專利名稱：穿孔中介板的制作方法
穿孔中介板技術領域
本發(fā)明有關一種中介板，尤指一種具有穿孔的中介板。
背景技術：
自從IBM公司在1960年早期引入倒裝芯片封裝(Flip Chip Package)技術以來， 相比于打線接合(Wire Bond)技術,倒裝芯片技術的特征在于半導體芯片與基板間的電性連接通過焊錫凸塊而非一般的金線。而該種倒裝芯片技術的優(yōu)點在于該技術可提升封裝密度以降低封裝組件尺寸，同時，該種倒裝芯片技術不需使用長度較長的金線，所以可提升電性性能。有鑒于此，業(yè)界在陶瓷基板上使用高溫焊錫，即所謂控制崩解的芯片連接技術 (Control-Collapse Chip Connection,C4),已有多年。近年來，由于高密度、高速度以及低成本的半導體組件需求的增加，同時因應電子產(chǎn)品的體積逐漸縮小的趨勢，將倒裝芯片組件設置于低成本的有機電路板(例如，印刷電路板或基板)，并以環(huán)氧樹脂底膠(Underfill resin)填充于芯片下方以減少硅芯片與有機電路板的架構間因熱膨脹差異所產(chǎn)生的熱應力，已呈現(xiàn)爆炸性的成長。
在現(xiàn)行倒裝芯片技術中，半導體集成電路(IC)芯片的表面上配置有電極墊 (electronic pad),而封裝基板也具有相對應的倒裝芯片焊墊,在該芯片以及封裝基板之間可以適當?shù)卦O置焊錫凸塊或其它導電焊錫材料，使該芯片是以作用面朝下的模式設置于該封裝基板上，其中，該焊錫凸塊或導電粘著材料提供該芯片以及封裝基板間的電性輸入/ 輸出(I/O)以及機械性的連接。后續(xù)將該封裝基板與半導體芯片等進行封裝工藝時，為提供該封裝基板得以與外界電子裝置(如電路板)電性連接，通常必須于該封裝基板底面植設多個焊球。
隨著電子產(chǎn)品更趨于輕薄短小及功能不斷提升的需求，該半導體芯片的布線密度愈來愈高，以納米尺寸作單位，因而該封裝基板的各倒裝芯片焊墊之間的間距更小。
目前封裝基板的倒裝芯片焊墊的間距以微米尺寸作單位，而無法有效縮小至對應該芯片的各電極墊的間距的大小，導致雖有高線路密度的半導體芯片，卻未有可配合的封裝基板，以致于無法有效生產(chǎn)電子產(chǎn)品。
為克服上述的問題，所以于該封裝基板9與半導體芯片8之間增設一硅中介板 (Silicon interposer) I,如圖1A所示,該娃中介板I具有娃本體10、穿設于該娃本體10中的娃穿孔(Through-silicon via, TSV) 14及設于該娃本體10與娃穿孔14頂端上的線路重布層(Redistributionlayer,RDL) 13,令該娃穿孔14的底端借由導電凸塊92電性結合間距較大的封裝基板9的倒裝芯片焊墊90，而該線路重布層13的最上層線路具有電性連接墊， 以借由焊錫凸塊81電性結合間距較小的半導體芯片8的電極墊80，再形成封裝膠體7。
借此，使該封裝基板9可結合具有高布線密度電極墊80的半導體芯片8，而達到整合高布線密度的半導體芯片8的目的。所以借由該硅中介板1，不僅可解決缺乏可配合的封裝基板的問題，且不會改變IC產(chǎn)業(yè)原本的供應鏈(sup ply chain)及基礎設備 (infrastructure)。
目前在硅穿孔14的制作中，于該硅穿孔14的孔壁上會形成絕緣層(isolationlayer) 11,如圖1B所示,其材質普遍使用SiNx、聚合物、高溫爐或化學氣相沉積(CVD)產(chǎn)生的 SiO2。但是，制作該絕緣層11的工藝中，均有些缺失，例如:化學氣相沉積的工藝有漏電的可能、聚合物會有介電的問題、高溫爐的工藝其溫度過高，且產(chǎn)生的Sio2M料過硬、或者絕緣層Ii僅具單一種材質，會有可靠度及絕緣性的問題。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內容
