日
發(fā)明者腰原健 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社