專利名稱：一種多層磁場測量線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種測量線圈，特別是一種多層磁場測量線圈。
背景技術(shù)：
為了保證測量準(zhǔn)確度，磁場測量線圈內(nèi)部磁場的平均值應(yīng)等于中心點(diǎn)的磁場。此時測量線圈(磁矩線圈)繞組寬度與直徑的最佳比為V^: 2。為了保證這個最佳比例關(guān)系， 測量線圈一般采用單層結(jié)構(gòu)。當(dāng)測量線圈常數(shù)(匝面積)較大，如大于Im2時，如繼續(xù)采用單層結(jié)構(gòu)，則需要較大的外形尺寸，也就失去了實際工程應(yīng)用意義。此時必須采用多層結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)的磁場測量線圈(磁矩線圈)，只能保證中間繞組的寬度與直徑之比為最佳比2，里層繞組的寬度與直徑之比將逐漸增大，外層繞組的寬度與直徑之比則將逐漸減少，無法保證在層數(shù)減少或增加的情況下繞組寬度與直徑之比保持最佳比2 不變。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種多層磁場測量線圈，其繞組寬度與直徑之比不隨層數(shù)的變化而變化，一直保持最佳比忑:2。本實用新型的上述目的通過這樣的技術(shù)方案來實現(xiàn)一種多層磁場測量線圈，包括框架、線圈繞線，所述框架為設(shè)有梯形截面線槽的圓柱體架構(gòu)，所述線槽的寬度L與圓柱體架構(gòu)的直徑D的比為2。所述圓柱體架構(gòu)的直徑D包含線圈繞線的直徑Φ。所述梯形截面的傾角沒=arcctgy-。本實用新型一種多層磁場測量線圈，具有在層數(shù)減少或增加的情況下，線圈繞組寬度與直徑之比保持最佳比V^ : 2不變的特點(diǎn)，保證了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。測量線圈框架
采用設(shè)有梯形截面線槽的圓柱體架構(gòu)。梯形截面的傾角0 = arCCtgf，使每層的線圈繞線
寬度與直徑之比都等于最佳比V^ : 2。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明

圖1是本實用新型裝置的框架截面示意圖；圖2是本實用新型裝置線圈繞線截面示意圖。
具體實施方式
一種多層磁場測量線圈，包括框架、線圈繞線，所述框架為設(shè)有梯形截面線槽的圓柱體架構(gòu)，所述線槽的寬度L與圓柱體架構(gòu)的直徑D的比為2。所述圓柱體架構(gòu)的直徑D包含線圈繞線的直徑Φ。如圖1所示，圖中D為圓柱體架構(gòu)的直徑，L為線槽的寬度，θ為梯形截面的傾角。
其中ρ； οΘ = arcctg^0 (aD^mmmmm^Φ) D= λ/3 2,& 21)、選用絕緣性材料，按圖1所示加工線圈的框架，其中L : D=W : 2，
沒= arcCtgf。具體寬度、直徑等尺寸根據(jù)所需的測量線圈常數(shù)(或者線圈磁矩常數(shù))大小確定。2)、選擇合適的漆包線，逐層繞制線圈，如圖2所示。具體層數(shù)根據(jù)所需的測量線圈常數(shù)(或者線圈磁矩常數(shù))大小確定。
權(quán)利要求1.一種多層磁場測量線圈，包括框架、線圈繞線，其特征在于所述框架為設(shè)有梯形截面線槽的圓柱體架構(gòu)，所述線槽的寬度L與圓柱體架構(gòu)的直徑D的比為 各.2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種多層磁場測量線圈，其特征在于所述圓柱體架構(gòu)的直徑D 包含線圈繞線的直徑Φ。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種多層磁場測量線圈，其特征在于所述梯形截面的傾角
專利摘要一種多層磁場測量線圈，包括框架、線圈繞線，所述框架為設(shè)有梯形截面線槽的圓柱體架構(gòu)，所述線槽的寬度L與圓柱體架構(gòu)的直徑D的比為本實用新型一種多層磁場測量線圈，具有在層數(shù)減少或增加的情況下，線圈繞組寬度與直徑之比保持最佳比不變的特點(diǎn)，保證了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。測量線圈框架采用設(shè)有梯形截面線槽的圓柱體架構(gòu)，使每層的線圈繞線寬度與直徑之比都等于最佳比
文檔編號H01F5/02GK202189635SQ201120299390
公開日2012年4月11日 申請日期2011年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者侯錢, 李享, 程華富 申請人:中國船舶重工集團(tuán)公司第七一○研究所