專(zhuān)利名稱(chēng)：晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更高的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量、以及更多的功能，半導(dǎo)體器件朝向更高的元件密度、更高的集成度方向發(fā)展，因此，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary MetalOxide Semiconductor, CMOS)晶體管的柵極變得越來(lái)越細(xì)且長(zhǎng)度變得比以往更短。為了獲得較好的電學(xué)性能，通常需要通過(guò)控制載流子遷移率來(lái)提高半導(dǎo)體器件性能。該技術(shù)的一個(gè)關(guān)鍵要素是控制晶體管溝道中的應(yīng)力。比如適當(dāng)控制應(yīng)力，提高了載流子(η-溝道晶體管中的電子，P-溝道晶體管中的空穴)遷移率，就能提聞驅(qū)動(dòng)電流。因而應(yīng)力可以極大地提聞晶體管的性能。應(yīng)力襯墊技術(shù)在NMOS晶體管上形成張應(yīng)力襯墊層(tensile stress liner),在PMOS晶體管上形成壓應(yīng)力襯墊層(compressive stress liner),從而增大了 PMOS晶體管和NMOS晶體管的驅(qū)動(dòng)電流，提高了電路的響應(yīng)速度。據(jù)研究，使用雙應(yīng)力襯墊技術(shù)的集成電路能夠帶來(lái)24%的速度提升。因?yàn)楣?、鍺具有相同的晶格結(jié)構(gòu)，即“金剛石”結(jié)構(gòu)，在室溫下，鍺的晶格常數(shù)大于硅的晶格常數(shù)，所以在PMOS晶體管的源、漏區(qū)形成硅鍺(SiGe)，可以引入硅和鍺硅之間晶格失配形成的壓應(yīng)力，進(jìn)一步提聞壓應(yīng)力，提聞PMOS晶體管的性能。相應(yīng)地，在NMOS晶體管的源、漏區(qū)形成碳硅(CSi)可以引入硅和碳硅之間晶格失配形成的拉應(yīng)力，進(jìn)一步提高拉應(yīng)力，提高NMOS晶體管的性能。現(xiàn)有技術(shù)中，晶體管的形成方法為:請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成淺溝槽隔離區(qū)103，形成位于所述半導(dǎo)體襯底100表面柵絕緣層105，形成覆蓋所述柵絕緣層105的柵電極層107，在所述半導(dǎo)體襯底100表面形成與位于所述柵絕緣層105、柵電極層107兩側(cè)且與其接觸的側(cè)墻109 ；請(qǐng)參考圖2，以所述側(cè)墻109為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成開(kāi)口 111 ；請(qǐng)參考圖3，在所述開(kāi)口 111內(nèi)填充滿(mǎn)硅鍺，形成源/漏區(qū)113。然后現(xiàn)有技術(shù)在晶體管的源漏區(qū)域形成鍺硅的方法形成的應(yīng)力有限，溝道區(qū)的載流子遷移率的提聞?shì)^小，晶體管的性能提聞?dòng)邢蕖８嚓P(guān)于晶體管及其形成方法見(jiàn)公開(kāi)號(hào)為“CN101789447A”的申請(qǐng)文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種晶體管的形成方法，溝道區(qū)的載流子遷移率高，晶體管的性能好。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種晶體管的形成方法，包括:提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的開(kāi)口；采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理；所述預(yù)處理后，在所述開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層?？蛇x地，所述具有還原能力的物質(zhì)為Ge5H1Q、Ge4H10, Ge3H8, Ge2H6, Si5H10, Si4H10,Si3H10, Si2H6 中的一種?？蛇x地，當(dāng)所述具有還原能力的物質(zhì)為液態(tài)時(shí),還包括:加熱所述具有還原能力的物質(zhì)，使所述具有還原能力的物質(zhì)變?yōu)闅鈶B(tài)?？蛇x地,還包括:將氫氣通入液態(tài)的具有還原能力的物質(zhì)中，氫氣和氣態(tài)的具有還原能力的物質(zhì)到達(dá)基底表面對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理?？蛇x地，所述預(yù)處理的工藝參數(shù)范圍為:氫氣的流量為30slm-50slm，氣態(tài)時(shí)的具有還原能力的物質(zhì)的流量為lOsccm-lOOsccm，溫度為650 V -800 °C，壓力為lOTorr-lOOTorr。可選地，所述應(yīng)力襯墊層的材料為SiGe或SiC?？蛇x地，所述應(yīng)力襯墊層的形成工藝為選擇性外延生長(zhǎng)工藝?？