專利名稱：接合的納米結構及其方法
技術領域：
本發(fā)明涉及接合本文中所述的納米材料，例如將納米結構的薄膜與由基板支撐的基于納米結構的薄膜接合，或者將所述納米結構的薄膜與納米結構的聚集物接合。雖然本發(fā)明未必限于此，但通過借助此背景和其他背景討論各種實 施例可理解本發(fā)明的各個方面。根據一個示例性實施方式，接合(例如，附力口)材料在納米結構之間的連接處沉積，使所述接合材料成核以形成與納米結構物理連接在一起(例如，連接和/或增加了連接)的成核材料。在本文中，通過氣相沉積或者溶液沉積使接合材料成核，蒸汽或者溶液中的接合材料在連接處成核。例如，所述接合材料可以用于增加納米結構之間的有效接觸面積和/或增加納米結構之前的傳導性(降低電阻/增加導電性和/或導熱性)，并進一步用于增強納米結構之間的連接。所述接合的納米結構用于一個或多個的各種應用中，例如形成納米材料薄膜、支撐結構和/或諸如透明電極的納米材料電子電路。此外，當接合了較大薄膜(例如，包含許多結構的大面積薄膜)，可以使用常用沉積方法同時接合穿過整個薄膜的納米結構，并選擇性地接合納米結構之間的連接。一旦占據了連接點位，另外的沉積的材料沿著納米結構成核，并可以進一步摻雜納米結構。在某些更具體的實施方式中，碳納米管(CNT )以及納米I父或者納米慘雜劑材料位于一種溶液中，并在其中混合。然后使該最終混合/結合的溶液與納米膠和/或納米摻雜劑在連接處和CNT上沉積。在許多應用中，沉積的接合材料的費米能級低于一種或多種納米結構的費米能級。可以根據沉積的材料的類型、厚度和/或施加于材料的條件來調節(jié)所述費米能級。在一些應用中，通過加熱和/或光照來調節(jié)所述沉積的材料的費米能級。通過以此方式控制費米能級，可以合乎希望地調節(jié)對于所得結構的接合材料部分的導電性(以及相關的導熱性)。對于各種實施方式，特別地控制沉積的材料的傳導性以限制得到的使用納米結構(例如，包含分子C7J交的接合材料)的裝置的開電流，其中可以調節(jié)所述材料的厚度以保證薄膜不在斷態(tài)時變得過于有傳導性，以維持高開/關比和晶體管特性(且不再展現(xiàn)晶體管特性)。添加劑材料增加了 “開電流”。根據其他示例性實施方式，接合納米結構以形成納米材料薄膜。分子(例如，非合金)接合材料沉積在多個納米結構之間的連接處，且使得所述沉積的接合材料成核(例如，接合材料在沉積時在連接處成核)。成核的接合材料在納米結構之間的數個連接中的每一個處形成傳導材料，以使得納米結構物理連接和傳導(導電和/或導熱)連接在一起并形成納米材料薄膜。在許多實施方式中，穿過薄膜使用的接合材料的費米能級小于大多數或者基本上全部納米結構(例如，大于75%、大于85%或者大于95%的納米結構)的費米能級。其中納米結構的混合物(例如，以直徑和帶隙中的一個或兩個的形式)存在于薄膜(例如，半導體、半金屬和金屬納米結構和/或納米絲)中，用于薄膜中的接合材料的費米能級低于大多數或者基本上全部的一類納米結構(例如，半導體納米結構)。使用接合材料中的摻雜劑材料摻雜納米結構，以降低納米結構的電阻值(即，相對于摻雜納米結構之前的所述納米結構的電阻值)。在一些應用中，用包含半導體納米管的納米管的網絡進行此方法，摻雜所述半導體納米管以增加它們的傳導性(例如，將納米管從半導體轉化為基于導電金屬的納米管，并增加導熱性和導電性中的一種或兩種)。從而較之接合材料沉積和成核之前的電阻值，可以顯著地減小所得的電阻值(例如，減小一半或者一個或更多的數量級)。在許多實施方式中，通過將大多數或者全部的納米結構轉化為幾乎相同的能級，并通過降低或抑制薄膜中不同類型納米結構(例如，半導體、半金屬、金屬)的不同比例的凹穴(pockets),來調節(jié)穿過薄膜的導電性的均勻性。另一個示例性實施方式涉及用電荷傳輸材料來接合納米結構，如碳基納米管或金屬納米絲(例如,金、銀或銅中的一種或多種)以形成納米材料薄膜。接合材料在納米結構之間的連接處沉積或以其他方式放置。然后使沉積的接合材料成核以在每一個連接處形成(和/或增強)電荷傳輸結構。所述電荷傳輸結構物理連接、熱連接和電連接了納米結構。通過接合材料接合納米結構所得的結合形成了前述納米材料薄膜(例如，有機薄膜)。在一些實施方式中，使用碳基納米結構的密度、納米結構的直徑、結合材料的類型、以及接合材料對于納米結構的選擇性中的一種或多種，來調節(jié)有機納米材料薄膜的透明度。關于這些實施方式和相關實施方式，發(fā)現(xiàn)所述接合材料相對于下方基板材料，對它們沉積的納米結構具有選擇性，這對于保持透明度是有用的。還發(fā)現(xiàn)納米結構的密度可以影響沉積的接合材料對納米結構的選擇性(例如，與接合材料在下方基板上的沉積有關)。還發(fā)現(xiàn)所述選擇性可以用于調節(jié)通過納米結構形成的所得薄膜的透明度。在本文中，根據各個示例性實施方式，納米結構在基板上以促進接合材料在沉積時的選擇性的密度排列，以減輕所述接合材料在基板上的沉積?？梢詫⒒鍦囟瓤刂圃诤虾跸Ｍ某练e溫度，例如在室溫或低于室溫到約250攝氏度的范圍。使接合材料成核以接合納米結構并形成具有設定的透明度的傳導薄膜(例如，根據應用，至少約70 %的光通過，且高至并超過約95 %的光通過)。在另一個實施方式中，接合材料用于增強自立式結構的傳導性，所述自立式結構包含或由諸如墊、絲或者纜線的納米結構構成。在一些基板自身為基于納米結構的自立式墊、絲或者纜線的情況下，增加了傳導性而無需影響透明度。在其他實施方式中，接合材料還用于增強碳基納米結構的傳導性，例如通過其成核時沿著納米結構的延伸和/或通過成核的接合材料摻雜納米結構。關于這些實施方式以及相關實施方式，還可以發(fā)現(xiàn)所述接合材料可以在連接處成核以沿著納米結構形成，可以通過與納米結構的混合量以及沉積在納米結構上的接合材料的量和/或比例來調節(jié)納米結構的覆蓋度。在本文中并結合各個示例性實施方式，根據所希望的所得薄膜的傳導性，使用歷史數據、圖表、查找表或者其他方法來選擇接合材料的量。此選擇的量還基于所述接合材料的性質(例如，如本文中進一步所討論，還發(fā)現(xiàn)諸如基于富勒烯的材料或者衍生的富勒火布(例如，C60> C70> C84> C60Cl6> C60Cl24、C70F54> C60F18、C60F24> C60F36、C60F44> C60F48 和 C70F54)的分子接合材料對于增強傳導性特別有用)。然后將選定的量的接合材料沉積或者其他方式形成于納米結構上并成核以增強納米結構的傳導性(適當地，接合所述納米結構)。在一些示例性實施方式中，使用一種或多種選自一類鹵化的富勒烯衍生物的摻雜劑摻雜納米管，且至少部分的分子式包含C60Fx' C60Cly' C60FxCly, C70Fx' C70Cly' C70FxCly