鑒于上述現(xiàn)有技術的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種穿孔中介板，借由在導電穿孔的孔壁上形成兩種材質的絕緣層，以具有更佳防漏電與耐高電壓特性。本發(fā)明所提供的穿孔中介板，其導電穿孔的孔壁上具有第一絕緣層、形成于該第一絕緣層上的第二絕緣層、及形成于該第二絕緣層上的金屬材，且該第一與第二絕緣層的材質不相同。前述的穿孔中介板中，該第一與第二絕緣層可延伸至穿孔中介板的基板上?；蛘撸摶迳峡尚纬傻谝浑娦愿綦x層。由上可知，本發(fā)明的穿孔中介板，通過于導電穿孔的孔壁上形成兩種材質的絕緣層，相比于現(xiàn)有技術的單一材質絕緣層，具有更佳防漏電與耐高電壓特性，且能提高絕緣性及提升電性傳導的可靠度。


圖1A為現(xiàn)有封裝基板、半導體芯片與硅中介板的封裝剖視示意圖；圖1B為現(xiàn)有硅中介板的局部放大剖視示意圖；以及圖2A至圖2H為本發(fā)明穿孔中介板的制法的第一實施例的剖視示意圖；其中，圖2A’與圖2D’分別為圖2A與圖2D的俯視圖；圖3A至圖3C為本發(fā)明穿孔中介板的制法的第二實施例的剖視示意圖；圖4A至圖4C為本發(fā)明穿孔中介板的制法的第三實施例的剖視示意圖；圖5A至圖5H為本發(fā)明穿孔中介板的制法的第四實施例的剖視示意圖；其中，圖5B’為圖5B的俯視圖；圖6A至圖6C為本發(fā)明穿孔中介板的制法的第五實施例的剖視示意圖；以及圖7A至圖7C為本發(fā)明穿孔中介板的制法的第六實施例的剖視示意圖。主要組件符號說明I硅中介板10硅本體11絕緣層13線路重布層14硅穿孔2，2’，2”，3，3’，3”穿孔中介板20,30 基板
20a, 30a第一表面20b，20b，，30b，30b，第二表面200,300環(huán)形孔200a, 201a, 300a, 301a底部201,301穿孔21，31第一絕緣層22，32第二絕緣層220,360開孔23a，33a第一線路層23b, 33b第二線路層24，24’，24”，34，34’，34” 導電穿孔24a, 24a”, 34a, 34a”第一端面24b, 24b’，24hv, 34b, 34b9, 34b第二端面240,340金屬材25a, 35a第一保護層25b, 35b第二保護層250a, 350a第一開孔250b, 350b第二開孔26電性隔離層36a第一電性隔離層36b第二電性隔離層7封裝膠體8半導體芯片80電極墊81焊錫凸塊9封裝基板90倒裝芯片焊墊92導電凸塊。
具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范 圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，也當視為本發(fā)明可實施的范疇。
請參閱圖2A至圖2H，其為本發(fā)明的穿孔中介板2的制法的第一實施例的剖視示意圖。如圖2A及圖2A’所示，提供一具有相對的第一表面20a與第二表面20b的基板20。接著，于該基板20的第一表面20a上形成環(huán)形孔200，該環(huán)形孔200具有底部200a。于本實施例中，形成該基板20的材質可為玻璃、娃晶片、金屬、Polymer。此外,該環(huán)形孔200的輪廓可為圓形或多邊形，并無特別限制。如圖2B所示，于該基板20的第一表面20a與環(huán)形孔200的孔壁上形成一第一絕緣層21。接著，于該基板20的第一表面20a上的第一絕緣層21之上形成一第二絕緣層22,且該第二絕緣層22還填滿該環(huán)形孔200。于本實施例中，所述的第一與第二絕緣層21，22的材質不相同，且該第一絕緣層21為硬質材，該第二絕緣層22是相對該第一絕緣層21為軟質材。