蛇x地，所述選擇性外延生長(zhǎng)工藝采用的反應(yīng)物包括:SiH4、GeH4, HCUCH4, CH3Cl,CH2Cl2, H2 和 B2H6,或者 SiH2Cl2、GeH4, HCUCH4, CH3CUCH2Cl2, H2 和 B2H6。可選地，所述選擇性外延生長(zhǎng)工藝的工藝參數(shù)范圍為:溫度為500°C _800°C，壓強(qiáng)為 ITorr-lOOTorr，氫氣的流量為 0.lslm_50slm，SiH4' GeH4' HC1、CH4、CH3Cl' CH2Cl2 和 B2H6的流量為lsccm-lOOOsccm ;或者溫度為500°C _800°C，壓強(qiáng)為ITorr-lOOTorr，氫氣的流量為 0.lslm-50slm, SiH2Cl2'GeH4'HCl、CH4、CH3C1、CH2Cl2 和 B2H6 的流量為 lsccm-1000sccm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):由于基底暴露在空氣中時(shí)，其表面容易與空氣中的氧氣相結(jié)合，在所述基底表面形成氧化層。因此，本發(fā)明的實(shí)施例中，在開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層之前，采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)基底進(jìn)行預(yù)處理，去除了基底表面尤其是開(kāi)口內(nèi)的氧化層，使得后續(xù)形成的應(yīng)力襯墊層直接與基底作用，在溝道區(qū)形成拉應(yīng)力或壓應(yīng)力，提高了溝道區(qū)載流子的遷移率，而且，所述預(yù)處理的溫度低，晶體管的熱預(yù)算低，晶體管的性能好。


圖1-圖4是現(xiàn)有技術(shù)的晶體管的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的實(shí)施例的晶體管的形成方法的流程示意圖；圖6-圖9是本發(fā)明的實(shí)施例的晶體管的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理時(shí)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)的晶體管的溝道區(qū)載流子的遷移率低，晶體管的性
倉(cāng)泛壟I。請(qǐng)參考圖4，經(jīng)過(guò)研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，溝道區(qū)載流子的遷移率低的一部分原因是由于半導(dǎo)體襯底100暴露在空氣中時(shí)，其表面容易與空氣中的氧氣相結(jié)合，在所述半導(dǎo)體襯底100表面形成了氧化層115，后續(xù)在開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層113時(shí)，所述應(yīng)力襯墊層113并不是直接作用在半導(dǎo)體襯底100表面，因此溝道區(qū)形成的拉應(yīng)力或壓應(yīng)力的大小也會(huì)受到影響，從而影響了溝道區(qū)的載流子遷移率。經(jīng)過(guò)進(jìn)一步研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層前，在溫度為800oC -900°C的條件下，采用氫氣對(duì)半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行預(yù)處理，可以去除上述氧化層，但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果單純的采用氫氣對(duì)半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)溫度較高，會(huì)使晶體管產(chǎn)生較高的熱預(yù)算，開(kāi)口的底部形狀也會(huì)發(fā)生變化，變得較以前平坦，影響了溝道區(qū)的載流子遷移率，并且，預(yù)處理前注入到基底內(nèi)的離子也會(huì)發(fā)生擴(kuò)散，有可能影響晶體管的性倉(cāng)泛。更進(jìn)一步的，發(fā)明人研究后發(fā)現(xiàn)，采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)共同對(duì)半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)，其去除氧化層的能力更強(qiáng)，可以在較低的溫度下進(jìn)行，晶體管的熱預(yù)算低，不會(huì)存在離子擴(kuò)散，開(kāi)口的底部形狀發(fā)生改變的問(wèn)題，并且溝道區(qū)的載流子遷移率高，晶體管的性能好。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖5，圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例的晶體管的形成方法，包括:步驟S201，提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的開(kāi)口 ；步驟S202，采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理；步驟S203，所述預(yù)處理后，在所述開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層。