專利名稱：用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池，且更明確地說，涉及一種用于從太陽產(chǎn)生能量的聚光器光伏太陽能電池和一種用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池。
背景技術(shù)：
用于地面太陽能發(fā)電應(yīng)用的市售硅太陽能電池具有范圍在從8%到15%的效率。 基于III-V化合物的化合物半導(dǎo)體太陽能電池在正常操作條件下具有28%的效率。此外， 眾所周知，將太陽能聚集到III-V化合物半導(dǎo)體光伏電池上會(huì)在聚光狀態(tài)下將所述電池的效率增加到超過37%的效率。地面太陽能發(fā)電系統(tǒng)目前鑒于其低成本和普遍可用性而使用硅太陽能電池。盡管 III-V化合物半導(dǎo)體太陽能電池已在衛(wèi)星應(yīng)用(其中在選擇此些裝置時(shí)其功率-重量效率比每瓦的成本考慮因素更重要)中廣泛使用，但尚未針對(duì)存在于地球表面的太陽光譜(稱為空氣質(zhì)量I. 5或AMI. 5D)的最佳覆蓋而設(shè)計(jì)此些III-V半導(dǎo)體太陽能電池。在硅和III-V化合物半導(dǎo)體太陽能電池兩者的設(shè)計(jì)中，一個(gè)電接點(diǎn)通常放置在太陽能電池的光吸收側(cè)或前側(cè)上，且第二接點(diǎn)放置在所述電池的后側(cè)上。光敏半導(dǎo)體安置在襯底的光吸收側(cè)上，且包含一個(gè)或一個(gè)以上p-n結(jié)，這樣當(dāng)光被吸收于電池內(nèi)時(shí)形成電子流。導(dǎo)電柵格線在電池的上部表面上延伸以捕獲此電子流，接著所述導(dǎo)電柵格線連接到前接點(diǎn)或接合墊中。指定太陽能電池的設(shè)計(jì)的一個(gè)重要方面是構(gòu)成所述太陽能電池的半導(dǎo)體材料層的物理結(jié)構(gòu)(組成、帶隙和層厚度)。常常以垂直、多結(jié)結(jié)構(gòu)制造太陽能電池以便使用具有不同帶隙的材料且轉(zhuǎn)化盡可能多的太陽光譜。根據(jù)本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)中可用的一種類型的多結(jié)結(jié)構(gòu)為三結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)，其由鍺底部單元、砷化鎵(GaAs)中間單元和磷化銦鎵 (InGaP)頂部單元構(gòu)成。

實(shí)用新型內(nèi)容I.本實(shí)用新型的目的本實(shí)用新型的一目的是提供一種具有柵格配置的用于地面發(fā)電應(yīng)用的改進(jìn)的 III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽能電池，其準(zhǔn)許太陽能電池每太陽照度下在AMI. 太陽輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過35毫瓦的峰值DC功率。本實(shí)用新型的一目的是提供一種具有柵格配置的用于空間發(fā)電應(yīng)用的改進(jìn)的 III-V化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽能電池，其準(zhǔn)許太陽能電池每太陽照度下在AMO太陽輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過35毫瓦的峰值DC功率。本實(shí)用新型的另一目的是在III-V半導(dǎo)體太陽能電池的前表面上提供一種柵格結(jié)構(gòu)，以容納高電流用于聚光器光伏地面發(fā)電應(yīng)用。一些實(shí)施方案可實(shí)現(xiàn)前述目的中的一些目的。2.本實(shí)用新型的特征簡潔且概括地說，本實(shí)用新型提供一種用于從太陽產(chǎn)生能量的聚光器光伏太陽能電池布置，所述布置包括聚光透鏡，其用于產(chǎn)生大于500X的聚光度；以及太陽能電池，其在所聚集的光束的路徑中，所述太陽能電池包含鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上且具有帶隙以使AMl. 5光譜區(qū)中的吸收最大化；以及安置在所述頂部單元上的表面柵格，其包含多個(gè)間隔開的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。在另一方面中，本實(shí)用新型提供一種用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池，所述光伏太陽能電池包含鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上；以及表面柵格，其包含多個(gè)間隔開的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。