專利名稱：氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，特別涉及發(fā)光二極管(LED)、激光二極管 (LD)、電子設(shè)備等所使用的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
對(duì)于氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件等所使用的氮化物半導(dǎo)體，為了降低動(dòng)作電壓而要求提高其結(jié)晶性，為了提高該結(jié)晶性，必須減少氮化物半導(dǎo)體中的晶格缺陷，降低氮化物半導(dǎo)體的空穴密度。作為用來(lái)降低氮化物半導(dǎo)體的空穴密度的嘗試，例如在(日本)特開平05-243614 號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)及PHYSICAL REVIEW B, VOLUME 64，035318 (非專利文獻(xiàn)1)中公開了向氮化物半導(dǎo)體中添加等電子摻雜劑的技術(shù)，在這些文獻(xiàn)中都記述了向GaN這樣的氮化物半導(dǎo)體中摻雜原子半徑比構(gòu)成氮化物半導(dǎo)體的元素大的^等同族元素的情況。通過(guò)摻雜這樣的等電子摻雜劑，對(duì)氮化物半導(dǎo)體施加壓縮應(yīng)力，該壓縮應(yīng)力與氮化物半導(dǎo)體中的擴(kuò)張性變形相抵消，從而能夠降低空穴密度。這樣就能夠提高氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶性，提高位錯(cuò)釘扎(転位O ^ >止力)或移動(dòng)度。通過(guò)像上述那樣利用h等進(jìn)行等電子摻雜，能夠降低空穴過(guò)飽和度，并且能夠降低空穴密度。但是，氮化物半導(dǎo)體所使用的η型摻雜劑為Si，該Si置換( ，會(huì)由于沸點(diǎn)的不同導(dǎo)致表面能量發(fā)生變化，或由于原子半徑的不同導(dǎo)致產(chǎn)生變形。因此，如果以IXlO19/ cm3以上的濃度進(jìn)行摻雜，則存在氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶周期性變差、結(jié)晶性惡化等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于通過(guò)同時(shí)含有作為摻雜劑的Si、Sn以及 In，提高氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶性，從而提高氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的動(dòng)作電壓。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，包括在基板上形成的η型氮化物半導(dǎo)體層、在該η型氮化物半導(dǎo)體層上形成的發(fā)光層、以及在該發(fā)光層上形成的P型氮化物半導(dǎo)體層；η型氮化物半導(dǎo)體層為一層或二層以上層疊而成的結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層含有作為η型摻雜劑的Si和Sn，且含有作為等電子摻雜劑的^。構(gòu)成上述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層優(yōu)選含有原子濃度為5X1018/cm3以上、 IXlO2Vcm3以下的Si，優(yōu)選含有原子濃度為SXlO1Vcm3以上、lX1019/cm3以下的Sn，優(yōu)選含有原子濃度為5X1019/cm3以上、1 XlO2Vcm3以下的In。構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層中，優(yōu)選Sn的原子濃度小于Si的原子濃度， 構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層優(yōu)選為GaN。η型氮化物半導(dǎo)體層優(yōu)選是與η側(cè)電極接觸的接觸層，該η側(cè)電極優(yōu)選由含有Ti 或Al中任意一種或這兩種金屬、或由含有該金屬的合金構(gòu)成。η型氮化物半導(dǎo)體層包括第一 η型氮化物半導(dǎo)體層、以及在該第一 η型氮化物半導(dǎo)體層及發(fā)光層之間形成的第二 η型氮化物半導(dǎo)體層，該第二 η型氮化物半導(dǎo)體層優(yōu)選η型摻雜劑的原子濃度小于第一 η型氮化物半導(dǎo)體層所含有的η型摻雜劑的原子濃度。第二 η型氮化物半導(dǎo)體層優(yōu)選含有作為等電子摻雜劑的In，進(jìn)而優(yōu)選含有Mg。第二 η型氮化物半導(dǎo)體層優(yōu)選含有原子濃度為5X1018/cm3以上、1 X 102°/cm3以下的Mg。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件通過(guò)具有上述結(jié)構(gòu)，能夠提高氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶性，因而能夠提高氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的動(dòng)作電壓。