又該第一與第二絕緣層21，22的材質可為有機材或無機材，如環(huán)氧樹脂、SiNx, SiO2等。如圖2C所示，于該第二絕緣層22上形成對應該環(huán)形孔200的開孔220，再移除該開孔220中的第一絕緣層21，以露出位于該環(huán)形孔200環(huán)內的基板20第一表面20a。如圖2D及圖2D’所示，移除該開孔220內的基板20材質，以令該環(huán)形孔200形成連通該基板20第一表面20a的穿孔201，該穿孔201具有底部201a，且該第一與第二絕緣層21，22作為該穿孔201的孔壁。如圖2E所不,于該基板20的第一表面20a上的第二絕緣層22上形成一第一線路層23a，且于該穿孔201中形成一金屬材240，以形成導電穿孔24。接著，于該第二絕緣層22與該第一線路層23a上形成一第一保護層25a。于本實施例中，是以電鍍方式形成該第一線路層23a與導電穿孔24，也就是先于該基板20的第一表面20a上的第二絕緣層22與該穿孔201孔壁的第二絕緣層22上形成晶種層(seed layer，圖未示)，再以該晶種層作為導通電流的路徑，于該晶種層上形成該金屬材240，以形成該第一線路層23a與導電穿孔24。此外，該導電穿孔24具有對應該第一表面20a的第一端面24a與對應該第二表面20b的第二端面24b，而該導電穿孔24的第一端面24a電性連接該第一線路層23a，且該穿孔201的底部201a上具有該金屬材240。同時，該導電穿孔24的材質包含該金屬材240、第一及第二絕緣層21，22。另外，該導電穿孔24為中空狀，令該第一保護層25a填充于該導電穿孔24中。如圖2F所示，移除該基板20的第二表面20b的部分材質與該穿孔201底部201a的金屬材240，以令該基板20的第二表面20b’與該導電穿孔24的第二端面24b齊平，而使該導電穿孔24的第二端面24b外露。如圖2G所示，于該基板20的第二表面20b’上形成一電性隔離層26，以覆蓋該導電穿孔24中的第一與第二絕緣層21，22，使該電性隔離層26露出該導電穿孔24的部分第二端面24b。如圖2H所示，于該電性隔離層26上形成一第二線路層23b，且該第二線路層23b電性連接該導電穿孔24的第二端面24b。最后，于該電性隔離層26與該第二線路層23b上形成一第二保護層25b,并于該第一與第二保護層25a, 25b上形成多個第一與第二開孔250a, 250b,以令該第一與 第二線路層23a, 23b的部分表面外露于該些第一與第二開孔250a，250b。請參閱圖3A至圖3C，其為本發(fā)明的穿孔中介板2’的制法的第二實施例的剖視示意圖。本實施例與第一實施例的差異僅在于保留該穿孔201底部201a的金屬材240，其它相關工藝均相同，所以相同部分在此不再贅述。如圖3A所示，其為圖2E的工藝，于該基板20的第一表面20a上的第二絕緣層22上形成一第一線路層23a，且形成中空狀的導電穿孔24’，該穿孔201的底部201a具有該金屬材240。接著，于該第二絕緣層22與該第一線路層23a上形成一第一保護層25a，且該第一保護層25a填充于該導電穿孔24’中。如圖3B所示，移除該基板20的第二表面20b的部分材質與該穿孔201底部201a的第一絕緣層21，并保留該穿孔201底部201a的金屬材240，使該導電穿孔24’的第二端面24b’外露，而使該金屬材240封蓋該導電穿孔24’的第二端面24b’的中空處。如圖3C所不,于該基板20的第二表面20b’上形成一電性隔離層26,且于該電性隔離層26上形成一電性連接該導電穿孔24’的第二端面24b’的第二線路層23b。最后，于該電性隔離層26與該第二線路層23b上形成一第二保護層25b。請參閱圖4A至圖4C，其為本發(fā)明的穿孔中介板2”的制法的第三實施例的剖視示意圖。