在另一方面中，本實(shí)用新型提供一種用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池布置，所屬布置包括鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上；以及表面柵格， 其安置在所述頂部單元上，包含多個(gè)間隔開的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有梯形橫截面形狀，其中頂部處的寬度為約4. 5 微米且底部處的寬度為約7微米。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有約100微米的中心到中心間距。在一些實(shí)施例中，表面柵格線由覆蓋頂部表面的多個(gè)平行柵格線構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有覆蓋頂部單兀的表面面積的至少5%但少于表面面積的10%的總表面面積。在一些實(shí)施例中，表面柵格線具有覆蓋約6%表面面積的柵格圖案的總表面面積。在一些實(shí)施例中，太陽能電池具有至少3. 0伏的開路電壓(V。。)、至少0. 13安培/ 瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少0. 70的填充因數(shù)(FF)，且每太陽照度下以超過35%的轉(zhuǎn)化效率在AMI. 5D太陽輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過35毫瓦的峰值DC功率。在一些實(shí)施例中，太陽能電池具有至少3. 0伏的開路電壓(V。。)、至少0. 13安培/ 瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少0. 70的填充因數(shù)(FF)，且每太陽照度下以超過35%的轉(zhuǎn)化效率在AMO太陽輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過35毫瓦的峰值DC功率。在一些實(shí)施例中，頂部、中間和底部子單元的帶隙分別為1.9電子伏特、1. 4電子伏特和0. 7電子伏特。在一些實(shí)施例中，頂部子單元具有少于300歐姆/平方的薄層電阻。在一些實(shí)施例中，頂部子單元的薄層電阻為約200歐姆/平方。[0026]在一些實(shí)施例，安置于太陽能電池的子單元之間的隧道二極管層具有適于支持穿過隧道二極管的15與30安培/平方厘米之間的電流密度的厚度。本實(shí)用新型的一些實(shí)施方案可并入有或?qū)嵤┣笆鰧?shí)用新型內(nèi)容中提到的較少方面和特征。

圖I為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)造的地面太陽能電池的很大程度放大的橫截面圖；圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的教示構(gòu)造的地面太陽能電池的很大程度放大的橫截面圖；圖3為展示在AMI. 5D光譜以及一平方厘米太陽能電池表面面積的情況下500太陽照度下的太陽能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖；以及圖4為展示在AMO光譜以及六十平方厘米表面面積的情況下一太陽照度下的太陽能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將描述本實(shí)用新型的細(xì)節(jié)，其包含本實(shí)用新型的示范性方面和實(shí)施例。參看圖式和以下描述，使用相同參考數(shù)字來指代相同或在功能上類似的元件，且相同參考數(shù)字旨在以高度簡化的圖解方式說明示范性實(shí)施例的主要特征。此外，圖式并不希望描繪實(shí)際實(shí)施例的每個(gè)特征或所描繪的元件的相對(duì)尺寸，且未按比例繪制。在第6，680，432號(hào)美國專利中更明確地描述三結(jié)III_V化合物半導(dǎo)體太陽能電池的典型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，所述專利以引用的方式并入本文中。如在圖I的所說明的實(shí)例中所展示，底部子單元10包含由p型鍺(“Ge”)形成的襯底11、12，底部部分也用作子單元10的基底層。金屬接觸層或墊50形成于基底層11的底部上，以向多結(jié)太陽能電池提供電接點(diǎn)。底部子單元10進(jìn)一步包含(例如)n型Ge發(fā)射極區(qū)12和n型成核層13。成核層13沉積在襯底11、12上，且通過摻雜劑從上部層到Ge襯底中的擴(kuò)散而在Ge襯底中形成發(fā)射極層12，進(jìn)而將p型鍺襯底的上部部分12改變成n型區(qū)12。重度摻雜的n型砷化鎵層14沉積在成核層13上，且為到發(fā)射極區(qū)12中的砷摻雜劑的源。