下面，通過(guò)結(jié)合附圖而被理解的該發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，來(lái)明確本發(fā)明的上述內(nèi)容以及其他目的、特征、方面及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是表示本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件基本結(jié)構(gòu)的一例的示意性剖面圖；圖2是表示實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。對(duì)以下附圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠质褂孟嗤母綀D標(biāo)記，不再重復(fù)其說(shuō)明。并且為了簡(jiǎn)潔明了，附圖的長(zhǎng)度、大小、寬度等尺寸關(guān)系進(jìn)行了適當(dāng)?shù)男薷?，不表示?shí)際的尺寸。(氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件)圖1是表示本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。如圖1所示， 本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特征在于，包括在基板1上形成的η型氮化物半導(dǎo)體層 2、在該η型氮化物半導(dǎo)體層2上形成的發(fā)光層3、以及在該發(fā)光層3上形成的ρ型氮化物半導(dǎo)體層4 ；η型氮化物半導(dǎo)體層2是一層或兩層以上層疊而成的結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層含有作為η型摻雜劑的Si和Sn，且含有作為等電子摻雜劑的^。通過(guò)像這樣在η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層中同時(shí)摻雜Si、Sn以及In，使結(jié)晶性的擴(kuò)張變形成分與壓縮變形成分相抵消，因而能夠提高結(jié)晶性。以下說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的各部分。(基板)在本發(fā)明中，作為基板1，可以使用像藍(lán)寶石這樣的絕緣性基板、以及像GaN、SiC、 尖晶石、ZnO等這樣的導(dǎo)電性基板。這樣的基板1不一定只限于平面狀的基板，也可以使用在基板1的表面形成凹凸的基板。(η型氮化物半導(dǎo)體層)在本發(fā)明中，構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層的特征在于，含有作為η型摻雜劑的Si和Sn，且含有作為等電子摻雜劑的h。像這樣構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層通過(guò)同時(shí)摻雜Si、Sn以及In，特別通過(guò)同時(shí)摻雜原子半徑小于( 的Si以及原子半徑大于( 的Sn，使結(jié)晶性的擴(kuò)張變形成分與壓縮變形成分相抵消，從而能夠提高其結(jié)晶性。因此，即使是5X1018/cm3以上的高摻雜濃度，也能夠得到具有100cm2/Vs以上的高移動(dòng)度的GaN。在此，Si的原子半徑為0.54A、 Ga的原子半徑為0.76A、Sn的原子半徑為0.83A。進(jìn)而，通過(guò)在構(gòu)成η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層中含有作為等電子摻雜劑的 In,能夠減小空穴過(guò)飽和度(即抑制空穴的生成)，因而能夠提高結(jié)晶性。
4
構(gòu)成上述η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層優(yōu)選含有原子濃度為5Χ 1018/cm3以上、1 X IO2Vcm3以下的Si，優(yōu)選含有原子濃度為5 X IO1Vcm3以上、1 X IO1Vcm3以下的Sn，優(yōu)選含有原子濃度為5X1019/cm3以上、lX1021/cm3以下的h。如果超過(guò)任一數(shù)值范圍的上限，則反而會(huì)使結(jié)晶性惡化；如果低于下限，則不能充分獲得提高結(jié)晶性的效果，因而不優(yōu)選上述數(shù)值范圍以外的值。構(gòu)成這樣的η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層優(yōu)選Sn的原子濃度小于Si的原子濃度，由此能夠進(jìn)一步地提高η型氮化物半導(dǎo)體層2的結(jié)晶性。構(gòu)成這樣的η型氮化物半導(dǎo)體層2的至少一層優(yōu)選是含有Al、In或( 中任意一種的氮化物半導(dǎo)體，更優(yōu)選為GaN。在上述的η型氮化物半導(dǎo)體層2上形成η側(cè)電極7，在此，η型氮化物半導(dǎo)體層2 優(yōu)選為與η側(cè)電極7接觸的接觸層。像這樣通過(guò)使η型氮化物半導(dǎo)體層2為與η側(cè)電極7 接觸的接觸層，能夠以高載流子濃度降低接觸電阻。