專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，具體涉及一種鋁鎵銦磷基發(fā)光二極管晶片測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
隨著鋁鎵銦磷基發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)廣泛應(yīng)用于顯示屏、 指示燈、數(shù)碼產(chǎn)品、背光源等不同領(lǐng)域，客觀上對(duì)LED的需求呈現(xiàn)幾何級(jí)數(shù)增加，這樣對(duì)LED 的生產(chǎn)效率提出了更高的要求。目前LED晶片在做點(diǎn)測(cè)時(shí)需測(cè)量電性及光學(xué)參數(shù)，傳統(tǒng)的全點(diǎn)測(cè)方式采用點(diǎn)墨測(cè)試，即對(duì)晶片中每顆芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)(通常為WLD、L0P、VF、IR 等)，將不符合一定參數(shù)規(guī)格范圍的芯粒噴上墨點(diǎn)以做標(biāo)識(shí)，并在鏡檢環(huán)節(jié)再做挑除。測(cè)量電性參數(shù)時(shí)反應(yīng)速度快，但測(cè)量光學(xué)參數(shù)需根據(jù)LED芯粒的特性來(lái)設(shè)定芯粒穩(wěn)定時(shí)間、光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)的曝光時(shí)間及用運(yùn)算校正的系統(tǒng)函數(shù)演算法來(lái)取得測(cè)量數(shù)值，其測(cè)量光學(xué)參數(shù)的時(shí)間約占總測(cè)量時(shí)間的1/3 1/2時(shí)間，其造成了 LED晶片測(cè)試機(jī)臺(tái)的點(diǎn)測(cè)效率低下，進(jìn)而嚴(yán)重影響了發(fā)光二極管的產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其可以有效提升測(cè)試發(fā)光二極管晶片的效率。本發(fā)明說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中多次提及“光電參數(shù)全測(cè)”和“電參數(shù)單測(cè)”，在此特別說(shuō)明，“光電參數(shù)全測(cè)”是指測(cè)試芯粒的光學(xué)參數(shù)和電性參數(shù)，“電參數(shù)單測(cè)”是指只測(cè)試芯粒的電性參數(shù)。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，包括光學(xué)參數(shù)測(cè)試和電性參數(shù)測(cè)試，其特征在于對(duì)光學(xué)參數(shù)分布離散的區(qū)域芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，對(duì)光學(xué)參數(shù)分布集中的區(qū)域芯粒只進(jìn)行電性參數(shù)單測(cè)。進(jìn)一步地，前述發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，包括如下步驟定義晶片的頂部、底部區(qū)域和中間區(qū)域；對(duì)晶片頂部區(qū)域的芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)；對(duì)晶片的中間區(qū)域的部分芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，另一部分芯粒進(jìn)行電參數(shù)單測(cè)；對(duì)晶片的底部區(qū)域進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)。進(jìn)一步地，本發(fā)明通過(guò)設(shè)定單行芯粒顆數(shù)界定晶片的頂部和底部區(qū)域，當(dāng)單行芯粒顆數(shù)低于預(yù)設(shè)值時(shí)，其為頂部或底部區(qū)域。進(jìn)一步地，在晶片的中間區(qū)域，每行芯粒設(shè)定單-全測(cè)切換點(diǎn)，根據(jù)該單-全測(cè)切換點(diǎn)進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)與電參數(shù)單測(cè)的切換。進(jìn)一步地，在晶片的中間區(qū)域，每行芯粒設(shè)置單-全測(cè)參考點(diǎn)。進(jìn)一步地，所述單-全測(cè)參考點(diǎn)設(shè)置在每行的起始區(qū)域。進(jìn)一步地，所述晶片的中間區(qū)域，每行芯粒設(shè)置有兩個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)，分別分布在該行的起始區(qū)域和終止區(qū)域。