本實施例與第一實施例的差異僅在于導電穿孔24”的結構，其它相關工藝均相同，所以相同部分在此不再贅述。如圖4A所示，其于圖2E的工藝中，于該第二絕緣層22上形成一第一線路層23a，且于該穿孔201中填滿該金屬材240以形成導電穿孔24”，使該第一絕緣層21、第二絕緣層22及金屬材240填滿該導電穿孔24”。如圖4B所示，移除該基板20的第二表面20b的部分材質，令該導電穿孔24”的第二端面24b”與該基板20的第二表面20b’齊平。如圖4C所不,于該基板20的第二表面20b’上形成一電性隔離層26,且于該電性隔離層26上形成一電性連接該導電穿孔24”的第二端面24b”的第二線路層23b。最后，于該電性隔離層26與該第二線路層23b上形成一第二保護層25b。因此，本發(fā)明提供一種穿孔中介板2，2’，2”，其包括:具有相對的第一表面20a與第二表面20b’的基板20、設于該基板20中的導電穿孔24, 24’, 24”、設于該基板20的第一表面20a上的第一線路層23a、設于該基板20的第一表面20a與該第一線路層23a上的第一保護層25a、設于該基板20的第二表面20b’上的電性隔離層26、設于該電性隔離層26上的第二線路層23b、以及設于該電性隔離層26與第二線路層23b上的第二保護層25b。所述的基板20為硅基板，其具有由該環(huán)形孔200與穿孔201構成的穿孔結構，且該第一表面20a上具有一第一絕緣層21與形成于該第一絕緣層21上的一第二絕緣層22,其中，該第一與第二絕緣層21，22的材質不相同，如該第一絕緣層21為硬質材，而該第二絕緣層22為軟質材。所述的導電穿孔24，24’，24”形成于該穿孔結構中且連通該基板20的第一及第二表面20a, 20b’，并具有對應該第一表面20a的第一端面24a, 24a”與對應該第二表面20b’的第二端面24b，24b’，24b”，又該第一與第二絕緣層21，22還延伸至該穿孔結構中以作為該導電穿孔24，24’，24”的 孔壁結構，令一金屬材240設于該穿孔結構中的第二絕緣層22上。
所述的第一線路層23a設于該基板20的第一表面20a上的第二絕緣層22上，且電性連接該導電穿孔24，24’，24”的第一端面24a，24a”。所述的第一保護層25a還設于該基板20的第一表面20a上的第二絕緣層22上。所述的電性隔離層26覆蓋該導電穿孔24，24’，24”中的第一與第二絕緣層21，22，以露出該導電穿孔24，24’，24”的部分第二端面24b，24b’，24b”。所述的第二線路層23b電性連接該導電穿孔24，24’，24”的第二端面24b，24b’，24b”。此外，于第一與第二實施例中，所述的導電穿孔24，24’為中空狀，使該第一保護層25a填充于該導電穿孔24，24’中。例如，于第一實施例中，該第一保護層25a連通該導電穿孔24的第一端面24a與第二端面24b，而于第二實施例中，該金屬材240封蓋該導電穿孔24’的第二端面24b’的中空處。 另外，于第三實施例中，該第一絕緣層21、第二絕緣層22及金屬材240填滿該導電穿孔24”。請參閱圖5A至圖5H，其為本發(fā)明的穿孔中介板3的制法的第四實施例的剖視示意圖。本實施例與第一實施例的差異僅在于基板30的第一表面30a上的結構，其它相關工藝均相同，所以相同部分在此不再贅述。如圖5A所示，提供一如圖2B的結構，即于一具有相對的第一表面30a與第二表面30b的基板30上形成環(huán)形孔300，該環(huán)形孔300具有底部300a，且該基板30的第一表面30a與該環(huán)形孔300的孔壁上形成一第一絕緣層31，并于該第一絕緣層31上與該環(huán)形孔300中形成一第二絕緣層32。如圖5B及圖5B’所示，移除該基板30的第一表面30a上的第一絕緣層31與第二絕緣層32，僅保留該環(huán)形孔300中的第一絕緣層31與第二絕緣層32。