該η型氮化物半導(dǎo)體層2可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)η型氮化物半導(dǎo)體層2為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選使組成或摻雜濃度不同的氮化物半導(dǎo)體層或超晶格層疊。當(dāng)為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，例如如圖1所示，優(yōu)選為低溫緩沖層11、由GaN形成的未摻雜層12、由GaN 形成的η型高摻雜濃度層、以及η型低摻雜濃度層。在此，將η型高摻雜濃度層作為第一 η 型氮化物半導(dǎo)體層13，將η型低摻雜濃度層作為第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14。在圖1中，η型氮化物半導(dǎo)體層2包括第一 η型氮化物半導(dǎo)體層13、以及位于該第一 η型氮化物半導(dǎo)體層及發(fā)光層3之間的第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14，該第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14優(yōu)選η型摻雜劑的原子濃度小于第一 η型氮化物半導(dǎo)體層13所含有的η型摻雜劑的原子濃度。像這樣通過(guò)在發(fā)光層3的正下方層疊η型摻雜劑的原子濃度小于第一 η型氮化物半導(dǎo)體層13所含有的η型摻雜劑的原子濃度的第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14，在與發(fā)光效率直接相關(guān)的發(fā)光層3的正下方導(dǎo)入結(jié)晶性高的η型低摻雜濃度層，能夠提高發(fā)光效率。而且，在第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14中，如果Si的原子濃度為5Χ 1018/cm3以下， 那么下限也可以是未摻雜。但從提高結(jié)晶性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選摻雜h&Mg。通過(guò)在該第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14中導(dǎo)入In，能夠減少空穴過(guò)飽和度，因此能夠提高結(jié)晶性。還有，第二 η型氮化物半導(dǎo)體層14優(yōu)選含有Mg，并且優(yōu)選含有原子濃度為 5 X IO1Vcm3以上、lX102°/cm3以下的Mg。如果原子濃度超過(guò)1 X 102°/cm3，則結(jié)晶性反而會(huì)惡化；如果低于5X1018/cm3，則不能充分地獲得提高結(jié)晶性的效果。(發(fā)光層)在本發(fā)明中，發(fā)光層3優(yōu)選為至少含有Al、h或( 中任意一種的氮化物半導(dǎo)體， 更優(yōu)選由GaN形成的勢(shì)壘層與由含有h的氮化物半導(dǎo)體形成的阱層交替地層疊而形成的結(jié)構(gòu)。阱層的厚度與基于阱層發(fā)光的波長(zhǎng)的最適合的厚度不同，優(yōu)選在2 20nm的范圍內(nèi)。從提高發(fā)光效率的觀點(diǎn)出發(fā)，這樣的發(fā)光層3的結(jié)構(gòu)優(yōu)選多重量子阱結(jié)構(gòu)。當(dāng)發(fā)光層3含有多個(gè)阱層時(shí)，至少一個(gè)阱層發(fā)揮發(fā)光層3的作用，該阱層優(yōu)選由Inp(iai_pN(0 < ρ < 1)形成。(ρ型氮化物半導(dǎo)體層)在本發(fā)明中，ρ型氮化物半導(dǎo)體層4由含有Al、h或GaN中任意一種的氮化物半導(dǎo)體層形成，例如可以使用GaN、AlGaN, InAlGaN或InGaN。對(duì)于這樣的ρ型氮化物半導(dǎo)體層4，除了可以使用摻雜了 Mg或Si的ρ型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體層以外，也可以使用無(wú)摻雜的氮化物半導(dǎo)體層。這樣的ρ型氮化物半導(dǎo)體層4可以是單層，也可以是多層。當(dāng)ρ型氮化物半導(dǎo)體層4為多層時(shí)，也可以是hfeiN/feiN、InGaN/AlGaN, AlGaN/GaN, InGaN/InGaN這樣的積層結(jié)構(gòu)。(電流擴(kuò)散層)在本發(fā)明中，電流擴(kuò)散層5與ρ型氮化物半導(dǎo)體層4接觸，起著作為透光性的電極的作用。作為該電流擴(kuò)散層5所使用的材料，沒有特別限定，任何材料都可以使用，但從作為電流擴(kuò)散層5的功能、以及透明性等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用氧化銦錫(ITOdndium tin oxide)0(ρ側(cè)電極及η側(cè)電極)在本發(fā)明中，ρ側(cè)電極6及η側(cè)電極7是為了與外部連接而設(shè)置的，這樣的ρ側(cè)電極6及η側(cè)電極7可以使用目前公知的材料，例如可以使用Ti、Al、Au等。而且ρ側(cè)電極6 及η側(cè)電極7不限于單層，也可以是多層結(jié)構(gòu)。這樣的ρ側(cè)電極6及η側(cè)電極7優(yōu)選由含有Ti或Al中的任意一種或這兩種的金屬形成、或由含有該金屬的合金形成，由此能夠降低氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的動(dòng)作電壓。