專利名稱：封裝基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種封裝基板及其制造方法,尤指一種無核心層的封裝基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)，例如打線式或覆晶式，是于一封裝基板上設(shè)置半導(dǎo)體芯片，且該半導(dǎo)體芯片借由導(dǎo)線或焊錫凸塊電性連接至該封裝基板上。為了滿足半導(dǎo)體封裝件高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封裝需求，以供更多主、被動組件及線路載接，封裝基板也逐漸由雙層電路板演變成多層電路板(multi-layerboard),俾于有限的空間下運(yùn)用層間連接技術(shù)(interlayer connection)以 擴(kuò)大封裝基板上可供利用的線路布局面積，并能配合高線路密度的集成電路(integrated circuit)的使用需求，且降低封裝基板的厚度，而能達(dá)到封裝結(jié)構(gòu)輕薄短小及提高電性功能的目的?，F(xiàn)有技術(shù)中，封裝基板是由一具有內(nèi)層線路的核心板及對稱形成于其兩側(cè)的線路增層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。因使用核心板將導(dǎo)致整體結(jié)構(gòu)厚度增加，故難以滿足電子產(chǎn)品功能不斷提升而體積卻不斷縮小的需求。因此，遂發(fā)展出無核心層(coreless)的封裝基板，以縮短導(dǎo)線長度及降低整體結(jié)構(gòu)厚度以符合高頻化、微小化的趨勢。如圖I所示的無核心層的封裝基板1，其制造方法包括于一承載板(未圖標(biāo))上形成第一介電層120a,且于該第一介電層120a上形成第一線路層11 ;于該第一介電層120a與第一線路層11上形成線路增層結(jié)構(gòu)12，該線路增層結(jié)構(gòu)12具有第二、第三與第四介電層120b，120c，120d，且于該第二至第四介電層120b，120c，120d上形成有第二線路層121，各該第二線路層121借由導(dǎo)電盲孔122相互電性連接；移除該承載板，以外露該第一介電層120a ;于該第一介電層120a、及第四介電層120d與第二線路層121上分別形成如綠漆的防焊層14a，14b ;于該防焊層14a與第一介電層120a中形成開孔140a，以外露該第一線路層11的部分表面，并于該防焊層14b上形成開孔140b，以外露該第二線路層121的部分表面；于該開孔140a，140b中形成金屬凸塊13a，13b，以分別結(jié)合焊球15a，15b，令上側(cè)焊球15b用以接置芯片(未圖標(biāo))，而下側(cè)焊球15a用以接置電路板(未圖標(biāo))，換句話說，上述工藝是從封裝基板I的下側(cè)(即接觸該承載板的表面)開始制作，而后逐漸增層至用以接置芯片的金屬凸塊13b與防焊層14b為止，也就是從植球側(cè)開始制作到置晶側(cè)。其中，每制作一層介電層時即需進(jìn)行一次固化(curing)工藝，使原本半固化的介電材的結(jié)構(gòu)得以固化，且介電層經(jīng)固化的次數(shù)越多，介電層的內(nèi)部分子向中間集中聚縮的程度越完全，又每一次的固化工藝都會影響整體結(jié)構(gòu)中所有的介電層，故于現(xiàn)有封裝基板I中，該第一介電層120a是經(jīng)過四次固化工藝，而該第二、第三與第四介電層120b，120c，120d則分別經(jīng)過三次、二次與一次固化工藝。承上述，因該第一至第四介電層120a，120b，120c，120d所經(jīng)過的固化次數(shù)不同，會造成各介電層尚存的聚縮能力也不相同，由于該第一介電層120a經(jīng)過最多次固化工藝，所以幾乎不再有聚縮能力，即該第一介電層120a中幾乎沒有聚縮力存在，依此類推，該第二、第三與第四介電層120b，120c，120d中的聚縮力將依序漸增，而由于各介電層的聚縮力都會對封裝基板產(chǎn)生一種由四周往中心拉扯的力量，故現(xiàn)有封裝基板I呈現(xiàn)該第四介電層120d的側(cè)下凹且該第一介電層120a的側(cè)凸出的翹曲現(xiàn)象，即置晶側(cè)朝上的整體封裝基板I呈「微笑」?fàn)钍谴祟惞に囁@現(xiàn)的一個特性，而此基板彎翹的現(xiàn)象會造成封裝基板的制作及其后續(xù)封裝工藝的困擾，進(jìn)而影響良率。