其中，對于C60，X=l-55，對于 C70，X 小于 65。更優(yōu)選地，X=18、24、36、48、54 或者56。其中，對于C60，X=l-55，對于 C70，X 小于 65。更優(yōu)選地，Y=4、6、24、36、48、54 或者56。被摻雜的納米結構包括單獨納米管、碳纖維、納米絲、碳納米管或者本文中所述的其他納米/微結構中的一種或多種。其他實施方式涉及基于石墨烯結構的接合，其中石墨烯薄層中的一層至多層被接合(適當情況下，被摻雜)以適用于特定的應用。例如，可以按需接合和摻雜石墨烯層以將它
們的傳導性調節(jié)到適于電子應用、熱應用以及高強度應用中的一個或多個的選定的水平。在一些實施方式中，對于包括那些希望涉及使用石墨烯氧化物實現(xiàn)某些加工特性的應用，使用了石墨烯氧化物或者還原的石墨烯氧化物。可以使用這些方法提升所述結構的導電性和導熱性，以在許多應用中產生可行的組件并適用于各種技術。在某些實施方式中，與上述的發(fā)現(xiàn)一致，形成了具有彼此相對設置的傳導性和透明度性質的納米材料薄膜，以得到對于特定的應用具有所需性質的薄膜。例如，在某些應用中，對納米結構添加接合材料可以降低由納米結構形成的薄膜的透明度，還增強了納米結構的傳導性。因此，關于上述發(fā)現(xiàn)，根據彼此相對的各自權衡來調節(jié)傳導性(導電性和/或導熱性)和透明度的水平，以形成對于某個應用符合所需的透明度以及傳導性特性的納米材料薄膜。因此，使用這些特性和各自權衡來調節(jié)對于各個應用的納米材料薄膜。從而這些實施方式可用于納米薄膜的設計和制造，且對于薄膜自身具有一系列確定的傳導性和透明度特性。因此(在設計中)調節(jié)并制備本文所述的接合的納米材料以用于各個應用中，例如撓性顯示器、觸摸屏、太陽能電池、電子紙、發(fā)熱器、靜電放電裝置、電池、超級電容器、傳感器、光化學裝置、電磁屏蔽裝置，從較高電阻到較高導電性，對于每個應用具有所需的多種程度的透明度。同樣根據本發(fā)明，涉及電池或者涉及超級電容的實施方式包含至少一個由薄膜形成的電極，所述薄膜包含多個在基板上的納米結構、和成核的接合材料，如上所述，所述成核的接合材料配置成與連接處的納米結構物理連接和電連接。因此在某些應用中，基于測試以及對于較高或較低水平的傳導性(導電性和/或導熱性)和透明度的需求，來調節(jié)通過薄膜的光透射率。為此以及在此類型的典型應用中，電子電路中基本上大多數的接合材料與納米結構物理連接和電連接(相對于未物理連接和電連接的成核的材料)以調節(jié)傳導性和通過薄膜的光透射率。例如，在涉及太陽能的應用中的通過基于薄膜的電極的光透射率高于電池應用中的通過基于薄膜的電極的光透射率，所述基于薄膜的電極用于收集光源能量。因此，根據預期應用和相關設計規(guī)格的需要，在制備過程中根據彼此相對的各自權衡來調節(jié)所述傳導性和透明度的水平。關于其他示例性實施方式，當在納米結構上(例如,在連接處和碳納米管的側壁上)放置添加劑材料時形成了混合材料。所述混合材料包含來自納米結構的材料和來自沉積或者以其他方式形成在納米結構上的材料的摻雜劑，例如來自如上所述的接合材料或者來自獨立沉積的材料，如施加于納米結構并成核的基于富勒烯的材料(例如，溴、氯、烷基氟和氟衍生的富勒烯)。相對于形成混合材料之前的納米結構的電阻，所得到的納米結構與混合材料的排列展現(xiàn)出降低的電阻。例如，此方法可以與如上所討論的一個或多個實施方式結合，適當地，與上述涉及納米結構增強的傳導性的發(fā)現(xiàn)結合，以及與所得納米材料薄膜的傳導性的發(fā)現(xiàn)結合。關于另一個示例性實施方式，通過富勒烯或者富勒烯衍生物(例如，如溴、氯、烷基氟和氟衍生的富勒烯的鹵化的富勒烯)類型的納米膠分子形成碳混合材料，節(jié)點和分支的互連碳納米管網絡在節(jié)點或者連接處粘合(例如，接合)在一起。在一些實施方式中，所述富勒烯納米膠是多功能的在節(jié)點處它起了將交叉納米管粘合在一起并通過提供較大導電通路來降低(預粘合)連接電阻的作用，且還沿著管起了高度P摻雜納米管的作用。所述P摻雜增加了納米管網絡的總體傳導性，且對于所述納米管網絡的透明度具有所需的低影響(例如，最小影響)。在一些實施方式中，所述納米膠分子還迫使接合的碳納米管相互靠的更近。此外，可以影響各個碳納米管連接處的納米膠的形成，通常與所述碳納米管的手性無關。關于這些方法，薄片電阻值小于約1000歐姆，且在一些情況下低至或者小于60歐姆，而透明度高于約80% (例如，在約550nm波長下)，或者對于許多情況，透明度高于約92%，得到所述薄片電阻值以適用于一種或多種應用。例如，在觸摸屏應用中，可以使用約為80% 透明度的薄片電阻值。對于許多應用，薄片電阻稱為歐姆/sq或者歐姆/平方米，其是通常相當于歐姆量度的無量綱量度。例如，可以使用費米能級小于大多數或者基本上全部的納米管網絡(例如，如上所討論)的接合材料來得到所述薄片電阻。除了上述P摻雜方法，各種實施方式涉及納米管的η摻雜，以類似于上述討論的關于富勒烯的方法使用η-型材料摻雜納米結構。