如圖5C所不,于該基板30的第一表面30a上形成一第一電性隔離層36a,且該第一電性隔離層36a具有對應該環(huán)形孔300的開孔360，以露出該環(huán)形孔300的環(huán)內的基板30第一表面30a。如圖所示，移除該開孔360內的基板30材質，以令該環(huán)形孔300形成連通該基板30第一表面30a的穿孔301，該穿孔301具有底部301a，且該第一與第二絕緣層31，32作為該穿孔301的孔壁。如圖5E所示，于該第一電性隔離層36a上形成一第一線路層33a，且于該穿孔301中電鍍金屬材340以形成導電穿孔34。接著，于該第一電性隔離層36a與該第一線路層33a上形成一第一保護層35a。于本實施例中，該導電穿孔34具有對應該第一表面30a的第一端面34a與對應該第二表面30b的第二端面34b，而該導電穿孔34的第一端面34a電性連接該第一線路層33a，且該穿孔301的底部301a具有該金屬材340。此外，該導電穿孔34包含有該金屬材340、第一及第二絕緣層31，32，且該導電穿孔34為中空狀，令該第一保護層35a填充于該導電穿孔34中。如圖5F所示，移除該基板30的第二表面30b的部分材質與該穿孔301底部301a的金屬材340，令該基板30的第二表面30b’與該導電穿孔34的第二端面34b齊平，以露出該導電穿孔34的第二端面34 b。
如圖5G所不，于該基板30的第二表面30b’上形成一第二電性隔離層36b,并覆蓋該導電穿孔34的第一與第二絕緣層31，32，使該第二電性隔離層36b露出該導電穿孔34的部分第二端面34b。如圖5H所示，于該第二電性隔離層36b上形成一第二線路層33b，且該第二線路層33b電性連接該導電穿孔34的第二端面34b。最后，于該第二電性隔離層36b與該第二線路層33b上形成一第二保護層35b,并于該第一與第二保護層35a, 35b上形成多個第一與第二開孔350a, 350b,以令該第一與第二線路層33a, 33b的部分表面外露于該些第一與第二開孔 350a，350b。請參閱圖6A至圖6C，為本發(fā)明的穿孔中介板3’的制法的第五實施例的剖視示意圖。本實施例與第四實施例的差異僅在于保留該穿孔301底部301a的金屬材340，其它相關工藝均相同，所以相同部分在此不再贅述。如圖6A所示，其為圖5E的工藝，于該第一電性隔離層36a上形成一第一線路層33a，且形成該中空狀的導電穿孔34’，該穿孔301的底部301a上具有該金屬材340。接著，于該第一電性隔離層36a與第一線路層33a上形成一第一保護層35a,且該第一保護層35a填充于該導電穿孔34’中。如圖6B所示，移除該基板30的第二表面30b的部分材質與該穿孔301底部301a的第一絕緣層31，并保留該穿孔301底部301a的金屬材340，使該導電穿孔34’的第二端面34b’外露，而使該金屬材340封蓋該導電穿孔34’的第二端面34b’的中空處。如圖6C所不，于該基板30的第二表面30b’上形成一第二電性隔離層36b,且于該第二電性隔離層36b上形成一電性連接該導電穿孔34’的第二端面34b’的第二線路層33b。最后，于該第二電性隔離層36b與第二線路層33b上形成一第二保護層35b。請參閱圖7A至圖7C，其為本發(fā)明的穿孔中介板3”的制法的第六實施例的剖視示意圖。本實施例與第四實施例的差異僅在于導電穿孔34”的結構，其它相關工藝均相同，所以相同部分在此不再贅述。如圖7A所示，其于圖5E的工藝中，于該第一電性隔離層36a上形成一第一線路層33a，且于該穿孔301中填滿該金屬材340以形成導電穿孔34”，使該第一絕緣層31、第二絕緣層32及金屬材340填滿該導電穿孔34”。