專利名稱：一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能發(fā)電是迄今為止發(fā)電過(guò)程最為環(huán)保的電能轉(zhuǎn)換方式之一，在化石能源日益枯竭、地球溫室效應(yīng)的背景下，太陽(yáng)能發(fā)電得到各國(guó)政府的重視，但有兩個(gè)因素制約著其快速的發(fā)展；一是太陽(yáng)能電價(jià)太高，主要是因發(fā)電設(shè)備初裝成本太高的緣故，而成本的核心在于電池芯片；二是太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率較低，量產(chǎn)的單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率18% 20%，多晶硅電池16% 18%，非晶硅薄膜電池6% 9%，而這些芯片在封裝成組件后，其組件效率大約是芯片效率的90%，光電轉(zhuǎn)換效率低下不僅浪費(fèi)了昂貴芯片的原材料，也使得單位發(fā)電量下，要求接受太陽(yáng)光的面積較大，占地面積較大。在太陽(yáng)能組件標(biāo)準(zhǔn)光電轉(zhuǎn)換效率固定的情況下，提高組件的發(fā)電量的唯一途徑是改善入射光強(qiáng)度，以往的技術(shù)一般是在太陽(yáng)能入射前對(duì)陽(yáng)光進(jìn)行聚束后再入射到組件，由于聚光的緣故，組件溫度會(huì)升高很多，雖然一般聚光組件都必須帶有很好的冷卻裝置，但組件表面的高溫將會(huì)加速封裝材料的老化和芯片的使用壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其在保證太陽(yáng)能組件使用壽命的前提下，提高太陽(yáng)能的光電轉(zhuǎn)換效率，以提高太陽(yáng)能的利用率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的解決方案是一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其包括太陽(yáng)能組件及其下方的反射鏡面，該太陽(yáng)能組件的底面設(shè)為透光板；反射鏡面收集太陽(yáng)能組件下方的陽(yáng)光反射回太陽(yáng)能組件的發(fā)電單元進(jìn)行發(fā)電。所述太陽(yáng)能組件是薄膜太陽(yáng)能組件、晶硅太陽(yáng)能組件等所有可以把太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換為電能的發(fā)電單元。所述太陽(yáng)能組件底面的透光板為透明塑料或超白玻璃。所述太陽(yáng)能電池組件為普通太陽(yáng)能電池芯片或多層PN結(jié)電池芯片。所述多層PN結(jié)電池芯片對(duì)于薄膜電池，PN結(jié)在基板的一側(cè)進(jìn)行疊加或分布在基板的兩面；對(duì)晶硅電池芯片PN結(jié)在基材一面進(jìn)行疊加，或在基材兩面分別制作同向PN結(jié)。所述反射鏡面為凹鏡、凸鏡、平面鏡一種或多種的組合。所述太陽(yáng)能組件或太陽(yáng)能電池芯片呈矩陣排列或交錯(cuò)排列。采用本實(shí)用新型后，本實(shí)用新型具體為通過(guò)收集太陽(yáng)能組件平面以下陽(yáng)光，通過(guò)反射的方式返回組件繼續(xù)發(fā)電的方法，如此太陽(yáng)能電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率可以增加6 72%，雖然增加鏡面發(fā)射結(jié)構(gòu)會(huì)增加整體成本，但除了結(jié)構(gòu)中背板用透明材料代替昂貴的氟塑料可節(jié)約部分成本外，因發(fā)電量的大幅增加，使得每度電的發(fā)電成本大幅降低。
圖1A、1B為本實(shí)用新型太陽(yáng)能組件中單面晶硅太陽(yáng)能電池芯片示意圖；圖2A、2B為本實(shí)用新型太陽(yáng)能組件中單面薄膜太陽(yáng)能電池芯片示意圖；圖3A、3B為本實(shí)用新型太陽(yáng)能組件中雙面晶硅太陽(yáng)能電池芯片示意圖；圖4A、4B為本實(shí)用新型太陽(yáng)能組件中雙面薄膜太陽(yáng)能電池芯片示意圖；圖5A、5B為本實(shí)用新型太陽(yáng)能組件中電池芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖6A、6B、6C、6D為本實(shí)用新型太陽(yáng)能電池芯片或組件排列示意圖；圖7A、7B、7C為本實(shí)用新型的工作示意圖。
具體實(shí)施方式
配合圖1至圖7所示，本實(shí)用新型揭示了一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其包括太陽(yáng)能組件X及其下方的反射鏡面Y，該太陽(yáng)能組件X的底面設(shè)為透光板XI，太陽(yáng)能電池芯片設(shè)為X2 ；反射鏡面Y收集太陽(yáng)能組件X下方的陽(yáng)光反射回太陽(yáng)能組件X的發(fā)電單元進(jìn)行發(fā)電。本實(shí)用新型的電池芯片可以是以下四類單面晶硅太陽(yáng)能電池芯片最常用的一種晶硅太陽(yáng)能電池芯片，在晶硅片的一面上具有一層或多層的PN結(jié)。如圖IA所示，其自上而下依次為電極層10、減反射層11、N型層12、P型層13、N型層14、P型單晶/多晶硅基材層15及導(dǎo)電電極層16 ；圖IB所示，其自上而下依次為電極層20、減反射層21、P型層22、N型層23、P型層M、N型單晶/多晶硅基材層25及導(dǎo)電電極層沈，該N型單晶硅/多晶硅基材兩表面上也可以先鍍一層非晶硅層 (I層)，再做成電池芯片(如SANYO的HIT電池)。單晶硅電池芯片可以采用圓片，充分利用高純硅材料。單面薄膜太陽(yáng)能電池芯片最常用的一種薄膜太陽(yáng)能電池芯片，在基體的一面上具有一層或多層的PN結(jié)，如圖2A所示，其自上而下依次為電極層30、減反射層31、N型層 32、P型層33 (NP層可以0 7層多層疊加)、N型層34、P型層35、透明電極層36及透明基體37 ；如圖2B所示，其自上而下依次為電極層40、減反射層41、P型層42、N型層43 (PN 層可以0 7層多層疊加)、P型層44、N型層45、透明電極層46及透明基體47。