進(jìn)一步地，在晶片的中間區(qū)域，所述起始區(qū)域的單-全測(cè)切換點(diǎn)根據(jù)該行的起始區(qū)域的全測(cè)數(shù)值進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)連續(xù)光電參數(shù)值為正常值的芯粒顆數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，設(shè)置起始區(qū)域的單-全測(cè)參考點(diǎn)；所述終止區(qū)域的單-全測(cè)切換點(diǎn)根據(jù)前一行的單-全測(cè)參考點(diǎn)進(jìn)行設(shè)置，其位于單-全測(cè)參考點(diǎn)相應(yīng)位置的內(nèi)側(cè)。進(jìn)一步地，在對(duì)晶片中間區(qū)域的芯粒進(jìn)行點(diǎn)測(cè)過(guò)程中，在每行的起始端先進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，到達(dá)第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)時(shí)，切換為電參數(shù)單測(cè)，到達(dá)第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)時(shí)，切換為光電參數(shù)全測(cè)，完成該行芯粒的點(diǎn)測(cè)。進(jìn)一步地，在對(duì)晶片進(jìn)行點(diǎn)測(cè)前，采用抽測(cè)方式進(jìn)行晶片的篩選。目前，鋁鎵銦磷基發(fā)光二極管外延磊晶技術(shù)已做到光學(xué)參數(shù)(主要為波長(zhǎng)和亮度) 分布為完整片邊沿區(qū)域離散、中間區(qū)域集中性很好。本發(fā)明根據(jù)鋁鎵銦磷基LED晶片光學(xué)參數(shù)的集中性水平來(lái)自動(dòng)判別允許只測(cè)電性的區(qū)域，從而通過(guò)對(duì)該區(qū)域芯粒由傳統(tǒng)的光電參數(shù)全測(cè)自動(dòng)切換成只測(cè)電性來(lái)節(jié)省光學(xué)參數(shù)測(cè)試的時(shí)間，測(cè)試速率顯著提升，極大程度的提升了機(jī)臺(tái)產(chǎn)能和降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，逐漸地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。雖然在下文中將結(jié)合一些示例性實(shí)施及使用方法來(lái)描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，并不旨在將本發(fā)明限制于這些實(shí)施例。反之，旨在覆蓋包含在所附的權(quán)利要求書(shū)所定義的本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)的所有替代品、修正及等效物。


附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。圖1為普通鋁鎵銦磷基發(fā)光二極管晶片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的鋁鎵銦磷基發(fā)光二極管晶片點(diǎn)測(cè)線路圖。圖3為根據(jù)圖2所示點(diǎn)測(cè)線路實(shí)施的晶片局部區(qū)域的點(diǎn)測(cè)示意圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)流程圖。圖中各標(biāo)號(hào)表示
100 =LED晶片；110 :晶片的頂部區(qū)域，120 晶片的中間區(qū)域；130 晶片的底部區(qū)域； 140 晶片的平邊；200 芯粒；S 單-全測(cè)參考點(diǎn)；Tl，T2 單-全測(cè)切換點(diǎn)；Q 光電參數(shù)全測(cè)；D 電參數(shù)單測(cè)；SlOO 晶片篩選步驟；S200 定義晶片區(qū)域步驟；S300 測(cè)試晶片頂部區(qū)域步驟；S400 測(cè)試晶片中間區(qū)域步驟；S500 測(cè)試晶片底部區(qū)域步驟。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合， 所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
下文為區(qū)分現(xiàn)有LED晶片的光電參數(shù)全測(cè)的方式，將光電參數(shù)全測(cè)和電性參數(shù)單測(cè)混用的測(cè)試方式稱(chēng)為新點(diǎn)測(cè)方式。全文中如無(wú)特別說(shuō)明，新點(diǎn)測(cè)方式均是指光電參數(shù)全測(cè)和電性參數(shù)單測(cè)并用。圖1為普通鋁鎵銦磷基發(fā)光二極管晶片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，根據(jù)晶片100 的平邊140進(jìn)行定位，將晶片劃分為頂部區(qū)域110、中間區(qū)域120、底部區(qū)域130。如圖2所示，一般情況下LED晶片100的光學(xué)參數(shù)分布為邊沿區(qū)域離散、中間區(qū)域集中性良好。圖4為本發(fā)明公開(kāi)的發(fā)光二極管晶片點(diǎn)測(cè)流程圖，如圖4所示，發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，包括步驟晶片篩選步驟S100、定義晶片區(qū)域S200、測(cè)試晶片頂部區(qū)域S300、測(cè)試晶片中間區(qū)域S400、測(cè)試晶片底部區(qū)域S500。