專利名稱：一種輻向雙分裂箔式線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種變壓器用箔式線圈，具體地說是一種輻向雙分裂箔式線圈。
背景技術(shù)：
箔式線圈就是線圈用銅箔繞制的線圈，這種線圈繞制時(shí)先把銅箔和出頭銅排焊接牢固，然后把出頭銅排固定在繞線模具上開始繞制，按要求繞制規(guī)定的匝數(shù)，剪斷銅箔，焊好尾頭銅排即可?，F(xiàn)在變壓器行業(yè)中普遍采用這種箔式線圈結(jié)構(gòu)。變壓器低壓線圈的電流通常較大，如果用線繞要多根并聯(lián)，在繞制的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很大的螺旋角，端部漏磁大，當(dāng)變壓器發(fā)生短路時(shí)候在線圈的垂直方向會(huì)產(chǎn)生很大的機(jī)械力，導(dǎo)致線圈的損壞；如果用銅箔繞制，銅箔的寬度等于線段的高度，線圈端部是平的，端部漏磁少，故其短路時(shí)候的軸向力也小，因而承受短路能力強(qiáng)，箔式線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性，而且便于實(shí)現(xiàn)繞組繞制過程的機(jī)械化。隨著電力工業(yè)的迅速發(fā)展，分裂變壓器的用途越來越大，分裂變壓器和普通變壓器的區(qū)別在于，它的低壓繞組分裂成兩個(gè)額定容量相等(或不等)的支路，這兩個(gè)支路的電壓和電流相等(或不等)。這兩個(gè)支路(線圈)之間以及兩個(gè)支路(線圈)和其他線圈之間有足夠的電氣強(qiáng)度，這兩個(gè)支路(線圈)既能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行。要實(shí)現(xiàn)這種分裂變壓器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，用現(xiàn)在常用的箔式線圈結(jié)構(gòu)及繞制方法無法完成。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種輻向雙分裂箔式線圈，該線圈端部漏磁少，短路時(shí)候的軸向力也小，因而承受短路能力強(qiáng)；線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的—種輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于該線圈包括第一出線銅排、第一層銅箔、 第一層絕緣材料、第二出線銅排、第二層銅箔和第二層絕緣材料；所述第一出線銅排和第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)；第一層銅箔焊接在第一出線銅排上，第一層絕緣材料包覆在第一層銅箔內(nèi)側(cè)；第二層銅箔焊接在第二出線銅排上，第二層絕緣材料包覆在第二層銅箔內(nèi)側(cè)；所述第一層銅箔與第二層銅箔間隔設(shè)置。本實(shí)用新型中，第一出線銅排與第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)且相差半個(gè)線圈內(nèi)徑周長。包覆有第二層絕緣材料的第二層銅箔設(shè)置在包覆有第一層絕緣材料的第一層銅箔的內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型中，第一層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料和第二層銅箔及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料構(gòu)成了兩個(gè)互相獨(dú)立的，即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行的線圈。這兩個(gè)線圈之間以及兩個(gè)線圈和其他線圈之間有足夠的電氣強(qiáng)度，這兩個(gè)線圈即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)線圈端部漏磁少，故其短路時(shí)候的軸向力也小，因而承受短路能力強(qiáng)；線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。本實(shí)用新型繞制方法簡單、方便，便于實(shí)現(xiàn)繞組繞制過程的機(jī)械化；不需要增加新設(shè)備及工裝，在現(xiàn)有的普通雙層箔式繞線機(jī)上就能實(shí)現(xiàn)。

圖1是本實(shí)用新型中輻向雙分裂箔式線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