當以這種方式實施時，可以調節(jié)沉積的接合材料的費米能級高于接合的一個或多個的納米結構的費米能級?？梢允褂么朔椒ㄕ{節(jié)傳導性，且對于在包含(但不限于)Ν2的環(huán)境中的應用，可以增加納米結構的傳導性，可以用于晶體管和/或其他半導體裝置中。在某些實施方式中，諸如CNT、石墨烯或者納米絲的納米結構在諸如表面活性劑或者基于聚合物的溶液中分散，并從所述溶液中沉積。在這些實施方式中，所述表面活性劑或者聚合物可以覆蓋納米結構的一些或者全部表面，本文中所述的接合和/或摻雜劑材料沉積到覆蓋的表面上?？梢酝ㄟ^覆蓋的表面和/或下方納米結構的暴露部分來接合結構。因此，通過所述CNT或者石墨烯的暴露區(qū)域或者通過電荷轉移到表面上的涂層并進一步通過涂層轉移到CNT或者石墨烯，可以影響所述結構中的電荷轉移。在一些實施方式中，納米結構和接合/摻雜劑材料薄膜或者自立式結構被聚合物層覆蓋，例如用于包封、平面化薄膜或者結構或者改變薄膜或者結構的傳導性。在各種上下文中，本文中所述的術語“電路”用于形成了電路和/或具有導體、電源，在適當情況下一個或更多其他組件的電路的部分的導體。例如，術語“電路”可以指的是導體或者導電片，其可以由一個或多個電路組件驅動或者與一個或多個電路組件相連接。術語“電路”還可指導體或者導電片，以及電源、另外的電路連接器、負載、存儲裝置、以及傳感器電路等中的一個或多個。在許多情況下，術語納米結構還用于表示如碳納米管、金屬納米絲、直徑在約I納米或數納米之間，例如約Inm和IOnm之間或者約IOnm和100微米之間的石墨烯(例如,顯示為軋制石墨烯片的納米管)的結構。因為納米結構可以包含CNT束或者金屬絲束，術語“納米結構”可以表示Inm至Ιμπι的總體直徑。盡管絲/纜線的直徑可能更大，它們可以以所述數量級尺寸(直徑)包含單獨的納米結構。這些納米結構的長度可以設定為約IOOnm至最長數厘米以適用于不同應用?？梢酝ㄟ^接合材料在納米結構之間的連接處的成核(以及結晶化或者縮合)，使用連接的表面能量特性促進所述成核來接合所述結構。在各個上下文中，術語“成核的”表示在特定(成核)點位晶體生長的成核現(xiàn)象，在所述點位晶體繼續(xù)生長(或者無定形，因為所述生長不必是晶體的)。在許多實施方式中，此成核現(xiàn)象對于接觸納米結構或者非常接近接觸納米結構的位置具有選擇性，在所述位置中表面能有助于成核現(xiàn)象(例如，對于成核具有選擇性的高能點位可以包含連接以及沿著納米結構的缺陷點位)。從而在納米結構之間的 連接處成核的接合材料通過結晶化和/或縮合有效地接合了納米結構，其可以無化學鍵合進行?？梢赃M一步在較低溫度下進行此成核，例如成核點位低于約300攝氏度，且可以使用單獨步驟進一步進行所述成核(例如，在成核時無需其他步驟來促進納米結構的連接)。術語“分子接合材料”用于表示非合金型材料，或者不與納米結構化學鍵合的材料，所述納米結構通過接合材料電連接和/或物理連接。因此，在許多實施方式中，所述分子接合材料是在材料的沉積和/或生長時不與納米結構化學鍵合的材料，且不包含與納米結構初始粘結并后續(xù)去除的材料。落在“分子接合材料”范圍內的材料包含如上所述的富勒烯材料，例如c6(l、C70和C84,以及其他較高(較大)或較低(較小)富勒烯，或者取代的富勒烯(例如，鹵素取代，如氟、溴、碘或者氯取代)。在一些實施方式中，所述分子接合材料包含P-型有機分子和/或η-型有機分子，所述P-型有機分子例如并五苯或者酞菁銅，所述η-型有機分子例如萘四羧酸二酸亞胺(naphthalenetetracarboxylic diimide) (NTCDI)和四氟-四氰基醌二甲燒(Tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) (F4-TCNQ)。在其他實施方式中，接合材料包含金屬納米顆粒，例如包含金、銀、鈀、鈦、銅、鋁和鉬中的一種或多種的材料。在其他實施方式中，接合材料包含絕緣材料，例如無機氧化物(Al2O3或SiO2)或者聚合物(聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸甲酯(methylmathacrylate))、聚(乙烯基苯酹))或者導電聚合物聚噻吩、聚苯胺、PEDOT或者聚吡咯。因此，可以使用基于富勒烯的、基于小有機分子的、基于聚合物的以及基于金屬納米顆粒的分子接合材料以適用于不同應用。其他落在“分子接合材料”范圍內的材料包括其他共軛聚合物和石墨烯。相應地，不落在“分子接合材料”范圍內的材料包括，例如，與納米結構化學鍵合的材料或者與另一個與納米結構粘合的分子連接的導電實體(例如，金屬)。所述材料的例子包括金屬-氨基酸材料，如金-半胱氨酸，其中所述氨基酸與納米結構粘合，且進一步加工可以去除氨基酸并留下金屬。其他不落在“分子接合材料”范圍內的材料包含在高于400° C的過程中接合的任意其他材料。作為本申請要求優(yōu)先權的下方臨時專利申請的部分所提交的附錄，描述了各個其他示例性實施方式，包括更具體的/示例性的實施方式。可以與一個或多個上述的實施方式以及那些附圖