上述的η側(cè)電極7采用光刻技術(shù)，選擇性地進(jìn)行蝕刻，在露出第二 η型氮化物半導(dǎo)體層表面的基礎(chǔ)上，在其表面上形成。<實(shí)施例>以下通過(guò)實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于此。在本實(shí)施例中，按照以下的工序制作圖2所示的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。首先將藍(lán)寶石基板21放置在有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng)(M0CVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)裝置中，然后在將藍(lán)寶石基板21的溫度設(shè)定為1000°C的基礎(chǔ)上，在氫氣環(huán)境下進(jìn)行熱清洗。接著，在將藍(lán)寶石基板21的溫度設(shè)定為500°C的基礎(chǔ)上，通過(guò)導(dǎo)入三甲基鎵(TMG) 及氨(NH3)，使厚度為20nm的低溫GaN緩沖層31生長(zhǎng)。然后，在將藍(lán)寶石基板21的溫度設(shè)定為1000°C的基礎(chǔ)上，通過(guò)與上述相同地導(dǎo)入 TMG及NH3,使厚度為2 μ m的未摻雜GaN層32生長(zhǎng)。進(jìn)而將藍(lán)寶石基板21的溫度維持在 1000°C，除了導(dǎo)入TMG及NH3外，還導(dǎo)入三甲基銦(TMI)、硅烷(SiH4)、四甲基錫((CH3)4Sn), 由此使厚度為3 μ m的高摻雜濃度n-GaN層33生長(zhǎng)。通過(guò)調(diào)整原料的供給量，向該高摻雜濃度n-GaN層33中導(dǎo)入濃度為lX102°/cm3 的TMI、濃度為2X1019/cm3的SiH4、以及濃度為2X1018/cm3的(CH3)4Sn，這樣，在藍(lán)寶石基板21上形成由低溫GaN緩沖層31、未摻雜GaN層32、以及高摻雜濃度n_GaN層33構(gòu)成的 η型氮化物半導(dǎo)體層22。然后，將藍(lán)寶石基板21的溫度降至700°C，通過(guò)導(dǎo)入TMG及NH3，形成厚度為IOnm 的GaN勢(shì)壘層。之后在導(dǎo)入TMG及NH3外，還導(dǎo)入TMI，由此形成厚度為2. 5nm的Ina2Giia8N 阱層。這樣通過(guò)六次交替地重復(fù)形成GaN勢(shì)壘層和Ina2G^8N阱層，在η型氮化物半導(dǎo)體層 22上使發(fā)光層23生長(zhǎng)。然后，將藍(lán)寶石基板21的溫度設(shè)定為950°C，通過(guò)導(dǎo)入三甲基鋁(TMA)、TMG、NH3、二茂鎂(CP2Mg)，形成厚度為20nm的P-Ala2Giia8N層。接著，將藍(lán)寶石基板21的溫度維持在950°C，通過(guò)導(dǎo)入TMG及NH3，形成厚度為IOOnm的ρ-GaN層。這樣，形成由ρ-Α1α26εια8Ν 層及P-GaN層構(gòu)成的ρ型氮化物半導(dǎo)體層Μ。然后，在充分降低藍(lán)寶石基板21的溫度后，將藍(lán)寶石基板21從MOCVD裝置中取出，設(shè)置在濺射裝置中。然后在P型氮化物半導(dǎo)體層M上形成由厚度為200nm的ITO構(gòu)成的電流擴(kuò)散層25。接著，利用光刻技術(shù)，通過(guò)從電流擴(kuò)散層25的表面，利用反應(yīng)離子蝕刻(RIE reactive ion etching)選擇性地進(jìn)行蝕刻直到露出高摻雜濃度n-GaN層33的表面。然后，在通過(guò)上述蝕刻所露出的高摻雜濃度n-GaN層33上，形成由Ti/Al/Au構(gòu)成的η側(cè)電極 27，并且在電流擴(kuò)散層25上形成由Ti/Al/Au構(gòu)成的ρ側(cè)電極26。按照上述說(shuō)明，制作出圖 2所示的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。按照上述說(shuō)明制作出的本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件在高摻雜濃度n-GaN 層33中，導(dǎo)入原子濃度為2X 1019/cm3的Si、原子濃度為1 X IO2Vcm3的h以及原子濃度為 2 X IO1Vcm3的Sn。因此，能夠形成結(jié)晶性高的氮化物半導(dǎo)體，降低電阻率，從而能夠降低氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的動(dòng)作電壓。在本發(fā)明中，上述說(shuō)明的優(yōu)選實(shí)施方式的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件不限于上述結(jié)構(gòu)，也可以是上述結(jié)構(gòu)以外的其他結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得高品質(zhì)的η型氮化物半導(dǎo)體層，可以應(yīng)用于發(fā)光二極管、激光二極管等電子設(shè)備中。如上所述，雖然針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式及實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但從最初階段也計(jì)劃將各實(shí)施方式及實(shí)施例的特征進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕M合。雖然詳細(xì)地說(shuō)明、表示了本發(fā)明，但這只用于例示，本發(fā)明不限定于此，本發(fā)明的范圍通過(guò)權(quán)利要求的解釋可以被清晰地理解。