如圖7B所示，移除該基板30的第二表面30b的部分材質與該穿孔301底部301a的第一絕緣層31，令該導電穿孔34”的第二端面34b”與該基板30的第二表面30b’齊平。如圖7C所不，于該基板30的第二表面30b’上形成一第二電性隔離層36b,且于該第二電性隔離層36b上形成一電性連接該導電穿孔34”的第二端面34b”的第二線路層33b。最后，于該第二電性隔離層36b與第二線路層33b上形成一第二保護層35b。因此，本發(fā)明提供另一種穿孔中介板3，3’，3”，其包括:具有相對的第一表面30a與第二表面30b’的基板30、設于該基板30中的導電穿孔34，34’，34”、設于該基板30的第一表面30a上的第一電性隔離層36a、設于該第一電性隔離層36a上的第一線路層33a、設于該第一電性隔離層36a與第一線路層33a上的第一保護層35a、設于該基板30的第二表面30b’上的第二電性隔離層36b、設于該第二電性隔離層36b上的第二線路層33b、以及設于該第二電性隔離層36b與第二線路層33b上的第二保護層35b。所述的基板30為硅 基板，且具有由該環(huán)形孔300與穿孔301構成的穿孔結構。
所述的導電穿孔34，34’，34”形成于該穿孔結構中且連通該基板30的第一及第二表面30a, 30b’，并具有對應該第一表面30a的第一端面34a, 34a”與對應該第二表面30b’的第二端面34b，34b’，34b”，且該穿孔結構的孔壁上依序具有一第一絕緣層31、一第二絕緣層32及一金屬材340。其中，該第一與第二絕緣層31, 32的材質并不相同,如該第一絕緣層31為硬質材，而該第二絕緣層32為軟質材。所述的第一電性隔離層36a覆蓋該導電穿孔34，34’，34”的第一與第二絕緣層31，32，以露出該導電穿孔34，34，，34”的第一端面34a，34a”。所述的第一線路層33a電性連接該導電穿孔34，34’，34”的第一端面34a，34a”。所述的第二電性隔離層36b覆蓋該導電穿孔34，34’，34”的第一與第二絕緣層31，32，以露出該導電穿孔34，34，，34”的部分第二端面34b，34b，，34b”。所述的第二線路層33b電性連接該導電穿孔34，34’，34”的第二端面34b，34b’，34b”。此外，于第四與第五實施例中，所述的導電穿孔34，34’為中空狀，使該第一保護層35a填充于該導電穿孔34，34’中。例如:于第四實施例中，該第一保護層35a連通該導電穿孔34的第一端面34a與第二端面34b，而于第五實施例中，該金屬材340封蓋該導電穿孔34’的第二端面34b’的中空處。另外，于第六實施例中，該第一絕緣層31、第二絕緣層32及金屬材340填滿該導電穿孔34”。綜上所述，本發(fā)明的穿孔中介板，主要借由該導電穿孔的孔壁上具有兩種絕緣材，以具有更佳防漏電與耐高電壓特性，且提高絕緣性及提升電性傳導的可靠度。此外，本發(fā)明的穿孔中介板為低成本的制作技術，所以利于量產(chǎn)。上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違 背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。
權利要求
1.一種穿孔中介板，其包括:基板，其具有相對的第一表面與第二表面、及連通該第一表面與第二表面的穿孔結構， 且該基板的第一表面上具有第一絕緣層與形成于該第一絕緣層上的第二絕緣層，又該第一與第二絕緣層的材質不相同；導電穿孔，其形成于該穿孔結構中，該第一與第二絕緣層并延伸至該穿孔結構中以作為該導電穿孔的孔壁結構，該導電穿孔還具有對應該第一表面的第一端面與對應該第二表面的第二端面、及設于該穿孔結構中的第二絕緣層上的金屬材；第一線路層，其設于該基板的第一表面上的第二絕緣層上，且電性連接該導電穿孔的第一端面；第一保護層，其設于該基板的第一表面上的第二絕緣層與該第一線路層上；電性隔離層，其設于該基板的第二表面上，且露出該導電穿孔的第二端面；第二線路層，其設于該電性隔離層上，且電性連接該導電穿孔的第二端面；以及第二保護層，其設于該電性隔離層與該第二線路層上。
