專利名稱：一種接觸孔形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接觸孔形成方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路向深亞微米尺寸發(fā)展，器件的密集程度和工藝的復(fù)雜程度不斷增加，對工藝過程的嚴(yán)格控制變得更為重要。其中，接觸孔作為多層金屬層間互連以及器件有源區(qū)與外界電路之間連接的通道，在器件結(jié)構(gòu)組成中具有重要作用，接觸孔刻蝕工藝的改進(jìn)歷來受到本領(lǐng)域技術(shù)人員的高度重視。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體器件特征尺寸顯著減小，接觸孔尺寸也隨之顯著縮小。圖Ia Id為現(xiàn)有技術(shù)中接觸孔形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖Ia ld，應(yīng)用現(xiàn)有方法刻蝕接觸孔的步驟包括提供半導(dǎo)體基11 ；在所述半導(dǎo)體基底11上依次沉積硬掩膜層12和圖案化的光刻膠層13，以圖案化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層12，使所述硬掩膜層12中形成開口以界定接觸孔14位置；去除圖案化的所述光刻膠層13，以開口的所述硬掩膜層12為掩膜刻蝕半導(dǎo)體基底11，在半導(dǎo)體基底11中形成接觸孔14。所述接觸孔14的孔徑與所述硬掩膜層12開口的底部大小有關(guān)，而硬掩膜層12開口的底部大小與所述硬掩膜層12的厚度有關(guān)，因此，所述硬掩膜層12的厚度成為決定接觸孔孔徑的關(guān)鍵因
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發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供了一種接觸孔形成方法，以解決接觸孔孔徑偏大的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是本發(fā)明提供一種接觸孔形成方法， 包括提供半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體上依次形成硬掩膜層和圖形化的光刻膠層，所述硬掩膜層的厚度為4000A 6000A ；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層，在所述硬掩膜層中形成開口 ；去除所述圖形化的光刻膠層，以刻蝕后的所述硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體中形成接觸孔。進(jìn)一步的，所述接觸孔的直徑為0. 20微米 0. 35微米。進(jìn)一步的，在所述半導(dǎo)體基體中形成接觸孔后，去除所述硬掩膜層。本發(fā)明提供的接觸孔形成方法，在所述半導(dǎo)體基體上形成的硬掩膜層的厚度為 4000A 6000A，該厚度值大于通常形成的硬掩膜層的厚度值，由于以硬掩膜層為掩膜刻蝕出的接觸孔的孔徑與硬掩膜層的厚度成反比，因此，增厚的硬掩膜層能夠得到孔徑更小的接觸孔，以滿足半導(dǎo)體器件特征尺寸的顯著減小。


圖Ia Id為現(xiàn)有技術(shù)中接觸孔形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的接觸孔形成方法的步驟流程圖3a 3d為本發(fā)明實(shí)施例中接觸孔形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明提出的一種接觸孔形成方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種接觸孔形成方法，在所述半導(dǎo)體基體上形成的硬掩膜層的厚度為4000A 6000A，該厚度值大于通常形成的硬掩膜層的厚度值，由于以硬掩膜層為掩膜刻蝕出的接觸孔的孔徑與硬掩膜層的厚度成反比，因此，增厚的硬掩膜層能夠得到孔徑更小的接觸孔，以滿足半導(dǎo)體器件特征尺寸的顯著減小。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的接觸孔形成方法的步驟流程圖。參照圖2，接觸孔形成方法，包括如下步驟S31、提供半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體上依次形成硬掩膜層和圖形化的光刻膠層，所述硬掩膜層的厚度為4000A 6000A ；S32、以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層，在所述硬掩膜層中形成開口 ；S33、去除所述圖形化的光刻膠層，以刻蝕后的所述硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體中形成接觸孔。下面將結(jié)合剖面示意圖對本發(fā)明的接觸孔形成方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。圖3a 3d為本發(fā)明實(shí)施例中接觸孔形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖3a并結(jié)合步驟S31，提供的半導(dǎo)體基體31為硅襯底，在所述半導(dǎo)體基體31上依次形成硬掩膜層 32和圖形化的光刻膠層33，形成的硬掩膜層32的成分為二氧化硅，所述硬掩膜層32的厚度為4000A 6000A，所述硬掩膜層32的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中的硬掩膜層12更厚。參照圖北并結(jié)合步驟S32，以所述圖形化的光刻膠層33為掩膜刻蝕所述硬掩膜層 32，在所述硬掩膜層32中形成開口，在本實(shí)施例中，所述刻蝕硬掩膜層32的方法為干法刻蝕，在刻蝕的過程中，形成開口的坡度與現(xiàn)有技術(shù)中的開口的坡度相同，因此，在相同坡度的刻蝕條件下，厚度更大的硬掩膜層32形成的開口的底部比現(xiàn)有技術(shù)中的硬掩膜層12形成的開口的底部更窄。參照圖3c并結(jié)合步驟S33，去除所述圖形化的光刻膠層33，以刻蝕后的所述硬掩膜層32為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體基體31，在所述半導(dǎo)體基體31中形成接觸孔34，所述接觸孔34的孔徑大小與硬掩膜層32形成的開口的底部寬度相同，因此，厚度更大的硬掩膜層32 形成的更窄的開口底部使形成的接觸孔32的孔徑更小，在本實(shí)施例中，所述接觸孔32的直徑為0. 20微米 0. 35微米。參照圖3d，在所述半導(dǎo)體基體31中形成接觸孔34后，去除所述硬掩膜層32。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種接觸孔形成方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體上依次形成硬掩膜層和圖形化的光刻膠層，所述硬掩膜層的厚度為4000A 6000A ；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層，在所述硬掩膜層中形成開口 ； 去除所述圖形化的光刻膠層，以刻蝕后的所述硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體基體， 在所述半導(dǎo)體基體中形成接觸孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述接觸孔的直徑為0.20微米 0. 35微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基體中形成接觸孔后，去除所述硬掩膜層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種接觸孔形成方法，包括提供半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體上依次形成硬掩膜層和圖形化的光刻膠層，所述硬掩膜層的厚度為4000A～6000A；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層，在所述硬掩膜層中形成開口；去除所述圖形化的光刻膠層，以刻蝕后的所述硬掩膜層為掩膜刻蝕所述半導(dǎo)體基體，在所述半導(dǎo)體基體中形成接觸孔。本發(fā)明提供的接觸孔形成方法，在所述半導(dǎo)體基體上形成的硬掩膜層的厚度為4000A～6000A，該厚度值大于通常形成的硬掩膜層的厚度值，由于以硬掩膜層為掩膜刻蝕出的接觸孔的孔徑與硬掩膜層的厚度成反比，因此，增厚的硬掩膜層能夠得到孔徑更小的接觸孔，以滿足半導(dǎo)體器件特征尺寸的顯著減小。
文檔編號H01L21/768GK102324402SQ201110301248
公開日2012年1月18日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者肖培, 胡學(xué)清, 賈璐 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司