中所述和如下所述的實施方式結合，來實施附錄(以及作為整體的下方臨時專利申請)中的實施方式。例如，多個示例性圖表顯示可以用納米結構裝置實現(xiàn)表現(xiàn)型特性，所述納米裝置根據本文中所述的特性制備和/或展現(xiàn)出本文中所述的特性?，F(xiàn)在看附圖，根據本發(fā)明的另一個示例性實施方式，圖I顯示了接合過程中各個階段的納米結構排列100。此處，通過舉例示出了 A處的納米管110和120，可以結合各種納米結構(或者如上所述的微結構)使用如下所示以及所述的方法。例如，可以如所示接合CNT、單壁納米管(SWNT)、雙壁碳納米管(DWCNT)、多壁碳納米管(MWCNT)、碳纖維、納米材料絲束、石墨烯、無機和/或有機納米絲、以及納米材料索(例如，不同直徑的束沖的一個或多個。還可以使用不同類型的納米材料，例如具有不同手性的納米管、半導體納米管、金屬納米管、無機和有機納米絲(例如，具有ZnO、Ag、Au或者Si中的一個或多個)及其組合。此外，雖然所示是兩個納米管110和120，但是可以將多個此類納米結構接合在一起，也可以是不同類型的納米結構(例如，SWNT和MWNT)接合在一起。所得的結構可以用于形成各種裝置，例如導電絲、電路和/或這些納米結構的整個薄膜。還可以調節(jié)納米結構110和120的密度、排列、長度以及總厚度(例如，I-IOOnm或者更高的范圍)以適用于特定的應用。此外，所述納米管110和120可以是自立式的，或者形成于基板上。在B處，分子接合材料在納米結構110和120上沉積，例如從溶液中或者從真空中沉積，如C處所示使接合材料成核以形成成核的接合材料130，所述成核的接合材料130與 納米結構110和120在納米結構之間的連接處物理連接、熱鏈接以及電連接，其可以用于增強連接的納米結構的傳導性和強度。通常，接合材料130與納米結構粘合、焊接或者以其他方式連接，所述納米結構在接合材料的成核之前相互接觸或者是分離的(例如，分離數納米)。如所示，可以穿過納米結構進行接合材料的沉積和成核(例如，從連接成核點位沿著結構生長)，但是還穿過了該結構的整個薄膜，以形成賦予薄膜傳導性的互連網絡。在一些實施方式中，如C處所示，摻雜劑材料140在納米結構110和120上沉積并摻雜納米結構110和120。在一些實施方式中，所述摻雜劑材料140與接合材料130是相同的材料，且與接合材料同時沉積。在該實施方式中，摻雜劑材料140可以在連接處沉積并沿著納米結構110和120生長。摻雜劑材料140還可以遠離連接處直接沉積在納米材料110和120上(例如，沿著納米管的側壁)。在其他實施方式中，摻雜劑材料140在一個步驟中沉積，所述步驟與接合材料130的沉積分離或者至少部分分離，且所述摻雜劑材料140可以包含與接合材料相同和/或不同的材料。摻雜劑材料140可以影響永久摻雜、增加納米結構110和120的傳導性，且是隨時間穩(wěn)定的。在一些實施方式中，首先沉積接合材料130，然后沉積摻雜劑材料140，其中所述接合材料的費米能級低于納米結構中的一種的費米能級，而所述摻雜劑材料的費米能級低于所述接合材料的費米能級。接合材料可用于使摻雜劑材料成核(例如，促進摻雜劑材料生長的成核點位(當可用于實施方式時))。在一些情況下，相對于周圍材料，摻雜劑材料140對納米結構110和120具有選擇性。例如，當納米結構Iio和120是在基板上形成時，摻雜劑140更有選擇性地粘附在納米結構上而不是下方基板上，從而有助于所需的透明度水平。還可以根據所需的透明度水平和/或根據所需的所得納米材料的傳導性，調節(jié)摻雜劑材料140的厚度。圖2A-2C顯示了根據一個或多個示例性實施方式，制備的各個階段中的納米結構。在圖2A中，排列用于接合的半導體和金屬納米管，半導體納米管210、211和212以虛線顯示，金屬納米管220、221、222、223和224用實線顯示。雖然此處所討論以及所示的是半導體和金屬納米管，但是也可以是半-金屬和/或展現(xiàn)出各種不同禁帶的具有半導體和/或金屬特性的各種納米管。在圖2B中，接合材料在納米管之間的連接處沉積，通過舉例示出了接合材料230。圖2C顯示了納米管210、220以及211的放大圖，使接合材料成核，具有沿著各個納米管的至少一部分延伸的部分231、232以及233。此外，用接合材料摻雜納米管210和211，且此時金屬納米管用實線表示。在各個實施方式中，如所示，除了接合的材料230用于沿著納米管延伸的成核以外，和/或作為接合材料230用于沿著納米管延伸的成核的替代，成核材料231、232以及233沿著納米管沉積(對于圖2B中所示的中間裝置)并成核。圖3是根據其他示例性實施方式，用C6tl接合的納米結構的電流/電壓特性圖300。例如，圖310表示納米管網絡的電路/電壓特性，所述納米管網絡在接合(如圖2A所示)前具有相互接觸或者緊密接觸的納米管排列。圖320表示納米管網絡的電路/電壓特性，所述納米管網絡如圖2B所示使用C6tl接合納米管。其他實施方式涉及使用C7tl或諸如C84的更高富勒烯來接合納米結構。圖4是根據其他示例性實施方式，用C6tl接合的高密度納米結構的電流/電壓特性圖400。所述納米結構具有比圖3中所表示的納米結構高的納米管密度。例如，圖410表示納米管網絡的電路/電壓特性，所述納米管網絡在接合(如圖2A所示)前具有相互接觸或者緊密接觸的納米管排列。圖420表示納米管網絡的電路/電壓特性，所述納米管網絡如圖 2B所示使用C6tl接合納米管。圖5是根據其他示例性實施方式，用C7tl接合的納米結構的電流/電壓特性圖500。例如，圖510表示納米管網絡的電路/電壓特性，所述納米管網絡在接合(如圖2A所示)前具有相互接觸或者緊密接觸的納米管排列。圖520表示納米管網絡的電路/電壓特性，所述納米管網絡如圖2B所示使用C7tl接合納米管?？梢越Y合一個或多個上述附圖和/或示例性實施方式進行如下討論。當與本文中 (上文或下文)各個示例性實施方式結合使用時，術語“納米結構”指的是具有納米規(guī)模尺寸特性的結構，例如直徑通常為約一納米范圍的碳納米管(而長度可能遠大于數千納米)。在其他實施方式中，術語“納米結構”指的是具有數百納米、接近(且可能超過)一微米規(guī)模的尺寸特性的結構，例如直徑范圍為數百納米至數微米的碳纖維。在各個實施方式中，術語“納米結構”還指的是雙壁納米管(DWNT)和具有三個或更多壁的多壁納米管(MWNT)。在一些實施方式中，混合結構包含與在CNT-CNT連接上選擇性生長的富勒烯材料接合的CNT網絡。所述富勒烯(例如，納米膠)降低了 CNT-CNT連接的接觸電阻，導致高度導電的薄膜，且進一步導致高強度結構，因為通過接合材料強化了 CNT網絡。