專利名稱：太陽能發(fā)電裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種太陽能電池裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，隨著能耗的增加，一種太陽能電池被開發(fā)出來以將太陽能轉(zhuǎn)換成電能。尤其是，基于CIGS的太陽能電池被廣泛地應(yīng)用，基于CIGS的太陽能電池是一個PN異質(zhì)結(jié)裝置，該裝置具有包含玻璃基板的基板結(jié)構(gòu)、金屬背電極層、P型基于CIGS的光吸收層、高電阻緩沖層、以及N型窗口層
發(fā)明內(nèi)容

實施例提供了一種太陽能電池裝置，該裝置能夠防止泄漏電流以及提高光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)實施例的太陽能電池裝置包括支撐基板；在支撐基板上彼此相間隔的第一和第二背電極；在第一背電極上的光吸收部分；在光吸收部分上的第一緩沖部分；在第一緩沖部分上的第二緩沖部分；第一阻擋層從第一緩沖部分延伸并設(shè)置于光吸收部分的側(cè)面；以及從第一阻擋層延伸并設(shè)置于第二背電極頂部表面的第一虛設(shè)部分。根據(jù)實施例的太陽能電池裝置包括支撐基板；在支撐基板上的背電極層；在背電極層上的形成有通孔的光吸收層；在光吸收層頂部表面、通孔內(nèi)壁以及通孔底部表面的第一緩沖層；在第一緩沖層上的第二緩沖層；以及在第二緩沖層上的窗口層。根據(jù)實施例的制造太陽能電池裝置的方法包括在支撐基板上形成背電極層；在背電極層上形成光收層；在光收層上形成通孔；在光吸收層的頂部表面、通孔的內(nèi)壁以及通孔的底部表面形成第一緩沖層；在第一緩沖層上形成第二緩沖層；以及在第二緩沖層上形成窗口層。有益效果根據(jù)實施例的太陽能電池裝置包括第一阻擋層。光吸收部分的側(cè)面被第一阻擋層絕緣。這樣，根據(jù)實施例的太陽能電池裝置能夠防止電流從光吸收部分的側(cè)面泄漏。特別地，第一阻擋層是使用CdS形成的。這樣，第一阻擋層有高電阻，從而第一阻擋層能夠有效地阻止泄漏電流。 進一步，第一虛設(shè)部分有一個薄的厚度，這樣從窗口延伸的連接部分由于隧道效應(yīng)可以容易地與第二背電極連接。也就是說，由于虛設(shè)部分很薄，當(dāng)連接部分通過虛設(shè)部分與第二背電極相連時，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置由于隧道效應(yīng)能夠減少功率損耗。另外，從第二緩沖部分延伸的第二阻擋層被設(shè)置于光吸收部分的側(cè)面。這樣，光吸收部分側(cè)面的絕緣作用由于第二阻擋層而增強。進一步，第二阻擋層的厚度比第二緩部分沖厚度更厚。這樣光吸收部分側(cè)面的絕緣作用由于第二阻擋層而增強。因此，根據(jù)實施例的太陽能電池裝置能夠阻止泄漏電流以及提高發(fā)電效率。


圖I是示出根據(jù)實施例的太陽能電池裝置的平面圖；圖2是示出圖I沿A-A’處的剖視圖；圖3到6是示出根據(jù)實施例的太陽能電池裝置的制造方法的剖視圖；以及圖7到8是示出根據(jù)另一個實施例的太陽能電池裝置的制造方法的剖視圖。
具體實施例方式本實施例的描述中，可以理解，當(dāng)一個基板、層、薄膜、或電極被指出是在于另一個基板、層、薄膜、或電極的“上”或者“下”時，它可以是直接或間接在其他的基板、層、薄膜、
或電極上，或是一個或是多個中間層也可能存在。參照圖形描述了所述層的這種位置。附圖中元素的尺寸為了說明可能有些夸大，并且沒有完全地反映實際尺寸。圖I所示是根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置的平面圖，以及圖2所示是圖I沿A-A’處的剖視圖。參見圖I和2，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置包括支撐基板100、背電極層200、光吸收層310、下緩沖層320、上緩沖層330、第一阻擋323、窗口層400以及連接部分500。支撐基板100是平板形狀并支撐背電極層200，光吸收層310，下緩沖層320，上緩沖層330，窗口層400以及連接部分500。支撐基板100可以是一個絕緣體。支撐基板100可以是一個玻璃基板，一個塑料基板或是一個金屬基板。更詳細地，支撐基板100可以是一個鈉鈣玻璃基板。支撐基板100可以是透明的。