以下對(duì)各步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。晶片篩選。采用抽測(cè)方式自動(dòng)判別中間區(qū)域光學(xué)參數(shù)集中性欠佳的晶片，并做標(biāo)識(shí)，并繼續(xù)采用傳統(tǒng)的光電全測(cè)，而集中性良好的晶片采用下述新點(diǎn)測(cè)方式進(jìn)行測(cè)試。定義晶片的頂部、中間和底部區(qū)域。晶片中芯粒分布如圖2所示，頂部、底部各行的芯粒數(shù)目較少，可以通過(guò)預(yù)設(shè)單行芯粒顆數(shù)來(lái)界定晶片頂、底部區(qū)域，當(dāng)單行芯粒顆數(shù)低于預(yù)設(shè)值時(shí)，其為頂部或底部區(qū)域。設(shè)定顆數(shù)應(yīng)根據(jù)具體型類(lèi)的晶片的光學(xué)參數(shù)分布情況進(jìn)行設(shè)定。先在點(diǎn)測(cè)機(jī)器上設(shè)定好晶片中間區(qū)域單行芯粒顆數(shù)最低值，點(diǎn)測(cè)機(jī)器在點(diǎn)測(cè)過(guò)程中自動(dòng)計(jì)數(shù)，與預(yù)設(shè)值進(jìn)行對(duì)比，實(shí)現(xiàn)各個(gè)區(qū)域的自動(dòng)識(shí)別。每片晶片的點(diǎn)測(cè)線路按圖2 中箭頭所示，從頂部區(qū)域開(kāi)始往下進(jìn)行點(diǎn)測(cè)，每行芯粒點(diǎn)測(cè)完即會(huì)自動(dòng)計(jì)數(shù)，若達(dá)到預(yù)設(shè)顆數(shù)，則下一行起為中間區(qū)域，執(zhí)行“新點(diǎn)測(cè)方式”，當(dāng)每行芯粒數(shù)目小于預(yù)設(shè)值時(shí)，則下行起為底部區(qū)域，執(zhí)行光電全測(cè)方式。對(duì)于區(qū)域的劃分，還可采用其他方法，如對(duì)于光學(xué)參數(shù)分布情況比較統(tǒng)一的晶片， 可根據(jù)晶片的光學(xué)參數(shù)分布情況直接定義各個(gè)區(qū)域，如將晶片的頂部X行定義為頂部區(qū)域，底部y行定義為底部區(qū)域，其中X、y視具體晶片光學(xué)參數(shù)分布情況而定，一般可取值 5 10。另外，還可根據(jù)各行連續(xù)光電參數(shù)值為正常值的芯粒顆數(shù)進(jìn)行定義各個(gè)區(qū)域。按照?qǐng)D 2所示的晶片的點(diǎn)測(cè)線路，從晶片的頂部第一行開(kāi)始先進(jìn)行光電全測(cè)，當(dāng)該行連續(xù)光電參數(shù)值為正常值的芯粒顆數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，則下行起為中間區(qū)域，執(zhí)行“新點(diǎn)測(cè)方式”，當(dāng)該行連續(xù)光電參數(shù)值為正常值的芯粒顆數(shù)低于預(yù)設(shè)值時(shí)，則下行起為底部區(qū)域，執(zhí)行光電全測(cè)方式。開(kāi)始對(duì)晶片進(jìn)行點(diǎn)測(cè)。首先點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)讀取晶片的篩選信息，確認(rèn)點(diǎn)測(cè)方式。如果晶片中間區(qū)域光學(xué)參數(shù)集中性欠佳，直接執(zhí)行全測(cè)方式；如果晶片中間區(qū)域光學(xué)參數(shù)集中良好，執(zhí)行“新點(diǎn)測(cè)方式”。下面僅對(duì)第二種情況進(jìn)行具體說(shuō)明。本實(shí)施例通過(guò)設(shè)定單行芯粒顆數(shù)界定晶片的頂部和底部區(qū)域。在新點(diǎn)測(cè)方式中，為了能夠準(zhǔn)確進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)與電參數(shù)單測(cè)間的切換，每行設(shè)定了一個(gè)單-全測(cè)參考點(diǎn)S和兩個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)T1、T2，單測(cè)轉(zhuǎn)換參考點(diǎn)S設(shè)置在每行的起始區(qū)域，單-全測(cè)切換點(diǎn)Tl和Τ2分別位于每行的起始區(qū)域和終止區(qū)域。點(diǎn)測(cè)機(jī)在每行的起始區(qū)域進(jìn)行光電全測(cè)過(guò)程中，當(dāng)連續(xù)出現(xiàn)η顆光電參數(shù)正常的芯粒，設(shè)置單-全測(cè)參考點(diǎn)；當(dāng)連續(xù)出現(xiàn)m顆光電參數(shù)正常的芯粒，設(shè)置第m+1顆芯粒為第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)Tl。單-全測(cè)參考點(diǎn)S可從該η顆光電參數(shù)正常的芯粒中選取，如選取第一顆作為S點(diǎn)。第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)Τ2根據(jù)前一行的單-全測(cè)參考點(diǎn)S進(jìn)行設(shè)置，其為單-全測(cè)參考點(diǎn)S相應(yīng)位置內(nèi)側(cè)第i顆芯粒。其中，i、n、m為預(yù)設(shè)值(1 < i ( 10，