在一些實施方式中，較厚的富勒烯薄膜在CNT上沉積以比CNT、p摻雜半導體、半-金屬以及其他各種帶隙CNT的分子軌道能量低的分子軌道能量沿著CNT生長，并形成金屬CNT或者金屬碳混合薄膜。在一些實施方式中，包含C6tl的接合材料在碳納米管(CNT)陣列上沉積以沿著納米管形成連續(xù)或者近連續(xù)結構(或外殼)，產生C6tl納米絲型結構，所述結構被下方CNT模板化。在一些應用中，富勒烯在CNT之間的連接點位成核，然后沿著CNT生長。在一個例子中，富勒烯材料沉積到約1-3納米的厚度以在CNT上形成小顆粒，這些顆粒在CNT之間的連接處出現(xiàn)較多?？梢哉{節(jié)沉積的富勒烯的厚度以適用于各種應用。關于這些方法，發(fā)現(xiàn)相對于寬度上的增加，增加沉積的富勒烯的厚度可以影響富勒烯顆粒在長度上的高度增加。超過5納米的富勒烯沉積影響了對于下方CNT-模板的覆蓋，而高度發(fā)生了更顯著的增加。因此，可以調節(jié)沉積的富勒烯(或者其他接合材料)的厚度以控制所得的結構特性。在一些實施方式中，(如上所述)包含C7tl的基于富勒烯的材料用于接合納米管。關于這些實施方式，還發(fā)現(xiàn)相對于(6(|，C70展現(xiàn)了在納米管上更完全的生長，且可以通過厚度約為5納米的C7tl層的沉積用于形成基本連續(xù)的納米絲。如上述所討論，本文中所述的納米結構可用于一種或更多的各種電路或者裝置中。圖6顯示了根據本發(fā)明的各個示例性實施方式，可用于各種裝置的納米結構600的一個此類的排列。如上圖2C中所示，碳納米管薄膜610和620以大致相互平行排列，并包含大量的接合的碳納米管。在另一個實施方式中，接合材料與一種或多種納米結構在溶液中結合，然后將所述溶液用于在單個步驟中形成混合網絡。例如，納米結構和接合材料的溶液可以在基板上沉積或者涂覆，接合材料以本文所述的方式用于接合納米結構，通過在連接處開始(例如，由于相互作用)并從所述連接處延伸，且可以通過溶液中接合材料的量來進行控制。在一些實施方式中，獨立于薄膜層620，使用碳納米管薄膜層610作為諸如玻璃或塑料的表面上的撓性、透明傳導涂層。碳納米管薄膜610可任選地與其他電子電路組件，例如電源630，結合。在一些實施方式中，所述碳納米管610涂覆在玻璃表面上并用于加熱表 面，例如用于解凍運輸工具的玻璃(例如，車輛、飛機、火車或者頭盔中的窗戶)。其他實施方式涉及使用薄膜610和620形成觸摸屏裝置，所述薄膜間具有間隔層640。當對薄膜610施加了壓力，通過電路650檢測到薄膜中電容或者電阻的變化，所述電路650選擇性地與薄膜610和620中的一個或兩個相連接。例如，所述電路650可以與薄膜中的一個或兩個以柵型排列連接，并配制成在柵格中的一部分處感測電容或者電阻的變化，從而檢測施加壓力的位置。在另一個示例性實施方式中，納米結構排列600包含用于窗戶和/或顯示器的電致變色電路。在此實施方式中，間隔層640是三層結構，包含位于薄膜620上的電致變色材料、電致變色材料上的離子導體以及離子導體上的對電極。薄膜610位于對電極上，所得結構600可以被放置在例如，窗戶玻璃面之間或者顯示器的讀取表面下。例如，電源630可以對結構600施加小電壓以引起窗戶變暗,并施加反向電壓點亮窗戶，用于控制光和其他福射(包括熱輻射)的通過。圖7顯示了根據本發(fā)明的其他示例性實施方式，具有混合碳納米管薄膜710和背電極730的電子裝置700，所述混合碳納米管薄膜在下方基板720上?；旌咸技{米管薄膜710包含如上所述以及一些實施方式中所述接合的碳納米管，如圖2C所示，所述混合碳納米管薄膜710還通過摻雜接合(或者其他傳導)材料或者接合(或者其他傳導)材料沿著納米管的其他生長以進一步改變傳導性。根據應用改變用于制造混合碳納米管薄膜710的碳納米管的密度和/或結構。在一種應用中，通過成核(縮合和/或結晶，因為不一定成核為無定形)來調節(jié)接合材料沿著碳納米管的長度，以根據納米管的長度、間隔或密度來調節(jié)所述納米管的傳導性，以適用于各種類型的納米管薄膜。對于此類應用，可以最優(yōu)化碳納米管的平均長度以增加接合沿著碳納米管的材料的表面積。例如，可以通過各種方法制備碳納米管的平均長度，所述方法包括，例如，氣液固(VLS)生長、電弧放電、CVD、高壓CO轉化(Hi PC0)和激光燒蝕。使用這些方法，可以調節(jié)碳納米管的平均直徑和平均長度，從而可以調節(jié)作為所述直徑和長度的函數的碳納米管的密度。作為非限制性例子，薄膜710的厚度被設定為所需透明度的函數，這些參數為平均直徑在l_50nm之間，平均長度在IOOnm-IOO μ m之間，對于生長至約20cm的某些碳納米管，密度約為10-1000/μπι2之間。關于納米管合成的一般信息以及關于與一個或多個示例性實施方式相關的納米管合成方法的具體信息，可以參考Chin LiCheung、Andrea Kurtz、Hongkun Park 和 Charles M. Lieber 的《碳納米管的直徑控制合成》(Diameter-Controlled Synthesis of Carbon Nanotubes)J. Phys. Chem. B,106(10),第2429-2433頁(2002)，其通過引用全文結合入本文。在一個實施方式中，裝置700用作電子顯示器或者電子紙的一部分，薄膜710位于(例如，涂覆)在玻璃或者塑料表面720上。對于各種應用，電源740在背電極730與薄膜710 (頂電極)之間施加電場。在一個實施方式中，電源740施加電場以激活用于電子紙裝置的帶電荷墨水。在另一個實施方式中，電源740施加電場以用于將載流子注入到用于LED顯不器的發(fā)光二極管(LED)中。在其他實施方式中，電源740施加電場以轉換用于IXD顯示器的液晶分子。