支撐基板100可以是柔韌的或是剛硬的。背電極層200設(shè)置在支撐基板100上。背電極層200是一個傳導(dǎo)層。例如，背電極層200包含一種金屬，如鑰(Mo)。另外，背電極層200至少包含兩層。這樣，這些層可以由相同的金屬或是不同的金屬形成。第一通孔THl在背電極層200形成。第一通孔THl作為一個開口區(qū)域露出支撐基板100的頂部表面。當(dāng)從頂部觀看時，第一通孔THl在一個方向延伸。第一通孔THl的寬度范圍大約是80 μ m到200 μ m。背電極層200被第一通孔THl分成多個背電極210、220···和N。也就是說，背電極210、220…和N是被第一通孔THl限定的。在背電極210、220…和N中，只有第一背電極210和第二背電極220在圖2中示出。背電極210、220…和N通過第一通孔THl彼此相隔離。背電極210、220…和N被
安置成條紋形狀。另外，背電極210、220…和N可以被安置成矩陣的形式，當(dāng)從頂部觀看時，第一通孔THl被安置成格子形狀。光吸收層310被設(shè)置在背電極層200上。另外，光吸收層310所包含的材料被填充在第一通孔THl中。光吸收層310可以包含I-III-V類化合物。例如，光吸收層310可以含有Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)晶體結(jié)構(gòu)，Cu (In) Se2晶體結(jié)構(gòu)或是Cu (Ga) Se2晶體結(jié)構(gòu)。光吸收層310的能帶隙范圍大約是IeV到I. 8eV。
第二通孔TH2在光吸收層310中形成。第二通孔TH2形成為穿過光吸收層310。第二通孔TH2作為一個開口區(qū)域露出背電極層200的頂部表面。第二通孔TH2與第一通孔THl相鄰。也就是說，當(dāng)從頂部觀看時，第二通孔TH2的一部分在第一通孔THl的邊上。第二通孔TH2的寬度范圍大約是80 μ m到200 μ m。多個光吸收部分311、312…和N由第二通孔TH2限定在光吸收層310上。也就是說，光吸收層310通過第二通孔TH2被分成光吸收部分311、312…和N。下緩沖層320形成在光吸收層310上和第二通孔TH2中。下緩沖層320可包含CdS以及其能帶隙范圍大約是2. 2eV到2.4eV。下緩沖層320有高電阻。例如，下緩沖層320的電阻比上緩沖層330和窗口層400的電阻高。上緩沖層330被置于下緩沖層320上，另外，上緩沖層330被置于第二通孔TH2中。 上緩沖層330可包含摻Ga的ZnO或摻Ga的SnO。上緩沖層330的能帶隙范圍大約是3. IeV到 3. 3eV0另外，上緩沖層330可以是不摻雜的i-ZnO。這樣，上緩沖層330有非常低的電阻。例如，上緩沖層330的電阻相當(dāng)于或是低于窗口層400的電阻。窗口層400在上緩沖層330上形成。窗口層400是透明傳導(dǎo)層。例如，窗口層400可以含有摻Al的ZnO (AZO)。第三通孔TH3在下緩沖層320、上緩沖層330和窗口層400中形成。第三通孔TH3作為一個開口區(qū)域露出背電極層200的頂部表面。例如，第三通孔TH3的寬度范圍大約是80 μ m 至Ij 200 μ m。第三通孔TH3與第二通孔TH2相鄰。具體說，第三通孔TH3被設(shè)置為與第二通孔TH2相鄰。也就是說，當(dāng)從頂部觀看時，第三通孔TH3被設(shè)置為與第二通孔TH2緊鄰并平行于第二通孔TH2。下緩沖層320被劃分成多個下緩沖部分321、322…和N、第一阻擋層323以及第一虛設(shè)部分324。以同樣的辦法，上緩沖層330被分成多個上緩沖部分331、332…和N、第二阻擋層333以及第二虛設(shè)部分334。第一阻擋層323從形成在第一光吸收部分311上的第一下緩沖部分321延伸并被置于第一光吸收部分311的側(cè)面上。第一阻擋層323與第一下緩沖部分321 —體地形成并插入在第一光吸收部分311的側(cè)面和第二阻擋層333之間。第一虛設(shè)部分324沿著背電極層200的頂部表面從第一阻擋層323延伸。詳細的，第一虛設(shè)部分324從該阻擋層延伸并與第二背電極220的頂表面接觸。第一虛設(shè)部分324與第一阻擋層323 —體化地形成。第一虛設(shè)部分324覆蓋第二通孔TH2底部表面的整個區(qū)域。第二阻擋層333從形成在第一下緩沖部分321上的第一上緩沖部分331延伸并置于第一阻擋層323上。第二阻擋層333與第一上緩沖部分321 —體化地形成并插入在第一阻擋層323和連接部分500之間。與第一上緩沖部分331類似，第二阻擋層333具有低電阻。
