專利名稱：基于氮化物的半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及基于氮化物的半導體器件及其制造方法，更具體地，涉及能夠具有增大的耐受電壓并可在較低導通電壓下操作以改善開關操作效率的基于氮化物的半導體器件及其制造方法。
背景技術：
在半導體器件中，存在利用二維電子氣QDEG)作為電流移動溝道的高電子遷移率晶體管(HEMT)。普通的高電子遷移率晶體管包括諸如藍寶石基板的基底、在該基底上形成的基于氮化物的外延生長層以及在該外延生長層上形成的電極結構。該電極結構包括柵極、設置在柵極一側的源極以及設置在柵極另一側的漏極。通常，柵極是與外延生長層形成肖特基接觸(Schottky contact)的肖特基電極，而源極和漏極是與外延生長層形成歐姆接觸(ohmic contact)的歐姆電極。在具有上述結構的基于氮化物的半導體器件中，為了改善晶體管的特性并擴展應用，應該增大器件的電流密度和耐受電壓。然而，在電流密度和耐受電壓之間存在折衷關系 (trade-off relation)，使得當電流密度增加時，耐受電壓降低。例如，電流密度由漏極和源極之間的歐姆接觸電阻和溝道電阻來確定，而耐受電壓由作為柵極的肖特基電極和作為漏極的歐姆電極之間的耐受電壓來確定。因此，通常為了增大耐受電壓，應該增大相對于作為漏極的歐姆電極的耐受電壓。然而，在這種情況下，可能導致出現(xiàn)諸如電流密度減小的問題等。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是提供能夠具有增大的耐受電壓并在較低導通電壓下進行操作以改善開關操作效率的基于氮化物的半導體器件。本發(fā)明的另一個目的是提供能夠具有增大的耐受電壓，同時防止電流密度降低的基于氮化物的半導體器件。本發(fā)明的再一個目的是提供用于制造能夠具有增大的耐受電壓并在較低導通電壓下進行操作以改善開關操作效率的基于氮化物的半導體器件的方法。本發(fā)明的又一個目的是提供用于制造能夠具有增大的耐受電壓，同時防止電流密度降低的基于氮化物的半導體器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種基于氮化物的半導體器件，包括基底；設置在基底上并且在其內部產生二維電子氣的外延生長層；以及設置在該外延生長層上的電極結構，其中，該電極結構包括柵極；設置在該柵極的一側的源極；以及設置在該柵極的另一側并具有延伸至該外延生長層的內部以接觸二維電子氣的延伸部的漏極。漏極可以是與外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極。柵極可以包括與外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極，源極可以包括與外延生長層形成歐姆接觸的歐姆電極。延伸部可具有島形截面。延伸部可被形成為具有柵格圖案(lattice (晶格)pattern)。延伸部可具有環(huán)形截面?；卓芍辽侔ü杌?、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。外延生長層包括使用基底作為籽晶層(seed layer)而生長的下部氮化物層；以及使用下部氮化物層作為籽晶層而生長的并具有比下部氮化物層的能量帶隙更寬的能量帶隙的上部氮化物層。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式，提供了一種用于制造基于氮化物的半導體器件的方法。包括制備基底；在基底上形成外延生長層，該外延生長層在其內部產生二維電子氣；以及在該外延生長層上形成電極結構，其中，形成電極結構包括形成柵極；在柵極的一側上形成源極；在柵極的另一側上形成漏極，該漏極具有延伸至該外延生長層的內部以接觸二維電子氣的延伸部。形成該漏極包括在外延生長層的漏極形成區(qū)域中形成暴露二維電子氣的凹陷部；以及形成填充該凹陷部的金屬層以形成與該外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極?？赏ㄟ^執(zhí)行用于在基于氮化物的半導體器件之間進行分離的臺面處理來進行該凹陷部的形成?；椎闹苽淇砂ㄖ辽僦苽涔杌濉⑻蓟杌逡约八{寶石基板中的任意一種。形成外延生長層可包括通過使用基底作為籽晶層在基底上執(zhí)行外延生長處理來生長下部氮化物層；以及使用下部氮化物層作為籽晶層在下部氮化物層上生長上部氮化物層，上部氮化物層具有比下部氮化物層更寬的能量帶隙。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的平面視圖；圖2是沿圖1的1-1’線截取的截面圖；圖3是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法的流程圖；圖4A至圖4C是解釋用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的過程的示圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的修改例的示圖；圖6是沿圖5的11-11’線截取的截面圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的另一個修改例的示圖；以及圖8是沿圖7的III-III’線截取的截面圖。