在另一個實施方式中，裝置700是太陽能電池電路，具有背電極730和下方基板720，所述背電極730包含諸如鋁的反射材料，所述下方基板720包含半導體活性層。混合碳納米管薄膜710起了透明電極的作用，所述透明電極允許光通過到達半導體活性層720以產生激發(fā)載流子。通過頂透明電極710傳輸了一種載流子類型(電子或者空穴)，而其他的載流子被底電極730所收集。通過負載電路750完成電路，其可以有效地使用和/或儲存通過電路產生的能量。半導體活性層720包含有機和無機材料中的一種或兩種。在另一個實施方式中，混合碳納米管薄膜710可以起另外的電荷收集器的作用，其位于硅基太陽能電池上的母線與指(finger)之間。對于功函數相容性和其他穩(wěn)定性層，混合薄膜710還可與其他透明電極材料(例如IT0、FT0、AZ0)聯(lián)合/結合使用。在某些實施方式中，背電極730還是本文中所討論的接合的碳納米管薄膜，調整所述背電極730以實現(xiàn)所需的太陽能電池性質(例如，通過受控的接合、功能化或者其他功函數型改性)。圖8顯示了根據本發(fā)明的另一個示例性實施方式，太陽能電池裝置800。類似于圖7中所述的裝置700，裝置800包含位于下方活性層820上的混合碳納米管薄膜810和背電極830，所述混合碳納米薄膜810包含如上所述接合的碳納米管，并且在一些實施方式中，如所示，通過摻雜接合(或者其他傳導性)材料或者接合(或者其他傳導)材料沿著納米管的其他生長，進一步改變了傳導性。裝置800還包含數條母線840、842和844，用于提取響應施加到活性層820上的光而產生的電荷載流子。薄膜810有助于銀母線840-844之間的電荷收集。如上述圖7中的討論，背電極830包含例如鋁的反射材料?；钚詫?20包含半導體類型材料，例如高純度晶體硅。當光(用805處的箭頭表示)照射到薄膜810上時，薄膜將光傳遞到產生載流子的下方活性層820，并通過銀母線840-844收集所述載流子，薄膜810促進了銀母線收集載流子。負載850，例如電子器件，儲能裝置(例如，電池)或者活動電路和儲能裝置的結合，與銀母線840-844和背電極830之間的電路連接。因此，負載850通過電路中的電流充電，所述電流在活性層820中產生?？梢砸黄鸷?或以其他方式實現(xiàn)上述各個和下方臨時專利申請(包括作為其部分的附錄)以及附圖中所示的實施方式。還可以以更分離或整合的方式或者當根據具體應用是有用時，在某些情況下去除和/或呈現(xiàn)為無法使用來實現(xiàn)本文的圖/附圖中和/或下方臨時專利申請中所示的一個或多個品項。例如，涉及納米結構的各個實施方式可以通過微結構來實現(xiàn)，例如那些具有約I納米至數百納米直徑或者其他尺寸特性的微結構。類似地，可以用非碳基結構(例如，其他材料的納米管或者混合碳材料的納米管)來實現(xiàn)使用碳基結構表征的實施方式。在本說明書中，本領域的技術人員能理解可以根據本說明書做出各種 變化而不背離本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種接合納米結構的方法，該方法包括 在納米結構之間使非合金分子接合材料沉積；以及 使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料，所述成核的材料影響電荷向納米結構的轉移并在納米結構薄膜中形成與納米結構物理連接和電連接在一起的混合材料。
2.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括使成核的材料在納米結構之間的成核點位結晶化或縮合，以與納米結構物理連接在一起，且接合材料與納米結構沒有化學鍵合。
3.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括使非聚合分子接合材料沉積，所述非聚合分子接合材料的費米能級低于納米結構的費米能級。
4.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括沉積包含金屬納米顆粒的分子接合材料，且所述分子接合材料的費米能級低于納米結構的費米能級。
5.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括使基于富勒烯的、基于小有機分子的、基于聚合物的和基于金屬納米顆粒的分子接合材料中的至少一種沉積。
6.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括使多個納米結構成核以形成納米結構薄膜。
7.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料包括連接納米結構以形成自立式實體、自立式墊、自立式絲和自立式纜線中的至少一種。
8.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料包括在包含單壁碳納米管、雙壁納米管、多壁碳納米管、碳纖維、有機納米絲、無機納米絲和石墨烯中的至少一種的納米結構之間形成成核的材料。
9.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料在納米結構之間沉積包括從溶液和氣相材料中的至少一種沉積分子接合材料。
10.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料包括使接合材料在低于300攝氏度的溫度下成核。
11.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括沉積分子接合材料，所述分子接合材料的費米能級比至少一種納米結構的費米能級低至少0. 026eVo
12.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括使導帶比至少一種納米結構的導帶的最低能級低至少0. 026eV的材料沉積。