雙面晶硅太陽(yáng)能電池芯片在晶硅片的兩面都具有一層或多層的PN結(jié)，PN結(jié)的朝向相同，如圖3A所示，其自上而下依次為電極層50、減反射層51、N型層52、P型層53 (NP 層可以0 7層多層疊加)、N型層M、P型單晶/多晶硅基材層55、N型層56、P型層57、N 型層58、P型層59 (NP層可以0 7層多層疊加)及導(dǎo)電電極層50，圖所示，其自上而下依次為電極層60、減反射層61、P型層62、N型層63 (PN層可以0 7層多層疊加)、P型層64、N型單晶/多晶硅基材層65、P型層66、N型層67、P型層68、N型層69 (PN層可以 0 7層多層疊加)及導(dǎo)電電極層60，該N型單晶硅/多晶硅基材兩表面上也可以先鍍一層非晶硅層(I層)，再做成電池芯片(如SANYO的HIT電池)。單晶硅電池芯片可以采用圓片， 充分利用高純硅材料。雙面薄膜太陽(yáng)能電池芯片在基體的兩個(gè)面上都具有一層或多層的PN結(jié)，PN結(jié)的朝向相反，如圖4A所示，其自上而下依次為電極層70、減反射層71、N型層72、P型層73(NP層可以0 7層多層疊加)、N型層74、P型層75、透明電極層76、透明基板711、P型層 77,N型層78、P型層79、N型層710 (NP層可以0 7層多層疊加)、減反射層71及電極層 70。如圖4B所示，其自上而下依次為電極層80、減反射層81、P型層82、N型層83 (PN層可以0 7層多層疊加)、P型層84、N型層85、透明電極層86、透明基板811、N型層87、P 型層88、N型層89、P型層810 (PN層可以0 7層多層疊加)、減反射層81及電極層80。本實(shí)用新型專利使用單面晶硅太陽(yáng)能電池芯片，其光電轉(zhuǎn)換效率可以比普通無(wú)聚光的情況增加6% 12%本實(shí)用新型專利使用單面薄膜太陽(yáng)能電池芯片，其光電轉(zhuǎn)換效率可以比普通無(wú)聚光的情況增加10% 22%本實(shí)用新型專利使用雙面晶硅太陽(yáng)能電池芯片，其光電轉(zhuǎn)換效率可以比普通無(wú)聚光的情況增加30% 58%本實(shí)用新型專利雙面薄膜太陽(yáng)能電池芯片，其光電轉(zhuǎn)換效率可以比普通無(wú)聚光的情況增加30% 72%電池芯片封裝結(jié)構(gòu)本實(shí)用新型的電池封裝的主要特點(diǎn)是背板材料采用透明材料，如超白玻璃、透明塑料等，結(jié)構(gòu)如圖5A、5B所示。其中，A型封裝結(jié)構(gòu)包括超白玻璃A1、EVA A2，A4、電池芯片 A3、透明底板A5、硅膠A6及鋁框A7，主要用于晶硅電池芯片和雙面薄膜電池芯片的封裝；B 型封裝結(jié)構(gòu)包括透明基板Bi、電池芯片B2、EVA B3、透明底板B4、硅膠B5及鋁框B6，主要用于單面薄膜電池的封裝。該封裝結(jié)構(gòu)不使用昂貴的氟塑料背板，代之用相對(duì)便宜的多的透明材料。本實(shí)用新型的電池芯片或組件的陣列可以是圖6所示的排列方式中的一種，如矩陣排列或交錯(cuò)排列。本實(shí)用新型的板下反射配合電池芯片或組件陣列可以是如圖7所示的鏡面設(shè)置中的一種。太陽(yáng)能組件下方的陽(yáng)光是指太陽(yáng)能組件平面以下的太陽(yáng)光線，它可以是太陽(yáng)光線穿透太陽(yáng)能電池后殘留的陽(yáng)光、太陽(yáng)能電池間隙的穿透陽(yáng)光、太陽(yáng)能組件間隙的穿透陽(yáng)光。實(shí)施例1組件信息如圖5A所封裝結(jié)構(gòu)，示采用單面單晶硅156芯片60片，底板為透明PET 材料，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 212W, Vm = 28. 2V, Im = 7. 52A, Voc = 36. 3，Isc = 8. 10A,組件尺寸1650X992mm，組件轉(zhuǎn)換效率nm = 12. 95%組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7A型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度920W/m2，溫度測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 193W，Vm = 28V, Im = 6. 89A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 12. 82%安裝圖7A型反射板情況下，Pm = 208W, Vm = 28. IV，Im = 7. 40A,組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 13. 81%安裝圖7A型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加7. 72%[0045]實(shí)施例2組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用單面單晶硅156芯片60片，底板為透明PET 材料，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 212W, Vm = 28. 2V, Im = 7. 52A, Voc = 36. 3，Isc = 8. 10A,組件尺寸1650X992mm，組件轉(zhuǎn)換效率nm = 12. 95%組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7B型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度920W/m2，溫度測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 193W，Vm = 28V, Im = 6. 89A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 12. 