具體實施例方式根據(jù)參照附圖的實施方式的下列描述，本發(fā)明的各種優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)其的方法將變得顯而易見。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式進行修改并且本發(fā)明不限于本文提出的實施方式。并且，提供這些實施方式，使得本公開將是詳盡而完整的，并且將向本領域的技術人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。整個說明書中相同的參考標號表示相同的元件。本說明書中使用的術語是用于解釋這些實施方式，而不是限制本發(fā)明。除非明確地描述了并非如此，否則在本說明書中單數(shù)形式包括了復數(shù)形式。詞語“包括(comprise)” 和諸如“包括(comprises) ”或“包括(comprising) ”的變形將被理解為意味著包括所述的組成、步驟、操作和/或元件，但不排除任何其他組成、步驟、操作和/或元件。此外，將參照作為理想示例圖的截面示圖和/或平面示圖來描述本說明書中描述的示例性實施方式。在附圖中，為了有效描述技術內容，對層或區(qū)域的厚度進行了放大。因此，制造技術和/或公差可能會改變示例的形式。因此本發(fā)明的示例性實施方式不限于具體的形式，而是可以包括根據(jù)制造工藝產生的形式上的變化。例如，垂直示出的蝕刻區(qū)域可以是圓的或者可以具有預定的曲率。因此，附圖中示出的區(qū)域具有示意性的屬性，而附圖中示出的形狀僅通過舉例方式示出了器件區(qū)域的具體形狀，但不限于呈現(xiàn)的范圍。下文中，將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件及用于制造該半導體器件的方法。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的平面視圖， 而圖2是沿圖1的1-1’線截取的截面圖。參照圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明實施方式的基于氮化物的半導體器件100可被構造為包括基底110、外延生長層120以及電極結構130?；?10可以是用于形成外延生長層120和電極結構130的基底?？梢允褂酶鞣N基板作為基底110。例如，基底110可以是硅基板、碳化硅基板和藍寶石基板中的任意一種。外延生長層120可包括在基底110上依次層疊的下部氮化物層122和上部氮化物層124。上部氮化物層IM可以由具有比下部氮化物層122的能量帶隙更寬的能量帶隙的材料制成。上部氮化物層1 可以由具有與下部氮化物層122的晶格常數(shù)不同的晶格常數(shù)(lattice constant)的材料制成。例如，下部氮化物層122和上部氮化物層IM可以是包括基于III族氮化物的材料的層。更具體地，下部氮化物層122可以是由氮化鎵(GaN)、 氮化鋁鎵(AWaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁鎵(IniUGaN)中的任意一種制成，而上部氮化物層124可以是由氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AKkiN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁鎵 (InAlGaN)中的另一種制成。作為實例，下部氮化物層122可以是氮化鎵(GaN)層，而上部氮化物層1 可以是氮化鋁鎵(AWaN)層。在具有上述結構的外延生長層120的內部，可以在下部氮化物層122和上部氮化物層1 之間的界面產生二維電子氣0DEG)。在基于氮化物的半導體器件100的開關操作期間，電流可流過二維電子氣0DEG)。在這種結構中，可在基底110和外延生長層120之間插入緩沖層(未示出)。緩沖層可以是用于降低由于基底110和外延生長層120之間的晶格不匹配而產生的缺陷的層。 為此，緩沖層可以具有超晶格層結構(super-lattice layer structure)，其中由異質材料制成的薄膜交替層疊。該超晶格層可以具有多層結構，其中絕緣層和半導體層被交替生長。電極結構130可以是設置在外延生長層120上的晶體管電極結構。例如，電極結構130可利用二維電子氣QDEG)作為電流流動溝道而具有高電子遷移率晶體管(HEMT)結構。作為實例，電極結構130可包括柵極132、源極134和漏極136。柵極132可設置在源極134和漏極136之間。柵極132可以是與外延生長層120形成肖特基接觸的肖特基電極。 源極134可設置在柵極132的一側，并可以是與外延生長層120形成歐姆接觸的歐姆電極。 漏極136可設置在柵極132的另一側，并可以是與外延生長層120形成肖特基接觸的肖特基電極。同時，電極結構130可以具有這樣的結構，即，在該結構中，電極結構延伸至外延生長層120的內部，使得其可以接觸二維電子氣ODEG)。例如，漏極136可具有延伸至外延生長層120的內部以接觸二維電子氣ODEG)的延伸部137。為此，外延生長層120會具有延伸部137位于其中的凹陷部126。凹陷部126可以是暴露下部氮化物層122的凹槽。具有上述結構的漏極136直接接觸限定了基于氮化物的半導體器件100的電流移動路徑的二維電子氣(2DEG)，使得其可具有接近0的導通電阻值。