13.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料包括形成薄片電阻小于約5000歐姆/平方米的納米結構片。
14.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料包括形成納米結構片，所述片透過至少40%照射到片上的光。
15.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料包括形成納米結構片，所述片的薄片電阻小于5000歐姆/平方米，且透明度為透過至少75%照射到片上的光。
16.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括沉積接合材料，所述接合材料的費米能級低于至少一種納米結構的費米能級。
17.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括使接合材料沉積，所述接合材料配置成將電荷傳輸到至少一種納米結構。
18.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使分子接合材料沉積包括使接合材料沉積，所述接合材料配置成傳輸充足的電荷以使得納米結構之間的電阻值降低至少20 %。
19.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核以在納米結構之間形成成核的材料并將納米結構物理連接在一起包括相對于納米結構其他部分的表面能量，使用納米結構之間的連接處的表面能量特性，以促進接合材料在連接處的選擇性成核。
20.如權利要求I所述的方法，其特征在于，該方法還包括，在使所述接合材料成核之后，將成核材料用作成核點位以使得接合材料沿著至少一個納米結構的側壁連續(xù)生長。
21.如權利要求I所述的方法，其特征在于 所述使分子接合材料沉積包括使基于富勒烯的接合材料沉積，以及 所述使所述接合材料成核包括使基于富勒烯的接合材料成核以在納米結構之間形成成核的基于富勒烯的材料，以將納米結構物理連接在一起。
22.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括在納米結構之間的物理連接處形成導電性結構以使得納米結構電連接，所述物理連接處的電阻顯著地小于形成導電性結構之前的連接處的納米結構之間的電阻。
23.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括在納米結構之間的物理連接處形成導電性結構以使得納米結構電連接，所述物理連接處的電阻比形成導電性結構之前的連接處的納米結構之間的電阻小一個數量級。
24.如權利要求I所述的方法，其特征在于 所述使分子接合材料沉積包括使接合材料在碳基納米管之間的連接處沉積，以及 所述使所述接合材料成核包括在碳基納米管之間的物理連接處形成電荷傳輸結構以使得碳基納米管傳導性連接。
25.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括在納米結構之間的物理連接處形成電荷傳輸結構，且每一個納米結構的接觸面積大于接合材料沉積前在連接處的納米結構之間的接觸面積。
26.如權利要求I所述的方法，其特征在于 使分子接合材料沉積包括使接合材料在多個納米結構之間的連接處沉積，以及 使所述接合材料成核使得納米結構物理連接在一起包括將納米結構接合在一起以形成包含納米結構的傳導性薄膜。
27.如權利要求I所述的方法，其特征在于，該方法還包括用來自成核的接合材料的摻雜劑材料摻雜至少一種納米結構。
28.如權利要求I所述的方法，其特征在于 所述使分子接合材料沉積包括使接合材料在兩個半導體納米管之間、兩個金屬納米管之間、半導體納米管和金屬納米管之間、以及不同帶隙的納米管之間中的至少一種的連接處沉積，以及 所述使所述接合材料成核包括使納米結構物理接合和電連接。
29.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括用成核的接合材料摻雜納米結構。
30.如權利要求I所述的方法，其特征在于， 該方法還包括使摻雜劑材料沉積在納米結構上，以及 所述使所述接合材料成核包括使摻雜劑材料成核以摻雜納米結構。
31.如權利要求I所述的方法，其特征在于， 該方法還包括使鹵化的富勒烯材料沉積在納米結構上， 其中，所述使所述接合材料成核包括使鹵化的富勒烯材料成核以摻雜納米結構。
32.如權利要求I所述的方法，其特征在于， 該方法還包括使氟化的富勒烯材料沉積在納米結構上， 其中，所述使所述接合材料成核包括使氟化的富勒烯材料成核以摻雜納米結構。
33.如權利要求I所述的方法，其特征在于，所述使所述接合材料成核包括從接合材料形成納米絲，所述納米絲沿著納米結構延伸并物理連接和電連接所述納米結構。
34.如權利要求I所述的方法，其特征在于 所述使分子接合材料沉積包括使接合材料在兩個相互不接觸的納米結構之間沉積，以及 所述使所述接合材料成核包括在成核的連接處形成混合材料，所述成核的連接處物理連接和電連接所述兩個納米結構。
35.如權利要求I所述的方法，其特征在于， 所述使分子接合材料沉積包括使費米能級低于納米結構的費米能級的分子接合材料沉積，以及 該方法還包括用來自成核的接合材料的P型摻雜劑材料摻雜所述至少一種納米結構。
36.如權利要求I所述的方法，其特征在于， 所述使分子接合材料沉積包括使費米能級高于納米結構的費米能級的分子接合材料沉積，以及 該方法還包括用來自成核的接合材料的n型摻雜劑材料摻雜所述至少一種納米結構。
37.一種接合納米結構以形成納米材料薄膜的方法，該方法包括 在多個納米結構之間沉積接合材料； 使所述接合材料成核以在每一個連接處形成傳導性材料，使得納米結構物理連接在一起以形成納米材料薄膜； 在連接處使用傳導性材料作為成核點位，沿著納米結構生長另外的傳導性材料；以及使用另外的傳導性材料中的摻雜劑材料摻雜納米結構，使得相對于納米結構摻雜之前的電阻值，降低了所述納米結構的電阻值。