82%安裝圖7B型反射板情況下，Pm = 210W, Vm = 28. 2V，Im = 7. 45A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 13. 95%安裝圖7B型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加8. 81%實(shí)施例3組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用單面單晶硅156芯片60片，底板為透明PET 材料，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 212W, Vm = 28. 2V, Im = 7. 52A, Voc = 36. 3，Isc = 8. 10A,組件尺寸1650X992mm，組件轉(zhuǎn)換效率nm = 12. 95%組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7C型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度920W/m2，溫度測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 193W，Vm = 28V, Im = 6. 89A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 12. 82%安裝圖7C型反射板情況下，Pm = 215W，Vm = 28. 4V，Im = 7. 57A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 14. 28%安裝圖7C型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加11. 39%實(shí)施例4組件信息如圖5B所示封裝結(jié)構(gòu)，采用單面CIGS薄膜電池，底板為透明PET材料， 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 70. 6ff, Vm = 55. 4V, Im = 1. 27A, Voc = 74. 3，Isc = 1. 51A,組件尺寸640X 1250mm，組件有效面積6440cm2，組件有效轉(zhuǎn)換效率nm = 10. 96% (以組件有效面積計(jì)算)。組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7A型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度990W/m2，溫度31 °C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 69. 3W，Vm = 55. 4V，Im = 1. 25A，組件實(shí)際有效轉(zhuǎn)換效率 nm = 10. 87%安裝圖7A型反射板情況下，Pm = 77. 4W，Vm = 55. 7V，Im = 1. 39A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 12. 14%[0071]安裝圖7A型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加11. 68%實(shí)施例5組件信息如圖5B所示封裝結(jié)構(gòu)，采用單面CIGS薄膜電池，底板為透明PET材料， 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 70. 6ff, Vm = 55. 4V, Im = 1. 27A, Voc = 74. 3，Isc = 1. 51A,組件尺寸640X 1250mm，組件有效面積6440cm2，組件有效轉(zhuǎn)換效率nm = 10. 96% (以組件有效面積計(jì)算)。組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7B型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度990W/m2，溫度31 °C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 69. 3W，Vm = 55. 4V，Im = 1. 25A，組件實(shí)際有效轉(zhuǎn)換效率 nm = 10. 87%安裝圖7B型反射板情況下，Pm = 80. 5W，Vm = 55. 9V，Im = 1. 44A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 12. 63%安裝圖7B型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加16. 19%實(shí)施例6組件信息如圖5B所示封裝結(jié)構(gòu)，采用單面CIGS薄膜電池，底板為透明PET材料， 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 70. 6ff, Vm = 55. 4V, Im = 1. 27A, Voc = 74. 3，Isc = 1. 51A,組件尺寸640X 1250mm，組件有效面積6440cm2，組件有效轉(zhuǎn)換效率nm = 10. 96% (以組件有效面積計(jì)算)。組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7C型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度990W/m2，溫度31 °C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 69. 3W，Vm = 55. 4V，Im = 1. 25A，組件實(shí)際有效轉(zhuǎn)換效率 nm = 10. 87%安裝圖7C型反射板情況下，Pm = 83. 9W，Vm = 56. 3V，Im = 1. 49A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 13. 