因此，漏極136盡管為肖特基電極但卻具有與歐姆接觸的電極特性類似的電極特性，使得基于氮化物的半導體器件100與不接觸二維電子氣ODEG)的漏極相比可在明顯較低的電壓下執(zhí)行開關操作。此外，漏極136可防止在基于氮化物的半導體器件100的反向操作期間流過泄漏電流。如上所述，根據(jù)示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件100可被構造為包括基底110、產生二維電子氣QDEG)的外延生長層120以及設置在外延生長層120上的電極結構130，其中，電極結構130可包括柵極132、設置在柵極132 —側的源極134以及設置在柵極132另一側并具有延伸至外延生長層120的內部以直接接觸二維電子氣ODEG)的延伸部137的漏極136。在此結構中，漏極136可以是與外延生長層120形成肖特基接觸的肖特基電極。在這種情況下，漏極136接觸二維電子氣QDEG)以具有最小的導通電阻，從而使其可與歐姆接觸類似地進行操作。因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件在正向操作期間即使在較低導通電壓下仍可進行操作，從而改善開關操作效率并增大耐受電壓。另外，對于根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件，肖特基電極用作漏極，該漏極部分地接觸二維電子氣以如歐姆電極一樣操作，并且肖特基電極具有該電極延伸至外延生長層的內部的結構，從而使得能夠防止電流密度被降低。下文中，將詳細描述用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法。文中，可省略或簡化與參照圖1和圖2描述的基于氮化物的半導體器件100 重復的內容的描述。圖3是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法的流程圖。圖4A至圖4C是解釋用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的處理的示圖。參照圖3和圖4A，可制備基底IlO(SllO)。例如，基底110的制備可包括制備硅基板、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。
在基底110上依次形成下部氮化物層122和初級上部氮化物層123 (S120)。例如， 下部氮化物層122可通過利用基底110作為籽晶層(seed layer)來執(zhí)行外延生長處理而形成，而初級上部氮化物層123可通過利用下部氮化物層122作為籽晶層來執(zhí)行外延生長處理而形成。外延生長處理可以是生長包括基于III族氮化物的材料的半導體層的處理。作為實例，形成下部氮化物層122的外延生長處理可以是形成氮化鎵(GaN)層的處理，而形成初級上部氮化物層123的外延生長處理可以是形成氮化鋁鎵(AWaN)層的處理。在如上所述形成的外延生長層120的內部中，可在下部氮化物層122和初級上部氮化物層123之間的界面產生二維電子氣ODEG)。同時，可使用分子束外延生長工藝、原子層外延生長工藝、流調制有機金屬氣相夕卜延生長工藝(a flow modulation organometallic vapor phase epitaxial growth process)、流調制有機金屬氣相夕卜延生長工藝(a flow modulation organometallic vapor phase epitaxial growth process) ^ii1 昆^f^tt匿夕卜延^111 (hybrid vapor phase epitaxial growth process)中的至少任意一種作為用于形成外延生長層120的外延生長工藝。參照圖3和圖4B，在初級上部氮化物層123的漏極形成區(qū)域處可形成暴露下部氮化物層122的凹陷部U6(S130)?？梢栽趫?zhí)行用于基于氮化物半導體器件之間的電氣分離的器件分離處理期間進行凹陷部126的形成。更具體地，基于氮化物的半導體器件可以在基板級狀態(tài)下制造，然后通過使用臺面處理(mesa process)(其是電性分離基板上的器件的處理)被分離成個體器件。臺面處理可通過在基于氮化物的半導體器件之間的界面處形成預定溝槽來執(zhí)行。溝槽的深度可被調節(jié)成使得暴露出外延生長層120的下部氮化物層 122。因此，由于利用用于電性分離基于氮化物的半導體器件的臺面處理來形成凹陷部126， 所以用于制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法可通過臺面處理形成凹陷部126，而無需另外執(zhí)行單獨的凹陷部形成處理。參照圖3和圖4C，可在外延生長層120上形成填充凹陷部126的電極結構 130(S140)。例如，電極結構130的形成可包括形成金屬層，該金屬層覆蓋外延生長層120， 同時填充凹陷部126，并且通過光刻處理被圖案化。因此，可在外延生長層120上形成柵極 132、設置在柵極132 —側的源極134以及設置在柵極132另一側的漏極136。本文中，金屬層可填充進凹陷部126的內部以接觸二維電子氣0DEG)。因此，漏極136可具有通過凹陷部126接觸二維電子氣0DEG)的延伸部137。這里，由于金屬層被有效地填充進凹陷部126，所以金屬層的形成可優(yōu)選地通過具有極好階梯覆蓋(st印coverage)的工藝來執(zhí)行。