盡管生長襯底和基底層11優(yōu)選為p型Ge生長襯底和基底層，但其它半導(dǎo)體材料也可用作生長襯底和基底層，或僅用作生長襯底。此些襯底的實(shí)例包含(但不限于)GaAs、 InP> GaSb> InAs> InSb> GaP> Si、SiGe> SiC、Al203、Mo、不鎊鋼、鈉I丐玻璃(soda-lime glass) 和 SiO2。重度摻雜的p型砷化鋁鎵(“AlGaAs”)和(“GaAs”)穿隧結(jié)層(tunneling junction layer) 14、15可沉積在成核層13上，以形成隧道二極管且在底部子單元與中間子單元20之間提供低阻路徑。中間子單元20包含高度摻雜的p型砷化鋁鎵(“AlGaAs”)背表面場(“BSF”) 層16、p型InGaAs基底層17、高度摻雜的n型磷化銦鎵(“InGaP2”)發(fā)射極層18和高度摻雜的n型磷化銦鋁(“AlInP2”)窗口層19。窗口層通常具有與發(fā)射極相同的摻雜類型，但具有比發(fā)射極高的摻雜濃度。此外，窗口層常常需要具有比發(fā)射極高的帶隙，以便抑制窗口中的少數(shù)載流子光生 (photogeneration)和注入,進(jìn)而減少原本將在窗口層中發(fā)生的重組。注意，多種不同半導(dǎo)體材料可用于光伏電池的窗口、發(fā)射極、基底和/或BSF層，所述半導(dǎo)體材料包含AllnP、 AlAs、A1P、AlGalnP、AlGaAsP> AlGalnAs、AlGalnPAs、GalnP、GalnAs、GaInPAs> AlGaAs、 AlInAs、AlInPAs> GaAsSb> AlAsSb、GaAlAsSb> AllnSb、GalnSb、AlGalnSb、AIN、GaN> InN、 GalnN、AlGaInN, GaInNAs、AlGaInNAs、ZnSSe、CdSSe和其它材料且仍落在本實(shí)用新型的精神內(nèi)。中間子單元20的InGaAs基底層17可包含(例如)大約I. 5%的銦。也可使用其它組成。在BSF層沉積在底部子單元10的穿隧結(jié)層14、15上之后，基底層17形成于BSF 層16上。提供BSF層16以減少中間子單元20中的重組損失。所述BSF層16從接近背表面的高度摻雜區(qū)驅(qū)動(dòng)少數(shù)載流子，以使重組損失的影響最小化。因此，BSF層16減少太陽能電池的背側(cè)處的重組損失，且進(jìn)而減少基底層/BSF層界面處的重組。在發(fā)射極層沉積之后，窗口層19沉積在中間子單元20的發(fā)射極層18上。中間子單元20中的窗口層19也有助于減少重組損失且改進(jìn)下伏結(jié)的單元表面的鈍化。在沉積頂部單元30的層之前，重度摻雜的n型InAlP2和p型InGaP2穿隧結(jié)層21、 22分別可沉積在中間子單元20上，從而形成隧道二極管。在高聚光度地面太陽能電池的實(shí)施例中，安置于子單元之間的隧道二極管層具有適于支持穿過隧道二極管的15與30安培/平方厘米之間的電流密度的厚度。在所說明的實(shí)例中，頂部子單元30包含高度摻雜的p型磷化銦鎵鋁(“InGaAlP”) BSF層23、p型InGaP2基底層24、高度摻雜的n型InGaP2發(fā)射極層25和高度摻雜的n型 InAlP2窗口層26。在BSF層23形成于中間子單元20的穿隧結(jié)層21、22上之后，頂部子單元30的基底層24沉積在BSF層23上。在發(fā)射極層25形成于基底層24上之后，窗口層26 沉積在頂部子單元的發(fā)射極層25上。蓋帽層(cap layer) 27可沉積且經(jīng)圖案化為頂部子單元30的窗口層26上的單獨(dú)接觸區(qū)。蓋帽層27用作從頂部子單元30到金屬柵格層40的電接點(diǎn)。頂部單元的薄層電阻小于300歐姆/平方，且在一些實(shí)施例中其為約200歐姆/平方厘米。經(jīng)摻雜的蓋帽層 27可為半導(dǎo)體層，例如，GaAs或InGaAs層。也可在窗口層26的表面上在蓋帽層27的接觸區(qū)之間提供抗反射涂層28?，F(xiàn)有技術(shù)太陽能電池中的柵格線40通常在電池的相對(duì)側(cè)上在兩條母線(bus bar)之間延伸。在現(xiàn)有技術(shù)中，柵格線通常具有5微米或更小的厚度或高度，約5微米的寬度和約100微米的間距(S卩，鄰近柵格線的中心之間的距離)。柵格圖案的總表面面積覆蓋頂部單元的表面面積的5. 0%與10. 0%之間。如在圖2的所說明的實(shí)例中所展示，本實(shí)用新型的太陽能電池具有實(shí)質(zhì)上與圖I 的太陽能電池相同的半導(dǎo)體層11到27、金屬接觸層50和抗反射涂層28，且此處不需要重復(fù)此描述。在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中，柵格線在電池的相對(duì)側(cè)上在兩條母線之間延伸。 在一些實(shí)施例中，每一柵格線可具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間，因此每一導(dǎo)體的大小適于傳導(dǎo)由太陽能電池在高聚光度下形成的相對(duì)高的電流。