2 ≤ η ≤ m)。
首先，對(duì)晶片的頂部區(qū)域芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)。如圖2所示，按照箭頭指示的路線，從晶片的頂部第一行左端開(kāi)始進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，并自動(dòng)進(jìn)行單行計(jì)數(shù)、尋找單-全測(cè)參考點(diǎn)S。如圖3所示，假設(shè)第5行L5的芯粒顆數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值且尋找到了單-全測(cè)參考點(diǎn) S，則第6行L6起為中間區(qū)域，執(zhí)行“新點(diǎn)測(cè)方式”。下一步，采用“新點(diǎn)測(cè)方式”點(diǎn)測(cè)晶片的中間區(qū)域芯顆。在每行的起始端先進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，到達(dá)第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)Tl時(shí)，切換為電參數(shù)單測(cè)，到達(dá)第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)T2時(shí)，切換為光電參數(shù)全測(cè)，完成該行芯粒的點(diǎn)測(cè)。如圖3所示，第6行L6起為晶片的中間區(qū)域，單-全測(cè)參考點(diǎn)S和第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)Tl通過(guò)對(duì)起始區(qū)域芯粒光電參數(shù)全測(cè)獲得，第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)T2根據(jù)前一行L5的單-全測(cè)參考點(diǎn)S獲得，其位于點(diǎn)S 相應(yīng)位置內(nèi)側(cè)第2顆芯粒(在本實(shí)施例中i=2)。下面對(duì)具體點(diǎn)測(cè)過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明從右端第一顆芯粒先進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，當(dāng)連續(xù)出現(xiàn)η顆光電參數(shù)正常的芯粒，設(shè)置第一單-全測(cè)參考點(diǎn)S，選取第一顆芯粒做為S點(diǎn)；當(dāng)連續(xù)出現(xiàn)m顆光電參數(shù)正常的芯粒，設(shè)置第m+1顆為第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)Tl (本實(shí)施例中m=2)，切換為電參數(shù)單測(cè)；到達(dá)第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)T2時(shí)，切換為光電參數(shù)全測(cè)，完成該行芯粒的點(diǎn)測(cè)，并統(tǒng)計(jì)該行的芯粒顆數(shù)。如此循環(huán)， 當(dāng)單行芯粒顆數(shù)低于預(yù)設(shè)值，下一行起為晶片底部區(qū)域。下一步，點(diǎn)測(cè)晶片的底部區(qū)域芯粒的光電參數(shù)。采用傳統(tǒng)的光電參數(shù)全測(cè)方式點(diǎn)測(cè)底部區(qū)域芯粒，完成該晶片的點(diǎn)測(cè)。在本發(fā)明中，在沒(méi)有增設(shè)任何硬件成本的前提下，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)尋找和判別發(fā)光二極晶片光學(xué)參數(shù)集中性分布較好的區(qū)域，對(duì)其僅測(cè)試電性參數(shù)，節(jié)省光學(xué)參數(shù)測(cè)試的時(shí)間，測(cè)試速率顯著提升，極大程度的提升了機(jī)臺(tái)產(chǎn)能和降低了生產(chǎn)成本。以上實(shí)施例僅供說(shuō)明本發(fā)明之用，而非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變化。因此，所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本發(fā)明的范疇，應(yīng)由各權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，包括光學(xué)參數(shù)測(cè)試和電性參數(shù)測(cè)試，其特征在于對(duì)光學(xué)參數(shù)分布離散的區(qū)域芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，對(duì)光學(xué)參數(shù)分布集中的區(qū)域芯粒只進(jìn)行電性參數(shù)單測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，包括如下步驟步聚一定義晶片的頂部、底部區(qū)域和中間區(qū)域；步驟二 