然而，該第一介電層120a及第四介電層120d上分別形成有該防焊層14a，14b，且因下側(cè)防焊層14a的開孔140a大于該上側(cè)防焊層14b的開孔140b，故下側(cè)防焊層14a的實(shí)際覆蓋面積小于該上側(cè)防焊層14b的實(shí)際覆蓋面積，即該上側(cè)防焊層14b具有較下側(cè)防焊層14a多的材料，又該防焊層14a，14b同樣會有分子聚縮的能力，所以該上側(cè)防焊層14b對于封裝基板的拉扯力量大于下側(cè)防焊層14a的拉扯力量，這將造成該封裝基板I的翹曲程度更加嚴(yán)重(如圖I中所示的虛線)。此外，現(xiàn)有技術(shù)中的防焊層及其所覆蓋的外層線路層并非共平面，這也影響到整體封裝的良率與密度。 因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的翹曲過多的問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的主要目的在于揭露一種封裝基板及其制造方法，以有效改善現(xiàn)有封裝基板過度翹曲的問題。本發(fā)明所揭露的封裝基板包括第一介電層，其具有相對的第一表面與第二表面；多個第一金屬凸塊，其嵌埋于該第一介電層的第一表面，各該第一金屬凸塊并具有相對的第一端與第二端，且該第一金屬凸塊的第二端外露于該第一表面，以供半導(dǎo)體芯片接置于該第一金屬凸塊上；第一線路層，其嵌埋和外露于該第一介電層的第二表面，該第一金屬凸塊的第一端嵌入至該第一線路層中，且該第一線路層與第一介電層之間、及該第一線路層與第一金屬凸塊之間設(shè)有導(dǎo)電層；以及增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一線路層與第一介電層上，該增層結(jié)構(gòu)的最外層具有多個電性接觸墊，以供外部電子裝置接置于該電性接觸墊上。本發(fā)明還揭露一種封裝基板的制造方法，包括提供一具有相對兩表面的承載板，且各該表面上形成有多個具有相對的第一端與第二端的第一金屬凸塊，且該第二端接置于該承載板的表面上，以供半導(dǎo)體芯片接置于該第一金屬凸塊上；于該承載板的表面與第一金屬凸塊上覆蓋第一介電層，且該第一介電層具有多個第一開槽，以外露該第一金屬凸塊的第一端的頂表面與側(cè)表面；于該第一介電層與第一金屬凸塊的第一端上形成導(dǎo)電層；于該導(dǎo)電層上形成金屬層；移除該金屬層與導(dǎo)電層高于該第一介電層頂表面的部分，而于該第一開槽中構(gòu)成第一線路層；于該第一線路層與第一介電層上形成增層結(jié)構(gòu)，而構(gòu)成一上下成對的整版面封裝基板，該增層結(jié)構(gòu)的最外層具有多個電性接觸墊，以供外部電子裝置接置于該電性接觸墊上；以及移除該承載板而分離該上下成對的整版面封裝基板，以成為兩個整版面封裝基板。由上可知，本發(fā)明的封裝基板是由用以接置芯片的一側(cè)制作到用以連接外部電子組件的一側(cè)，這樣會造成最終置晶側(cè)朝上的整體封裝基板呈「反微笑」的形狀；但是又由于第一介電層(最上層介電層)被移除的面積小于最下層介電層，所以又會產(chǎn)生使封裝基板呈「微笑」形狀的應(yīng)力，最終此微笑與反微笑的應(yīng)力將相互抵銷，使得整體封裝基板較為平
難
iF. O此外，本發(fā)明所制作的封裝基板在置晶側(cè)為電性接觸墊與介電層齊平于表面，所以能增加電性接觸墊的密度，而有利于高密度封裝工藝。而且，本發(fā)明是以介電層來取代現(xiàn)有如綠漆的防焊層，使得封裝基板中的各層的材質(zhì)均勻且單純化，而有助于整體封裝基板更為穩(wěn)定與平整，并提升良率。
此外，本發(fā)明的金屬凸塊工藝不需使用傳統(tǒng)的激光開孔方式，雖然激光可以透過調(diào)整來提高整體速度，但是畢竟激光一次只能形成一個開孔，因此本發(fā)明的同時形成多個金屬凸塊的方式能有效減少工藝時間，并降低成本。又，本發(fā)明是將金屬凸塊嵌入至線路層中，故能提升其結(jié)合的可靠度。


圖I為現(xiàn)有無核心層的封裝基板的剖視示意圖。圖2A至圖2G為本發(fā)明的封裝基板暨其應(yīng)用例及其制造方法的剖視圖，其中，圖2E’與圖2E”為圖2E的其它實(shí)施例。主要組件符號說明1，5”封裝基板10核心板100內(nèi)層線路11，551第一線路層12線路增層結(jié)構(gòu)120a, 53第一介電層120b，562，571，581 第二介電層120c第三介電層120d第四介電層121，563，573，583 第二線路層563a, 573a, 583a 電性接觸墊122，572，582 導(dǎo)電盲孔13a, 13b金屬凸塊14a, 14b防焊層140a, 140b開孔15a, 15b, 60焊球5’整版面封裝基板50承載板50a表面501支持層502中介層52第一金屬凸塊
