專利名稱：三相整流橋堆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及對(duì)三相整流橋堆結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有大功率三相橋一般采用灌封的方式利用人工操作進(jìn)行單個(gè)生產(chǎn)，封裝操作時(shí)，將焊接好的半成品放入一個(gè)成品外形的外殼內(nèi)再將液體環(huán)氧灌入即利用環(huán)氧外殼將環(huán)氧和半成品包裹起來(lái)形成成品，灌封環(huán)氧為兩種不同的液態(tài)環(huán)氧A，B料，需加熱按比例混合。采用這種方法封裝的橋堆主要有以下的不足(1)工藝落后通過(guò)人工配料在加溫固化，產(chǎn)品的氣密性及均勻性欠佳；(2)質(zhì)量控制難傳統(tǒng)工藝采用人工配料，人工灌膠等多個(gè)人為控制工序，產(chǎn)品質(zhì)量與員工的工作經(jīng)驗(yàn)、技能水平、熟練程度有密切的關(guān)系，質(zhì)量隨員工的不同而波動(dòng)，對(duì)質(zhì)量管控增加難度；(3)生產(chǎn)成本高由于灌膠的產(chǎn)品是將燒結(jié)好的半成品有放入膠殼內(nèi)進(jìn)行灌封，膠及膠殼的成本占產(chǎn)品成本的309Γ40%，材料成本較高。此外，如圖5、6所示，現(xiàn)有技術(shù)的產(chǎn)品的本體60結(jié)構(gòu)為塊狀，在一些安裝空間窄小的區(qū)域內(nèi)難以進(jìn)行安裝。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)以上問(wèn)題，提供了一種生產(chǎn)方便、成本低廉，且整體呈片狀的三相整流橋堆。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是包括二極管芯片一 六、具有引腳的框架一 五、封裝體和六只跳線，所述具有引腳的框架一 五為片狀、且布設(shè)在同一平面上；所述框架一 五上的引腳與所述框架本體處于同一平面上。所述框架一為正極框架，所述框架二為交流A相框架，所述框架三為交流B相框架，所述框架四為交流C相框架，所述框架五為負(fù)極框架；所述芯片一、二和三設(shè)置在所述框架一上，所述芯片四設(shè)置在所述框架二上，所述芯片五設(shè)置在所述框架三上，所述芯片六設(shè)置在所述框架四上；所述芯片一通過(guò)跳線與所述框架二相連，所述芯片二通過(guò)跳線與所述框架三相連，所述芯片三通過(guò)跳線與所述框架四相連，所述芯片四、五、六分別通過(guò)跳線與所述框架五相連；構(gòu)成三相整流電路。本實(shí)用新型采用一次沖切的框架片、跳線與芯片焊接相連，將焊接好的半成品放在成型模具內(nèi)采用塑封一次性的環(huán)氧塑封料壓塑成型，工藝先進(jìn)，操作簡(jiǎn)單極大地提高了勞動(dòng)生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。采用塑封一體成型，穩(wěn)定性和絕緣性效果更佳，散熱面積大，散熱均勻，散熱效果更好，機(jī)械強(qiáng)度高。此外，成品呈片狀，能適合安裝空間窄小的使用環(huán)境。

圖1是本實(shí)用新型外部結(jié)構(gòu)示意圖，[0012]圖2是圖1的左視圖，圖3是本實(shí)用新型內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是本實(shí)用新型的線路原理圖，圖5是本實(shí)用新型背景技術(shù)外部結(jié)構(gòu)示意圖，圖6是圖5的左視圖；圖中1是框架一，2是框架二，3是框架三，4是框架四，5是框架五，6是封裝體，71 是芯片一，72是芯片二，73是芯片三，74是芯片四，75是芯片五，76是芯片六，8是跳線。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1-3所示，包括二極管芯片一 六(7廣76)、具有引腳的框架一 五(廣5)、封裝體6和六只跳線8，所述具有引腳的框架一 五為片狀、且布設(shè)在同一平面上；所述框架一 五上的引腳與所述框架本體處于同一平面上。所述框架一 1為正極框架，所述框架二 2為交流A相框架，所述框架三3為交流B 相框架，所述框架四4為交流C相框架，所述框架五5為負(fù)極框架；所述芯片一 71、二 72和三73設(shè)置在所述框架一 1上，所述芯片四74設(shè)置在所述框架二 2上，所述芯片五75設(shè)置在所述框架三3上，所述芯片六76設(shè)置在所述框架四4上；所述芯片一 71通過(guò)跳線8與所述框架二 2相連，所述芯片二 72通過(guò)跳線8與所述框架三3相連，所述芯片三73通過(guò)跳線 8與所述框架四4相連，所述芯片四4、五5、六6分別通過(guò)跳線8與所述框架五5相連；構(gòu)成三相整流電路(如圖4所示)。本實(shí)用新型的產(chǎn)品特點(diǎn)如下(1)引線一排邊設(shè)計(jì)提高產(chǎn)品面積，增加了散熱面，提高產(chǎn)品的可靠性；(2)本實(shí)用新型能夠承受3000V的絕緣電壓，比傳統(tǒng)工藝提高20% ；(3)本實(shí)用新型采用塑封方式，比傳統(tǒng)工藝節(jié)約了灌封外殼，整個(gè)成本上節(jié)約 30^40%ο
權(quán)利要求1.三相整流橋堆，包括二極管芯片一 六、具有引腳的框架一 五、封裝體和六只跳線， 其特征在于，所述具有引腳的框架一 五為片狀、且布設(shè)在同一平面上；所述框架一 五上的引腳與所述框架本體處于同一平面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相整流橋堆，其特征在于，所述框架一為正極框架，所述框架二為交流A相框架，所述框架三為交流B相框架，所述框架四為交流C相框架，所述框架五為負(fù)極框架；所述芯片一、二和三設(shè)置在所述框架一上，所述芯片四設(shè)置在所述框架二上，所述芯片五設(shè)置在所述框架三上，所述芯片六設(shè)置在所述框架四上；所述芯片一通過(guò)跳線與所述框架二相連，所述芯片二通過(guò)跳線與所述框架三相連，所述芯片三通過(guò)跳線與所述框架四相連，所述芯片四、五、六分別通過(guò)跳線與所述框架五相連；構(gòu)成三相整流電路。
專利摘要三相整流橋堆。涉及對(duì)三相整流橋堆結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。提供了一種生產(chǎn)方便、成本低廉，且整體呈片狀的三相整流橋堆。包括二極管芯片一~六、具有引腳的框架一~五、封裝體和六只跳線，所述具有引腳的框架一~五為片狀、且布設(shè)在同一平面上；所述框架一~五上的引腳與所述框架本體處于同一平面上。本實(shí)用新型采用一次沖切的框架片、跳線與芯片焊接相連，將焊接好的半成品放在成型模具內(nèi)采用塑封一次性的環(huán)氧塑封料壓塑成型，工藝先進(jìn)，操作簡(jiǎn)單極大地提高了勞動(dòng)生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。采用塑封一體成型，穩(wěn)定性和絕緣性效果更佳，散熱面積大，散熱均勻，散熱效果更好，機(jī)械強(qiáng)度高。此外，成品呈片狀，能適合安裝空間窄小的使用環(huán)境。
文檔編號(hào)H01L25/03GK202332841SQ20112045254
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
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