專利名稱：降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝，具體的說是在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，采取的防止后期衰減的方法。
背景技術(shù)：
從材料結(jié)構(gòu)上說非晶硅與同質(zhì)晶體有相同的配位數(shù)，但鍵長(zhǎng)和鍵角略有改變，描述非晶硅結(jié)構(gòu)的連續(xù)無規(guī)網(wǎng)絡(luò)模型認(rèn)為，非晶硅就是由這樣一些稍被扭曲的單元隨即連接而成。單元與單元之間不存在固定的位形關(guān)系，其有序范圍約在廣2個(gè)原子范圍內(nèi)，由于無序的原因，在非晶硅中存在著一定的懸掛鍵、應(yīng)力和微空洞這樣的結(jié)構(gòu)缺陷，并在能隙中產(chǎn)生了帶尾，帶尾與結(jié)構(gòu)缺陷作為復(fù)合中心影響了載流子的輸運(yùn)，使得非晶硅電池效率降低。 剛制作完畢的非晶硅薄膜太陽能電池在長(zhǎng)時(shí)間光照情況下，會(huì)產(chǎn)生光生亞穩(wěn)態(tài)，這種光生亞穩(wěn)態(tài)會(huì)導(dǎo)致硅-硅弱鍵斷裂后出現(xiàn)兩個(gè)懸掛鍵，導(dǎo)致非晶硅電池效率降低，從而出現(xiàn)所謂“非晶硅太陽能電池的早期衰退”。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種防止非晶硅太陽能電池早期衰退的方法，該方法可有效的防止非晶硅太陽能電池的早期衰退。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下方案降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法，在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，用接近太陽光光譜的光源對(duì)基板上的導(dǎo)電膜進(jìn)行照射，在氣相沉積的過程完成后，結(jié)束照射。由上述方案可見，由于在對(duì)基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積過程中一直用接近太陽光光譜的光源對(duì)其照射，光源照射到膜面后，產(chǎn)生光生亞穩(wěn)態(tài)，出現(xiàn)硅-硅弱鍵斷裂現(xiàn)象，由于氣相沉積在進(jìn)行，所以新的原子再次形成，斷裂情況被重新連接，如此，可在基板衰減完成后，再完成氣相沉積。這樣，基板在用于加工太陽能電池后，再接受日光照射時(shí)，基本不會(huì)再有衰減、或衰減的程度很小。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是將使用原設(shè)備及工藝方法制造出的非晶硅薄膜太陽能電池的衰減期限降低，等于將整片電池的功率提高。


附圖為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明一實(shí)施例所用照射箱體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合實(shí)施例及附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。為達(dá)到在基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，用接近太陽光光譜的光源對(duì)基板上的導(dǎo)電膜進(jìn)行照射的目的，本實(shí)施例采用的手段是，在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，基板及光源共處在一開有若干通孔的箱體中，光源為氙燈。參見附圖
為實(shí)現(xiàn)上述手段，所采用的照射裝置具有一箱體1，箱體1的頂壁上開有一條以上的縫隙la，箱體1的側(cè)壁內(nèi)側(cè)上設(shè)有接近太陽光光譜的光源2，光源2為氙燈，在光源外部罩有燈罩3。箱體1的側(cè)壁上開有若干通孔lb。結(jié)合附圖可見，將非晶硅太陽能電池基板4插入箱體1上的縫隙Ia中，然后將箱體連同基板共同放置在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的空腔中，通過箱體上的通孔lb，可對(duì)基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積。在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行氣相沉積的同時(shí)，由箱體側(cè)壁內(nèi)側(cè)上的光源對(duì)基板上的導(dǎo)電膜進(jìn)行照射，在氣相沉積的過程完成后，結(jié)束照射。
權(quán)利要求
1.降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法，其特征在于在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，用接近太陽光光譜的光源對(duì)基板上的導(dǎo)電膜進(jìn)行照射，在氣相沉積的過程完成后，結(jié)束照射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法，其特征在于在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，基板及光源共處在一開有若干通孔的箱體中，光源為氙燈。
全文摘要
降低非晶硅太陽能電池衰減率的方法，在對(duì)太陽能電池的基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積的過程中，用接近太陽光光譜的光源對(duì)基板上的導(dǎo)電膜進(jìn)行照射，在氣相沉積的過程完成后，結(jié)束照射。由于在對(duì)基板進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法氣相沉積過程中一直用接近太陽光光譜的光源對(duì)其照射，光源照射到膜面后，產(chǎn)生光生亞穩(wěn)態(tài)，出現(xiàn)硅-硅弱鍵斷裂現(xiàn)象，由于氣相沉積在進(jìn)行，所以新的原子再次形成，斷裂情況被重新連接，如此，可在基板衰減完成后，再完成氣相沉積。這樣，基板在用于加工太陽能電池后，再接受日光照射時(shí)，基本不會(huì)再有衰減、或衰減的程度很小。
文檔編號(hào)H01L31/20GK102496663SQ20111045317
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者龐海燕, 張立剛, 羅毅, 龔瑞 申請(qǐng)人:普樂新能源(蚌埠)有限公司