16%安裝圖7C型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加21. 07%實(shí)施例7組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用雙面單晶硅156芯片60片，底板為透明PET 材料，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 244W, Vm = 30. 5V, Im = 8A, Voc = 37. 3，Isc = 8. 5A,組件尺寸1650X992mm，組件轉(zhuǎn)換效率nm = 14. 91%組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7A型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度960W/m2，溫度30°C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 233W，Vm = 30V, Im = 7. 77A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 14. 83%[0097]安裝圖7A型反射板情況下，Pm = 327W，Vm = 32. 9V，Im = 9. 94A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 20. 81%安裝圖7A型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加40. 32%實(shí)施例8組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用雙面單晶硅156芯片60片，底板為透明PET 材料，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 244W, Vm = 30. 5V, Im = 8A, Voc = 37. 3，Isc = 8. 5A,組件尺寸1650X992mm，組件轉(zhuǎn)換效率nm = 14. 91%組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用附圖7B型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度960W/m2，溫度30°C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 233W，Vm = 30V, Im = 7. 77A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 14. 83%安裝圖7B型反射板情況下，Pm = 339W，Vm = 33. 4V，Im = 10. 15A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 21. 57%安裝圖7B型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加45. 45%實(shí)施例9組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用雙面單晶硅156芯片60片，底板為透明PET 材料，標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 244W, Vm = 30. 5V, Im = 8A, Voc = 37. 3，Isc = 8. 5A,組件尺寸1650X992mm，組件轉(zhuǎn)換效率nm = 14. 91%組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7C型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度960W/m2，溫度30°C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 233W，Vm = 30V, Im = 7. 77A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 14. 83%安裝圖7C型反射板情況下，Pm = 366W，Vm = 34. 2V，Im = 10. 7A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率 nm = 23. 29%安裝圖7C型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加57. 05%實(shí)施例10組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用雙面CIGS薄膜電池，底板為透明PET材料， 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 77. 8ff, Vm = 55. 2V, Im = 1. 41A, Voc = 73. 9，Isc = 1. 69A,組件尺寸640\ 1250讓，組件有效面積64400112 (單面)，組件有效轉(zhuǎn)換效率nm=12. 08% (以組件有效面積計(jì)算)。組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7A型反射板 測(cè)試條件即時(shí)輻照度970W/m2，溫度31°C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 74. 8W，Vm = 55. 0V, Im = 1. 36A，組件實(shí)際有效轉(zhuǎn)換效率nm = 11. 97%安裝圖7A型反射板情況下，Pm = 109. 5W，Vm = 55. 6V，Im = 1. 97A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 17. 53%安裝圖7A型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加46. 