第二虛設(shè)部分334沿著背電極200的頂部表面從第二阻擋層333延伸。詳細地，第二虛設(shè)部分334從第二阻擋層333延伸并與第一虛設(shè)部分324的頂部表面相接觸。第二虛設(shè)部分334與第二阻擋層333 —體化地形成。第一阻擋層323從下緩沖部分321、322…和N延伸并設(shè)置于光吸收部分311、312…和N的側(cè)面上。以同樣的方法，第二阻擋層333從上緩沖部分331、332…和N延伸并設(shè)置于光吸收部分311、312…和N的側(cè)面上。
第一虛設(shè)部分324沿著背電極200的頂部表面從第一阻擋層323延伸。另外，第二虛設(shè)部分334從第二阻擋層333延伸并設(shè)置于第一虛設(shè)部分324上。第一虛設(shè)部分324覆蓋第二通孔TH2底部表面的整個區(qū)域。第一虛設(shè)部分324的厚度很薄。例如，第一虛設(shè)部分324的厚度T的范圍大約是Inm到80nm。詳細地，第一虛設(shè)部分324的厚度范圍大約是 Inm 到 30nm。另外，窗口層400通過第三通孔TH3分成多個窗口 410、420…和N。也就是說，窗口 410、420…和N被第三通孔TH3限定。窗口 410、420…和N的形狀對應(yīng)于背電極210、220…和N的形狀。也就是說，窗口410、420…和N被設(shè)置成條紋形狀。另外，窗口 410、420…和N可以被設(shè)置成矩陣的形狀。另外，多個電池Cl、C2…和Cn被第三通孔TH3限定。詳細地，電池Cl、C2…和Cn被第二通孔TH2和第三通孔TH3限定。也就是說，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置被第二通孔TH2和第三通孔TH3分成電池Cl、C2…和Cn。換言之，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置包含多個電池C1、C2…和Cn。例如，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置包含設(shè)置在支撐基板100上的第一電池Cl和第二電池C2。第一電池Cl包含第一背電極層210，第一光吸收部分311，第一下緩沖部分321、第一上緩沖部分331和第一窗口 410。第一背電極210被設(shè)置于支撐基板100上，并且第一光吸收部分311、第一下緩沖部分321和第一上緩沖部分331依次地疊加在背電極210上。第一窗口 410被設(shè)置于第一上緩沖部分331上。也就是說,第一背電極210面對著第一窗口 410,并在他們之間插入第一光吸收部分 311。雖然在附圖中沒有顯示，第一上緩沖部分331和第一窗口 410覆蓋第一背電極210,使得第一背電極210頂部表面的一部分被露出。第二電池C2被置于支撐基板100上并與第一電池Cl相鄰。第二電池C2包含第二背電極層230，第二光吸收部分312，第二下緩沖部分322，第二上緩沖部分332以及第二窗口 420。第二背電極220被置于支撐基板100上并與第一背電極210分隔開。第二光吸收部分312被置于第二背電極220上并與第一光吸收部分311分隔開。第二窗口 420被置于第二上緩沖部分332上并與第一窗口 410分隔開。第二光吸收部分312和第二窗口 420覆蓋第二背電極220，使得第二背電極220頂部表面的一部分被露出另外，連接部分500被置于第二通孔TH2中。進一步，連接部分500被置于第一虛設(shè)部分324上。
連接部分500從窗口 400向下延伸，并與背電極200相接。例如，連接部分500從第一窗口 410向下延伸并與第二背電極220相接。這時，由于連接部分500、第二虛設(shè)部分334和第二背電極220有低電阻以及第一虛設(shè)部分324有薄的厚度，隧道效應(yīng)在第二虛設(shè)部分334和第二背電極220之間發(fā)生。這樣，電流可以在第二虛設(shè)部分334和第二背電極220之間容易地流動。因此，連接部分500可以很容易地連接包括在相鄰電池Cl、C2···和Cn中的窗口和背電極。例如，連接部分500能很容易地連接第一窗口 410和第二背電極220。連接部分500與窗口 410、420…和N—體化地形成。也就是說，制造連接部分500的材料和制造窗口層400的材料相同。第一阻擋層323絕緣了光吸收部分311、312…和N的側(cè)面。也就是說，第一阻擋層323插入在光吸收部分311、312…和N和連接部分500之間。這樣，第一阻擋層323能夠阻