權(quán)利要求
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括在基板上形成的η型氮化物半導(dǎo)體層，在所述η型氮化物半導(dǎo)體層上形成的發(fā)光層，以及在所述發(fā)光層上形成的P型氮化物半導(dǎo)體層；所述η型氮化物半導(dǎo)體層是一層或兩層以上層疊而成的結(jié)構(gòu)；構(gòu)成所述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層中含有作為η型摻雜劑的Si和Sn，并且含有作為等電子摻雜劑的^。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，構(gòu)成所述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層含有原子濃度為5X1018/cm3以上、lX102°/cm3以下的Si。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，構(gòu)成所述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層含有原子濃度為SXlO1Vcm3以上、lX1019/cm3以下的Sn。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，構(gòu)成所述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層含有原子濃度為5X1019/cm3以上、lX1021/cm3以下的h。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，構(gòu)成所述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層中Sn的原子濃度小于Si的原子濃度。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，構(gòu)成所述η型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層為GaN。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述η型氮化物半導(dǎo)體層為與η側(cè)電極接觸的接觸層。
8.如權(quán)利要求7所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述η側(cè)電極由含有Ti 或Al的任意一種或這兩種的金屬形成、或含有該金屬的合金形成。
9.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述η型氮化物半導(dǎo)體層包括第一 η型氮化物半導(dǎo)體層、以及在該第一 η型氮化物半導(dǎo)體層及所述發(fā)光層之間形成的第二 η型氮化物半導(dǎo)體層；所述第二 η型氮化物半導(dǎo)體層含有的η型摻雜劑的原子濃度小于所述第一 η型氮化物半導(dǎo)體層含有的η型摻雜劑的原子濃度。
10.如權(quán)利要求9所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述第二η型氮化物半導(dǎo)體層含有作為等電子摻雜劑的^。
11.如權(quán)利要求9所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述第二η型氮化物半導(dǎo)體層含有Mg。
12.如權(quán)利要求9所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，所述第二η型氮化物半導(dǎo)體層含有原子濃度為5X1018/cm3以上、lX102°/cm3以下的Mg。
全文摘要
提供一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括在基板上形成的n型氮化物半導(dǎo)體層、在該n型氮化物半導(dǎo)體層上形成的發(fā)光層、以及在該發(fā)光層上形成的p型氮化物半導(dǎo)體層；n型氮化物半導(dǎo)體層為一層或兩層以上層疊而成的結(jié)構(gòu)；構(gòu)成n型氮化物半導(dǎo)體層的至少一層含有作為n型摻雜劑的Si和Sn，并且含有作為等電子摻雜劑的In。
文檔編號(hào)H01L33/32GK102468389SQ20111034970
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月8日
發(fā)明者駒田聰 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社