2.根據(jù)權利要求1所述的穿孔中介板，其特征在于，該電性隔離層還覆蓋該導電穿孔第二端面上的第一與第二絕緣層。
3.根據(jù)權利要求1所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一保護層還填充于該導電穿孔中。
4.根據(jù)權利要求3所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一保護層連通該導電穿孔的第一端面與第二端面。
5.根據(jù)權利要求3所述的穿孔中介板，其特征在于，該金屬材封蓋該導電穿孔的第二端面。
6.根據(jù)權利要求1所述的穿孔中介板，其特征在于，該金屬材填滿該導電穿孔，且該金屬材的材質為銅。
7.根據(jù)權利要求1所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一絕緣層為硬質材，該第二絕緣層相對該第一絕緣層為軟質材。
8.一種穿孔中介板，其包括:基板，其具有相對的第一表面與第二表面、及連通該第一表面與第二表面的穿孔結構；導電穿孔，其形成于該穿孔結構中，該導電穿孔具有對應該第一表面的第一端面與對應該第二表面的第二端面，且該穿孔結構的孔壁上具有第一絕緣層、形成于該第一絕緣層上的第二絕緣層及形成于該第二絕緣層上的金屬材，又該第一與第二絕緣層的材質不相同；第一電性隔離層，其設于該基板的第一表面上，且露出該導電穿孔的第一端面；第一線路層，其設于該第一電性隔離層上，且電性連接該導電穿孔的第一端面；第一保護層，其設于該第一電性隔離層與該第一線路層上；第二電性隔離層，其設于該基板的第二表面上，且露出該導電穿孔的第二端面；第二線路層，其設于該第 二電性隔離層上，且電性連接該導電穿孔的第二端面；以及第二保護層，其設于該第二電性隔離層與該第二線路層上。
9.根據(jù)權利要求8所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一及第二電性隔離層分別覆蓋該導電穿孔第一與第二端面上的第一與第二絕緣層。
10.根據(jù)權利要求8所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一保護層還填充于該導電穿孔中。
11.根據(jù)權利要求10所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一保護層連通該導電穿孔的第一端面與第二端面。
12.根據(jù)權利要求11所述的穿孔中介板，其特征在于，該金屬材封蓋該導電穿孔的第二端面。
13.根據(jù)權利要求8所述的穿孔中介板，其特征在于，該金屬材填滿該導電穿孔，且該金屬材的材質為銅。
14.根據(jù)權利要求8 所述的穿孔中介板，其特征在于，該第一絕緣層為硬質材，該第二絕緣層相對該第一絕緣層為軟質材。
全文摘要
一種穿孔中介板，其導電穿孔的孔壁上具有第一絕緣層、形成于該第一絕緣層上的第二絕緣層、及形成于該第二絕緣層上的金屬材，且該第一與第二絕緣層的材質不相同。借由在導電穿孔的孔壁上形成兩種材質的絕緣層，以具有更佳防漏電與耐高電壓特性。
文檔編號H01L23/48GK103219302SQ201210018108
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權日2012年1月19日
發(fā)明者陳明志, 謝昌宏, 胡迪群 申請人:欣興電子股份有限公司, 蘇州群策科技有限公司