45%實(shí)施例11組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用雙面CIGS薄膜電池，底板為透明PET材料， 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 77. 8ff, Vm = 55. 2V, Im = 1. 41A, Voc = 73. 9，Isc = 1. 69A,組件尺寸640\ 1250讓，組件有效面積64400112 (單面)，組件有效轉(zhuǎn)換效率nm=12. 08% (以組件有效面積計(jì)算)。組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7B型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度970W/m2，溫度31 °C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 74. 8W，Vm = 55. 0V, Im = 1. 36A，組件實(shí)際有效轉(zhuǎn)換效率 nm = 11. 97%安裝圖7B型反射板情況下，Pm = 113. 6W，Vm = 55. 7V，Im = 2. 04A,組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 18. 19%安裝圖7B型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加51. 96%實(shí)施例12組件信息如圖5A所示封裝結(jié)構(gòu)，采用雙面CIGS薄膜電池，底板為透明PET材料， 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下，Pm = 77. 8ff, Vm = 55. 2V, Im = 1. 41A, Voc = 73. 9，Isc = 1. 69A,組件尺寸640\ 1250讓，組件有效面積64400112 (單面)，組件有效轉(zhuǎn)換效率nm=12. 08% (以組件有效面積計(jì)算)。組件安裝面朝正南方向，傾斜角23度組件反射板采用圖7B型反射板測(cè)試條件即時(shí)輻照度970W/m2，溫度31 °C測(cè)試結(jié)果無(wú)反射板情況下，Pm = 74. 8W，Vm = 55. 0V, Im = 1. 36A，組件實(shí)際有效轉(zhuǎn)換效率 nm = 11. 97%安裝圖7B型反射板情況下，Pm = 122. 4ff, Vm = 55. 9V，Im = 2. 19A，組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率nm = 19. 59%安裝圖7B型反射板后組件實(shí)際轉(zhuǎn)換效率增加63. 66%。
權(quán)利要求1.一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于包括太陽(yáng)能組件及其下方的反射鏡面，該太陽(yáng)能組件的底面設(shè)為透光板；反射鏡面收集太陽(yáng)能組件下方的陽(yáng)光反射回太陽(yáng)能組件的發(fā)電單元進(jìn)行發(fā)電。
2.如權(quán)利要求1所述的一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于太陽(yáng)能組件是薄膜太陽(yáng)能組件、晶硅太陽(yáng)能組件等所有可以把太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換為電能的發(fā)電單兀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于 太陽(yáng)能組件底面的透光板為透明塑料或超白玻璃。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于 太陽(yáng)能電池組件為普通太陽(yáng)能電池芯片或多層PN結(jié)電池芯片。
5.如權(quán)利要求4所述的一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于多層 PN結(jié)電池芯片對(duì)于薄膜電池，PN結(jié)在基板的一側(cè)進(jìn)行疊加或分布在基板的兩面；對(duì)晶硅電池芯片PN結(jié)在基材一面進(jìn)行疊加，或在基材兩面分別制作同向PN結(jié)。
6.如權(quán)利要求1所述的一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于反射鏡面為凹鏡、凸鏡、平面鏡一種或多種的組合。
7.如權(quán)利要求1或2所述的一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其特征在于 太陽(yáng)能組件或太陽(yáng)能電池芯片呈矩陣排列或交錯(cuò)排列。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的結(jié)構(gòu)，其包括太陽(yáng)能組件及其下方的反射鏡面，該太陽(yáng)能組件的底面設(shè)為透光板；反射鏡面收集太陽(yáng)能組件下方的陽(yáng)光反射回太陽(yáng)能組件的發(fā)電單元進(jìn)行發(fā)電。本實(shí)用新型具體為通過(guò)收集太陽(yáng)能組件平面以下陽(yáng)光，通過(guò)反射的方式返回組件繼續(xù)發(fā)電的方法，如此太陽(yáng)能電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率可以增加6～72％，雖然增加鏡面發(fā)射結(jié)構(gòu)會(huì)增加整體成本，但除了結(jié)構(gòu)中背板用透明材料代替昂貴的氟塑料可節(jié)約部分成本外，因發(fā)電量的大幅增加，使得每度電的發(fā)電成本大幅降低。
文檔編號(hào)H01L31/052GK202150471SQ201120251810
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者劉榮隆 申請(qǐng)人:矽明科技股份有限公司