止光從吸收部分311、312···和N側(cè)面處的泄漏電流。例如，第一阻擋層323能阻止電流通過連接部分500和第一光吸收部分311的側(cè)面漏向第一背電極層210。也就是說，由于第一阻擋層323插入在有高電阻的光吸收部分311、312···和N和有低電阻的第二阻擋層333之間，使得隧道效應(yīng)在第一阻擋層323不能發(fā)生。這樣，第一阻擋層在光吸收部分311，312…和N的側(cè)面增加電阻。另外，為了阻止泄漏電流而增加第一通孔THl的寬度是沒有必要的。詳細地，泄漏電流能有效地被第一阻擋層阻止，即使第一通孔THl的寬度減小。因此，第一通孔THl的寬度能夠被減小，這樣，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置能夠減少不產(chǎn)生能量的死區(qū)。另外，由于第一虛設(shè)部分324厚度很薄,第一虛設(shè)部分324不能惡化連接部分500和背電極層200之間的連接特性。例如，由于第一虛設(shè)部分324的厚度大約是SOnm或更薄，第一虛設(shè)部分324不能增加連接部分500和背電極層200之間的電阻。因此，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置能夠提高電池之間的連接特性以及發(fā)電效率。圖3到6是示出根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置的制造方法的剖視圖。通過引述，以上關(guān)于太陽能電池裝置的描述包含在這里。參照圖3，背電極層200形成在支撐基板100上。圖案化背電極層200以形成第一通孔TH1。這樣，多個背電極210、220…和N形成在基板上。背電極層200被激光圖案化。第一通孔THl露出支撐基板100的頂部表面，其寬度范圍大約是80 μ m到200 μ m。另外，一個附加層，如一個擴散阻擋層可以被插入在支撐基板100和背電極層200之間。這時，第一通孔THl露出附加層的頂部表面。參照圖4，光吸收層310形成在背電極層200上。光吸收層310通過濺射方法或蒸鍍方法形成。例如，光吸收層310通過多種方法形成，如通過同時或單獨地蒸鍍Cu、In、Ga和Se形成基于Cu (In, Ga) Se22 (CIGS)光吸收層310的方法，以及通過在金屬前體層形成后執(zhí)行硒化工藝的方法。關(guān)于金屬前體層形成后的硒化工藝的細節(jié)的描述，金屬前體層通過利用銅靶、銦靶或是鎵靶進行濺射工藝在背電極層200上形成。
此后,金屬前體層經(jīng)過硒化工藝從而形成基于Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)光吸收層310。另外,利用銅祀、銦祀和鎵祀的派射工藝和硒化(s e I en i z at i on )工藝可以同時進行。進一步，基于CIS或是CIG的光吸收層310通過只利用銅和銦靶或者只利用銅和鎵靶的濺射工藝和硒化工藝形成。然后，光吸收層310的一部分被移除以形成第二通孔TH2。第二通孔TH2可以通過諸如刀具的機械設(shè)備或是激光設(shè)備形成。例如，光吸收層310和下緩沖層320可以采用寬度范圍在40 μ m到180 μ m的刀具 被圖案化。另外，第二通孔TH2可以通過采用波長范圍在約200nm到約600nm的激光形成。這時，第二通孔TH2的寬度范圍大約在ΙΟΟμπι到200μπι。另外，第二通孔ΤΗ2露出了背電極層200頂部表面的一部分。參見圖5，通過濺射方法或化學(xué)浴沉積(CBD )方法將硫化鎘(CdS )沉積在光吸收層310上和第二通孔ΤΗ2中，從而形成下緩沖層320。之后，通過濺射方法ZnO被沉積在下緩沖層320上，從而形成上緩沖層330。下緩沖層320厚度很薄。例如，下緩沖層320的厚度范圍大約是Inm到80nm。另外，下緩沖層320和上緩沖層330的沉積方向可能是傾斜的。參見圖6，窗口層400在上緩沖層330上形成。這時，用于形成窗口層400的材料被填充在第二通孔TH2中。為了形成窗口層400，一種透明導(dǎo)電材料被沉積在上緩沖層330上。該透明導(dǎo)電材料完全地填充第二通孔TH2。該透明傳到材料包括摻Al的氧化鋅(ΑΖ0)。這樣，從窗口層400延伸并與背電極層200直接接觸的連接部分500在第二通孔中形成。