52a第一端52b第二端53a第一表面53b第二表面530第一開槽54導(dǎo)電層56，57，58增層結(jié)構(gòu)
561第二金屬凸塊561a第三端561b第四端562a, 571b第二開槽571a, 581a盲孔59半導(dǎo)體芯片。
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技藝的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技藝的人士的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如「上」及「一」等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。請參閱圖2A至圖2G，為本發(fā)明的封裝基板暨其應(yīng)用例及其制造方法的剖視圖，其中，圖2E’與圖2E”為圖2E的其它實(shí)施例。如圖2A所不,提供一具有相對兩表面50a的承載板50,且各該表面50a上形成有多個具有相對的第一端52a與第二端52b的第一金屬凸塊52,且該第二端52b接置于該承載板50的表面50a上，以供半導(dǎo)體芯片59接置于該第一金屬凸塊52上(請參照圖2G)，以本實(shí)施例來說，該承載板50還可包括支持層501與設(shè)于該支持層501兩表面上的中介層502,以令該第一金屬凸塊52形成于該中介層502上,其中，形成該第一金屬凸塊52的材料可為銅、鎳、錫、金、銀或銅錫合金，且以加成法、半加成法(SAP)、減成法、電鍍、無電鍍沉積(electroless plating deposit)、化學(xué)沉積或印刷的方式形成該第一金屬凸塊52。然而，有關(guān)形成金屬凸塊的方式與材料種類繁多，并不限于上述。如圖2B所不，于該承載板50的表面50a與第一金屬凸塊52上覆蓋第一介電層53。如圖2C所不,于該第一介電層53中形成多個第一開槽530,以外露該第一金屬凸塊52的第一端52a的頂表面與側(cè)表面。如圖2D所不,于該第一介電層53與第一金屬凸塊52的第一端52a上形成導(dǎo)電層54，于該導(dǎo)電層54上形成金屬層(未圖標(biāo))，接著，移除該金屬層與導(dǎo)電層54高于該第一介電層53頂表面的部分,而于該第一開槽530中構(gòu)成第一線路層551。要補(bǔ)充說明的是，該第一線路層551除了以前述的電鍍方式來形成之外，也可使用下述方式來形成首先，于如圖2B的結(jié)構(gòu)上形成屏蔽層(未圖標(biāo))，再以激光來圖案化該屏蔽層并形成如圖2C的該第一開槽530，接著，全面性地形成活化層(未圖標(biāo))，形成該活化層的方法有多種，而在本實(shí)施例中，該活化層可以是經(jīng)由浸鍍而形成，詳細(xì)而言，其可浸泡于含有多個金屬顆粒的化學(xué)溶液中，而該等金屬顆?？梢愿街谠撈帘螌?、該第一開槽530表面、及外露的該第一端52a的頂表面與側(cè)表面，進(jìn)而形成該活化層，其中，該金屬顆粒例如是鈀顆粒、鉬顆粒、金顆?；蜚y顆粒，且該鈀顆粒可以來自于氯化物錫鈀膠體或硫酸鈀螯合物(chelator)，接著，移除該屏蔽層及其上的該活化層，最后，借由化學(xué)鍍(即無電電鍍(electroless plating))方式以于該第一開槽530中的該活化層上形成如圖2D的該第一線路層551。又本發(fā)明中的嵌埋線路均可應(yīng)用前述的線路形成方式，故將不再于下文中重復(fù)說明。 如圖2E所不,先于該第一線路層551上形成第二金屬凸塊561,并于該第一線路層551、第二金屬凸塊561與第一介電層53上形成第二介電層562,再于該第二介電層562中形成外露該第二金屬凸塊561的第三端561a的頂表面與側(cè)表面的多個第二開槽562a,且于該第二開槽562a中形成該第二線路層563，可視需要重復(fù)進(jìn)行前述線路增層步驟，以于該第一線路層551與第一介電層53上形成增層結(jié)構(gòu)56，該增層結(jié)構(gòu)56包括至少一該第二介電層562、嵌埋和外露于該第二介電層562表面的該第二線路層563、及該等形成于該第二介電層562中并電性連接該第一線路層551與第二線路層563或電性連接該等第二線路層563的該第二金屬凸塊561,該第二金屬凸塊561具有相對的第三端561a與第四端561b,該第二金屬凸塊561的第三端561a嵌入至該第二線路層563中，且最外層的該第二線路層563具有多個電性接觸墊563a，以供外部電子裝置接置于該電性接觸墊563a上，如此則構(gòu)成一上下成對的整版面封裝基板，然后，移除該承載板50而分離該上下成對的整版面封裝基板，以成為兩個整版面封裝基板5’?