[0048]柵格線具有為7微米或更大的厚度或高度，約5微米的寬度和約100微米的間距 (即，鄰近柵格線的中心之間的距離)。在一些實(shí)施例中，柵格線具有梯形橫截面形狀，其中頂部處的寬度為約4. 5微米且底部處的寬度為約7微米。柵格圖案的總表面面積覆蓋頂部單兀的表面面積的5. 0%與10. 0%之間。柵格圖案和線尺寸經(jīng)選擇以運(yùn)載由太陽能電池產(chǎn)生的相對(duì)高的電流。在一些實(shí)施例中，柵格圖案的總表面面積覆蓋頂部單元的表面面積的6%。在一些實(shí)施例中，例如對(duì)于地面發(fā)電應(yīng)用來說，聚光透鏡60或其它光學(xué)器件可安置在太陽能電池的上方且用以在所述電池的表面上將入射日光聚焦到500X或更大的放大倍率。在一些實(shí)施例中，所得的太陽能電池具有針對(duì)頂部、中間和底部子單元的1.9電子伏特、I. 4電子伏特和0.7電子伏特的帶隙。在一些實(shí)施例中，在由聚集的日光以超過500 倍照明時(shí)，太陽能電池具有至少3. 0伏的開路電壓(V。。)、至少0. 13安培/瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少0. 70的填充因數(shù)(FF)和空氣質(zhì)量I. 5 (AMI. 5D)或處于25攝氏度的類似地面光譜下的至少35%的效率，以便產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過35毫瓦的峰值DC功率。圖3為展示在AMI. 5D光譜以及一平方厘米太陽能電池表面面積的情況下500太陽照度下的太陽能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖。此類太陽能電池(標(biāo)注為型號(hào)CTJ)適合于聚光器光伏系統(tǒng)中的地面應(yīng)用，所述地面應(yīng)用使用透鏡或其它光學(xué)器件以 500倍或更大的放大倍率在所述電池上聚焦入射的太陽光束。使用厚柵格線(例如，厚度為 7微米或更大)實(shí)現(xiàn)電池效率的實(shí)質(zhì)改進(jìn)。光刻的限制和處理考慮因素可使得從生產(chǎn)或可靠性的立場來說使用當(dāng)前生產(chǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)曲線圖較高端處的柵格厚度(即，十微米或更大) 是不太可行的，但這不應(yīng)損害本實(shí)用新型的教示。圖4為展示在AMO光譜以及六十平方厘米表面面積的情況下一太陽照度下的太陽能電池效率隨著柵格線厚度而變化的曲線圖。此類太陽能電池(標(biāo)注為型號(hào)ZTJ)適合于光伏系統(tǒng)中的空間應(yīng)用，所述空間應(yīng)用以一個(gè)太陽照度操作(即，不使用入射太陽光束的放大)。使用厚柵格線(例如，厚度為7微米或更大)實(shí)現(xiàn)電池效率的實(shí)質(zhì)改進(jìn)。光刻的限制和處理考慮因素可使得從生產(chǎn)或可靠性的立場來說使用當(dāng)前生產(chǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)曲線圖較高端處的柵格厚度(即，十微米或更大)是不太可行的，但這不應(yīng)損害本實(shí)用新型的教示。
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權(quán)利要求1.一種用于從太陽產(chǎn)生能量的聚光器光伏太陽能電池，其特征在于聚光透鏡(60)，其用于產(chǎn)生大于500X的聚光度；以及太陽能電池，其在所聚集的光束的路徑中，所述太陽能電池包含鍺襯底(11、12)，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽能子單元(10)；砷化鎵中間單元(20)，其安置在所述襯底(11、12)上；磷化銦鎵頂部單元(30)，其安置在所述中間單元(20)上且具有帶隙以使AMl. 5光譜區(qū)中的吸收最大化；以及安置在所述頂部單元(30)上的表面柵格(45)，其包含多個(gè)間隔開的柵格線(45)，其中所述柵格線(45)具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間，且適合于傳導(dǎo)由所述太陽能電池產(chǎn)生的相對(duì)高的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述梯形形狀具有頂部處約4.5微米的寬度和底部處約7微米的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述柵格線(45)具有約100微米的中心到中心間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于進(jìn)一步包含柵格圖案，所述柵格圖案由覆蓋頂部表面的多個(gè)平行柵格線(45)構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于進(jìn)一步包含柵格圖案，所述柵格圖案的總表面面積覆蓋所述頂部單元(30)的表面面積的至少5%，但少于所述表面面積的 10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于進(jìn)一步包含柵格圖案，所述柵格圖案的所述總表面面積覆蓋所述表面面積的約6%。