之后，下緩沖層320，上緩沖層330和窗口層400被部分地移除以形成第三通孔TH3。因此，第一阻擋層323形成在光吸收部分311、312…和N的側(cè)面，以及第一虛設(shè)部分324形成在背電極層200上。然后，下緩沖層320和上緩沖層330被圖案化，使得多個下緩沖部分321、322…和N和多個上緩沖部分331、332···和N相繼形成在光吸收部分311、312…和N上。另外，第一阻擋層323和第二阻擋層333形成在光吸收部分311、312···和N的側(cè)面。進一步，第一虛設(shè)部分324和第二虛設(shè)部分334形成在第二通孔TH2的底部表面。另外，窗口層400被圖案化形成多個窗口 410、420…和N以及多個電池C1、C2…和Cn0第三通孔TH3的寬度范圍大約是80 μ m到200 μ m。以這種方式，通過形成第一阻擋層323和第二阻擋層333，高效率的太陽能電池裝置被制成。圖7和8是示出根據(jù)另一個實施例的太陽能電池裝置的制造方法的剖視圖。通過引述，以上的關(guān)于太陽能電池裝置及其制造方法的描述合并于此。就是說，除了改進部分，以上關(guān)于太陽能電池裝置及其制造方法的描述被合并于此。參見圖7，CdS通過濺射方法或化學(xué)浴沉積(CBD)方法被沉積在光吸收層310的頂部表面，第二通孔TH2的內(nèi)壁以及第二通孔TH2的底部表面，從而形成下緩沖層320。然后，摻Ga的ZnO，摻Ga的SnO或不摻雜的IZO沉積在下緩沖層320上，形成上緩沖層330。這時，沉積在下緩沖層320以形成上緩沖層330的材料的沉積方向相對于支撐基板100傾斜。例如，形成上緩沖層330的材料的沉積方向相對于支撐基板100傾斜成大約10。到40。的角度。這樣，第二阻擋層335有一個厚的厚度T2。也就是說，第二阻擋層335的厚度T2比在光吸收層310頂部表面形成的上緩沖層331和332的厚度Tl厚。換句話說，在光吸收層310的頂部表面形成的上緩沖層331和332的厚度Tl比形成在光吸收部分311側(cè)面的第二阻擋層335的厚度T2薄。
參見圖8，窗口層400和第三通孔TH3形成在上緩沖層330。根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置包括厚度相對較厚的第二阻擋層335。這樣，光吸收層311側(cè)面的絕緣作用增強。這樣，根據(jù)本實施例的太陽能電池裝置能夠提高電池之間的連接性能，同時提高發(fā)電效率。說明書中提到的“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等，意思是結(jié)合實施例描述一個特定的特點、結(jié)構(gòu)或特征包含在本發(fā)明的至少一個實施例中。說明書中在不同地方出現(xiàn)的這些短語不一定是指相同的實施例。進一步，當(dāng)結(jié)合任何實施例描述了一個特定的特點、結(jié)構(gòu)或特征，這被認為是本領(lǐng)域技術(shù)人員在其知識范圍內(nèi)能夠結(jié)合其他的實施例來實現(xiàn)這樣的特點、結(jié)構(gòu)或特征。雖然參考數(shù)個說明性實施例來描述了各實施例，但是可以認識到，在本公開揭示原則的精神和范圍內(nèi)，許多其他改進和實施例可以被本領(lǐng)域技術(shù)人員設(shè)計出來。特別地，在本公開、附圖和附加權(quán)利的范圍內(nèi)，主體組合排列的構(gòu)成部分和(或)設(shè)置可以有多個變化和改進。除了組成部分和/或設(shè)置的變化和改進之外，另外的使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員中也是顯而易見的。工業(yè)實用性根據(jù)實施例的太陽能電池裝置可以被應(yīng)用與太陽能發(fā)電領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.