；蛘撸扇鐖D2E’所示，其為圖2E的另一實(shí)施例，該增層結(jié)構(gòu)57包括至少一第二介電層571、嵌埋和外露于該第二介電層571表面的第二線路層573、及多個形成于該第二介電層571中并電性連接該第一線路層551與第二線路層573或電性連接該等第二線路層573的導(dǎo)電盲孔572，且最外層的該第二線路層573具有多個電性接觸墊573a，此外，該增層結(jié)構(gòu)57的制造方法是先形成該第二介電層571,再于該第二介電層571中形成盲孔571a與第二開槽571b，并于該盲孔571a與第二開槽571b中分別形成該導(dǎo)電盲孔572與第二線路層573。至于其它特征則大致相同于圖2E，故在此不加以贅述?；蛘?，可如圖2E”所示，為圖2E’的另一實(shí)施例，該增層結(jié)構(gòu)58包括至少一第二介電層581、形成于該第二介電層581上的第二線路層583、及多個形成于該第二介電層581中并電性連接該第一線路層551與第二線路層583或電性連接該等第二線路層583的導(dǎo)電盲孔582，且最外層的該第二線路層583具有多個電性接觸墊583a，該增層結(jié)構(gòu)58的制造方法是先形成該第二介電層581,再于該第二介電層581中形成盲孔581a,并于該盲孔581a中與該第二介電層581上分別形成該導(dǎo)電盲孔582與第二線路層583。至于其它特征則大致相同于圖2E’，故在此不加以贅述，且后續(xù)制造方法僅以圖2E做為例示。
要注意的是，雖然在該增層結(jié)構(gòu)56，57，58中并未圖標(biāo)出導(dǎo)電層，但是應(yīng)理解本實(shí)施例的該第二線路層563，573，583可借由該導(dǎo)電層的電鍍程序而形成(即類似圖2B至圖2D的步驟)。如圖2F所示，進(jìn)行切單(singulation)工藝，以得到多個封裝基板5”。如圖2G所示，于該第一金屬凸塊52上封裝接置半導(dǎo)體芯片59，并于該電性接觸墊563a上形成焊球60。要注意的是，本實(shí)施例是先切割成該等封裝基板5”后，再接置該半導(dǎo)體芯片59 ； 但是當(dāng)然也可先接置該半導(dǎo)體芯片59，最后再進(jìn)行切割。本發(fā)明還提供一種封裝基板，包括第一介電層53，其具有相對的第一表面53a與第二表面53b ;多個第一金屬凸塊52,其嵌埋于該第一介電層53的第一表面53a,各該第一金屬凸塊52并具有相對的第一端52a與第二端52b,且該第一金屬凸塊52的第二端52b外露于該第一表面53a,以供半導(dǎo)體芯片59接置于該第一金屬凸塊52上；第一線路層551,其嵌埋和外露于該第一介電層53的第二表面53b,該第一金屬凸塊52的第一端52a嵌入至該第一線路層551中，且該第一線路層551與第一介電層53之間、及該第一線路層551與第一金屬凸塊52之間設(shè)有導(dǎo)電層54 ;以及增層結(jié)構(gòu)56, 57, 58,其設(shè)于該第一線路層551與第一介電層53上，該增層結(jié)構(gòu)56，57，58的最外層具有多個電性接觸墊563a，573a，583a，以供外部電子裝置接置于該電性接觸墊563a，573a，583a上。于上所述的封裝基板中，該增層結(jié)構(gòu)56包括至少一第二介電層562、嵌埋和外露于該第二介電層562表面的第二線路層563、及多個設(shè)于該第二介電層562中并電性連接該第一線路層551與第二線路層563或電性連接該等第二線路層563的第二金屬凸塊561，該第二金屬凸塊561具有相對的第一端561a與第二端561b,該第二金屬凸塊561的第一端561a嵌入至該第二線路層563中，且最外層的該第二線路層563具有該等電性接觸墊563a。又于前述的封裝基板中，該增層結(jié)構(gòu)57包括至少一第二介電層571、嵌埋和外露于該第二介電層571表面的第二線路層573、及多個設(shè)于該第二介電層571中并電性連接該第一線路層551與第二線路層573或電性連接該等第二線路層573的第二導(dǎo)電盲孔572，且最外層的該第二線路層573具有該等第二電性接觸墊573a。