一種輻向雙分裂箔式線圈，見圖1，該線圈包括第一出線銅排11、第一層銅箔12、 第一層絕緣材料13、第二出線銅排21、第二層銅箔22和第二層絕緣材料23。第一出線銅排 11和第二出線銅排21均位于線圈內(nèi)側(cè)，且相差半個(gè)線圈內(nèi)徑周長。第一層銅箔12焊接在第一出線銅排11上，第一層絕緣材料13包覆在第一層銅箔12內(nèi)側(cè)。第二層銅箔22焊接在第二出線銅排21上，第二層絕緣材料23包覆在第二層銅箔22內(nèi)側(cè)。第一層銅箔12與第二層銅箔22間隔設(shè)置，且包覆有第二層絕緣材料23的第二層銅箔22設(shè)置在包覆有第一層絕緣材料13的第一層銅箔12的內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型繞制方法如下首先在第一層銅箔12內(nèi)側(cè)包覆第一層絕緣材料13，將第一層銅箔12焊接在第一出線銅排11上；在第二層銅箔22內(nèi)側(cè)包覆第二層絕緣材料23，將第二層銅箔22焊接在第二出線銅排21上。將第一出線銅排11和第一層銅箔12同時(shí)在繞線模3上繞制；當(dāng)繞到線圈內(nèi)徑的半圈時(shí)，將第二出線銅排21和第二層銅箔22 —起放在第一層絕緣材料13的內(nèi)側(cè)；第一層銅箔12及其內(nèi)側(cè)的第一層絕緣材料13和第二層銅箔22及其內(nèi)側(cè)的第二層絕緣材料23同時(shí)繞制；當(dāng)?shù)谝粚鱼~箔12或第二層銅箔22繞到相應(yīng)匝數(shù)時(shí)，將第一層銅箔12剪斷后焊好相應(yīng)的出頭銅排4，或第二層銅箔22剪斷后焊好相應(yīng)的和出頭銅排5，并且焊好繼續(xù)繞制。 以此類推，直到符合要求。本實(shí)用新型保證了第一層銅箔和第二層銅箔構(gòu)成了兩個(gè)互相獨(dú)立的線圈，這兩個(gè)線圈之間以及兩個(gè)線圈和其他線圈之間有足夠的電氣強(qiáng)度，這兩個(gè)線圈即能單獨(dú)運(yùn)行也能同時(shí)運(yùn)行。本實(shí)用新型線圈端部漏磁少，故其短路時(shí)候的軸向力也小，因而承受短路能力強(qiáng)。 線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求1.一種輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于該線圈包括第一出線銅排(11)、第一層銅箔(12)、第一層絕緣材料(13)、第二出線銅排(21)、第二層銅箔(22)和第二層絕緣材料 (23)；所述第一出線銅排(11)和第二出線銅排(21)均位于線圈內(nèi)側(cè)；第一層銅箔(12)焊接在第一出線銅排(11)上，第一層絕緣材料(13)包覆在第一層銅箔(12)內(nèi)側(cè)；第二層銅箔(22)焊接在第二出線銅排(21)上，第二層絕緣材料(23)包覆在第二層銅箔(22)內(nèi)側(cè)；所述第一層銅箔(12)與第二層銅箔(22)間隔設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于第一出線銅排(11)與第二出線銅排(21)均位于線圈內(nèi)側(cè)且相差半個(gè)線圈內(nèi)徑周長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻向雙分裂箔式線圈，其特征在于包覆有第二層絕緣材料(23)的第二層銅箔(22)設(shè)置在包覆有第一層絕緣材料(13)的第一層銅箔(12)的內(nèi)側(cè)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種輻向雙分裂箔式線圈，該線圈第一出線銅排和第二出線銅排均位于線圈內(nèi)側(cè)；第一層銅箔焊接在第一出線銅排上，第一層絕緣材料包覆在第一層銅箔內(nèi)側(cè)；第二層銅箔焊接在第二出線銅排上，第二層絕緣材料包覆在第二層銅箔內(nèi)側(cè)；第一層銅箔與第二層銅箔間隔設(shè)置。繞制時(shí)，將第一出線銅排和第一層銅箔同時(shí)在繞線模上繞制；當(dāng)繞到線圈內(nèi)徑的半圈時(shí)，將第二層銅箔放在第一層絕緣材料的內(nèi)側(cè)同時(shí)繞制。本實(shí)用新型線圈端部漏磁少，短路時(shí)候的軸向力也小，承受短路能力強(qiáng)；線圈匝間電容沿繞組分布均勻，增加了繞組對(duì)沖擊過電壓的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01F27/28GK202120731SQ20112025956
公開日2012年1月18日 申請日期2011年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者孫國平, 魏常友 申請人:江蘇中容科技有限公司