具體請(qǐng)參考圖6-圖10，圖6-圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例的晶體管的形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖和預(yù)處理時(shí)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖6，提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底300、位于所述半導(dǎo)體襯底300表面的柵極結(jié)構(gòu)。其中，所述半導(dǎo)體襯底300的材料為單晶硅，所述半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)303，用于隔離晶體管。所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底300表面的柵介質(zhì)層305、位于所述柵介質(zhì)層305表面的柵電極層307、以及位于所述柵介質(zhì)層305和柵電極層307兩側(cè)且與其接觸的半導(dǎo)體襯底300表面的側(cè)墻309。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)的形成步驟為:采用沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底300表面形成柵介質(zhì)層305 ;采用沉積工藝在所述柵介質(zhì)層305表面形成柵電極層307 ;采用沉積、刻蝕工藝在所述柵介質(zhì)層305和柵電極層307兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300表面形成側(cè)墻309。其中，所述柵介質(zhì)層305的材料為二氧化硅或高K介質(zhì)，所述柵電極層307的材料為多晶硅或者金屬，所述側(cè)墻309的材料為二氧化硅。請(qǐng)參考圖7，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底300，形成開(kāi)口 311。所述開(kāi)口 311用于后續(xù)填充應(yīng)力襯墊層，所述開(kāi)口 311的形狀為倒梯形、sigma( Σ )狀或其他。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述開(kāi)口 311的形狀為sigma狀，所述開(kāi)口311的形成工藝為干法刻蝕和濕法刻蝕，其具體步驟包括:首先以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底300形成倒梯形的預(yù)開(kāi)口(未圖示)，然后采用濕法刻蝕工藝?yán)^續(xù)刻蝕所述預(yù)開(kāi)口，形成sigma狀的開(kāi)口 311。請(qǐng)繼續(xù)參考圖7，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，形成開(kāi)口 311后，所述半導(dǎo)體襯底300會(huì)有一段時(shí)間暴露在空氣中，而半導(dǎo)體襯底300的表面容易與空氣中的氧氣相結(jié)合，在所述半導(dǎo)體襯底300表面形成了氧化層313。所述氧化層313的存在使得后續(xù)在開(kāi)口 311內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層時(shí)，所述應(yīng)力襯墊層并不是直接作用在半導(dǎo)體襯底100表面，因此溝道區(qū)形成的拉應(yīng)力或壓應(yīng)力的大小也會(huì)受到影響，從而影響了溝道區(qū)的載流子遷移率。請(qǐng)參考圖8，采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)所述基底的半導(dǎo)體襯底300進(jìn)行預(yù)處理。由于氧化層313 (如圖7所示)會(huì)影響溝道區(qū)的載流子遷移率，因此，在開(kāi)口 311內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層前，需要對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理，去除半導(dǎo)體襯底300表面的氧化層313。