對(duì)晶片頂部區(qū)域的芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)；步驟三對(duì)晶片的中間區(qū)域的部分芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，另一部分芯粒進(jìn)行電參數(shù)單測(cè)；步驟四對(duì)晶片的底部區(qū)域進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于通過(guò)設(shè)定單行芯粒顆數(shù)界定晶片的頂部和底部區(qū)域，當(dāng)單行芯粒顆數(shù)低于預(yù)設(shè)值時(shí)，其為頂部或底部區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于在晶片的中間區(qū)域，每行芯粒設(shè)定單-全測(cè)切換點(diǎn)，根據(jù)該單-全測(cè)切換點(diǎn)進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)與電參數(shù)單測(cè)的切換。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于所述晶片中間區(qū)域的芯粒，每行設(shè)置有單-全測(cè)參考點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于所述單-全測(cè)參考點(diǎn)設(shè)置在每行的起始區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于對(duì)起始區(qū)域的芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，當(dāng)連續(xù)光電參數(shù)值為正常值的芯粒顆數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，設(shè)置單-全測(cè)參考點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于所述晶片中間區(qū)域，每行芯粒設(shè)置有兩個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)，分別分布在起始區(qū)域和終止區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于所述起始區(qū)域的單-全測(cè)切換點(diǎn)根據(jù)該行起始區(qū)域的全測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)連續(xù)光電參數(shù)值為正常值的芯粒顆數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，設(shè)置起始區(qū)域的單-全測(cè)參考點(diǎn)；所述終止區(qū)域的單-全測(cè)切換點(diǎn)根據(jù)前一行的單-全測(cè)參考點(diǎn)進(jìn)行設(shè)置，其位于單-全測(cè)參考點(diǎn)相應(yīng)位置的內(nèi)側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管晶片的點(diǎn)測(cè)方法，其特征在于在對(duì)中間區(qū)域的芯粒進(jìn)行點(diǎn)測(cè)過(guò)程中，在每行的起始端先進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，到達(dá)第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)時(shí)，切換為電參數(shù)單測(cè)，到達(dá)第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)時(shí)，切換為光電參數(shù)全測(cè)，完成該行芯粒的點(diǎn)測(cè)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管的點(diǎn)測(cè)方法，包括光學(xué)參數(shù)測(cè)試和電性參數(shù)測(cè)試，其特征在于對(duì)光學(xué)參數(shù)分布離散的區(qū)域芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，對(duì)光學(xué)參數(shù)分布集中的區(qū)域芯粒只進(jìn)行電性參數(shù)單測(cè)。在沒(méi)有增設(shè)任何硬件成本的前提下，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)尋找和判別發(fā)光二極晶片光學(xué)參數(shù)集中性分布較好的區(qū)域，對(duì)其僅測(cè)試電性參數(shù)，節(jié)省光學(xué)參數(shù)測(cè)試的時(shí)間，測(cè)試速率顯著提升，極大程度的提升了機(jī)臺(tái)產(chǎn)能和降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102569565SQ201210055190
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月6日
發(fā)明者李水清, 章小飛, 蔡坤煌, 賴(lài)余盟 申請(qǐng)人:廈門(mén)市三安光電科技有限公司