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一種片式共模扼流器排的制作方法

文檔序號:7059301閱讀:177來源:國知局
專利名稱:一種片式共模扼流器排的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及片式共模扼流器排。
背景技術(shù)
共模扼流器是用于抑制并聯(lián)線路中的共模噪音的常用器件。將兩個共模扼流器結(jié)合在一起構(gòu)成二合一共模扼流器排。

圖1所示為一種二合一片式共模扼流器排的結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)是將兩對線圈水平面并列放置,即分別將兩個共模扼流器置于產(chǎn)品的左右,實現(xiàn)兩個共模扼流器構(gòu)成一個共模扼流器排。然而,如圖2所示,在上述的片式共模扼流器排中, 內(nèi)部兩個共模扼流器水平并列排置,磁力線4相互干擾,兩組線圈間的隔離度差,同時受空間限制,有效磁通面積有限,遠(yuǎn)小于產(chǎn)品橫截面的一半,這就需要更多層的線圈來實現(xiàn)更大的阻抗,而線圈的增多,漏磁較大,由于寄生匝間電容會使阻抗的峰值頻率降低,不適用于高頻應(yīng)用,另外在差模狀態(tài)下的插入損耗紋波也比較大。相鄰層線圈的非重疊區(qū)域占線圈面積越大,則線圈形成的有效耦合區(qū)域的面積越小,電磁泄漏越多,器件的差模阻抗也就越大,性能降低。傳統(tǒng)的二合一共模扼流器排線圈圈數(shù)與共模阻抗和共模阻抗峰值對應(yīng)表 表權(quán)利要求
1.一種片式共模扼流器排,其特征在于包括上基板層、下基板層、以及至少兩個堆疊在上基板層和下基板層之間的包含設(shè)有導(dǎo)電線圈圖樣的線圈層的疊層共模扼流器,上下相鄰的共模扼流器之間通過中間基板層隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式共模扼流器排,其特征在于還包括外部電極,所述外部電極與所述導(dǎo)電線圈層連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式共模扼流器排,其特征在于所述疊層共模扼流器包括多層所述線圈層,每層線圈層上的導(dǎo)電線圈圖樣包括相互耦合的第一導(dǎo)電線圈圖樣和第二導(dǎo)電線圈圖樣,所述第一導(dǎo)電線圈圖樣和第二導(dǎo)電線圈圖樣的兩端部均設(shè)有與上下相鄰的線圈層連接的通孔,相鄰線圈層的第一導(dǎo)電線圈圖樣間、以及第二導(dǎo)電線圈圖樣間均過所述通孔連接;每層所述線圈層上的第一導(dǎo)電線圈圖樣與相鄰的線圈層的第二導(dǎo)電線圈圖樣除端部外的其余部分相互重疊。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種片式共模扼流器排,包括上基板層、下基板層、以及至少兩個堆疊在上基板層和下基板層之間的包含設(shè)有導(dǎo)電線圈圖樣的線圈層的疊層共模扼流器,相鄰的共模扼流器之間通過中間基板層隔開。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明將兩個共模扼流器的排置方式改為上下放置,如圖3所示,從而使得兩個共模扼流器線圈的磁力線方向相同,可有效增加單個線圈電感量;同時,相比于水平并排設(shè)置,本發(fā)明的線圈所圍面積增大,獲得相同阻抗所需的線圈層數(shù)就越少,減小了層間雜散電容,線圈層數(shù)的減少可使峰值頻率增加,適用更高頻率范圍;非重疊區(qū)域Z占線圈面積的比例減小,線圈形成的有效耦合區(qū)域的面積增大,電磁泄漏減少,器件的差模阻抗也就越小。
文檔編號H01F37/00GK102568798SQ201210042279
公開日2012年7月11日 申請日期2012年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月23日
發(fā)明者伍雋, 包承育, 龐新鋒, 李森強, 漆珂, 石棟, 郭海 申請人:深圳順絡(luò)電子股份有限公司
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