經(jīng)過(guò)研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在開(kāi)口 311內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層前，在溫度為800°C -900°C的條件下，采用氫氣對(duì)半導(dǎo)體襯底300表面進(jìn)行預(yù)處理，可以去除上述氧化層313，但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果單純的采用氫氣對(duì)半導(dǎo)體襯底300表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)溫度較高，會(huì)使晶體管產(chǎn)生較高的熱預(yù)算，開(kāi)口 311的底部形狀也會(huì)發(fā)生變化，變得較以前平坦，影響了溝道區(qū)的載流子遷移率，并且，預(yù)處理前注入到基底內(nèi)的離子也會(huì)發(fā)生擴(kuò)散，有可能影響晶體管的性能。進(jìn)一步的，發(fā)明人研究后發(fā)現(xiàn)，采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)共同對(duì)基底的半導(dǎo)體襯底300表面進(jìn)行預(yù)處理時(shí)，其去除氧化層的能力更強(qiáng)，可以在較低的溫度下進(jìn)行，晶體管的熱預(yù)算低，不會(huì)存在離子擴(kuò)散，開(kāi)口 311的底部形狀發(fā)生改變的問(wèn)題，并且溝道區(qū)的載流子遷移率高，晶體管的性能好。所述具有還原能力的物質(zhì)為Ge5H1Q、Ge4H10, Ge3H8, Ge2H6, Si5H10, Si4H10, Si3H10, Si2H6中的一種。在本發(fā)明的實(shí)施例中，選取Si5Hltl和氫氣共同對(duì)半導(dǎo)體襯底300表面進(jìn)行預(yù)處理。考慮到Si5Hltl在常溫下為液態(tài)，請(qǐng)參考圖10，在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用氫氣和Si5H10對(duì)所述基底的半導(dǎo)體襯底300進(jìn)行預(yù)處理的步驟包括:向盛有液態(tài)的Si5Hltl的容器401內(nèi)通入氫氣10 ;加熱所述盛有液態(tài)的Si5H1(l20的容器401，使所述液態(tài)的Si5Hltl變?yōu)闅鈶B(tài)；氫氣和氣態(tài)的Si5Hltl的混合物30進(jìn)入到放置有待預(yù)處理的基底的預(yù)處理腔室403對(duì)所述基底的半導(dǎo)體襯底300表面進(jìn)行預(yù)處理，去除氧化層。其中，所述容器401用于盛裝液態(tài)的具有還原能力的物質(zhì)，例如Si5Hltl，本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)加熱器405對(duì)容器內(nèi)的液態(tài)的Si5H1Q20進(jìn)行加熱，所述加熱器405圍繞所述容器401的底部和部分側(cè)壁。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述預(yù)處理的工藝參數(shù)范圍為:氫氣的流量為30slm-50slm，氣態(tài)時(shí)的具有還原能力的物質(zhì)(Si5Hltl)的流量為lOsccm-lOOsccm，溫度為6500C _800°C，預(yù)處理腔室壓力為lOTorr-lOOTorr。預(yù)處理后半導(dǎo)體襯底300表面的氧化層被去除，晶體管的熱預(yù)算低，不存在離子擴(kuò)散，開(kāi)口的底部形狀發(fā)生改變的問(wèn)題，以利于提聞溝道區(qū)的載流子遷移率，提聞后續(xù)形成的晶體管的性能。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，僅示出了開(kāi)口內(nèi)的半導(dǎo)體襯底300表面的氧化層，實(shí)際上，只要半導(dǎo)體襯底300暴露在空氣中的地方，都會(huì)被氧化形成氧化層。請(qǐng)參考圖9，所述預(yù)處理后，在所述開(kāi)口 311內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層315。
所述應(yīng)力襯墊層315用于增加溝道區(qū)的壓應(yīng)力或拉應(yīng)力，以提高溝道區(qū)的載流子遷移率，改善晶體管的性能。所述應(yīng)力襯墊層315的材料為SiGe或SiC。所述應(yīng)力襯墊層315的形成工藝為沉積工藝或選擇性外延生長(zhǎng)工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述應(yīng)力襯墊層315的形成工藝為選擇性外延生長(zhǎng)工藝。采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成所述應(yīng)力襯墊層315時(shí)，所采用的反應(yīng)物包括:SiH4, GeH4, HC1、CH4, CH3Cl, CH2Cl2, H2 和 B2H6，或者 SiH2Cl2, GeH4, HC1、CH4, CH3Cl, CH2Cl2,&和民!16。所述選擇性外延生長(zhǎng)工藝的工藝參數(shù)范圍為:溫度為500°C _800°C，壓強(qiáng)為ITorr-lOOTorr，氫氣的流量為 0.lslm_50slm，SiH4' GeH4' HC1、CH4、CH3Cl' CH2Cl2 和 B2H6 的流量為lsccm-lOOOsccm ;或者溫度為500°C -800°C，壓強(qiáng)為ITorr-lOOTorr，氫氣的流量為0.lslm-50slm, SiH2Cl2'GeH4'HCl、CH4、CH3Cl'CH2Cl2 和 B2H6 的流量為 lsccm-lOOOsccm。