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述太陽能電池具有至少3.0伏的開路電壓(V)、至少0. 13安培/瓦的短路狀態(tài)下的響應(yīng)度、至少0. 70的填充因數(shù)(FF)，且每太陽照度下以超過35%的轉(zhuǎn)化效率在AMl. 5太陽輻射下產(chǎn)生每平方厘米電池面積超過 35暈瓦的峰值DC功率。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述頂部、中間和底部子單元(30、 20、10)的帶隙分別為I. 9電子伏特、I. 4電子伏特和0. 7電子伏特。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述頂部子單元(30)具有少于300 歐姆/平方的薄層電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池，其特征在于所述頂部子單元的所述薄層電阻為約200歐姆/平方。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其特征在于所述太陽能電池進(jìn)一步包括安置于所述太陽能電池的所述子單元之間的隧道二極管層(14、15 ;21、22)，所述隧道二極管層具有適于支持穿過所述隧道二極管的15與30安培/平方厘米之間的電流密度的厚度。
12.一種用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池，其特征在于鍺襯底(11、12)，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽能子單元(10)；砷化鎵中間單元(20)，其安置在所述襯底(11、12)上；磷化銦鎵頂部單元(30)，其安置在所述中間單元(20)上；以及安置在所述頂部單元(30)上的表面柵格，其包含多個(gè)間隔開的柵格線(45)，其中所述柵格線(45)具有大于7微米的厚度，且每一柵格線(45)具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于所述梯形形狀具有頂部處約4.5 微米的寬度和底部處約7微米的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于所述柵格線(45)具有約100微米的中心到中心間距。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于進(jìn)一步包含柵格圖案，所述柵格圖案由覆蓋頂部表面的多個(gè)平行柵格線(45)構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于進(jìn)一步包含柵格圖案，所述柵格圖案的總表面面積覆蓋所述頂部單元(30)的表面面積的至少5%，但少于所述表面面積的 10%。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于進(jìn)一步包含柵格圖案，所述柵格圖案的所述總表面面積覆蓋所述表面面積的約6%。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于所述頂部、中間和底部子單元 (30,20,10)的帶隙分別為I. 9電子伏特、I. 4電子伏特和0. 7電子伏特。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池，其特征在于所述頂部子單元(30)具有少于 300歐姆/平方的薄層電阻。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的太陽能電池，其特征在于所述頂部子單元的所述薄層電阻為約200歐姆/平方。
專利摘要一種用于從太陽產(chǎn)生能量的光伏太陽能電池，所述光伏太陽能電池包含鍺襯底，其包含第一光敏結(jié)且形成底部太陽能子單元；砷化鎵中間單元，其安置在所述襯底上；磷化銦鎵頂部單元，其安置在所述中間單元上；以及表面柵格，其包含多個(gè)間隔開的柵格線，其中所述柵格線具有大于7微米的厚度，且每一柵格線具有梯形形狀的橫截面，其中橫截面面積在45與55平方微米之間。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK202352681SQ20112034400
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月7日
發(fā)明者坦森·瓦格赫塞, 普拉溫·帕特爾, 理查德·W·小霍夫曼 申請(qǐng)人:安科太陽能公司