于本發(fā)明的封裝基板中，該增層結(jié)構(gòu)58包括至少一第二介電層581、設(shè)于該第二介電層581上的第二線路層583、及多個設(shè)于該第二介電層581中并電性連接該第一線路層551與第二線路層583或電性連接該等第二線路層583的導(dǎo)電盲孔582，且最外層的該第二線路層583具有該等第二電性接觸墊583a。要補(bǔ)充說明的是，本說明書中所述的外部電子裝置可為電路板或其它封裝結(jié)構(gòu)。綜上所述，本發(fā)明的封裝基板是由用以接置芯片的一側(cè)制作到用以連接外部電子組件的一側(cè)，這樣會造成最終置晶側(cè)朝上的整體封裝基板呈「反微笑」的形狀；但是又由于第一介電層(最上層介電層)被移除的面積小于最下層介電層，所以又會產(chǎn)生使封裝基板呈「微笑」形狀的應(yīng)力，最終此微笑與反微笑的應(yīng)力將相互抵銷，使得整體封裝基板較為平難
iF. O此外，本發(fā)明所制作的封裝基板在置晶側(cè)為電性接觸墊與介電層齊平于表面，所以能增加電性接觸墊的密度，而有利于高密度封裝工藝。
而且，本發(fā)明是以介電層來取代現(xiàn)有如綠漆的防焊層，使得封裝基板中的各層的材質(zhì)均勻且單純化，而有助于整體封裝基板更為穩(wěn)定與平整，并提升良率。另外，本發(fā)明的金屬凸塊工藝不需使用傳統(tǒng)的激光開孔方式，雖然激光可以透過調(diào)整來提高整體速度，但是畢竟激光一次只能形成一個開孔，因此本發(fā)明的同時形成多個金屬凸塊的方式能有效減少工藝時間，并降低成本。又，借由將金屬凸塊嵌入至線路層中，可使得該線路層與該金屬凸塊之間的接觸面積增加，所以兩者之間的結(jié)合性較佳，進(jìn)而能提升整體可靠度。上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本 發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板，包括 第一介電層，其具有相對的第一表面與第二表面； 多個第一金屬凸塊，其嵌埋于該第一介電層的第一表面，各該第一金屬凸塊并具有相對的第一端與第二端，且該第一金屬凸塊的第二端外露于該第一表面，以供半導(dǎo)體芯片接置于該第一金屬凸塊上； 第一線路層，其嵌埋和外露于該第一介電層的第二表面，該第一金屬凸塊的第一端嵌入至該第一線路層中，且該第一線路層與第一介電層之間、及該第一線路層與第一金屬凸塊之間設(shè)有導(dǎo)電層；以及 增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一線路層與第一介電層上，該增層結(jié)構(gòu)的最外層具有多個電性接觸墊，以供外部電子裝置接置于該電性接觸墊上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝基板，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一第二介電層、嵌埋和外露于該第二介電層表面的第二線路層、及多個設(shè)于該第二介電層中并電性連接該第一線路層與第二線路層或電性連接該等第二線路層的第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊具有相對的第三端與第四端，該第二金屬凸塊的第三端嵌入至該第二線路層中，且最外層的該第二線路層具有該等電性接觸墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝基板，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一第二介電層、嵌埋和外露于該第二介電層表面的第二線路層、及多個設(shè)于該第二介電層中并電性連接該第一線路層與第二線路層或電性連接該等第二線路層的導(dǎo)電盲孔，且最外層的該第二線路層具有該等電性接觸墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝基板，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一第二介電層、設(shè)于該第二介電層上的第二線路層、及多個設(shè)于該第二介電層中并電性連接該第一線路層與第二線路層或電性連接該等第二線路層的導(dǎo)電盲孔，且最外層的該第二線路層具有該等電性接觸墊。