上述步驟中，形成的應(yīng)力襯墊層315的質(zhì)量好，應(yīng)力襯墊層315在晶體管的溝道區(qū)能夠產(chǎn)生較大的拉應(yīng)力或壓應(yīng)力，后續(xù)形成的晶體管溝道區(qū)的載流子遷移率高，晶體管的性能好。上述步驟完成后，本發(fā)明實(shí)施例的晶體管的制作完成。形成晶體管的過(guò)程中，在開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層之前，采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)基底進(jìn)行預(yù)處理，去除了基底表面尤其是開(kāi)口內(nèi)的氧化層，使得后續(xù)形成的應(yīng)力襯墊層直接與基底作用，在溝道區(qū)形成拉應(yīng)力或壓應(yīng)力，提高了溝道區(qū)載流子的遷移率，而且，所述預(yù)處理的溫度低，晶體管的熱預(yù)算低，晶體管的性能好。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的開(kāi)口； 采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理； 所述預(yù)處理后，在所述開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述具有還原能力的物質(zhì)為Ge5H10, Ge4H10, Ge3H8, Ge2H6, Si5H10, Si4H10, Si3H10, Si2H6 中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述具有還原能力的物質(zhì)為液態(tài)時(shí)，還包括:加熱所述具有還原能力的物質(zhì)，使所述具有還原能力的物質(zhì)變?yōu)闅鈶B(tài)。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括:將氫氣通入液態(tài)的具有還原能力的物質(zhì)中，氫氣和氣態(tài)的具有還原能力的物質(zhì)到達(dá)基底表面對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理。
5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述預(yù)處理的工藝參數(shù)范圍為:氫氣的流量為30slm-50slm，氣態(tài)時(shí)的具有還原能力的物質(zhì)的流量為lOsccm-lOOsccm，溫度為650°C _800°C，預(yù)處理腔室壓力為IOTorr-1OOTorr。
6.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層的材料為SiGe 或 SiC。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層的形成工藝為選擇性外延生長(zhǎng)工藝。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延生長(zhǎng)工藝采用的反應(yīng)物包括:SiH4、GeH4、HCl、CH4、CH3Cl、CH2Cl2、HdP B2H6，或者 SiH2Cl2,GeH4,HCl,CH4,CH3C1、CH2Cl2、H2 和 B2H6。
9.如權(quán)利要求8所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述選擇性外延生長(zhǎng)工藝的工藝參數(shù)范圍為:溫度為500°C -800 °C,壓強(qiáng)為ITorr-lOOTorr，氫氣的流量為0.lslm-50slm, SiH4' GeH4' HCl、CH4、CH3Cl' CH2Cl2 和 B2H6 的流量為 lsccm-lOOOsccm ;或者溫度為 500°C _800°C，壓強(qiáng)為 ITorr-lOOTorr，氫氣的流量為 0.lslm_50slm，SiH2Cl2^GeH4,HCUCH4, CH3Cl、CH2Cl2 和 B2H6 的流量為 lsccm-lOOOsccm。
全文摘要
一種晶體管的形成方法，包括提供基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的開(kāi)口；采用氫氣和具有還原能力的物質(zhì)對(duì)所述基底進(jìn)行預(yù)處理；所述預(yù)處理后，在所述開(kāi)口內(nèi)形成應(yīng)力襯墊層。形成的晶體管溝道區(qū)的載流子遷移率低，晶體管的熱預(yù)算低，晶體管的性能好。
文檔編號(hào)H01L21/336GK103177962SQ20111043145
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者涂火金, 三重野文健 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司