例如，金屬層的形成可以通過化學氣相沉積(CVD)工藝，原子層沉積(ALD)工藝、離子濺射工藝以及熱氧化工藝中的任意一種來執(zhí)行。然而，可選地，還可以使用物理蒸發(fā)沉積(PVD)工藝作為形成金屬層的工藝。如上所述，在用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法中，可在基底110上形成具有暴露二維電子氣QDEG)的凹陷部1 的外延生長層120， 并且填充凹陷部126以接觸二維電子氣QDEG)的漏極136可在外延生長層120的漏極形成區(qū)域處形成。漏極136接觸二維電子氣(2DEG)，從而使得其盡管為肖特基電極但仍具有如歐姆電極一樣的特性。因此，對于用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法，可以形成具有接觸二維電子氣ODEG)以降低電阻值的漏極的電極結構， 以增大耐受電壓并降低導通電阻值，因此使得能夠制造可改善開關操作效率的基于氮化物的半導體器件。另外，對于用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法，肖特基電極用作漏極，漏極部分地接觸二維電子氣以與歐姆電極類似地進行操作，并且肖特基電極具有延伸至外延生長層內部的結構，因此，使得能夠制造可防止電流密度降低的基于氮化物的半導體器件。在下文中，將詳細描述用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法的修改例。在本文中，可省略或簡化與參照圖1和圖2描述的基于氮化物的半導體器件100重復的內容的描述。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的修改例的示圖，而圖6是沿圖5的11-11’線截取的截面圖。參照圖5和圖6，與參照圖1描述的基于氮化物的半導體器件100相比較，根據(jù)本發(fā)明修改例的基于氮化物的半導體器件IOOa可包括具有延伸部137a的漏極136a，延伸部 137a具有線狀截面。更具體地，基于氮化物的半導體器件IOOa可被構造為包括基底110、外延生長層 120以及在外延生長層120上形成的電極結構130a，其中，電極結構130a可包括柵極132、 設置在柵極132 —側的源極134以及設置在柵極132另一側的漏極136a。漏極136a可以是與外延生長層120形成肖特基接觸的肖特基電極。另外，漏極136a具有延伸至外延生長層120內部以接觸外延生長層120內部中的二維電子氣(如圖所示)的延伸部137a，其中延伸部137a可以具有線形截面。設置多個外延部137a。在這種構造中，延伸部137a可被設置為形成彼此平行的線?？稍谕庋由L層120中形成具有與延伸部137a的形狀對應的形狀的凹陷部U6a，使得延伸部137a被插進外延生長層120的內部。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的另一個修改例的示圖，而圖8是沿圖7的III-III’線截取的截面圖。參照圖7和圖8，與參照圖1描述的基于氮化物的半導體器件100相比較，根據(jù)本發(fā)明另一修改例的基于氮化物的半導體器件IOOa可包括矩形環(huán)狀截面的漏極136b。更具體地，基于氮化物的半導體器件IOOb可包括在外延生長層120上形成的電極結構130b，其中，電極結構130b可包括柵極132、設置在柵極132 —側的源極134以及設置在柵極132另一側的漏極136b。漏極136b可以是與外延生長層120形成肖特基接觸的肖特基電極。另外，漏極136b具有延伸至外延生長層120內部以接觸外延生長層120內部中的二維電子氣(如圖所示)的延伸部137b，其中延伸部137b可以具有環(huán)形截面。延伸部 137b可以具有矩形環(huán)形狀。延伸部137b可以具有圓環(huán)形狀。設置多個外延部137b。在這種構造中，延伸部137b可被設置為具有多個同心環(huán)?？稍谕庋由L層120中形成具有與延伸部137b的形狀對應的形狀的凹陷部U6b，使得延伸部137b被插進外延生長層120的內部。根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件包括在其內部產生二維電子氣的外延生長層和在該外延生長層上形成的晶體管電極結構，其中，晶體管電極結構的漏極包括延伸至外延生長層的內部以接觸二維電子氣的延伸部，以降低通過二維電子氣的電流阻值，使得耐受電壓增加而導通電阻降低，從而使得能夠改善開關操作的效率。對于根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件，肖特基電極用作漏極，該漏極部分地接觸二維電子氣以與歐姆電極類似地進行操作，且肖特基電極具有延伸至外延生長層的內部的結構，從而使得能夠防止電流密度降低。對于用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法， 在基底上形成外延生長層，并且在外延生長層上形成具有接觸外延生長層的二維電子氣 (2DEG)的漏極以降低導通電阻值的晶體管電極結構，以增加耐受電壓并降低導通電阻值， 因此使得能夠制造可改善開關操作效率的基于氮化物的半導體器件。