專利名稱：一種太陽能電池片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池片，尤其涉及一種降低波浪紋的太陽能電池片。
背景技術(shù)：
太陽能電池片的制作工藝大體分為制絨、擴(kuò)散、刻蝕、去磷硅玻璃、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。太陽能電池片的形成中有兩大加工步驟一、硅提煉到硅片的形成。二、硅片到電池片成品的過程。在硅棒切片過程中，內(nèi)部雜質(zhì)、砂漿中的S I C大顆?；蛏皾{結(jié)塊、機械設(shè)備等問題會造成硅片表面形成大小及粗細(xì)不一的線痕。在印刷過程中，會形成明顯的波浪紋，影響成品外觀，造成降級片的增加，嚴(yán)重影響產(chǎn)品效益。雖然在清洗，制絨過程中可以加大腐蝕量等技術(shù)手段緩解線痕帶來的影響，但考慮到成本因素，而且加大腐蝕量必然會使片子變的很薄，增加碎片率，增加彎曲度，得不償失。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種降低波浪紋的太陽能電池片。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型通過下述技術(shù)方案得以解決。一種太陽能電池片，包括N型區(qū)和P型區(qū)，N型區(qū)設(shè)在P型區(qū)上表面；P型區(qū)下表面設(shè)有背電場，N型區(qū)上表面有氮化膜，氮化膜上表面設(shè)有正電極。硅片經(jīng)來料檢驗之后，領(lǐng)入一次清洗，一次清洗插片過程中保持線痕方向一致，一次清洗制絨甩干結(jié)束流入擴(kuò)散，擴(kuò)散插片之前也依照一次清洗的插片方向即線痕垂直向下。按照本實用新型的技術(shù)方案，改變太陽能電池片印刷方向，有效減少了波浪紋的產(chǎn)生(原來的60%減少至0. 3%)增加了太陽能電池片的A類片的產(chǎn)出率，也減少了因為波浪紋而擦拭網(wǎng)版帶來的低效片問題，產(chǎn)量不高問題、碎片問題，外觀更加美觀。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1 正電極，2 氮化膜，3 :N型區(qū)，4 :P型區(qū)，5 背電場。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖與具體實施方式
對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。一種太陽能電池片，包括正電極1、氮化膜2、N型區(qū)3、P型區(qū)4、背電場5。P型區(qū) 4下表面設(shè)有背電場5，N型區(qū)3設(shè)在P型區(qū)4上表面，N型區(qū)3上表面依次設(shè)有氮化膜2和正電極1。硅片經(jīng)來料檢驗之后，領(lǐng)入一次清洗，一次清洗插片過程中必須保持線痕方向一致(垂直向下)，一次清洗制絨甩干結(jié)束流入擴(kuò)散，擴(kuò)散插片之前也必須依照一次清洗的插片方向即線痕垂直向下。 總之，以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實用新型專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求1. 一種太陽能電池片，包括N型區(qū)(3)和P型區(qū)(4)，其特征在于N型區(qū)(3)設(shè)在P型區(qū)(4 )上表面；P型區(qū)(4 )下表面設(shè)有背電場(5 )，N型區(qū)(3 )上表面設(shè)有氮化膜(2 )，氮化膜上表面設(shè)有正電極(1)。
專利摘要本實用新型涉及一種太陽能電池片，公開了一種降低波浪紋的太陽能電池片。一種太陽能電池片，包括N型區(qū)(3)和P型區(qū)(4)，N型區(qū)(3)設(shè)在P型區(qū)(4)上表面；P型區(qū)(4)下表面設(shè)有背電場(5)，N型區(qū)(3)上有氮化膜(2)，氮化膜上是正電極(1)。按照本實用新型的技術(shù)方案，改變太陽能電池片印刷方向，有效減少了波浪紋的產(chǎn)生增加了太陽能電池片的A類片的產(chǎn)出率，也減少了因為波浪紋而擦拭網(wǎng)版帶來的低效片問題，產(chǎn)量不高問題、碎片問題，外觀更加美觀。
文檔編號H01L31/0352GK202332876SQ201120491149
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者吳奕德, 邵林偉 申請人:浙江旭輝光電科技股份有限公司