太陽能電池裝置，包括 支撐基板； 第一和第二背電極，在支撐基板上彼此隔離開； 光吸收部分，在第一背電極上； 第一緩沖部分，在該光吸收部分上； 第二緩沖部分，在第一緩沖部分上； 第一阻擋層，該阻擋層從第一緩沖部分延伸并被設(shè)置于所述光吸收部分的側(cè)面；以及 第一虛設(shè)部分，該虛設(shè)部分從第一阻擋層延伸并被設(shè)置于第二背電極的頂部表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池裝置，進一步包括 窗口，該窗口在第二緩沖部分上；以及 連接部分，該連接部分從該窗口延伸并與第二背電極連接， 其中，第一阻擋層插入在所述光吸收部分和所述連接部分之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池裝置，其中，第一虛設(shè)部分的厚度范圍是Inm到80nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池裝置，進一步包括 第二阻擋層，該第二阻擋層從第二緩沖部分延伸并被設(shè)置于所述光吸收層的側(cè)面；以及 第二虛設(shè)部分，該第二虛設(shè)部分從第二阻擋層延伸并被設(shè)置于第一虛設(shè)部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池裝置，其中，第二阻擋層的厚度比第二緩沖部分的厚度要厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池裝置，其中，第一緩沖部分，第一阻擋層和第一虛設(shè)部分彼此一體化地形成，同時第二緩沖部分、第二阻擋層和第二虛設(shè)部分彼此一體化地形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池裝置，其中，第一阻擋層包含CdS，第二阻擋層包含摻Ga的氧化錫。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池裝置，其中，第一阻擋層包含CdS，以及第二阻擋層包含不摻雜的i-ZnO。
9.一種太陽能電池裝置，包含 支撐基板； 背電極層，在支撐基板上； 光吸收層，在背電極層上并含有一個通孔； 第一緩沖層，該緩沖層在光吸收層的頂部表面、所述通孔的內(nèi)壁以及該通孔的底部表面； 第二緩沖層，在第一緩沖層上；以及 窗口層，在第二緩沖層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池裝置，其中，第一緩沖層覆蓋所述通孔底部表面的全部區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池裝置，其中，形成在所述通孔底部表面的第一緩沖層的厚度范圍是Inm到80nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池裝置，其中，第二緩沖層包含摻雜Ga的氧化錫。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池裝置，其中，形成在所述通孔內(nèi)壁的第二緩沖層的厚度比形成在光吸收層上的第二緩沖層的厚度厚。
14.一種太陽能電池裝置的制造方法，該方法包括 在支撐基板上形成背電極層； 在該背電極層上形成光吸收層； 在該光吸收層上形成通孔； 在所述光吸收層的頂部表面、所述通孔的內(nèi)壁以及所述通孔的底部表面形成第一緩沖層； 在第一緩沖層上形成第二緩沖層； 在第二緩沖層上形成窗口層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的所述的方法，其中，在形成所述通孔時，光吸收層通過使用機械裝置或激光被圖案化使得所述背電極層的一部分被露出。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在形成第二緩沖層時，形成第二緩沖層的材料在相對于所述支撐基板傾斜的方向被沉積。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在形成第二緩沖層時，不摻雜的i-ZnO或摻Ga的氧化錫在相對于所述支撐基板傾斜的方向上被沉積在第一緩沖層上。
全文摘要
公開了一種太陽能發(fā)電裝置及其制造方法。太陽能發(fā)電裝置包括支撐基板；支撐基板上的彼此相隔的第一和第二背電極；第一背電極上的光吸收部分；光吸收部分上的第一緩沖；第一緩沖上的第二緩沖；第一阻擋層從第一緩沖層延伸并被置于光吸收部分的側(cè)面；第一虛設(shè)部分從第一阻擋層延伸并被置于第二背電極的頂部表面。
文檔編號H01L31/042GK102844880SQ201180015611
公開日2012年12月26日 申請日期2011年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月24日
發(fā)明者池奭宰 申請人:Lg伊諾特有限公司