對于用于制造根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的基于氮化物的半導體器件的方法，肖特基電極用作漏極，該漏極部分地接觸二維電子氣以與歐姆電極類似地進行操作，并且肖特基電極具有延伸至外沿生長層的內部的結構，因此，使得能夠制造可防止電流密度降低的基于氮化物的半導體器件。已結合目前被認為是實用的示例性實施方式來描述了本發(fā)明。盡管已描述了本發(fā)明的示例性實施方式，但本發(fā)明還可用在各種其他組合、變形和環(huán)境中。換句話說，本發(fā)明可在說明書所公開的發(fā)明思想的范圍內、等價于本公開的范圍內和/或本發(fā)明所屬領域中的技術或知識的范圍內進行變化或修改。提供上述的示例性實施方式以解釋實施本發(fā)明的過程中的最佳形態(tài)。因此，他們可以在使用諸如本發(fā)明的其他發(fā)明的過程中以本發(fā)明所屬領域所知的其他形態(tài)來實施，并且還可以以本發(fā)明的具體應用領域和使用中需要的形式被修改。因此，應當理解的是，本發(fā)明不限于公開的實施方式。應當理解的是，其他實施方式也包括在所附權利要求的精神和范圍內。
權利要求
1.一種基于氮化物的半導體器件，包括基底；外延生長層，設置在所述基底上，并且在其內部產生二維電子氣；以及電極結構，設置在所述外延生長層上， 其中，所述電極結構包括 柵極；源極，設置在所述柵極的一側；以及漏極，設置在所述柵極的另一側，并具有延伸至所述外延生長層的內部以接觸所述二維電子氣的延伸部。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述漏極是與所述外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述柵極包括與所述外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極，以及所述源極包括與所述外延生長層形成歐姆接觸的歐姆電極。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部具有島形截面。
5.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部被形成為具有柵格圖案。
6.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部具有環(huán)形截面。
7.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述基底至少包括硅基板、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。
8.根據(jù)權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述外延生長層包括 使用所述基底作為籽晶層而生長的下部氮化物層；以及使用所述下部氮化物層作為籽晶層而生長的并具有比所述下部氮化物層的能量帶隙更寬的能量帶隙的上部氮化物層。
9.一種用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，包括 制備基底；在所述基底上形成外延生長層，所述外延生長層在其內部產生二維電子氣；以及在所述外延生長層上形成電極結構， 其中，形成所述電極結構包括 形成柵極；在所述柵極的一側上形成源極；以及在所述柵極的另一側上形成漏極，所述漏極具有延伸至所述外延生長層的內部以接觸所述二維電子氣的延伸部。
10.根據(jù)權利要求9所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法， 其中，形成所述漏極包括在所述外延生長層的漏極形成區(qū)域中形成暴露所述二維電子氣的凹陷部；以及形成填充所述凹陷部的金屬層以形成與所述外延生長層形成肖特基接觸的肖特基電極。
11.根據(jù)權利要求10所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，通過執(zhí)行用于在所述基于氮化物的半導體器件之間進行分離的臺面工藝來進行所述凹陷部的形成。
12.根據(jù)權利要求9所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，所述基底的制備包括至少制備硅基板、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。
13.根據(jù)權利要求9所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，形成所述外延生長層包括通過使用所述基底作為籽晶層在所述基底上執(zhí)行外延生長處理來生長下部氮化物層；以及使用所述下部氮化物層作為籽晶層在所述下部氮化物層上生長上部氮化物層，所述上部氮化物層具有比所述下部氮化物層更寬的能量帶隙。
全文摘要
本文公開了一種基于氮化物的半導體器件及其制造方法。該基于氮化物的半導體器件包括基底；設置在基底上并且在其內部產生二維電子氣的外延生長層；以及設置在外延生長層上的電極結構。其中，該電極結構包括柵極；設置在柵極的一側的源極；以及設置在柵極的另一側并具有延伸至外延生長層的內部以接觸二維電子氣的延伸部的漏極。
文檔編號H01L29/40GK102569423SQ20111031916
公開日2012年7月11日 申請日期2011年10月19日 優(yōu)先權日2010年12月9日
發(fā)明者全祐徹, 樸基烈, 樸永煥 申請人:三星電機株式會社