38.如權利要求37所述的方法，其特征在于，所述使接合材料沉積包括 選擇納米材料薄膜的透明度， 對應選定的透明度，確定要沉積的接合材料的量，以及 以確定的量沉積接合材料。
39.如權利要求37所述的方法，其特征在于，所述使接合材料沉積包括選擇裝置的透明度，在所述裝置中具有納米材料薄膜， 對應選定的透明度，確定要沉積的接合材料的量，以及以確定的量沉積接合材料以調節(jié)所述裝置的透明度。
40.如權利要求37所述的方法，其特征在于，所述使接合材料沉積包括從溶液中沉積材料和從蒸汽中沉積材料中的至少一種。
41.一種接合碳基納米結構以形成納米材料薄膜的方法，該方法包括 在多個碳基納米結構之間的連接處沉積接合材料； 使沉積的接合材料成核以在大多數連接處形成電荷傳輸結構，使得碳基納米結構物理連接，并電連接所述碳基納米結構，以形成納米材料薄膜； 使用電荷傳輸結構作為成核點位，使傳導性材料在碳基納米結構的連接處和沿著碳基納米結構的側壁生長；以及 用來自傳導性材料的摻雜劑摻雜碳基納米結構的連接處和側壁； 形成混合材料，所述混合材料包含來自碳基納米結構的材料與接合材料和摻雜劑中的至少一種，且所述混合材料展現(xiàn)出比形成混合材料前的碳基納米結構低的電阻值。
42.如權利要求41所述的方法，其特征在于，所述形成混合材料包括形成光譜特征與碳基納米結構以及所述接合材料與摻雜劑中的至少一種的光譜特征顯著不同的混合材料。
43.如權利要求41所述的方法，其特征在于，所述形成混合材料包括形成電子能帶結構與碳基納米結構以及所述接合材料與摻雜劑中的至少一種的電子能帶結構顯著不同的混合材料。
44.如權利要求41所述的方法，其特征在于，所述使沉積的接合材料成核以形成電荷傳輸結構包括在碳基納米結構之間的物理連接處形成電荷傳輸結構以使得碳基納米結構電連接，所述物理連接處的電阻顯著地小于形成電荷傳輸結構之前的連接處的碳基納米結構之間的電阻。
45.如權利要求41所述的方法，其特征在于 所述使接合材料沉積包括選擇接合材料的厚度以調節(jié)有機納米材料薄膜的透明度，并使所述接合材料以選定的厚度在連接處沉積，以及 所述使沉積的接合材料成核包括接合碳基納米結構以形成具有設定的透明度的透明電極。
46.如權利要求41所述的方法，其特征在于，所述使沉積的接合材料成核以形成電荷傳輸結構包括形成配置成與碳基納米結構電連接的電荷傳輸結構，其導電性至少是接合材料沉積與成核前的碳基納米結構間的導電性的十倍。
47.如權利要求41所述的方法，其特征在于，所述使沉積的接合材料成核包括使與碳基納米結構接觸的沉積的材料的部分選擇性成核。
48.如權利要求41所述的方法，其特征在于 所述在多個碳基納米結構之間的連接處使接合材料沉積包括使接合材料在兩個半導體納米管之間、兩個金屬納米管之間、以及半導體納米管和金屬納米管之間中的至少一種的連接處沉積，以及 使沉積的接合材料成核以在物理連接碳基納米結構的每一個連接處形成電荷傳輸結構包括物理連接納米管。
49.如權利要求41所述的方法，其特征在于 所述使接合材料在多個碳基納米結構之間的連接處沉積包括使接合材料在半導體碳納米管和金屬碳納米管之間的連接處沉積， 所述使沉積的接合材料成核以在物理連接碳基納米結構的每一個連接處形成電荷傳輸結構，包括物理連接半導體碳納米管和金屬碳納米管，以及 所述使沉積的接合材料成核以在碳基納米結構的側壁上形成混合材料包括摻雜半導體碳納米管的側壁以形成金屬碳納米管。
50.如權利要求49所述的方法，其特征在于，所述摻雜半導體碳納米管的側壁以形成金屬碳納米管包括將基本上全部的半導體碳納米管轉化成金屬碳納米管。
51.如權利要求41所述的方法，其特征在于，所述使沉積的接合材料成核包括形成具有成核的接合材料穿過多個碳基納米結構的連續(xù)結構。
52.一種電子電路，該電子電路包括 包含多個納米結構的薄膜；以及 配置成與納米結構在連接處物理連接和電連接的成核的接合材料，相對于未與任意納米結構物理連接和電連接的成核的材料，該電子電路中基本上大多數的接合材料與至少一個納米結構物理連接和電連接，以調節(jié)通過薄膜的透光性。
53.如權利要求52所述的電路，其特征在于，所述多個納米結構包含金屬納米結構和摻雜的半導體納米結構。
54.如權利要求52所述的電路，其特征在于 所述多個納米結構包含金屬納米結構和摻雜的半導體納米結構，以及 所述成核的接合材料包含金屬納米結構與摻雜的半導體納米結構之間的成核的接合材料。
55.如權利要求52所述的電路，其特征在于，所述多個納米結構包含金屬納米結構和摻雜的半導體納米結構，所述摻雜的半導體納米結構具有與接合材料中的材料相同的摻雜劑材料。
56.如權利要求52所述的電路，其特征在于，所述多個納米結構和接合材料形成了透明薄膜，所述透明薄膜透過至少40%的薄膜上的入射光。
57.如權利要求52所述的電路，其特征在于，所述多個納米結構包含之間具有連接的納米結構，包括兩個半導體納米管之間的連接、兩個金屬納米管之間的連接、以及半導體納米管與金屬納米管之間的連接。
全文摘要
使用一種或多種的各種材料和方法來接合納米結構。與各個實施方式一致，兩個或多個納米結構在納米結構之間的連接處接合。所述納米結構可以在連接處接觸或者幾乎接觸，且接合材料在連接處沉積并成核以將納米結構連接在一起。在各種應用中，成核的接合材料促進了納米結構之間的傳導性(導熱性和/或導電性)。在一些實施方式中，例如通過沿著納米結構生長和/或摻雜納米結構，接合材料進一步增強了納米結構自身的傳導性。
文檔編號H01L29/00GK102770959SQ201180006976
公開日2012年11月7日 申請日期2011年1月21日 優(yōu)先權日2010年1月25日
發(fā)明者A·維爾卡, M·C·勒姆克斯, Z·鮑 申請人:小利蘭·斯坦福大學托管委員會