5.一種封裝基板的制造方法，包括 提供一具有相對兩表面的承載板，且各該表面上形成有多個具有相對的第一端與第二端的第一金屬凸塊，且該第二端接置于該承載板的表面上，以供半導(dǎo)體芯片接置于該第一金屬凸塊上； 于該承載板的表面與第一金屬凸塊上覆蓋第一介電層，且該第一介電層具有多個第一開槽，以外露該第一金屬凸塊的第一端的頂表面與側(cè)表面； 于該第一介電層與第一金屬凸塊的第一端上形成導(dǎo)電層； 于該導(dǎo)電層上形成金屬層； 移除該金屬層與導(dǎo)電層高于該第一介電層頂表面的部分，而于該第一開槽中構(gòu)成第一線路層； 于該第一線路層與第一介電層上形成增層結(jié)構(gòu)，而構(gòu)成一上下成對的整版面封裝基板，該增層結(jié)構(gòu)的最外層具有多個電性接觸墊，以供外部電子裝置接置于該電性接觸墊上；以及 移除該承載板而分離該上下成對的整版面封裝基板，以成為兩個整版面封裝基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該制造方法還包括進(jìn)行切單工藝，以得到多個封裝基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該承載板還包括支持層與設(shè)于該支持層兩表面上的中介層，以令該第一金屬凸塊與第一介電層形成于該中介層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一第二介電層、嵌埋和外露于該第二介電層表面的第二線路層、及多個形成于該第二介電層中并電性連接該第一線路層與第二線路層或電性連接該等第二線路層的第二金屬凸塊，該第二金屬凸塊具有相對的第三端與第四端，該第二金屬凸塊的第三端嵌入至該第二線路層中，且最外層的該第二線路層具有該等電性接觸墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)的制造方法是先形成該第二金屬凸塊，并形成該第二介電層，再于該第二介電層中形成外露該第二金屬凸塊的第三端的頂表面與側(cè)表面的多個第二開槽，且于該第二開槽中形成該第二線路層。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一第二介電層、嵌埋和外露于該第二介電層表面的第二線路層、及多個形成于該第二介電層中并電性連接該第一線路層與第二線路層或電性連接該等第二線路層的導(dǎo)電盲孔，且最外層的該第二線路層具有該等電性接觸墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)的制造方法是先形成該第二介電層，再于該第二介電層中形成盲孔與第二開槽，并于該盲孔與第二開槽中分別形成該導(dǎo)電盲孔與第二線路層。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一第二介電層、形成于該第二介電層上的第二線路層、及多個形成于該第二介電層中并電性連接該第一線路層與第二線路層或電性連接該等第二線路層的導(dǎo)電盲孔，且最外層的該第二線路層具有該等電性接觸墊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝基板的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)的制造方法是先形成該第二介電層，再于該第二介電層中形成盲孔，并于該盲孔中與該第二介電層上分別形成該導(dǎo)電盲孔與第二線路層。
全文摘要
一種封裝基板及其制造方法，該封裝基板包括第一介電層、第一線路層、第一金屬凸塊與增層結(jié)構(gòu)，該第一金屬凸塊與第一線路層分別嵌埋和外露于該第一介電層的兩表面，該第一金屬凸塊的一端則嵌入至該第一線路層中，且該第一線路層與第一介電層之間、及該第一線路層與第一金屬凸塊之間設(shè)有導(dǎo)電層，該增層結(jié)構(gòu)設(shè)于該第一線路層與第一介電層上，該增層結(jié)構(gòu)的最外層具有多個電性接觸墊。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明能有效改善現(xiàn)有封裝基板過度翹曲的問題。
文檔編號H01L23/00GK102867806SQ20111021546
公開日2013年1月9日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者曾子章, 何崇文 申請人:欣興電子股份有限公司